专利名称：半导体器件及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。具体地说，本发明涉及一种可有效应用于具有基于MINI-UICC标准的外形尺寸的SIM卡的技术。
背景技术：
便携式电话除了电话功能之外具有各种功能，如网络连接、邮件传送、摄像及导航功能。当今，进一步将像接触或非接触IC卡之类的安全功能添加到便携式电话上。在插入到便携式电话的卡槽中的卡的领域中已经开发了具有大量功能的小尺寸薄卡，以对付用于便携式电话的增加数量的功能。
WO 01/84490(专利文献1)公开了这种类型的多功能存储卡。
专利文献1WO 01/84490与GSM型便携式电话一起使用的SIM(用户识别模块)卡之一是具有基于Mini-UICC标准的外形尺寸的小尺寸SIM卡。
这种小尺寸SIM卡的外形尺寸约为现有SIM卡的外形尺寸的一半，并且卡的大部分表面像SIM卡和IC卡，由具有基于ISO(国际标准化组织)标准的外形尺寸的接触点所占据。
因此，当要将存储芯片添加到卡的内部以便增加这种小尺寸SIM卡的功能数量时，添加的芯片的外部连接端子不能布置在卡的表面上。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种用于促进具有基于Mini-UICC标准的外形尺寸的小尺寸SIM卡的功能数量增加的技术。
从结合附图所做出的下列描述，本发明的以上和其它目的及特征将变得显而易见。
下面给出由本申请公开的发明中的典型发明的简要描述。
本发明的半导体器件包括第一布线板，在一侧上具有多个外部连接端子；半导体芯片，安装在第一布线板的另一侧上，并且通过多个导线电连接到第一布线板；密封树脂，用于密封半导体芯片和导线；以及第二布线板，在一侧上具有多个接触点，并且在另一侧上键合到密封树脂的顶表面，其中，用于把第一布线板电连接到半导体芯片的多个导线的环路的上端部从密封树脂的顶表面暴露，并且电连接到第二布线板。
本发明的用于制造半导体器件的方法包括以下步骤(a)制备第一布线板和第二布线板，该第一布线板在一侧上具有多个外部连接端子，以及该第二布线板在一侧上具有多个接触点；(b)把半导体芯片安装在第一布线板的另一侧上，并且通过导线把第一布线板电连接到半导体芯片；(c)把第一布线板放置在模具中，使得另一侧朝上，并且使导线的环路的上端部与模具的腔的顶部相接触；(d)把树脂注入到腔中以用密封树脂密封半导体芯片和导线，并且从密封树脂的顶表面暴露导线的环路的上端部；以及(e)使第二布线板的另一侧键合到密封树脂的顶表面，以把从密封树脂的顶表面暴露的导线电连接到第二布线板。
下面简要地描述由本申请中公开的发明中的典型发明所得到的效果。
由于在一侧上形成有多个外部连接端子的第一布线板与在一侧上具有多个接触点的第二布线板之间夹持的半导体芯片可电连接到第一布线板和第二布线板，所以对于半导体器件可实现大量功能。
图1是根据本发明的实施例的SIM卡的平面图；图2是根据本发明的上述实施例的SIM卡的平面图；图3是沿图1的线A-A切开的SIM卡的剖视图；图4是根据本发明的上述实施例的SIM卡的透视图；图5是用于上述实施例的SIM卡制造的第一大尺寸布线板的平面图；图6是用于本发明上述实施例的SIM卡制造的第二大尺寸布线板的平面图；图7是表示用于根据本发明上述实施例的SIM卡的芯片安装步骤的剖视图；图8是表示用于本发明上述实施例的SIM卡的导线键合步骤的剖视图；图9是表示用于本发明上述实施例的SIM卡的树脂模制步骤的剖视图；图10是表示用于本发明上述实施例的SIM卡的隆起毛刺(flushburr)去除步骤的剖视图；图11是表示在图10中表示的步骤之后用于制造SIM卡的方法的平面图；图12是表示在图11中表示的步骤之后用于制造SIM卡的方法的剖视图；图13是表示用于制造SIM卡的方法的另一个例子的平面图；图14是表示在图12中表示的步骤之后用于制造SIM卡的方法的剖视图；图15是根据本发明的另一实施例的SIM卡的剖视图；以及图16是根据本发明的又一实施例的SIM卡的剖视图。
