专利名称：半导体发光器件及使用该器件的照明装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体发光器件及4吏用该器件的照明装置。
技术背景近年来，包含v族元素中的氮的氮化物半导体已经在半导体发光器件例如发光二极管和釆用p-n结的激光二极管的领域中受到关注，并且在很 多地方进行了研究和开发。氮化物半导体受到关注的原因是氮化物半导体 (包括A1N、 GaN和InN)是直接跃迁(directtransition)半导体，并且 在三元混晶和四元混晶中，可以通过适当地设置组成来改变带隙，从而发 射从红外直至深紫外的光。然而，在使用氮化物半导体制造半导体发光器件中，因为难以制造由 氮化物半导体制成并具有高品质和大面积的用于外延生长的衬底，所以必 需使用例如蓝宝石和碳化硅衬底作为用于外延生长的村底。然而，在这样 的情况下，产生异质外延生长，难以生长具有平坦表面的氮化物半导体薄 膜。因此，在氮化物半导体膜中的穿透位错(threading dislocation )密度 高达109 ~ 1011 cm—2。因为穿透位错导致半导体发光器件的内部量子效率的 降低，所以对用于减少位错的技术以及不易产生位错的发光层材料的选择 进行了研究以提高半导体发光器件的内部量子效率。关于减少位错的技术，对GaN层进行了集中研究，并且研究了各种 技术例如低温緩冲层的引入、采用选择性生长掩模的侧向外延生长、通过 将包含用于诱导三维生长的杂质原子的抗表面活性剂(anti-surfactant X例 如Si)加4层(例如GaN緩沖层)的表面来控制表面结构的抗表面活 性剂方法，并且研究了用于外延生长的具有低晶格失配的衬底。并且，据 报道可将GaN层中的穿透位错密度减少至约105 cnT2。然而，在AlGaN 三元混晶中，已知通过使用上述减少位错的技术可获得的效果小，所以有 必要研究在AlGaN中更多减少位错的技术，其中所述AlGaN用作在紫外 区域中发光的半导体发光器件材料。在另一方面，作为对穿透位错不敏感的发光层材料，InGaN三元混晶 已经引人关注。InGaN的不混溶性强，并且随着In组分的增加，在晶体 中的In组分变得不均匀，注入InGaN层的载流子在其被穿透位错俘获之 前，在具有高的In组分的区域中复合。所以，尽管穿透位错的程度高，但 通过在发光层中使用InGaN急剧提高内部量子效率变得可能。然而，如果在发光层材料中含有In，发射波长移向长波长侧。所以， 许多发射紫外区的光的半导体发光器件采用不含In的AlGaN作为发光层 材料，因此内部量子效率低。在此，为了提高AlGaN层的品质，已知当用于外延生长的单晶衬底 是蓝宝石衬底时，理想的是AlGaN层生长在作为基层的A1N层上。这是 因为与在蓝宝石衬底上直接生长AlGaN层的情况相比，通过在A1N层上 生长AlGaN层，AlGaN层和基层之间的晶格失配变小，并且在AlGaN层 中可能更少发生穿透位错。此外，这是因为在AlGaN层压缩的方向上对 AlGaN层增加了畸变，并且在AlGaN层中的相邻穿透位错彼此合并 (united),使位错减少并且防止裂紋产生。也已知当A1N层是基层时，优 选在没有低温緩冲层的蓝宝石衬底上直接生长A1N层。此外，近年来，采用AlGalnN四元混晶作为发光层材料的半导体发 光器件以发射紫外区的光已经受到关注(见日本专利申请^^开号9-64477 )。 虽然AlGalnN层包含In,但是据报道可将发射峰波长设定至低于360 nm 的区域，并且可提高内部量子效率至与InGaN层相同的水平。另外， AlGalnN层使得晶体能够在高于800X:的温度范围内生长，在该温度下 InGaN层不发生晶体生长，所以它具有易于获得更高品质晶体的优点。所以，期望通过将用于提高AlGaN层品质的技术和采用AlGalnN四 元混晶作为发光层材料的技术进行组合，实现以更高效率发光的紫外发光 器件。然而，用于将作为发光层基层的n-型氮化物半导体层的n-型GaN层 或n-型AlGaN层在高于1000匸的温度范围内生长，而用于形成包含In的 发光层的生长温度通常是600 750t:。所以，为了在形成n-型氮化物半导 体层之后形成发光层，中断生长以改变衬底温度是必要的。