电容器层形成材料及该电容器层形成材料的制造方法

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专利名称::电容器层形成材料及该电容器层形成材料的制造方法电容器层形成材料及该电容器层形成材料的制造方法
技术领域
本申请所述发明涉及一种电容器层形成材料、该电容器层形成材料的制造方法、以及具有采用该电容器层形成材料获得的内置电容器层的印刷电路板。
背景技术
:本发明所述电容器层形成材料具有在用于形成上部电极的第一导电层和用于形成下部电极的第二导电层之间设置有介电层的结构。而且,该第一导电层和第二导电层通过蚀刻加工等被加工成形成电容器电路,正如专利文献1所公开的那样,通常用作构成印刷电路板等电子材料的材料。而且,上述介电层具有绝缘性,其用于储蓄一定量的电荷。这种介电层的形成可以采用多种方法,但一般采用化学气相沉积法(CVD法)、溅射蒸镀法、溶胶一凝胶法。例如,在专利文献2中作为使用了化学气相沉积法的方法公开了包含如下工序的制造方法,即包括在基底上,以低于40(TC的温度堆积非结晶状SrTi03类薄膜的工序、以及进行激光退火或者快速热退火处理,使该非结晶状SrTi03类薄膜结晶化,由此得到SrTi03系薄膜的工序。由该方法得到的介电层,目的在于得到具有高介电常数的SrTi03类薄膜。接着,在专利文献3中,公开了作为使用了溅射蒸镀法的薄膜电容器,该薄膜电容器为在基板的任意层上层压了下部电极、高介电常数的介电体、上部电极的薄膜电容器,其特征在于,该高介电常数的介电体是由晶粒和晶粒界面构成的多晶体,作为杂质含有能够取多个原子价的金属离子,且相比于该晶粒内部,在该晶粒界面附近含有高浓度的该杂质。并且公开了作为该能够取多个原子价的金属离子,优选Mn离子。由该方法得到的薄膜电容器,其长期可靠性高,破坏绝缘所需时间长。进一步,在专利文献4中,作为使用了溶胶一凝胶法的方法,公开了氧化物介电体薄膜的制造方法,其在基板表面上实施了氢氧化处理后,在该基板上形成以金属醇盐为原料的氧化物介电体薄膜。在此,能够形成为薄膜的氧化物介电体是具有介电特性的金属氧化物,例如,可使用LiNb03、Li2B407、PbZrTi03、BaTi03、SrTi03、PbLaZrTi03、LiTa03、ZnO、丁&205等。由该方法得到的氧化物介电体薄膜是定向性优良、结晶性良好的氧化物介电体薄膜。其中,在专利文献4公开的使用溶胶一凝胶法的介电层的形成,相比于使用化学气相沉积法(CVD法)或者溅射蒸镀法的介电层的形成,由于其不使用真空工序,所以无需设备投资费用,还具有能够在宽面积的基板上容易地形成介电层的优点。而且,能够容易地使介电层的构成成分达到理论上的比率,且能够得到极薄的介电膜,所以有望作为形成大容量电容器层的材料。专利文献1特表2002—539634号公报专利文献2特开平06—140385号公报专利文献3特开2001—358303号公报专利文献4特开平07—294862号公报
发明内容发明要解决的课题但是,使用了溶胶一凝胶法、MOCVD法、溅射蒸镀法的介电层,由于其薄厚度引起的膜厚不均匀以及氧化物粒子的粒子之间存在的间隙,具有当形成了电容器时上部电极和下部电极之间发生短路的问题,而且有时引起漏电流大的现象,存在着生产合格率降低的问题。尤其是,为了使作为电容器的电容量成为高容量化而要加大电极面积时,引起短路现象的不良品的产生非常显著。通常,电容器电路以储存余电等的方式,使电子电气仪器的节省电力成为可能,因此,作为其基本品质,要求具有尽可能大的电容量。电容器容量(C)由C=ss。(A/d)式(so是真空介电常数)计算。尤其是,随着最近对电子、电气设备的轻薄短小化的趋势,对印刷电路板也提出了同样的要求,但在规定的印刷电路板等的基板面积中,即使加大电容器电极的表面积(A),有时也需要使电容器电路高容量化。由以上可知,市场上一直寻求一种能够用溶胶一凝胶法、MOCVD法、溅射蒸鍍法中的任意一种方法来形成介电层、且能够制造出具有高电容量的造生产合格率高的电容器电路的电容器层形成材料。用于解决课题的方法于是,本发明人等经过悉心研究,通过尝试将用溶胶一凝胶法等形成的介电膜的氧化物晶粒微细化成以往没有的程度,或者得到晶粒界面少的粗大颗粒等的方法,完成了以下的发明。本发明所述电容器层形成材料本发明所述电容器层形成材料的基本结构是在用于形成上部电极的第一导电层和用于形成下部电极的第二导电层之间设置有介电层的电容器层形成材料中,其特征在于,该介电层是由溶胶一凝胶法、MOCVD法、溅射蒸镀法中的任意一种方法形成的氧化物介电膜,在构成该氧化物介电膜的粒子之间浸渍了树脂成分。而且,构成上述介电层的氧化物介电膜优选为含有0.01mol%5.00mol%的选自锰、硅、镍、铝、镧、铌、镁、锡中的一种或两种以上的氧化物介电膜。优选本发明所述电容器层形成材料的上述介电层的厚度为20nmljim。而且,构成本发明所述电容器层形成材料的上述氧化物介电膜优选使用(Ba卜xSrx)Ti03(0《x《l)膜或者BiZr03膜中的任意一种。本发明所述电容器层形成材料的上述第二导电层优选使用厚度为l)im100pm的镍层或者镍合金层。而且,上述镍合金层优选使用镍一磷合金。本发明所述电容器层形成材料的制造方法本发明所述电容器层形成材料的制造方法,其特征在于,用溶胶一凝胶法、MOCVD法、溅射蒸镀法中的任意一种方法,在下部电极构成材料的表面形成氧化物介电膜,在该氧化物介电膜的表面涂敷树脂清漆并使其浸渍,经树脂干燥、树脂固化形成介电层,然后,在该介电层上设置上部电极构成层。而且,用上述溶胶一凝胶法形成氧化物介电膜时,优选经以下(A)(D)的工序来得到。(A)溶液制备工序,其用于制备所希望的氧化物介电膜制造用溶胶一凝胶溶液;(B)涂敷工序,其将上述溶胶一凝胶溶液涂敷于作为第二导电层的金属箔表面、在含氧气体环境中以12(TC25(TCx30秒l()分钟的条件进行干燥、在含氧气体环境中以27(TC39(T05分钟30分钟的条件进行热分解的一系列工序作为一个单位工序,重复多次该单位工序来进行膜厚调整;(C)烧成工序,其最终在惰性气体取代或者真空环境中进行550°C800°Cx5分钟60分钟的烧成处理来得到介电层;(D)第一导电层形成工序,其在所得到的介电层上形成第一导电层,使其作为电容器层形成材料;另外,用上述溶胶一凝胶法形成氧化物介电膜时,优选采用经以下(a)(d)的工序而得到。(a)溶液制备工序,其用于制备所希望的氧化物介电膜制造用溶胶一凝胶溶液;(b)涂敷工序,其将上述溶胶一凝胶溶液涂敷于作为第二导电层的金属箔表面、在含氧气体环境中以12(TC25(TCx30秒10分钟的条件进行干燥、在含氧气体环境中以270°C390°Cx5分钟30分钟的条件进行热分解的一系列工序作为一个单位工序,在重复多次该单位工序时,在单位工序和单位工序之间任意设置预烧成处理,从而进行膜厚调整,其中,该预烧成处理是在惰性气体取代或者真空环境中进行55(TC80(TCx2分钟60分钟;(c)烧成工序,其最终在惰性气体取代或者真空环境中,进行55(TC800°05分钟60分钟的烧成处理来得到介电层。(d)第一导电层形成工序,其在所得到的介电层上形成第一导电层,并作为电容器层形成材料。