具体实施例方式
参照附图将详细描述本发明的优选实施例。在用于解释实施例的所有图中，相同的部件基本上给出相同的附图标记，并且省略它们的重复描述。
根据本发明实施例的SIM卡是一种具有像接触或非接触IC卡的安全功能并且通过把大容量存储器添加到与GSM型便携式电话一起使用的SIM卡上得到的插入型多功能SIM卡。
图1和图2是表示本实施例的SIM卡的外观的平面图。图1表示具有连接到SIM卡中所包括的IC芯片上的接触点的表面，并且图2表示具有连接到SIM卡中所包括的存储芯片上的外部连接端子的表面。图3是沿图1的线A-A切开的SIM卡的关键截面的剖视图；并且图4是表示本实施例的SIM卡的外观的透视图。在如下描述中，为了方便起见，在图1中表示的接触点形成表面是SIM卡的前侧(顶表面)，并且在图2中表示的外部连接端子形成表面是SIM卡的后侧(下表面)。
本实施例的SIM卡1包括在两个布线板2A与2B(下文可以简称为“衬底2A和2B”)之间的三个半导体芯片3(3I、3M、3C)，并且这些半导体芯片3(3I、3M、3C)用模塑树脂4密封。就符合Mini-UICC标准的SIM卡1的外形尺寸而论，其长边的长度是15mm，其短边的长度是12mm，其厚度是0.78mm。在SIM卡的一个角部处形成倾斜切口5，其表示用于把SIM卡1插入到便携式电话的卡槽中的方向。其它角部以约0.8mm的曲率变圆(round)。
如图1和图3中所示，布线板2A的一个表面暴露于SIM卡1的前表面。布线板2A的主体由诸如玻璃环氧树脂之类的通用树脂制成，并且在一侧上形成八个接触点6(6a至6h)，构成与外部发射器/接收器(读取器/写入器)的接口。在本实施例中，为了方便起见，将这些接触点6形成表面表示为布线板2A的后表面，并且将通过粘合剂8连接到模塑树脂4上的表面表示为布线板2A的顶表面(前表面)。
接触点6每个包括镀镍和金的铜箔电极，并且用作外部端子。布线板2A的厚度约是0.15mm，包括本体和接触点6。接触点6用作用于IC芯片3I的外部端子。
对于八个接触点6a至6h的信号分布与现有IC卡和SIM卡的相同。就是说，接触点6a是电源电压供给端子(Vcc)，接触点6b是复位信号端子(RESET)，接触点6c是时钟信号端子(CLK)，接触点6e是接地电压供给端子(Vss)，及接触点6g是输入/输出信号端子(I/O)。可在将来使用的其它接触点6d、6f和6h在当前是非连接端子(NC)。因此，根据SIM卡的目的可以省略这些非连接端子(接触点6d、6f和6h)。
如图2和图3中所示，布线板2B的一侧暴露于SIM卡1的后侧。布线板2B具有像上述布线板2A那样由诸如玻璃环氧树脂之类的通用树脂制成的本体，以及包括镀有镍和金的铜箔的20个外部连接端子7形成在布线板2B的一侧上，使得它们沿短边以两排排列。布线板2B的厚度约是0.15mm，这与布线板2A的厚度相同。在本实施例中，为了方便起见，将外部连接端子7形成表面表示为布线板2B的后表面，并且将半导体芯片3形成表面表示为布线板2B的顶表面(前表面)。
在本实施例中，20个外部连接端子7形成在布线板2B的后表面上，并且包括数据端子(DATA0至DATA3)、电源电压供给端子(Vcc)、专用于IC芯片的电源电压供给端子(Vcc-IC)、接地电压供给端子(Vss1、Vss2)、时钟信号端子(SCLK)、插入/拔出探测端子(INS)及作为记忆棒PRO的接口的总线状态端子(BS)。非接触IC卡的天线端子是外部天线连接端子(LA、LB)。接触IC卡的端子是复位信号端子(RES)、时钟信号端子(CLK)及输入/输出端子(I/O)。在将来可用于8位数据总线的端子是保留端子(DATA4至DATA7)。就是说，这些外部连接端子7用作存储芯片3M的外部端子。