因此，在发光 层形成之前，n-型氮化物半导体层的表面可能被污染。此外，因为作为n-型氮化物半导体的n-型AlGaN层和作为发光层的AlGaInN层之间的晶格 失配大，即使形成包含高品质n-型AlGaN层的n-型氮化物半导体层并且 使用高效率材料作为发光层材料，内部量子效率仍可能降低。发明内容鉴于上述问题，本发明的目的是提供与常规构it^目比能够提高紫外辐 射的发射强度的半导体发光器件，同时使用AlGalnN作为发光层材料，以 及提供与常自it^目比能够提高紫外辐射输出的照明装置。本发明的半导体发光器件包括通过第一緩冲层在用于外延生长的单 晶衬底的一个表面上形成的n-型氮化物半导体层，在n-型氮化物半导体层 的表面上形成的发光层，在所述发光层的表面上形成的p-型氮化物半导 体。本发明的特征在于发光层具有AlGalnN量子阱结构，并且在n-型氮 化物半导体层和发光层之间设置与发光层的势垒层具有相同组成的第二 緩冲层。在这种情况下，通过在n-型氮化物半导体层和发光层之间提供第二緩 沖层，可减小发光层的穿透位错密度和降低在发光层中产生的残余应变。 此外，因为第二緩冲层具有与发光层的势垒层相同的组成，因此在制造中 可对第二緩冲层和发光层的势垒层采用相同的生长温度。所以，在作为发 光层的基层的第二緩冲层生长之后，可在第二緩冲层上继续生长发光层的 势垒层而不中断生长，并且可提高第二緩冲层和发光层之间的界面品质。 因此，与其中在n-型氮化物半导体层和具有AlGalnN量子阱结构的发光 层之间不提供和发光层的势垒层具有相同组成的第二緩冲层的常规构造 相比，可提高从具有AlGalnN量子阱结构的发光层发射的紫外辐射的发射 强度，并且因此可提高电流注入(currentinjection)发射光镨的强度。优选地，第一緩冲层由A1N层形成。在采用AlGaN作为n-型氮化物半导体层材料的情况下，当A1N层生 长为作为n-型氮化物半导体层的基层的第一緩冲层时，与GaN层生长为 第一緩冲层的情;;U目比，第一緩冲层和n-型氮化物半导体层之间的晶格失 配变小。所以，可实现n-型氮化物半导体层的位错的降低，可防止在n-型氮化物半导体层中裂紋的产生。优选地，n-型氮化物半导体层由AlGaN层形成。在这种情况下，可提高n-型氮化物半导体层的品质。优选地，第一緩冲层和第二緩冲层具有彼此不同的晶格参数，改变 n-型氮化物半导体层的相对比例，使得n-型氮化物半导体层的晶格常数从 第一緩冲层的晶格常数向与第一緩冲层间隔一定距离的第二緩冲层的晶 格常数接近。在这种情况下，可降低由第一緩冲层和第二緩冲层之间的晶格常数之 差而在第二緩冲层中产生的应变，并且可改善第二緩冲层的晶体性能，并 因此也可改善发光层的晶体性能。在上面的情况下，优选第二緩冲层具有大于势垒层的膜厚度。在这种情况下，可改善第二緩冲层的晶体性能，并因此也可改善发光 层的晶体性能以及提高再现性。优选地，在单晶衬底、n-型氮化物半导体层和p-型氮化物半导体层中 的至少其一的暴露表面上形成用于提高光输出效率的凹凸结构。在这种情况下，可提高光输出效率。本发明的照明装置的特征在于其使用本发明的上述半导体发光器件。在这种情况下，可实现与现有技术相比能够提高紫外辐射输出的照明 装置。
图l是本发明的第一实施方案的半导体发光器件的横截面示意图。图2是表示第一实施方案的实施例和对比例的光致发光测量结果的发 射光镨图。图3是第一实施方案的实施例的电流注AJC射光镨图。图4是本发明的第二实施方案的半导体发光器件的横截面示意图。图5是在本发明的第三实施方案中显示的照明装置的示意性正面图。
具体实施方式