并且,在本发明所述电容器层形成材料的制造中,涂敷于上述氧化物介电膜表面的树脂清漆优选使用以树脂清漆重量为100wtX时,固体成分含量为0.1wt^1.0wt^的稀薄树脂清漆。使用了本发明所述电容器层形成材料的印刷电路板本发明所述电容器层形成材料能够有效用于形成多层印刷电路板的内置电容器层。发明效果本发明所述电容器层形成材料,通过在位于第一导电层和第二导电层之间的介电层中含有树脂成分,能够减少上部电极和下部电极之间产生的短路不良,且减小漏电流。同时,在作为电容器使用时,显示出高电容量和低介电损失。当该介电层为由溶胶一凝胶法、MOCVD法、溅射蒸镀法形成的氧化物介电膜时,尤其能发挥其效果。另外,通过采用本发明所述电容器层形成材料的制造方法,能够有效地制造出由溶胶一凝胶法、MOCVD法、溅射蒸镀法形成的、介电层的漏电流小且介电特性优良的电容器层形成材料。图1是浸渍了固体成分含量为0.3wt^的合适固体成分含量范围的树脂清漆的介电层剖面的FIB—SIM观察图像。图2是浸渍了固体成分含量低至0.05wt^的脱离了合适固体成分含量范围的树脂清漆的介电层剖面的FIB—SIM观察图像。图3是浸渍了固体成分含量高至2.2wtX的脱离了合适固体成分含量范围的树脂清漆的介电层剖面的FIB—SIM观察图像。符号说明1介电层2上部电极3下部电极4树脂膜用于实施发明的最佳方式<本发明所述电容器层形成材料〉本发明所述电容器层形成材料的基本结构为,在用于形成上部电极的第一导电层和用于形成下部电极的第二导电层之间设置有介电层的电容器层形成材料中,其特征在于,该介电层是由溶胶一凝胶法、MOCVD法、溅射蒸镀法中的任意一种方法形成的氧化物介电膜,在构成该氧化物介电膜的粒子之间浸渍树脂成分。介电层要求该电容器层形成材料的介电层具有用于储存高容量电荷的高电容量,并优选所储存电荷的漏电流越小的介电层。于是,本发明人等采用具有与本发明所述材料相同结构的电容器层形成材料来形成电容器电路,并验证了漏电流的易产生性及其机理。其结果,判明了将用溶胶一凝胶法形成的氧化物介电膜作为介电层时产生的漏电流,是经过氧化物介电膜的晶粒界面以及结构缺陷而流出的可能性高。g卩,当氧化物介电膜的组织微细、晶粒界面多的状态下的漏电流大。相对于此,可以判明当氧化物介电膜的组织在一定范围内达到粗大化、晶粒界面少的状态下的漏电流小,成为高容量的介电层。尤其是,在通常条件下由溶胶一凝胶法、MOCVD法、溅射蒸镀法中的任意一种方法形成的氧化物介电膜,其结晶组织内的结构缺陷多,难以得到氧化物介电膜的组织在一定范围内达到粗大化、且晶粒界面少的状态。因此,想到了由溶胶一凝胶法、MOCVD法、溅射蒸镀法中的任意一种方法形成的氧化物介电膜上浸渍树脂成分来填埋成为漏电流的流路的结构缺陷的方法。但是,通过采用后述的本发明的电容器层形成材料的制造方法,能够形成具有在某种程度上粗大化了的晶粒的介电层,此时,能够得到与浸渍树脂的相乘效果,因此优选。而且,尽管该介电层是采用溶胶一凝胶法、MOCVD法、溅射蒸镀法中的任意一种方法来形成的,但是作为其结果,只要是作为所希望的上述氧化物介电膜能够得到(Ba卜.xSrx)Ti〇3(0《x《1)膜或者BiZrCy莫中的一种即可。在此,(Ba卜xSrx)TiO3(0《x《l)膜中,当x二0时,意味着BaTi03组成,当x=1时,就意味着SrTi03组成。而且,作为该中间组成,存在(Bao.7Sr0.3)Ti。3等。树脂成分在此所述树脂成分,优选使用以环氧类树脂为主剂使用的树脂组合物。其中,优选使用相对于树脂成分总量,含有40重量%70重量%的环氧树脂、20重量%50重量%的聚乙烯醇縮醛树脂、0.1重量%20重量%的三聚氰胺树脂或者聚氨酯树脂,且该环氧树脂的5重量%80重量%为橡胶改性环氧树脂的树脂组合物。作为在这里使用的环氧树脂,只要是作为层压板等或者电子部件的成型用在市售的即可没有特别的限定。具体的可以例举出双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、酚醛清漆型环氧树脂、o—甲酚酚醛清漆型环型氧树脂、异氰尿酸三縮水甘油酯、N,N—二縮水甘油基苯胺等的縮水甘油基胺化合物、四氢邻苯二甲酸二縮水甘油酯等的縮水甘油酯化合物、四溴双酚A二缩水甘油醚等的溴化环氧树脂等。这些环氧树脂优选使用一种或者两种以上混合使用。另外,对环氧树脂的聚合度或者环氧当量没有特别的限定。而且,环氧类树脂的"固化剂",是指双氰胺、有机酰肼、咪唑类、芳香族胺等的胺类;双酚A、溴化双酚A等的苯酚类;苯酚酚醛清漆树脂以及甲酚酚醛清漆树脂等的酚醛清漆类;邻苯二甲酸酐等的酸酐等。另外,固化剂可以单独使用一种,也可以两种以上混合使用。相对于环氧树脂的固化剂的添加量可以由各自的当量自然而然地导出,所以认为没有必要严格地明记其混合比例。因此,在本发明中,没有特别限定固化剂的添加量。另外,还有根据需要添加适当量的固化促进剂。该固化促进剂可以使用叔胺、咪唑类、尿素类固化促进剂等。在本发明中,没有特别限定该固化促进剂的混合比例。这是因为固化促进剂可以考虑介电层制造工序中的生产条件等,由制造者任意选择性地确定添加量即可。优选在该树脂组合物中配合的环氧树脂的配合量为树脂成分总量的40重量%70重量。%。如果混合量不足40重量%,则作为电特性的绝缘性以及耐热性恶劣。一方面,若超过70重量%而进行混合时,固化中的树脂流动变得过大,容易在介电层内引起树脂成分的不均匀。而且,作为环氧树脂组合物的一部分,优选使用橡胶改性环氧树脂。该橡胶改性环氧树脂只要是作为粘合剂用或者涂料用而在市面上销售的产品即可,未作特别的限定。具体的可以举出"EPICLONTSR—960"(商品名、大日本油墨公司制造)、"EPOTOHTOYR—102"(商品名、东都化成公司制造)、"7$工求年、>ESC—500"(商品名、住友化学公司制造)、"EPOMIKVSR3531"(商品名、三井石油化学公司制造)等。这些橡胶改性环氧树脂可以单独使用一种,也可以两种以上混合使用。在这里的橡胶改性环氧树脂的配合量为环氧树脂总量的5重量%80重量%。通过使用橡胶改性环氧树脂,可以促进树脂成分向介电层内的固定。因此,当该橡胶改性环氧树脂的配合量不足5重量%时,无法得到促进向介电层内的固定附着效果。一方面,该橡胶改性环氧树脂的配合量若超过80重量%,则作为固化后树脂的耐热性降低。另外,该环氧树脂组合物中使用的聚乙烯醇缩醛树脂是由聚乙烯醇和醛类反应合成的树脂。目前,作为聚乙烯醇縮醛树脂市售的是,作为涂料用或者粘合剂用的由各种聚合度的聚乙烯醇与一种或者两种以上醛类的反应物,但是,在本发明中,对醛类的种类或者縮醛度没有特别的限定。另外,对原料聚乙烯醇的聚合度没有特别的限定,但是若考虑固化后的树脂的耐热性或对溶剂的溶解性,则优选使用由聚合度为20003500的聚乙烯醇合成的产品。进一步,市面上也销售在分子内导入了羧基等的改性聚乙烯醇縮醛树脂,如果与所组合的环氧树脂之间的相溶性没有问题就可以使用,没有特别的限定。配合到绝缘层的聚乙烯醇缩醛树脂的配合量为树脂组合物总量的20重量%50重量%。若该配合量不足20重量%,则无法得到作为树脂的流动性的改善效果。一方面,若该配合量超过50重量%,则由于固化后的绝缘层的吸水率变高,因此作为介电层的构成材料极其不理想。本发明中使用的树脂组合物中,除上述成分外,优选作为上述聚乙烯醇缩醛树脂的交联剂,配合三聚氰胺树脂或者聚氨酯树脂。