在这些外部连接端子中，电源电压供给端子(Vcc)和接地电压供给端子(Vss)比其它的外部连接端子7长。此目的在于，通过使电源电压供给端子(Vcc)和接地电压供给端子(Vss)接触到连接器的端子，使得当SIM卡1插入到便携式电话的连接器中时，在信号通过其它外部连接端子7供给到半导体芯片3之前供给电源，从而防止半导体芯片3的故障。
本实施例的SIM卡1在前侧和后侧上具有外部端子。就是说，IC芯片3I的外部连接端子7布置在SIM卡1的前侧(布线板2A的后表面)上，并且存储芯片3M的外部端子7布置在SIM卡1的后侧(布线板2B的后侧)上。如下文将详细描述的那样，由于SIM卡1的这种结构，可增加SIM卡的功能数量。
如图3中所示，三个半导体芯片3介于布线板2A与布线板2B之间。这些半导体芯片3安装在布线板2B的顶表面上，并且用模塑树脂4密封。三个半导体芯片3是由硅制成的并且具有0.03至0.30mm厚度的IC芯片3I、控制器芯片3C及存储芯片3M。
诸如中央处理单元、ROM(只读存储器)、RAM(随机存取存储器)及EEPROM(电可擦除可编程RO)之类的集成电路形成在IC芯片3I的主表面上。执行程序和加密(crypto)算法存储在ROM中。RAM用作用于数据处理的存储器，并且EEPROM用作用于存储数据的存储器。
具有32MB至几个GB的容量的快闪存储器形成在存储芯片3M的主表面上。快闪存储器主要用作用于存储用户数据的存储器。用于控制IC芯片3I和存储芯片3M的接口的集成电路形成在控制器芯片3C的主表面上。
在上述三个半导体芯片3中，存储芯片3M和控制器芯片3C键合到布线板2B的顶表面上，并且IC芯片3I键合到存储芯片3M的顶表面上。这三个半导体芯片3通过金导线9从半导体芯片3的电极(未表示)电连接到在布线板2B的顶表面上的电极22，并且在布线板2B上的电极22通过形成在布线板2B中的通孔(未表示)电连接到上述外部连接端子7。就是说，三个半导体芯片3通过金导线9、半导体芯片3的电极、布线板2B的电极及通孔，电连接到外部连接端子7。
用于密封三个半导体芯片3的模塑树脂4是包含石英填充物的热固性环氧树脂，并且具有约0.45mm的厚度。布线板2A通过粘合剂8键合到模塑树脂4的顶表面上。介入在模塑树脂4的顶表面与布线板2A之间的上述粘合剂8是环氧树脂基非导电粘合剂，并且具有约0.03mm的厚度。
在上述三个半导体芯片3中，形成在存储芯片3M上的IC芯片3I还电连接到布线板2A的接触点6上。就是说，用于把IC芯片3I连接到布线板2B的金导线9的环路的上端部从模塑树脂4的顶表面稍微暴露。从模塑树脂4的顶表面暴露的金导线9的数量例如是五。从模塑树脂4的顶表面暴露的金导线9涂覆有导电粘合剂10。而且，连接到除上述非连接端子(NC)外的相应五个接触点(6a、6b、6c、6e、6g)的电极(未表示)和通孔11形成在导电粘合剂10上方的布线板2A中。其上端部从模塑树脂4的顶表面暴露的五个金导线9通过导电粘合剂10、电极及通孔11电连接到相应接触点(6a、6b、6c、6e、6g)。
非连接端子(NC)可以用作用于RF接口或USB接口的天线端子。通过使用非连接端子(NC)，SIM卡1可以具有更多功能。
图4是本实施例的SIM卡1的透视图。如图4中所示，SIM卡1的前侧由布线板2A覆盖，SIM卡1的后侧由布线板2B覆盖，并且模塑树脂4和粘合剂8暴露于SIM卡1的侧表面。如下文将描述的那样，通过这种结构，可以降低SIM卡1的生产时间和生产成本。
随后给出用于制造本实施例的按上述构成的SIM卡的方法的例子的描述。
图5是用于SIM卡制造的大尺寸布线板12A的平面图，并且图6是用于SIM卡制造的大尺寸布线板12B的平面图。
在图5中表示的大尺寸布线板12A具有以矩阵排列的多组在图1中表示的布线板2A的接触点(6a至6h)，并且在图中由虚线表示的区域是由一个布线板2A占据的区域(单元)。在图6中表示的大尺寸布线板12B具有以矩阵排列的多组在图2中表示的布线板2B的20个外部连接端子7，并且在图中由虚线表示的区域是由一个布线板2B占据的区域(单元)。尽管未表示，但通孔11和连接到接触点(6a、6b、6c、6e、6g)的电极形成在大尺寸布线板12A的每个单元中。类似地，通孔和连接到外部连接端子7的电极22形成在大尺寸布线板12B的每个单元中。