下文中，将参照附图详述本发明。 (第一实施方案)本实施方案的半导体发光器件是紫外发光二极管，如在图1中所示， 通过第一緩冲层2在用于外延生长的单晶衬底1的一个表面上形成n-型氮 化物半导体层3，并且通过第二緩冲层4在n-型氮化物半导体层3的表面 上形成发光层4，并且在发光层4的表面上形成p-型氮化物半导体层5。 在n-型氮化物半导体层3上形成阴极电极(未显示)，并且在p-型氮化物 半导体层6上形成阳极电极(未显示)。作为单晶村底l，使用蓝宝石衬底，该蓝宝石衬底的上述一个表面是 (0001)表面，即c表面。形成第一緩冲层2以减小n-型氮化物半导体层3的穿透位错并降低 n-型氮化物半导体层3的残余应变，并且其由膜厚度为0.5 nm的单晶的 A1N层所构成。第一緩沖层2的膜厚度不限于0.5 pin。对于形成第一緩冲层2的方法，将由蓝宝石衬底构成的单晶衬底1引 入MOVPE设备的反应器中，升高衬底温度至预定温度，例如1250'C，同 时保持反应器中的压力在预定生长压力(例如10kPa —76Torr),并将其 加热预定的时间(例如10分钟)以清洁单晶衬底l的一个表面。然后，当 将衬底温度保持在等于上述预定温度(1250匸)的生长温度时，作为铝原 料的三甲基铝(TMA1)的流量设定为在标准状态下的0.05 L/min (50 SCCM),并且作为氮原料的氨(NH3)的流量设定为在标准状态下的0.1 L/min (100 SCCM )。然后，同时在反应器中提供TMA1和NH3，以生长 由单晶A1N层构成的第一緩冲层2。通过采用第一緩冲层2的上述形成方 法，可生长单晶AIN层而不使用低温AIN緩冲层。作为第一緩沖层2，其 不限于单晶AIN层，可采用单晶AlGaN层。n-型氮化物半导体层3包括在第一緩冲层2上形成的由n-型 Al。.35GaQ.65N层构成的第一 n-型AlGaN层3a和在第一 n-型AlGaN层3a上形成的由n-型AlQ.2Ga。.8N层构成的第二 n-型AlGaN层3b。在用于构成 n-型氮化物半导体层3的第一 n-型AlGaN层3a和第二 n-型AlGaN层3b 中，改变相对比例使得其晶格常数从第一緩冲层2的晶格常数向与第一緩 冲层2间隔一定距离的第二緩冲层4的晶格常数接近。此处，在氮化物半 导体层3中，第一 n-型AlGaN层3a的膜厚度设定为1 并第二 n-型 AlGaN层3b的膜厚度设定为2 nm。然而，各n-型AlGaN层3a、 3b的膜 厚度均没有特别的限制。作为n-型氮化物半导体层3的生长条件，生长温度设定为1100C 生长压力设定为上述预定生长压力(此处，10 kPa)，并且使用TMA1作 为铝原料，使用三甲基镓(TMGa)作为镓原料，使用NH3作为氮原料， 和使用作为用于提供n-型导电性的杂质的四乙基眭(TESi)作为硅原料。 使用N2气和H2气作为用于输送每种原料的载气。生长各层3a、 3b时TESi 的流量设定为在标准状态下的0.00005 L/min (0.05 SCCM),并且在生长 第一 n-型AlGaN层6a时和生长第二 n-型AlGaN层6b时的中间适当改变 m族材料的摩尔比(流量比)。每种原料都没有特别的限制，例如使用三乙 基镓(TEGa)和硅烷(SiH4)分别作为镓原料和硅原料。形成第二緩冲层4以减少发光层5n的穿透位错和降低良光层5的残 余应变，它由具有50 nm膜厚度的Al。.3。Ga。.64ln。.。6N层构成。第二緩冲层 4的组成没有特别的限制，只要第二緩冲层4的组成与发光层5的势垒层 5a相同。并且第二緩冲层4的膜厚度不特定限于50 nm。作为第二緩冲层4的生长M,生长温度设定为800匸，并生长压力 设定为上述预定生长压力(此处，10 kPa)。使用TMA1作为铝原料，使 用TMGa作为镓原料，使用三甲基铟(TMIn)作为铟原料，使用NH3作为氮原料。使用N2气作为用于输送每种物质的载气。发光层5具有AlGalnN量子阱结构(在本实施方案中，采用多量子 阱结构，但也可使用单量子阱结构)，势垒层5a由具有10 nm膜厚度的 Al0.3()Ga。.64In。.。6N层构成，并且阱层5b由具有2 nm膜厚度的 Al(usGa。.79ln。.。6N层构成。在本实施方案中，发光层5具有在厚度方向排列 的三个阱层5b的多量子阱结构，但是阱层5b的数目没有特别的限制，例 如可采用具有一个阱层5b的单量子阱结构。并且，不特别限定各个势垒 层5a和阱层5b的膜厚度。作为发光层5的生长条件，生长温度设定为与第二緩冲层4相同的800 X:，并生长压力设定为上述预定生长压力(此处，10 kPa)。使用TMA1 作为铝原料，使用TMGa作为镓原料，使用TMIn作为铟原料，并且使用 NH3作为氮原料。使用N2气作为用于输送每种原料的载气。