该三聚氰胺树脂可以使用作为涂料用而市售的烷基化三聚氰胺树脂。具体的可以举出甲基化三聚氰胺树脂、正丁基化三聚氰胺树脂、异丁基化三聚氰胺树脂、及其他们的混合烷基化三聚氰胺树脂。对三聚氰胺树脂的分子量或者烷基化程度没有特别限制。作为该聚氨酯树脂,可以使用作为粘合剂用、塗料用而市售的分子中含有异氰酸酯基的树脂。具体的可以例举出甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯、多亚甲基多苯基多异氰酸酯等的聚异氰酸酯化合物和三甲基醇丙垸或者聚醚多元醇、聚酯多元醇等的多元醇类的反应物。这些化合物的作为树脂的反应性高,有时在作为环境气体的水分中进行聚合,所以在本发明中,为了避免引起该缺陷,优选使用用苯酚类或者肟类稳定了这些树脂的、被称作嵌段异氰酸酯的聚氨酯树脂。添加到本发明树脂组合物中的三聚氰胺树脂或者聚氨酯树脂的配合量为树脂组合物总量的O.l重量。%20重量%。当该配合量不足0.1重量%时,聚乙烯醇缩醛树脂的交联效果不充分,绝缘层的耐热性降低,若超过20重量%而进行配合,则介电层内的固定附着性恶化。该树脂组合物中,除上述必要成分外,还可以根据需要使用以滑石或者氢氧化铝为代表的无机填充剂、消泡剂、均化剂、偶合剂等的添加剂。这些成分具有可以改善树脂成分对介电层的浸透性,提高阻燃性,降低成本等效果。为了使向介电层内的浸渍容易进行,用溶剂将上述树脂组合物制成固体成分含量控制在规定范围的稀薄树脂清漆而使用。对此在后叙述。介电层内的添加成分进一步,上述氧化物介电膜优选含有选自锰、硅、.镍、铝、镧、铌、镁、锡中的一种或两种以上,并通过偏析在晶粒界面来阻断漏电流的流路。其中,优选使用锰。认为该锰以锰氧化物的形式存在于介电膜的内部,通过使其偏析在由溶胶一凝胶法等得到的氧化物介电膜的晶粒'界面,提高漏电流流路的阻断效率。此时,该氧化物介电膜中的锰含量优选为0.01mol%5.00mol%。当该锰含量不足0.01mol^时,锰向由溶胶一凝胶法得到的氧化物介电膜的晶粒界面的偏析不充分,无法得到良好的减少漏电流的效果。一方面,若该锰含量超过5.00mol^时,锰向由溶胶一凝胶法得到的氧化物介电膜的晶粒界面的偏析过剩,介电膜变脆,其韧性受损,在用蚀刻法加工上部电极形状等时,容易产生因喷淋蚀刻液等引起的介电层的破坏等缺陷。另外,若锰含量过剩,则在以下所述的制造方法中,有氧化物晶粒组织的生长受抑制的倾向。因此,通过采用锰含量在上述范围的组成,进一步减少作为电容器的漏电流,实现长寿命化。另外,更优选该氧化物介电膜中的锰含量为0.25mol%1.50mol%。这是为了进一步确保氧化物介电膜的质量。另外,氧化物介电膜是指具有钙钛矿结构的介电膜,在没有明示该氧化物介电膜中含有酸化锰成分的情况下,则意味着不含氧化锰。另外,也假想锰被取代配置在氧化物晶格内的情况。通常,氧化物介电膜由于低氧气分压下的结晶化而产生氧缺损。因此,钛的化合价由4价还原为3价,由于该化合价不同的钛原子之间的电子跳动,绝缘性降低。但是,当适当量的锰取代固溶于氧化物结晶内时,取2价至3价的化合价分布,因此能够补偿氧缺损,由此不会引起钛的还原,有望提高绝缘性的效果。介电层的厚度通过本发明所述氧化物介电层的形成方法形成的上述介电层的厚度优选为20nmlpm。由于该介电层的厚度越薄其电容量越高,所以越薄越好。但是,若介电层厚度不足20nm,就算向介电层添加了上述锰、硅等,也得不到减小漏电流的效果,早期就产生绝缘破坏,所以不能达到长寿命化。相对于此,如果电容量小也可以的话,介电膜的厚度厚也无所谓。但是,若考虑市场上需求的电容器电路的电容量等的要求值,则该liim左右的厚度为上限。第二导电层(下部电极)根据采用溶胶一凝胶法、MOCVD法、溅射蒸镀法中的何种方法来形成介电层,并考虑到该形成过程中所承受的热,第二导电层可以选择性地使用多种物质。即,可以使用铜、镍、钴、金、白金等各种材质的导电性材料。但是,在采用溶胶—凝胶法形成介电层时,因为要承受高温,因此,作为第二导电层优选采用耐热性金属中的镍层或者镍合金层。在这里所说的镍层或者镍合金层意指主要采用金属箔。因此,镍层是指由所谓纯度99.9%(其他为不可避免的杂质)以上的纯镍箔所形成的层。而且,镍合金层是指例如使用镍一磷合金所形成的层。在这里所说的镍一磷合金的磷含量优选为0.1wt%llwt%。在电容器层形成材料的制造以及通常的印刷电路板的制造工序中,当承受高温负荷时,则认为镍一磷合金层的磷成分扩散到介电层内部,由此降低与介电层之间的附着性,也给介电常数带来变化。但是,具有合适的磷含量的镍一磷合金层可以提高作为电容器的电特性。当磷含量不足0.1wt^时,与使用纯镍的情况没有区别,丧失了合金的意义。相对于此,若磷含量超过llwt^,则磷在介电层的界面上偏析,降低与介电层之间的附着性,变得容易剥离。因此,优选磷含量在0.1wt%11wt^的范围。而且,当磷含量在0.2wt^3wtX的范围时,即使在工序上产生了一定的偏差也能够形成稳定质量的电容器电路,能够确保与介电层之间进一步稳定的附着性。另夕卜,若要指出最合适的范围,则磷含量在0.25wt。ZlwtX时,能够确保与介电层间之的最好的附着性的同时,能够确保良好的介电常数。本发明所述的磷含量是通过[P成分重量]/[Ni成分重量]xlOO(wt%)换算的值。本发明所述的镍箔以及镍合金箔包含用压延法以及电解法等得到的全部的箔。而且,也包含在金属箔的最表层具有这些镍或者镍合金层的复合箔的概念。例如,作为构成第二导电层的材料,可以使用在铜箔表面具有镍层或者镍合金层的复合材料。只要具有这些物理性质,即使经过将氟树脂基板、液晶聚合物等作为基板材料的印刷电路板中的30(TC40(TC的高温加工工序,也几乎没有强度的降低,其结果,将该金属箔用于第二导电层的电容器层形成材料的质量也几乎没有降低。另外,本发明所述镍箔以及镍合金箔的结晶组织优选为其晶粒尽可能细,从而提高了强度的结晶组织。更具体地说,优选微细化成平均结晶粒径为0.5pm以下的程度,具有高机械强度的物理性质。而且,优选第二导电层的厚度为l|im100nm。若上述厚度不足lnm,则作为形成电容器电路时的电极的可靠性显著降低,很难在其表面形成介电层。一方面,在实用中几乎部要求其厚度超过100^im。另外,若第二导电层的厚度为lO(im以下,则操作变得困难。于是,优选采用通过粘合界面将构成第二导电层的金属箔与载体箔粘贴的带有载体箔的金属箔。载体箔则在加工成本发明所述电容器层形成材料后,在之后的步骤中除去即可。以上所述的用于构成第二导电层的镍箔或者镍合金箔能够使用由电解法或者压延法制造的箔。对于这些制造方法没有特别的限制。尤其是对于压延法,用冶金工序调整铸锭的成分,边对其进行适当的退火操作,边用压延辊将其加工成箔状,其采用以往的方法足以。相对于此,当采用电解法时,根据其电解液、电解条件等所析出的金属组织也不同,结果也会给物理强度带来影响。但是,在形成镍层时,可以广泛使用作为镍电镀液公知的溶液。例如,(i)使用硫酸镍,其条件是镍浓度为530g/1、液体温度为2050°C、pH值为24、电流密度为0.310A/dm2;(ii)使用硫酸镍,其条件是镍浓度为530g/1、焦磷酸钾为50500g/l、液体温度为2050°C、pH值为811、电流密度为0.310A/dm2;(iii)使用硫酸镍,其条件是镍浓度为1070g/l、硼酸为2060g/1、液体温度为2050°C、pH值为24、电流密度为l50A/dm2;其他为一般瓦特镀浴的条件等。