为了制造SIM卡，如图7中所示，首先将三个半导体芯片3安装在大尺寸布线板12B的每个单元上。大尺寸布线板12B的顶表面将成为布线板2B的顶表面，在该顶表面上将安装半导体芯片3。大尺寸布线板12B的后表面将成为布线板2B的后表面，在该后表面上将形成外部连接端子7。
将控制器芯片3C和存储芯片3M以片状(pellet)形式通过使用粘合剂或粘合剂膜(未表示)键合到大尺寸布线板12B的顶表面，并且将IC芯片3I以片状形式通过使用粘合剂或粘合剂膜(未表示)键合到存储芯片3M。此处将IC芯片3I形成在存储芯片3M上的原因在于，存储芯片3M比IC芯片3I大并且具有大面积。如果将具有较小面积的IC芯片3I形成在存储芯片3M下方，则将发生IC芯片3I不能通过金导线连接的这种不便。因此，在本实施例中，将具有较大表面积的芯片布置在较低位置处，并且将具有较小表面积的芯片形成在该芯片之上。就IC芯片3I的布置而论，IC芯片3I这样布置，使得其周缘不从存储芯片3M的外周缘突出。就是说，IC芯片3I布置在存储芯片3M的外周缘的内侧上。通过如上述那样布置IC芯片3I，如图3中所示，可增加其中布置金导线9的区域的自由度。
此后，如图8中所示，使用熟知的导线键合设备，通过金导线9，将三个半导体芯片3连接到大尺寸布线板12B的相应电极(未表示)。在这点上，用于把大尺寸布线板12B的电极连接到IC芯片3I的金导线9这样来键合，使得其环路的上端部变得高于稍后将要模塑的模塑树脂4的顶表面(在图中由单点划线表示的位置)。就是说，以布线板12B的顶表面作为基准，金导线9的高度设置成在模塑树脂4的高度之上。用于把IC芯片3I连接到布线板12B的电极22的金导线(第一导线)9设置得高于用于把存储芯片3M连接到布线板12B的电极22的金导线(第二导线)9。这旨在防止第一导线9与第二导线9之间的接触。
然后，如图9中所示，将上述大尺寸布线板12B放置在模具20的腔21中，该模具20包括上模具20A和下模具20B。由此，连接到IC芯片3I的金导线9的上端部通过弹性变形而与上模具20A的表面紧密接触。由于金导线9是弹性的并且容易变形，所以即使当其上端部压靠上模具20A时，也不会破坏IC芯片3I与金导线9之间的接触部分。
在把熔化树脂注入到模具20的腔21中以使模塑树脂4模塑之后，从模具20取出大尺寸布线板12B(图10)。尽管连接到IC芯片3I的金导线9的上端部在这时变得与模塑树脂4的顶表面一样高，但非常薄的树脂凸起毛刺粘附到金导线9的上端部的表面。
通过去除覆盖金导线9的上端部的薄隆起毛刺，使金导线9的上端部从模塑树脂4的顶表面暴露到一定程度。就是说，金导线9部分地从模塑树脂4的顶表面暴露。为了去除隆起毛刺，通过使用具有短波长的激光束，对模塑树脂4的顶表面进行蒸发，或者对模塑树脂4的顶表面进行溅蚀(sputter)。或者，可以喷射(blast)模塑树脂4的顶表面。而且，可以从喷嘴的端部施加高压水射流，或者可以采用蚀刻，其中蚀刻使用化学制品来溶解模塑树脂4。
图11是在已经去除隆起毛刺之后模塑树脂4的顶表面的平面图。如图中所示，金导线9的上端部暴露于与每个单元的接触点(6a、6b、6c、6e、6g)相对应的位置。
如图12中所示，然后将导电粘合剂10涂敷到从模塑树脂4的顶表面暴露的金导线9的顶部上。导电粘合剂10的涂敷例如通过丝网印刷或灌封(pot)进行。将非导电粘合剂8涂敷到除金导线9从中露出模塑树脂4的顶表面的区域之外的区域上。为了简化粘合剂的涂敷工作，可以将导电粘合剂10同时涂敷到其中将涂敷非导电粘合剂8的区域和金导线9的顶部。优选地，涂敷到金导线9的顶部的导电粘合剂10具有这样高的弹性，使得当在随后步骤中把大尺寸布线板12A键合到模塑树脂4的顶表面上时，它可容易地变形。
