专利名称：一种低互调的射频同轴连接器的制作方法
技术领域：
本发明涉及电缆连接器领域，尤其涉及一种射频同轴连接器。
背景技术：
射频同轴连接器是用在军用设备和无线电电子仪器的射频回路中，起着连接同轴电缆或电子设备并传输电气性能的作用，是射频回路中不可缺少的器件。
如图1所示，一套完整的射频同轴连接器是由阳连接器10与阴连接器20共同组成的，阳连接器10与阴连接器20的结构相互对应，阳连接器的内、外导体与阴连接器的内、外导体之间可以相互紧密联接以实现可靠的电接触，阳连接器的内导体一般为插针式，阴连接器的内导体一般为铍青铜或锡青铜加工而成的弹性插孔。
随着通信事业的发展，原来的单通道通信系统已满足不了通信的要求，双通道或多通道通信已在国内外广泛地发展起来了，与单通道通信不同的是用于双通道或多通道通信系统的射频同轴连接器有个重要的三阶互调性能指标。即在无线通信设备中，器件的非线性通常会使同时侵入2个或多个强干扰信号发生相互调制，并产生新的频率成分，这种现象称为互调。互调干扰不仅能降低有用信号的功率，引起信号失真，降低系统选择性，还能破坏邻近信道的性能。因此，互调性能是系统常检指标，用IM3表示，越低越好。
现有技术中对射频同轴连接器的材料、镀层还缺乏严格的选用，一般采用如下的材料外导体非抗磁黄铜；内导体阳非抗磁黄铜；阴铍青铜；绝缘子聚四氟乙烯；O形密封圈硅橡胶；内导体镀层为镀银，厚度为7um；外导体镀层为镀镍，厚度为7um。
如此生产加工的射频同轴连接器的互调性能就比较差，尤其是大口径的射频同轴连接器配接小口径射频电缆时，因为结构复杂而导致互调性能差，所以不能用于双通道或多通道通信系统中。
发明内容
本发明要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提供一种低互调的射频同轴连接器。
为解决上述技术问题，本发明是提出以下技术方案实现的一种低互调的射频同轴连接器，由阳连接器与阴连接器共同组成，所述阴连接器的内导体由插孔件和用于连接电缆内导体的连接件组成，插孔件和连接件之间互相固接成一体共同构成阴连接器的内导体，其特征在于所述阳连接器的内、外导体主体材料均为抗磁黄铜；所述阴连接器内导体的插孔件主体材料为铍青铜或锡青铜，所述阴连接器内导体的连接件主体材料为抗磁黄铜，阴连接器的外导体主体材料为抗磁黄铜；所述阴、阳连接器的外导体金属零件的镀层从内到外依次为镀铜镀银镀三元合金，所述阴、阳连接器的内导体金属零件镀层为镀银，所述三元合金的成分为铜50％～65％锡30～45％锌5～10％。
所述抗磁黄铜是含铁量小于0.5％的铅黄铜。
所述外导体金属零件镀层中镀铜层厚度0.5～2um、镀银层厚度5～7um、镀三元合金层厚度5～7um。
所述内导体金属零件镀层厚度为7～10um。
本发明带来以下有益效果改善了产品的三阶互调性能，使射频同轴连接器在配接相应射频同轴电缆的时候，不仅在单通道通信系统具有良好的物理性能和电性能，也因为具有低互调指标可以用于多通道通信系统中。
图1射频同轴连接器的结构示意2射频连接器所配接电缆的剥线示意3对比例的互调性能测试结果4本发明一较佳实施例的互调性能测试结果图
具体实施例方式下面结合附图和具体实施例对本发明做进一步的描述本实施例为一较佳实施例。
除阴连接器的插孔件主体材料为铍青铜以外，该连接器的其余金属零件的主体材料均为抗磁黄铜，所述抗磁黄铜是含铁量小于0.5％的铅黄铜；外导体镀层从内到外依次为镀铜，厚度为2um，然后镀银，厚度为7um，再镀三元合金，所述的三元合金镀层的成份为铜55％，锡35％，锌10％，厚度为7um；内导体镀层为镀银，厚度为7um。
结合参见图1、图2，因为射频同轴连接器都是要与相应的同轴射频电缆配接使用的，所以结合电缆的装配做进一步的说明。
图1中1为阴连接器的内导体插孔件；2为阴连接器的内导体连接件；3为1号绝缘子；4为2号绝缘子；5为1号外壳；6为2号外壳；7为O形密封圈；绝缘子使用聚四氟乙烯，O形密封圈使用硅橡胶。
图2中31为电缆内导体；32为电缆绝缘体；33为电缆外导体。