而且,用电解法制造镍一磷合金箔时,作为电解液使用磷酸类溶液。此时,采用(i)硫酸镍浓度为120g/l180g/l、氯化镍浓度为35g/l55g/1、H3P04浓度为3g/l5g/1、H3PCV浓度为2g/l4g/1、液体温度为70。C95。C、pH值为0.51.5、电流密度为5A/dm250A/dm2的条件;(ii)硫酸镍浓度180g/l280g/1、氯化镍浓度为30g/l50g/1、H3B03浓度为16g/l25g/l、H3P03浓度为lg/l5g/l、液体温度为45°C65°C、电流密度为5A/dm250A/dm2的条件等。另外,也可以使用市售的非电解电镀液,通过非电解法形成镍一磷合金层,但在制膜速度方面不能满足工业生产性。第一导电层第一导电层为在介电层上通过使用金属箔粘贴方法、用电镀法形成导电层的方法、溅射蒸镀法等方法所形成的导电层,通常采用0.1)^m50jim左右的厚度<本发明所述电容器层形成材料的制造方式>本发明所述电容器层形成材料的制造方法,其特征是,在下部电极的构成材料表面上,通过溶胶一凝胶法、MOCVD法、溅射蒸镀法中的任意方法形成氧化物介电膜,在该氧化物介电膜的表面涂敷树脂清漆而使其浸渍,进行树脂干燥、树脂固化来形成介电层,然后在该介电层上设置上部电极构成层。对在这里所述的溶胶一凝胶法、MOCVD法、溅射蒸镀法没有特别的限制。结果,作为所希望的上述氧化物介电膜,能够得到(Ba卜xSrx)TiO3(0《x《l)膜或者BiZr03(0《x《l)膜中的任意膜即可。在此,涂敷于氧化物介电膜表面的树脂清漆,是用有机溶剂溶解上述树脂成分且固体成分含量为0.1wt^1.0wt^的树脂清漆。在这里,当固体成分含量不足0.1wt^时,粘度过低,介电层中没有残留有机成分,失去了浸渍树脂的意义。一方面,若固体成分含量超过1.0wt%,则在涂敷工序中有偏差、且用旋转涂敷器涂敷过量树脂时,粘度过高,因此在介电层上形成了树脂膜,其结果,电容量密度降低,故不优选。图l表示用FIB—SIM观察浸渍了固体成分含量为0.3wtX的合适范围的树脂清漆的电容器层形成材料剖面的观察图像。从图i明确可知,介电层1位于上部电极2和下部电极3之间,且能够观察到浸渍在介电层2内部的黑点状的树脂成分。相对于此,图2表示用FIB—SIM观察浸渍了固体成分含量低至0.05wt^的树脂清漆的电容器层形成材料剖面的观察图像。从该图2明确可知,由于介电层2的内部没有残留浸渍的树脂成分,所以观察不到黑点状的部位。另外,图3表示用FIB—SIM观察浸渍了固体成分含量高至2.2wtX的树脂清漆的电容器层形成材料剖面的观察图像。从该图3明确可知,树脂成分没有充分浸渍到介电层2的内部,虽然在介电层2内部观察到了黑点状的部位,但是没有浸透的树脂成分在介电层2上形成了树脂膜4。因此,须将树脂清漆的固体成分含量控制在0.1wt^1.0wtX的范围,由此确保良好的向介电层内的浸透性。能够作为有机溶剂使用的,例如可以使用甲乙酮和环戊酮中的任意一种溶剂或者它们的混合溶剂来进行溶解。甲乙酮和环戊酮通过19(TC左右的加热,可以容易而有效地挥发除去,且挥发气体的净化处理也很容易。并且,很容易使树脂溶液的粘度调节成最适合浸渍到介电层中的粘度。而且,从环保角度考虑,更优选使用甲乙酮和环戊酮的混合溶剤来进行溶解。在为混合溶剂时,对混合比例没有特别的限定,但在使用环戊酮时,考虑到挥发除去的速度,优选将甲乙酮作为其共存溶剂。但是,除了在此具体例举的溶剂以外,只要是能够溶解本发明中所使用的全部树脂成分的溶剂,就可以使用。另外,将该树脂清漆涂敷于介电层表面可以采用各种方法。但是,由于树脂清漆的固体成分含量相比于通常的树脂清漆非常稀薄,所以从维持均匀性的观点出发,优选采用旋转涂敷法。而且,尤其在采用溶胶一凝胶法形成氧化物介电膜时,为了得到粒径(长径)为50nm300nm的氧化物结晶组织,优选采用以下(A)(C)的工序。氧化物介电膜的结晶组织优选具有尽可能大的粒径。这是因为如果粒径能够尽可能大,则能够减少成为漏电流路径的晶粒界面的存在比率的缘故。根据本发明人等的研究,发现若单从结晶粒径角度考虑,当该介电层的粗大化结晶组织向厚度方向和平面方向生长,且包含粒径(长径)为50nm300nm的氧化物结晶组织时,漏电流变小,且成为高电容量的介电层,进一步能够实现耐于长期使用的长寿命化。这里所述的粒径,是指对介电层的剖面进行集束离子束加工,并对粗大粒子的长径进行测定的晶粒的大小,其中,该粗大粒子是从用透射型电子显微镜以1000000倍进行观察时的观察图像直接观察到的粗大粒子。尽管该粒径不是严格意义下的粒径,但是作为用于明确粗大化了的晶粒存在的指标,没有任何问题。当只有观察到粒径(长径)不足50nm的物质时(尤其是无定形),与以往的用溶胶一凝胶法得到的氧化物介电膜比较,在施加低电压时无定形的漏电流小,而稍微提高电压,漏电流就急速增加。因此,总体判断时漏电流的减少、电容量的增加均不显著。一方面,为了得到构成介电层的氧化物结晶组织的粒径(长径)超过300nm程度的晶粒,必须使用极其特殊的制造条件,无法进行实质工业规模的生产。(A)工序溶液制备工序,其是用于制备所希望氧化物介电膜制造用溶胶一凝胶溶液。关于该工序没有特别的限定,既可以使用市售的制备剂,也可以自行配制。只要是作为结果能够得到所希望的(Ba卜,SrJTi03(0《X≤l)膜或者BiZrO3(0≤X≤1)傻中的任意一种即可。(B)工序涂敷工序,其是将上述溶胶一凝胶溶液涂敷于作为第二导电层的金属箔表面、在含氧气体环境中以120℃250℃×30秒10分钟的条件进行干燥、在含氧气体环境中以270℃390℃×5分钟30分钟的条件进行热分解的一系列工序作为一个单位工序,并重复多次该单位工序来调整膜厚。该工序与以往的溶胶一凝胶法的制造方法不同,具有制造方法上的特征。在此,关于将溶胶一凝胶溶液涂敷于作为第二导电层的金属箔表面的涂敷方法没有特别的限定。但是,考虑到膜厚的均匀性以及溶胶一凝胶溶液的特性等,优选使用旋转涂敷器。完成溶胶一凝胶溶液的涂敷后,在含氧气体环境中以120℃250℃×30秒10分钟的条件进行干燥,在含氧气体环境中以270°C390°C×5分钟30分钟的条件进行热分解。此时的干燥为在120°C250°C×30秒10分钟的条件下进行,若脱离该条件,则干燥不充分,在随后的热分解后介电膜表面产生龟裂,或者干燥过剩,导致随后的热分解反应变得不均匀,所得到的介电膜容易产生局部的质量偏差。在进行该干燥以及热分解时,在含氧气体环境下进行。即,若在还原气氛下进行,则不会促进有机物的分解。上述干燥结束后,在含氧气体环境下以270°C390°C>5分钟30分钟的条件进行热分解。在此,所采用的热分解温度极具特征。以往的热分解温度采用了450℃550°C的温度范围。相对于此,在本发明所述制造方法中,为了防止第二导电层多余的氧化,采用了270℃390℃的低温区域的热分解温度。在此,若热分解温度不足270°C,则无论持续多长时间的加热,也不会引起良好的热分解,欠于生产性的同时无法得到良好的电容器特性。一方面,介电膜形成于第二导电层的表面上,若超过390℃而进行加热,则在介电膜和第二导电层之间的界面上,明显能够观察到第二导电层表面的氧化。