代替上述方法，如图13中所示，可以将围绕金导线9具有开口13的粘合剂薄片14键合到模塑树脂4的整个顶表面上，并且可以在上述步骤之前或之后将导电粘合剂10涂敷到金导线9的顶部上。可选择地，可以将在两侧都有粘合剂涂层的各向异性导电膜键合到模塑树脂4的整个顶表面上。由于连接到通孔11的电极形成在大尺寸布线板12A的一个表面(与模塑树脂4相对)上，所以当把各向异性导电膜键合到模塑树脂4的顶表面上并且把大尺寸布线板12A放置在各向异性导电膜上时，只有在与电极相接触的位置处的各向异性导电膜的部分成为导电的，由此使得可以把金导线9电连接到电极。
此后，如图14中所示，将大尺寸布线板12A放置在模塑树脂4的顶表面上并且通过粘合剂8键合到模塑树脂4。由此，接触点(6a、6b、6c、6e、6g)通过涂敷到金导线9的顶部的导电粘合剂10、大尺寸布线板12A的电极及通孔11电连接到金导线9。
然后，沿单元的外围切割大尺寸布线板12A、模塑树脂4及大尺寸布线板12B，以得到在图1至图4中表示的本实施例的SIM卡。由于如上述那样倾斜切口5必须形成在SIM卡1的一个角部处并且其它角部必须变圆，所以通过用来自喷嘴端部的高压水射流切割大尺寸布线板12A和12B及模塑树脂4，可与切口5的形成以及角部的变圆同时地进行切割。组合使用水射流切割和划片，使得划片用于切割直线部分，以及水射流切割用于形成切口5和使角部变圆。由于划片切割得比水射流切割快，所以当组合使用水射流切割和划片时，与其中只使用水射流切割的情形相比可缩短切割时间。由于当通过这种制造方法形成SIM卡1时通过划片可一次切割直线部分，所以可削减每个SIM卡1的生产成本。
在本实施例中，大尺寸布线板12A和12B用于进行模塑。用于制造SIM卡1的方法不限于此，并且可以采用其中单独密封每个SIM卡1的传递模塑。
尽管基于优选实施例已经详细描述了由本发明的发明人进行的发明，但不用说，本发明不限于上述实施例，并且在不脱离本发明的范围的情况下可以进行修改。
例如，在本实施例中，SIM卡1包括存储芯片3M、IC芯片3I及控制器芯片3C。然而，SIM卡1可以这样构成，使得IC芯片3I和控制器芯片3C集成到一个芯片上。
就是说，如图15中所示，SIM卡1具有两芯片结构，其中包括IC芯片和控制器芯片的芯片3IC存在于具有快闪存储器的存储芯片3M上。从模塑树脂4的顶表面暴露的金导线(第一导线)9和未从模塑树脂的顶表面暴露的金导线(第二导线)9从芯片3IC延伸。上述第一导线9通过导电粘合剂10和通孔11连接到接触点6，并且通过形成在布线板2B上的电极22连接到外部连接端子7。上述第二导线9形成在比上述第一导线9低的高度处，并且通过形成在布线板2B上的电极22连接到外部连接端子7。当SIM卡1具有上述两芯片结构时，可消除控制器芯片3C的空间，这对于SIM卡1的微制造是有效的。具有另一种功能的芯片或快闪存储芯片可安装在上述空间上。在这种情况下，可以进一步增加SIM卡1的功能数量或容量。
如图16中所示，本发明可应用于其中存储芯片3M和包括IC芯片与控制器芯片的芯片3IC集成到一个芯片上以制造芯片3MIC的情形。与上述两芯片结构相比，可以进一步提高微制造的水平并且增加SIM卡1的功能数量或容量。由于通过单芯片结构可减小芯片的厚度，所以可减小SIM卡1的厚度。
在上述实施例中，已经描述了具有存储器卡功能和SIM卡功能的多功能SIM卡。卡的功能不限于这些功能。例如，本发明可应用于具有各种功能的卡，如只具有存储卡功能的卡、只具有SIM卡功能的卡、或包括具有与存储卡和SIM卡的功能不同的功能的半导体芯片的卡。例如，在本实施例中，作为SIM卡1的接口，给出了如图2中所示的记忆棒PRO，但本发明不限于此，并且可以是根据目的的接口终端结构，如多媒体卡、SD卡或USB。
要安装到布线板上的半导体芯片的类型和数量及这些半导体芯片的组合可以根据卡的功能而改变。例如，在只具有存储卡功能的卡中，系统可构造有一个或多个存储芯片和用于控制存储芯片的存储接口操作的接口控制器芯片，该一个或多个存储芯片具有从其可电擦除数据或向其写入数据的非易失性存储器。在用于安装半导体芯片的布线板上的外部连接端子的数量可以根据所需的功能而改变。当外部连接端子的数量小时，可以将所有外部连接端子排列成一排。