结合电缆的装配做进一步的说明先切割一段25mm长的电缆，电缆两端的头部先按图2所示进行切割。按图1在阴连接器的内导体连接件上装上1号绝缘子，然后把阴连接器的内导体插孔件拧紧到阴连接器内导体连接件上，拧紧到插孔件端面和1号绝缘子端面之间无缝隙，在图1标注的8部位对插孔件和连接体进行涨口铆接使其成为一体，铆接工具的锥度为90～120度。在电缆上套上阴连接器的2号外壳，在切割好的电缆头部套上2号绝缘子，使电缆露出的绝缘部分完全插入到2号绝缘子的孔内，在阴连接器内导体连接件的焊孔中放上焊锡并在电烙铁上加热，等焊锡溶解后，焊接连接件和电缆的内导体，焊接时把电缆内导体完全插入到连接件的焊孔中，然后再按图1所示的位置把阴连接器的内导体装回到阴连接器的2号外壳中，在电烙铁上加热阴连接器的2号外壳，在阴连接器的2号外壳的焊孔中加入焊锡，焊接阴连接器的2号外壳和电缆外导体。最后用扳手把1号外壳拧紧到2号外壳上共同构成阴连接器的外导体。如上步骤，在电缆的另一端也装接上连接器，到此电缆与连接器的装配完成。然后进行互调性能测试。
测试仪器采用的是SUMMITEK公司的SI-900，仪器发射功率为20W，仪器的发射频率为935～960MHz，测试模式选用扫频模式。
以相同的方式，采用背景技术中所述的材料及镀层装配一连接器作为对比例，并在相同的测试情况下进行互调性能测试。对比例外导体非抗磁黄铜；内导体阳非抗磁黄铜；阴铍青铜；绝缘子聚四氟乙烯；O形密封圈硅橡胶；内导体镀层为镀银，厚度为7um；外导体镀层为镀镍，厚度为7um。
测试结果如图3，其三阶互调指标IM3为-145dBc本实施例测试结果如图4，其三阶互调指标IM3为-167dBc。
可见，本实施例具有更低的互调指标。
权利要求
1.一种低互调的射频同轴连接器，由阳连接器与阴连接器共同组成，所述阴连接器的内导体由插孔件和用于连接电缆内导体的连接件组成，插孔件和连接件之间互相固接成一体共同构成阴连接器的内导体，其特征在于所述阳连接器的内、外导体主体材料均为抗磁黄铜；所述阴连接器内导体的插孔件主体材料为铍青铜或锡青铜，所述阴连接器内导体的连接件主体材料为抗磁黄铜，阴连接器的外导体主体材料为抗磁黄铜；所述阴、阳连接器的外导体金属零件的镀层从内到外依次为镀铜镀银镀三元合金，所述阴、阳连接器的内导体金属零件镀层为镀银，所述三元合金的成分为铜50％～65％锡30～45％锌5～10％。
2.按照权利要求1所述的一种低互调的射频同轴连接器，其特征在于所述抗磁黄铜是含铁量小于0.5％的铅黄铜。
3.按照权利要求1或2所述的一种低互调的射频同轴连接器，其特征在于所述外导体金属零件镀层中镀铜层厚度0.5～2um、镀银层厚度5～7um、镀三元合金层厚度5～7um。
4.按照权利要求1或2所述的一种低互调的射频同轴连接器，其特征在于所述内导体金属零件镀层厚度为7～10um。
5.按照权利要求3所述的一种低互调的射频同轴连接器，其特征在于所述内导体金属零件镀层厚度为7～10um。
全文摘要
本发明涉及电缆连接器领域，所要解决的技术问题是提供一种低互调的射频同轴连接器。阳连接器的内、外导体主体材料均为抗磁黄铜；阴连接器内导体的插孔件主体材料为铍青铜或锡青铜，阴连接器内导体的连接件主体材料为抗磁黄铜，阴连接器的外导体主体材料为抗磁黄铜；阴、阳连接器的外导体金属零件的镀层从内到外依次为镀铜镀银镀三元合金，阴、阳连接器的内导体金属零件镀层为镀银，所述三元合金的成分为铜50％～65％、锡30～45％、锌5～10％。本发明改善了产品的三阶互调性能，使射频同轴连接器在配接相应射频同轴电缆的时候，不仅在单通道通信系统具有良好的物理性能和电性能，也因为具有低互调指标可以用于多通道通信系统中。
文档编号H01R13/03GK101064402SQ20061002623
公开日2007年10月31日 申请日期2006年4月29日 优先权日2006年4月29日
发明者蒉行方, 袁振新, 陈志彬, 蔡斌 申请人:中国电子科技集团公司第二十三研究所