但是,若考虑进行大量生产时的工序偏差和质量安全性,优选以其以下温度370℃左右为上限。而且,加热时间可以根据所采用的分解温度和溶胶一凝胶溶液的性状来决定,但是以采用上述加热温度范围为前提时,不足5分钟的加热难以进行充分的热分解。另外,若加热时间超过30分钟,则即使在上述温度范围,第二导电层的表面也会氧化。重复多次上述(B)工序,从而调整至所希望的膜厚。关于重复进行时的干燥以及热分解条件,可以使用与上述相同的条件。(C)工序烧成工序,其最终在惰性气体取代或者真空环境下进行550°C800°Cx5分钟60分钟的烧成处理而得到介电层。经过该烧成工序,最终成为介电层。在该烧成工序中,为了防止作为金属材料的第二导电层的氧化老化,在惰性气体取代或者真空环境下进行加热。此时的加热温度采用55(TC80(TCx5分钟60分钟的条件。若在不足该温度条件下进行加热,则难以烧成,无法得到与第二导电层之间的附着性优良、氧化物结晶组织适当粗大化了的优良的介电膜。而且,若进行超过该温度条件的过加热,则产生介电膜的老化以及第二导电层的物理强度的降低,不仅无法得到机械强度优良的电容器层形成材料,还无法实现作为电容器特性的高电容量以及长寿命化。另外,尤其在采用溶胶一凝胶法形成氧化物介电膜时,为了使结晶粒径尽可能大且致密,优选采用以下(a)(c)的工序。(a)工序溶液制备工序,其用于制备所希望的氧化物介电膜制造用溶胶一凝胶溶液。关于该工序,没有特别的限制,可以使用市售的制备剂,也可以自行制备。结果,作为所希望的上述氧化物介电膜,只要能够得到(Ba,一xSrx)Ti03(0《x《l)膜或者BiZr03(0《x《l)膜中的任意一种即可。(b)工序涂敷工序,其是将上述溶胶一凝胶溶液涂敷于第二导电层表面(以下说明中称为单位"涂敷")、在含氧气体环境中以120°C250°Cx30秒10分钟的条件进行干燥(以下说明中称为单位"干燥")、在含氧气体环境中以27(TC3卯。Cx5分钟30分钟的条件进行热分解(以下说明中称为单位"热分解")的一系列工序作为一个单位工序,在重复多次该单位工序时,在单元工序和单元工序之间,设置至少一次以上的预烧成处理而调整膜厚,其中,该预烧成处理是在惰性气体取代或者真空环境下进行550°C800°Cx2分钟60分钟。艮口,在该工序中,将涂敷—干燥—热分解的一系列连续工序称为一个单位工序。而且,在以往的方法中,仅仅多次重复该单位工序,最终进行烧成。相对于此,在本发明中,在重复多次单位工序的过程中,设置至少一次以上的预烧成工序。因此,例如若重复进行6次单位工序,当设置一次预烧成工序的时,可以采用单位工序(第一次)一预烧成工序—单位工序(第二次)一单位工序(第三次)单位工序(第四次)—单位工序(第五次)—单位工序(第六次)的工序等。而且,若想设置两次烧成工序的话,可以采用单位工序(第一次)—预烧成工序一单位工序(第二次)—单位工序(第三次)—预烧成工序—单位工序(第四次)">单位工序(第五次)—单位工序(第六次)的工序等。进一步,若想在全部单位工序之间设置烧成工序,则可以采用单位工序(第一次)—预烧成工序—单位工序(第二次)—预烧成工序—单位工序(第三次)—预烧成工序—单位工序(第四次)—预烧成工序—单位工序(第五次)—预烧成工序—单位工序(第六次)的工序。用以往的溶胶一凝胶法得到的氧化物介电膜的结晶状态中存在微细的晶粒,晶粒内可以确认出多个空隙。认为这是因为溶胶一凝胶液中含有的有机成分在烧成时产生了蒸发挥发的缘故。相对于此,通过采用该(b)工序,氧化物介电膜组织的膜密度高且致密,成为晶粒内空隙等结构缺陷少的状态。因此,若在此中浸渍树脂成分,则漏电流进一步变小,能够得到具有高容量介电层的电容器层形成材料。在此说明一个单位工序的涂敷。关于将溶胶一凝胶溶液涂敷于金属基材表面时的涂敷方法没有特别的限定。但是,考虑到膜厚的均匀性以及溶胶一凝胶溶液的特性等,优选采用旋转涂敷器。而且,基于与上述同样的理,在此所述的金属基材优选使用镍层或者镍A^冃接着,说明单位工序的干燥。溶胶一凝胶溶液的涂敷结束后,在含氧气体环境中以12(TC25(TCx30秒10分钟的条件进行干燥,并在含氧气体环境中以27(TC39(TCx5分钟30分钟的条件进行热分解。此时的干燥是在12(TC25(TCx30秒10分钟的条件下进行,若脱离该条件,则干燥不充分,在随后的热分解后介电膜表面产生龟裂,或者若干燥过剩,则随后的热分解反応变得不均匀,所得到的介电膜容易产生局部质量偏差。在进行该干燥以及热分解时,在含氧气体环境下进行。S卩,若在还原气氛下进行,则不会促进有机物的分解。进一步,说明单位工序的热分解。上述干燥结束后,在含氧气体环境中以27(TC390。Cx5分钟30分钟的条件进行热分解。在此,所采用的热分解温度极具特征。以往的热分解温度采用45(TC55(TC的温度范围。相对于此,本发明所述制造方法中,为了防止金属基材的多余氧化,采用了270°C39(TC的低温区域的热分解温度。在此,若热分解温度不足27(TC,则无论持续多长时间的加热,也难以引起良好的热分解,因此欠于生产性的同时,无法得到良好的电容器特性。一方面,介电膜形成于金属基材表面,若超过39(TC进行加热,则在介电膜和金属基材间的界面上,金属基材的表面氧化非常明显。但是,若考虑大量生产中的工序偏差和质量安全性,优选将其以下温度37(TC左右为上限。而且,加热时间可以根据所采用的分解温度和溶胶一凝胶溶液的性状来决定,但是以采用上述加热温度范围为前提下,若进行不足5分钟的加热时,无法进行充分的热分解。另外,若加热时间超过30分钟,则即使在上述温度范围内,金属基材表面也会氧化。而且,设置在上述单位工序和单位工序之间的预烧成工序,是在惰性气体取代或者真空环境下进行550°C800T>2分钟60分钟的烧成处理。由于该条件与以下所述的(c)工序相同,所以在其说明中阐述数值的临界意、(c)工序烧成工序,其最终在惰性气体取代或者真空环境下进行550°C800°Cx5分钟60分钟的烧成处理来得到介电层。该烧成工序是所谓的正式烧成工序,经过该烧成,最终成为介电层。在该烧成工序中,为了防止作为金属材料的基材的氧化老化,在惰性气体取代或者真空环境中进行加热。此时的加热温度采用55(TC80(TCx5分钟60分钟的条件。若在不足该温度条件下进行加热,则难以烧成,无法得到与基材的附着性优良、具有合适的致密度和粒度的结晶组织的介电膜。而且,若进行超过该温度条件的过加热,则产生介电膜的劣化以及基材的物理强度的降低,难以实现作为电容器特性的高电容量以及长寿命化。(使用了本发明所述电容器层形成材料的印刷电路板)本发明所述电容器层形成材料能够有效用于多层印刷电路板的内置电容器层的形成中。用蚀刻法形成位于该电容器层形成材料的两表面的第一导电层和第二导电层以及电容器电路形状,由此作为多层印刷电路板的构成材料使用。另外,通过在第二导电层上使用上述镍或者镍合金,能够形成与介电层的附着性优良的下部电极,如果该下部电极使用耐热性优良的镍等原材20料,贝卿使经过多次30(TC40(TC范围的热压加工,也不会引起氧化老化,也不会引起物理性质的变化。关于具有使用本发明所述电容器层形成材料的内置电容器电路的印刷电路板的制造方法没有特别的限定,可以采用所有的方法。实施例1<本发明所述电容器层形成材料的制造〉(第二导电层用箔的制造)在此,使用用压延法制造的厚度为50pm的镍箔。