其中将密封树脂上方的布线板通过从密封树脂的顶表面暴露的导线来连接到半导体芯片的本发明的结构和制造方法，可应用于除卡之外的半导体封装。
由于通过改变要安装在布线板上的半导体芯片的类型和组合，本发明的SIM卡可具有各种功能，所以它不仅可用作多功能SIM卡，而且也可用作其它复合功能卡和通信卡。
权利要求
1.一种半导体器件，包括第一布线板，在一侧上方具有多个外部连接端子；半导体芯片，安装在所述第一布线板的另一侧上方，并且通过多个导线电连接到所述第一布线板；密封树脂，用于密封所述半导体芯片和所述导线；以及第二布线板，在一侧上具有多个接触点，并且在另一侧上键合到所述密封树脂的顶表面，其中，用于把所述第一布线板电连接到所述半导体芯片的所述多个导线的环路的上端部从所述密封树脂的所述顶表面暴露，并且电连接到所述第二布线板。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，导电粘合剂形成在从所述密封树脂的所述顶表面暴露的所述导线上，并且所述导线和所述第二布线板通过所述导电粘合剂电互连。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体芯片包括第一半导体芯片，具有电可擦除和可写非易失性存储器；第二半导体芯片，具有用于控制所述非易失性存储器的存储接口操作的接口控制器；以及第三半导体芯片，具有用于根据从所述接口控制器给出的操作命令执行处理的IC卡微型计算机，并且用于把所述第一布线板电连接到所述第三半导体芯片的所述多个导线的环路的上端部从所述密封树脂的所述顶表面暴露，并且电连接到所述第二布线板。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第三半导体芯片形成在所述第一半导体芯片上方。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二布线板通过非导电粘合剂键合到所述密封树脂的所述顶表面。
6.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第二布线板通过所述导电粘合剂键合到所述密封树脂的所述顶表面。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一布线板、所述第二布线板及所述密封树脂具有基于Mini-UICC标准的外形尺寸。
8.一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤(a)制备第一布线板和第二布线板，所述第一布线板在一侧上具有多个外部连接端子，以及所述第二布线板在一侧上具有多个接触点；(b)把半导体芯片安装在所述第一布线板的另一侧上方，并且通过导线把所述第一布线板电连接到所述半导体芯片；(c)把所述第一布线板放置在模具中，使得所述第一布线板的另一侧朝上，并且使所述导线的环路的上端部与所述模具的腔的顶部相接触；(d)把树脂注入到所述腔中，以用密封树脂密封所述半导体芯片和所述导线，并且使所述导线的所述环路的所述上端部从所述密封树脂的顶表面暴露；以及(e)把所述第二布线板的另一侧键合到所述密封树脂的所述顶表面，以把从所述密封树脂的所述顶表面暴露的所述导线电连接到所述第二布线板。
9.根据权利要求8所述的用于制造半导体器件的方法，还包括在所述步骤(d)之后且在所述步骤(e)之前把导电粘合剂涂敷到从所述密封树脂的所述顶表面暴露的所述导线上的步骤。
10.根据权利要求8所述的用于制造半导体器件的方法，还包括在所述步骤(d)之后且在所述步骤(e)之前去除粘附到从所述密封树脂的所述顶表面暴露的所述导线上的隆起毛刺的步骤。