另外,压延法制造的镍箔的厚度为用厚度计(y—-厚S)表示的厚度。(电容器层形成材料的制造)将上述镍箔用于电容器层形成材料的下部电极形成用第二导电层的形成中,在该镍箔表面,用溶胶一凝胶法形成介电层。对用溶胶一凝胶法形成介电层之前的镍箔,作为预处理进行250°Cxl5分钟的加热,照射一分钟紫外线。(a)在该溶液制备工序中,制备用于溶胶一凝胶法的溶胶一凝胶溶液。在此,使用株式会社高纯度化学研究所制造的BST—06—P(70/30),将溶胶—凝胶溶液配制成能够得到所希望组成的(Bao.7Sr。.3)1103氧化物介电膜的溶液。(b)用旋转涂敷器将上述溶胶一凝胶溶液涂敷于上述镍箔表面,并在含氧气体环境(大气环境)下进行15(TCx2分钟的干燥、在大气环境下进行33(TCxl5分钟的热分解,进一步重复6次该涂敷工序来调整膜厚。(c)最终在惰性气体取代(氮气取代环境)或者真空环境下进行65(TCxi5分钟的烧成处理,由此形成各种组成的介电层。(d)进一步,采用旋转涂敷法在上述介电层表面涂敷树脂清漆,在室温下放置30分钟后,在15(TC的烘箱中加热5分钟,除去一定量的溶剂,使其干燥成半固化状态。然后,在19(TC的烘箱中加热30分钟,由此使其固化。在这里使用的树脂清漆为两种,按以下的方法制备。将没有橡胶改性的环氧树脂(商品名EPOMICR—301、三井石油化学制造)40重量份、橡胶改性环氧树脂(商品名EPOTOHTOYR—102、东都化成制造)20重量份、聚乙烯醇縮醛树脂(商品名亍'>力7"f,一A弁5000A、电气化学工业制造)30重量份、作为固体成分的三聚氰胺树脂(商品名二一"^20SB、三井东压化学社制造)IO重量份、潜性环氧树脂固化剂(双氰胺、试剂)2重量份(以固体成分为25重量%的二甲基甲酰胺溶液形式添加)、固化促进剂(商品名*二7'/—》2E4MZ、四国{七成制造)0.5重量份溶解到甲乙酮中,配制成固体成分含量为0.22wt^和0.44wt%的两种树脂清漆。<电容器电路的形成>用蚀刻法形成电容器电路在如上所述地进行过树脂浸渍的介电层上,通过溅射蒸镀法形成2pm厚度的铜层来作为第一导电层,将其作为在介电层的两表面具有第一导电层和第二导电层的电容器层形成材料。在此,将使用了固体成分含量为0.22wt^者作为试样l一l,将使用了固体成分含量为0.44wt^者作为试样1一2。在上述电容器形成材料(试样l一l以及试样l一2)的第一导电层表面设置抗蚀膜层,曝光用于形成上部电极形状的蚀刻图案,并显影。然后,用氯化铜类铜蚀刻液蚀刻第一导电层,剥离抗蚀膜,由此形成100个上部电极面积为lmmxlmm尺寸的电容器电路。用掩模法形成电容器电路在如上所述形成的各试样的介电层上,配置将形成上部电极的位置开口成上部电极形状的蒸镀用金属掩模,通过溅射蒸镀法形成2pm厚度的作为上部电极的铜层,由此形成电容器电路。此时,形成了IOO个上部电极面积为lmmxlmm尺寸的电容器电路。在此,将使用了固体成分含量为0.22wt^者作为试样l一3,将使用了固体成分含量为0.44wtX者作为试样l一4。<介电特性等的评价>在以下诸多特性中,除漏电流以外的电特性用惠普公司制造的4261ALCR测量器(lkHz、IV)进行测量。另外,关于漏电流,则用Advantest公司制造的数码电子测量器进行测量。电极合格率电容器电路形成后,在各试样中的IOO个电容器电路上,施加规定的电压,测定层间耐压,观察在上部电极和下部电极之间没有发现短路现象的比例。其结果,试样l一l为73%,试样1_2为54%,试样1一3为90%,试样1一4为51%。电容量密度试样l一l的电容量密度为1078nF/Cm21359nF/Cm2,试样1—2的电容量密度为10卯nF/Cm21370nF/Cm2,试样l一3的电容量密度为1087nF/Cm21387nF/Cm2,试样1—4的电容量密度为U26nF/Cm21308nF/Cm2,各试样均显示高电容量。介电损失试样1—1的介电损失为2.4%5.6%,试样1一2的介电损失为1.0%3.5%,试样l一3的介电损失为2.1%4.2%,试样1一4的介电损失为1.3%4.0%。蚀刻后的介电膜的残留调査了在形成电容器电路后的电路之间间隙上有无残留介电层。调査有无该残留,是通过用金属显微镜观察电路之间来进行。在残留有介电层时,能够观察到彩虹色的干扰色。其结果,用蚀刻法制造的试样l一l以及试样1—2中均确认有介电层的残留。漏电流在试样1一1试样l一4的电容器电路的上部电极和下部电极之间,施加一5V5V的电压来测定漏电流。关于其结果,与上述特性一同表示在表1中,以便能够与后述的比较例1进行对比。另外,表1中的电容量密度表示为平均容量密度,介电损失表示为平均介电损失。<本发明所述电容器层形成材料的制造〉(第二导电层用箔的制造)在此,使用用压延法制造的5(Him厚度的镍箔。另外,由压延法制造的镍箔的厚度为用厚度计(^一-厚$)表示的厚度。该镍箔构成电容器层形成材料的第二导电层。(电容器层形成材料的制造)在该镍箔表面用溶胶一凝胶法形成介电层。对用溶胶一凝胶法形成介电层之前的镍箔,作为预处理进行25(TCxl5分钟的加热,照射l分钟紫外线。(a)工序在该溶液制备工序中,制备用于溶胶一凝胶法的溶胶一凝胶溶液。在此,使用三菱材料株式会社制造的商品名为BST薄膜形成剂的7wt。/^BST,配制成能够得到Baa7SrQ.3Ti03组成的氧化物介电膜的溶液。(b)工序在该工序中,将上述溶胶一凝胶溶液涂敷于镍箔表面、在含氧气体环境中以15(TCx2分钟的条件进行干燥、在含氧气体环境中以33(TCxl5分钟的条件进行热分解的一系列工序作为一个单位工序。而且,重复六次该单位工序时,在单位工序和单位工序之间设置至少一次以上的预烧成处理来进行膜厚调整,其中,该预烧成处理是在惰性气体取代或者真空环境中进行65(TOl5分钟。而且,得到两种试样。其中一个试样是在第一次的单位工序和第二次的单位工序之间设置一次预烧成工序而得到的试样(以下称为A试样)。另一个试样是在第一次的单位工序和第二次的单位工序之间、第三次的单位工序和第四次的单位工序之间共计设置两次预烧成工序而得到的试样(以下称为B试样)。(c)工序对上述各试样,在65(T015分钟的惰性气体取代(氮气取代气氛)或者真空环境下进行烧成处理,在作为基材金属的镍箔表面形成介电层。(d)进一步,采用旋转涂敷法,在上述A试样和B试样的各介电层表面涂敷固体成分含量为0.44wt^的树脂清漆,并与实施例1相同地进行了对介电层的树脂浸渍。<电容器电路的形成>用蚀刻法形成电容器电路在如上所述地进行了树脂浸溃的A试样以及B试样的各介电层上,通过溅射蒸镀法,形成2pm厚度的作为第一导电层的铜层,并将其作为在介电层的各面上具有第一导电层和第二导电层的电容器层形成材料。上述电容器形成材料的第一导电层表面设置抗蚀膜层,曝光用于形成上部电极形状的蚀刻图案,并显影。然后,用氯化铜类铜蚀刻液蚀刻第一导电层,剥离抗蚀膜层,由此形成100个上部电极面积为lmmxlmm尺寸的电容器电路。在此,将使用了A试样的称为试样2—l,将使用了B试样的称为试样2—2。用掩模法形成电容器电路:在如上所述的形成为A试样以及B试样的介电层上,配置将形成上部电极的位置开口成上部电极形状的蒸镀用金属掩模,通过溅射蒸镀法形成2pm厚度的作为上部电极的铜层来形成电容器电路。