11.根据权利要求10所述的用于制造半导体器件的方法，其中，通过激光溅蚀所述密封树脂的所述顶表面，去除所述隆起毛刺。
12.根据权利要求8所述的用于制造半导体器件的方法，还包括在所述步骤(e)之后切割所述第一布线板、所述第二布线板及所述密封树脂的步骤。
13.根据权利要求12所述的用于制造半导体器件的方法，其中，通过水射流系统切割所述第一布线板、所述第二布线板及所述密封树脂。
14.根据权利要求12所述的用于制造半导体器件的方法，其中，通过水射流系统和划片系统切割所述第一布线板、所述第二布线板及所述密封树脂。
15.根据权利要求12所述的用于制造半导体器件的方法，其中，在所述切割步骤之后的所述第一布线板、所述第二布线板及所述密封树脂具有基于Mini-UICC标准的外形尺寸。
16.根据权利要求8所述的用于制造半导体器件的方法，其中，所述半导体芯片包括第一半导体芯片，具有电可擦除和可写非易失性存储器；第二半导体芯片，具有用于控制所述非易失性存储器的存储接口操作的接口控制器；以及第三半导体芯片，具有用于根据从所述接口控制器给出的操作命令执行处理的IC卡微型计算机，并且用于把所述第一布线板电连接到所述第三半导体芯片的所述多个导线的所述环路的所述上端部从所述密封树脂的所述顶表面暴露，并且电连接到所述第二布线板。
17.一种半导体器件，包括第一衬底，具有顶表面和后表面；第二衬底，具有顶表面和后表面；第一半导体芯片，在所述第一衬底的所述顶表面与所述第二衬底的所述顶表面之间，形成在所述第一衬底的所述顶表面上方；第二半导体芯片，在所述第一衬底的所述顶表面与所述第二衬底的所述顶表面之间，形成在所述第一半导体芯片上方；第一端子，形成在所述第一衬底的所述后表面上方，并且电连接到所述第一半导体芯片；以及第二端子，形成在所述第二衬底的所述后表面上方，并且电连接到所述第二半导体芯片。
18.根据权利要求17所述的半导体器件，还包括导线，电连接到所述第二半导体芯片和所述第二端子；和树脂，用于覆盖所述导线以及所述第一和第二半导体芯片，所述导线从所述树脂的顶表面部分地暴露。
19.根据权利要求17所述的半导体器件，还包括导线，电连接到所述第二半导体芯片和所述第二端子；树脂，用于覆盖所述导线以及所述第一和第二半导体芯片，基于所述第一衬底的所述顶表面，所述导线的高度设置成在所述树脂的高度之上。
20.根据权利要求17所述的半导体器件，其中，所述第一半导体芯片是用于具有快闪存储器的存储卡的芯片，并且所述第二半导体芯片是用于IC卡的芯片。
21.一种半导体器件，包括第一衬底，具有顶表面和后表面；第二衬底，具有顶表面和后表面；第一半导体芯片，在所述第一衬底的所述顶表面与所述第二衬底的所述顶表面之间，形成在所述第一衬底的所述顶表面上方；第一端子，形成在所述第一衬底的所述后表面上方，并且电连接到所述第一半导体芯片；第二端子，形成在所述第二衬底的所述后表面上方，并且电连接到所述第一半导体芯片；第一导线，电连接到所述第一半导体芯片以及所述第一和第二端子；第二导线，电连接到所述第一半导体芯片和所述第二端子；以及树脂，用于覆盖所述第一导线、所述第二导线及所述第一半导体芯片的部分，其中，所述导线从所述树脂的顶表面部分地暴露，并且其中，基于所述第一衬底的所述顶表面，所述第一导线的高度设置成在所述第二导线的高度之上。
全文摘要
一种半导体器件包括第一布线板，在一侧上具有多个外部连接端子；半导体芯片，安装在第一布线板的另一侧上，并且通过多个导线电连接到第一布线板；密封树脂，用于密封半导体芯片和导线；以及第二布线板，在一侧上具有多个接触点，并且在另一侧上键合到密封树脂的顶表面，其中，用于把第一布线板电连接到半导体芯片的多个导线的环路的上端部从密封树脂的顶表面暴露，并且电连接到第二布线板。
文档编号H01L21/60GK1832166SQ200610056849
公开日2006年9月13日 申请日期2006年3月9日 优先权日2005年3月11日
发明者西泽裕孝, 和田环, 大泽贤治, 大迫润一郎, 杉山道昭 申请人:株式会社瑞萨科技