此时,形成100个上部电极面积为lmmxlmm尺寸的电容器电路。在此,将使用了A试样的称为试样2—3,将使用了B试样的称为试样2—4。<介电特性等的评价〉电极合格率在形成电容器电路后,给各试样的100个电容器电路施加规定的电压,测定层间耐压,观察上部电极和下部电极之间没有发现短路现象的比例。其结果,试样2—1为100%,试样2—2为100%,试样2—3为100%,试样2—4为100%。电容量密度试样2—1的电容量密度为1022nF/Cm21243nF/Cm2,试样2—2的电容量密度为1157nF/Cm21234nF/Cm2,试样2—3的电容量密度为1048nF/Cm21209nF/Cm2,试样2—4的电容量密度为1124nF/Cm21296nF/Cm2,各试样均显示高电容量。介电损失试样2—1的介电损失为1.9%5.5%,试样2—2的介电损失为1.2%4.5%,试样2—3的介电损失为1.1%3.9%,试样2—4的介电损失为1.5%3.0%。蚀刻后的介电膜残留与实施例1同样地进行评价的结果,确认用蚀刻法制造的试样2—1以及试样2—2中均有介电层的残留。漏电流在试样2—1试样2—4的电容器电路的上部电极和下部电极之间施加一5V5V的电压,测定漏电流。关于其结果,与上述特性一起表示在表2中,以便与后述的比较例2进行对比。另外,在表2中,电容量密度表示为平均容量密度,介电损失表示为平均介电损失。比较例[比较例1]该比较例1中省略了实施例1的树脂浸渍,其他工序与实施例1相同,因此在此省略重复的说明。以下,仅说明评价结果。另外,省略了试样l一l以及试样l一2的树脂浸渍的作为试样3—1,省略了试样1_3以及试样l一4的树脂浸渍的为试样3—2。<介电特性等的评价>电极合格率形成电容器电路后,对各试样的100个电容器电路施加规定电压而测定层间耐压,观察在上部电极和下部电极之间没有产生短路现象的比例。其结果,试样3_1为13%,试样3—2为36。电容量密度试样3—1的电容量密度为1040nF/Cm21331nF/Cm2,试样3—2的电容量密度为1023nF/Cm21181nF/Cm2,各试样均显示高电容量。介电损失试样3—1的介电损失为4.5%8.3%,试样3—2的介电损失为3.8%7.6%,显示出大的介电损失。蚀刻后的介电膜的残留调查形成电容器电路后的电路之间的间隙上有无残留介电层。调查有无该残留,是用金属显微镜观察电路之间来进行。在残留有介电层时,会观察到彩虹色的干扰色。其结果,用蚀刻法制造的试样3—1中无法确认介电层的残留。漏电流在试样3—1以及试样3—2的电容器电路的上部电极和下部电极之间施加一5V5V的电压测定漏电流。关于其结果,与上述特性一起表示在表1中,以便与后述的比较例l进行对比。另外,表1中,电容量密度表示为平均容量密度,介电损失表示为平均介电损失。<table>tableseeoriginaldocumentpage27</column></row><table>[比较例2]该比较例2省略了实施例2的树脂浸渍,其他工序与实施例2相同,因此省略重复的说明。以下仅说明评价结果。另外,将省略了试样2—1的树脂浸渍的作为试样4一1,省略了试样2—2的树脂浸渍的作为试样4一2,省略了试样2—3的树脂浸渍的作为试样4一3,省略了试样2—4的树脂浸渍的作为试样4一2。<介电特性等的评价>电极合格率形成电容器电路后,对各试样的100个电容器电路施加规定电压,测定层间耐压。观察在上部电极和下部电极之间没有产生短路现象的比例。其结果,试样4一1为70%,试样4一2为100%,试样43为100%,试样4一4为100%。电容量密度试样4一1的电容量密度为1310nF/Cm21504nF/Cm2,试样4一2的电容量密度为1141nF/Cm21279nF/Cm2,试样4一3的电容量密度为1153nF/Cm21302nF/Cm2,试样4一4的电容量密度为1097nF/Cm21293nF/Cm2,各试样均显示高电容量。介电损失试样4一1的介电损失为4.2%7.3%,试样4一2的介电损失为1.3%3.5%,试样4一1的介电损失为1.5%3.8%,试样4一2的介电损失为1.1%3.2%,显示了高介电损失。蚀刻后的介电膜的残留与实施例l相同地进行评价的结果,用蚀刻法制造的试样4一1以及试样4一2均确认有介电层的残留。漏电流在试样4一1试样4—4的电容器电路的上部电极和下部电极之间施加一5V5V的电压,测定漏电流。作为其结果,与上述特性一起表示在表2中,以便与后述的比较例2进行对比。另外,在表2中,电容量密度表示为平均容量密度,介电损失表示为平均介电损失。<table>tableseeoriginaldocumentpage29</column></row><table><实施例1和比较例1的対比>用蚀刻法形成电容器电路的情况由于实施例i的试样1—1以及试样1—2是用蚀刻法形成了电容器电路,因此与比较例1的试样3—1进行对比。由该表1明确可知,若仅看电容量密度,试样3—1的平均容量密度为1201nF/Cm2,显示出良好的值。相对于此,试样l一l以及试样1_2为1195nF/Cm2和1220nF/Crr^的高值。而且,若看介电损失,试样3—1的介电损失为6.3%,试样l一1以及试样1—2的介电损失为、4.6%禾卩2.6%。即,可知实施例的试样l一l以及试样l一2达到了高容量化且作为电容器的质量稳定性也优良。而且,观察用蚀刻法形成电容器电路后的电极合格率,试样1一1为73%,试样1一2为54。%。相对于此,试样3—1为13%,可知实施例的制造稳定性也优良。进一步,关于蚀刻液对介电层的浸透性,调查形成电容器电路后的电路之间的间隙上有无残留介电层的结果,试样l一l以及试样1一2均确认出有介电层的残留。相对于此,试样3—1中,介电层没有残留。因此,可知实施例的介电层的耐蚀刻液性能高。另外,关于漏电流,若对比表1的试样1一1以及试样1—2和试样3—1,可知试样l一l以及试样1—2的漏电流明显小,看得出介电层上浸渍树脂的效果。用掩模法形成电容器电路的情况由于实施例1的试样l一3以及试样1一4是用掩模法形成的电容器电路,因此与比较例1的试样3—2进行对比。由该表2明确可知,若仅观察电容量密度,试样3—2的平均容量密度为1128nF/Cm2,也显示良好的值。相对于此,试样l一3以及试样l一4为1172nF/Cm2和1165nF/Cm2的高值。而且,若观察介电损失,则试样3—2的介电损失为5.1。%,试样1—3以及试样1—4的介电损失为3.1%和2.3%。g卩,可知实施例的试样1一3以及试样1一4达到高容量化,且作为电容器的质量稳定性更优良。而且,关于漏电流,对比表l的试样1一3以及试样1一4和试样3—2,可知试样1—3以及试样l一4的漏电流明显小,看得出介电层上浸渍树脂的效果。<实施例2和比较例2的対比〉用蚀刻法形成电容器电路的情况由于实施例2的试样2—1以及试样2一2是用蚀刻法形成电容器电路,因此与比较例2的试样4一1以及试样4_2进行对比。由表2明确可知,若仅观察电容量密,则试样4一1的平均容量密度为1440nF/Cm2,试样4一2的平均容量密度为1220nF/Cm2,显示出良好的值。相对于此,试样2—1以及试样2—2为1098nF/Cm2禾卩1193nF/Cm2。因此,关于实施例稍微处于劣势电容量密度上,也可以说保持同等水平。但是,若观察介电损失,则试样4一1以及试样4一2的介电损失为6.0%、2.8%,试样2—1以及试样2—2的介电损失为4.3%和2.4%。即,实施例的试样2—1以及试样2—2和比较例的试样4一1以及试样4一2在电容量以及介电损失上可以说是同等水平。而且,观察用蚀刻法形成电容器电路后的电极合格率时,试样2—1为100%,试样2—2为100%。相对于此,试样4一1为70%,试样4—2为100%,可知实施例的制造稳定性更优良。进一步,关于蚀刻液对介电层的浸透性,调査形成了电容器电路后的电路之间间隙有无残留介电层的结果,试样2—1以及试样2—2均确认有介电层的残留。而试样4一1以及试样4—2也残留有介电层。因此,可知耐蚀刻液性能也是同等水平。而且,关于漏电流,对比表2的试样2—1以及试样2_2和试样4—1以及试样4一2,可知试样2—1以及试样2—2的漏电流明显小,看得出介电层浸渍树脂的效果。用掩模法形成电容器电路的情况由于实施例2的试样2—3以及试样2一4是用掩模法形成了电容器电路,因此与比较例2的试样4一3以及试样4一4进行对比。由表2明确可知,若仅观察电容量密度,则试样4一3以及试样4一3的平均容量密度为1247nF/Cm2、1190nF/Cm2,显示出良好的值。相对于此,试样2—3以及试样2—4为1130nF/Cm2和1203nF/Cm2。而且,若观察介电损失,则试样4一3以及试样4_4的介电损失为2.9%、2.3%,试样2—3以及试样2_4的介电损失为2.6%和2.3%,显示出同等水平。因此,关于电容量密度和介电损失,没有发现实施例的试样1_3以及试样1一4和比较例的试样4_3以及试样4一4之间的明显的差异。另外,观察用掩模法形成电容器电路后的电极合格率,则试样2—3为100%,试样2—4为100%。相对于此,试样4一3为100%,试样4一3为100%,显示了同等水平。另夕卜,关于漏电流,若比较表2的试样2—3以及试样2—4和试样4一3以及试样4一4可知,试样2—3以及试样2—4的漏电流明显小,看得出介电层中浸渍树脂的效果。产业上的利用可能性本发明所述电容器层形成材料,通过使位于第一导电层和第二导龟层之间的介电层含有树脂成分,由此减少上部电极和下部电极之间产生短路缺陷,减小漏电流。同时,当作为电容器使用时,显示出高电容量和低介电损失。因此,通过使用本发明所述电容器层形成材料,能够制造高容量且长寿命的电容器电路。由此,采用该电容器层形成材料得到的印刷电路板等可以使电子及电器产品节省电力。而且,通过采用本发明所述电容器层形成材料的制造方法,可以减小用溶胶一凝胶法、MOCVD法、溅射蒸镀法形成的介电层的漏电流,能够有效地制造出介电特性优良的电容器层形成材料,能够向市场提供廉价且高质量的电子及电器产品。权利要求1.一种电容器层形成材料,该电容器层形成材料的用于形成上部电极的第一导电层和用于形成下部电极的第二导电层之间设置有介电层,其特征在于,该介电层为由溶胶-凝胶法、MOCVD法、溅射蒸镀法中的任意一种方法形成的氧化物介电膜,在构成该氧化物介电膜的粒子之间浸渍有树脂成分。2.如权利要求1所述的电容器层形成材料,其特征在于,构成上述介电层的氧化物介电膜含有0.01mor^5.00molX的选自锰、硅、镍、铝、镧、铌、镁、锡中的一种或者两种以上。3.如权利要求1或2所述的电容器层形成材料,其特征在于,上述介电层的厚度为20nmljim。4.如权利要求13中任意一项所述的电容器层形成材料,其特征在于,上述氧化物介电膜为(Ba卜xSrx)Ti〇3(0《x《l)膜或者BiZr03膜中的任意一种。5.如权利要求14中任意一项所述的电容器层形成材料,其特征在于,上述第二导电层是厚度为l|im10(^m的镍层或者镍合金层。6.如权利要求5所述的电容器层形成材料,其特征在于,上述镍合金层为镍一磷合金。7.—种电容器层形成材料的制造方法,其是权利要求16中任意一项所述电容器层形成材料的制造方法,其特征在于,用溶胶一凝胶法、MOCVD法、溅射蒸镀法中的任意一种方法在下部电极的构成材料表面形成氧化物介电膜,并在该氧化物介电膜的表面涂敷树脂清漆使其浸渍,经树脂干燥、树脂固化形成介电层,然后,在该介电层上设置上部电极构成层。8.如权利要求7所述的电容器层形成材料的制造方法,其特征在于,在采用溶胶一凝胶法形成氧化物介电膜时,包括以下(A)(C)的工序(A)溶液制备工序,其用于制备所希望氧化物介电膜制造用溶胶一(B)涂敷工序,其将上述溶胶一凝胶溶液涂敷于作为第二导电层的金属箔表面、在含氧气体环境中以12(TC250。Cx30秒10分钟的条件进行干燥、在含氧气体环境中以270°C390°Cx5分钟30分钟的条件进行热分解的一系列工序作为一个单位工序,重复多次该单位工序来进行膜厚调整;(C)烧成工序,其最终在惰性气体取代或者真空环境下,进行55(TC800°O5分钟60分钟的烧成处理,从而得到介电层。9.如权利要求7所述的电容器层形成材料的制造方法,其特征在于,在采用溶胶一凝胶法形成氧化物介电膜时,包括以下(a)(c)的工序(a)溶液制备工序,其用于制备所希望氧化物介电膜制造用溶胶一凝胶溶液;(b)涂敷工序,其将上述溶胶一凝胶溶液涂敷于作为第二导电层的金属箔表面、在含氧气体环境中以12(TC25(TCx30秒10分钟的条件进行干燥、在含氧气体环境中以27(TC39(TCx5分钟30分钟的条件进行热分解的一系列工序作为一个单位工序,在重复多次该单位工序时,在单位工序和单位工序之间设置一次以上的预烧成处理来进行膜厚调整,其中,该预烧成处理是在惰性气体取代或者真空环境下进行55(TC800。Cx2分钟60分钟;(c)烧成工序,其最终在惰性气体取代或者真空气氛中下进行550°C800°Cx5分钟60分钟的烧成处理,从而得到介电层。10.如权利要求79中任意一项所述的电容器层形成材料的制造方法,其特征在于,涂敷于上述氧化物介电膜表面的树脂清漆是以树脂清漆重量为100wt^时,固体成分含量为0.1wt^1.0wt^的稀薄树脂清漆。11.一种印刷电路板,具有采用权利要求16中任意一项所述的电容器层形成材料获得的内置电容器层。全文摘要本发明的目的在于提供电容器层形成材料,其具有由溶胶—凝胶法、MOCVD法、溅射蒸镀法中任意一种方法形成的介电层,能够减少电容器电路的漏电流。为了达成上述目的,采用在用于形成上部电极的第一导电层和用于形成下部电极的第二导电层之间具有介电层的电容器层形成材料,其特征是,该介电层是由溶胶—凝胶法、MOCVD法、溅射蒸镀法中的任意方法形成的氧化物介电膜,并在构成该氧化物介电膜的粒子之间浸渍树脂成分。另外,采用电容器层形成材料的制造方法,其特征是,在下部电极的构成材料表面,通过溶胶—凝胶法、MOCVD法、溅射蒸镀法中的任意一种方法形成氧化物介电膜,在该氧化物介电膜的表面浸渍树脂清漆,经树脂干燥、树脂固化形成介电层,然后在该介电层上设置上部电极构成层。文档编号H01G4/33GK101164127SQ20068001345公开日2008年4月16日申请日期2006年4月28日优先权日2005年4月28日发明者中岛弘毅,杉冈晶子,菅野明弘,阿部直彦申请人:三井金属矿业株式会社
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