虽然在生长第 一 n-型AlGaN层6a时和生长第二 n-型AlGaN层6b时的中间适当改变EI 族材料的摩尔比(流量比)，但是因为势垒层5a和第二緩冲层4设定为具 有相同的组成，所以在生长第二緩冲层4之后可生长作为发光层5的最下 层的势垒层5a而不中断生长。p-型氮化物半导体层6包括在发光层5上形成的由p-型AlQ.3Ga。.7N层 构成的第一 p-型AlGaN层6a、在第一 p-型AlGaN层6a上形成的由p-型 Al0.2GaQ.8N层的第二 p-型AlGaN层6b和在第二 p-型AlGaN层6b上形成 的p-型GaN层6c。在p-型氮化物半导体层3中，第一 p-型AlGaN层6a 的膜厚度设定为20 nm,第二 p-型AlGaN层6b的膜厚度设定为300 nm， 并且p-型GaN层6c的膜厚度设定为50 nm。然而，这些膜的厚度均没有 特别的限制。作为p-型氮化物半导体层6的第一 p-型AlGaN层6a和第二 p-型 AlGaN层6b的生长条件，生长温度设定为1050X:，生长压力设定为上述 预定生长压力(此处，10kPa)。使用TMA1作为铝原料，使用TMGa作 为镓原料，使用NH3作为氮原料，使用作为用于提供p-型导电性的杂质的 二茂镁(Cp2Mg)作为镁原料。使用H2气作为用于输送每种原料的载气。 当各层6a、 6b和6c生长时，Cp2Mg的流量i殳定为标准状况态下的0.02 L/min (20 SCCM )。此夕卜，为了证实在n-型氮化物半导体层3和发光层5之间揭_供的第二 緩冲层4的效果，制备其中提供第二緩冲层4的实施方案的样品和其中不 提供第二緩冲层4的对比实施例的样品，并JL暴露在每个样品中的发光层 5以测量光致发光(PL)。结果如图2所示。在图2中，'a，显示实施方 案的PL光镨，'p，显示对比实施例的PL光镨。从图2可发现，通it^ n-型氮化物半导体层3和发光层5之间提供第二緩冲层4可增强发光层5 的发光强度。而且，图3显示实施方案中的电流注AJL射光镨的测量结果，其中通 过示例性材料、示例性相对比例和示例性膜厚度形成层2、 3、 4、 5和6。在测量电流注AJC射光镨中的电流值为40 mA,并且测量到具有为350 nm 发射峰波长的良好的电流注入发射光镨。在上述的本实施方案中的半导体发光器件中，通过在n-型氮化物半导 体层3和发光层5之间提供第二緩冲层4，可减小发光层3的穿透位错密 度和降低在半导体层3中产生的残余应变。另外，因为第二緩冲层4与发 光层5的势垒层5a具有相同的组成，所以在制造中可对第二緩冲层4和发 光层5的势垒层5a采用相同的生长温度，这样在作为发光层5的基层的第 二緩冲层4生长之后，可在第二緩冲层4上继续生长发光层5的势垒层5b 而不中断生长，并且可提高第二緩沖层4和发光层5之间的界面品质。因 此，与其中在n-型氮化物半导体层3和具有AlGalnN量子阱结构的发光 层5之间不提供与发光层5的势垒层5a具有相同组成的第二緩冲层4的常 自it^目比，可提高从具有AlGalnN量子阱结构的发光层5发射的紫外辐 射的发射强度，并且因此可提高电流注AJL射光谱的强度。而且，在本实施方案的半导体发光器件中，因为釆用上述的AlGaN 作为n-型氮化物半导体层3的材料,并且A1N层生长为作为n-型氮化物半 导体层3的基层的第一緩冲层2，因此与GaN层生长作为第一緩冲层2的 情况相比，第一緩冲层2与n-型氮化物半导体层3之间的晶格失配变小。 这样可减少n-型氮化物半导体层3的位错，可防止在n-型氮化物半导体层 3中裂紋的产生。更进一步地，因为在本实施方案的半导体发光器件中n-型氮化物半导体层3由AlGaN层构成，因此可提高n-型氮化物半导体层3 的品质。虽然在本实施方案的半导体发光器件中，第一緩冲层2和第二緩冲层 4具有彼此不同的晶格参数，但因为改变n-型氮化物半导体层3的相对比 例，使得其晶格常数从第一緩冲层2的晶格常数向与第一緩冲层2间隔一 定距离的第二緩冲层4的晶格常数接近，所以可降低由第一緩冲层2和第 二緩冲层4之间的晶格常数之差而在第二緩冲层4中产生的应变，并且可 改善第二緩冲层4的晶体性能，并因此可改善发光层5的晶体性能。此夕卜， 由于第二緩冲层4的膜厚度设定为大于本实施方案的半导体发光器件中的 势垒层5a的膜厚度，因此可改善第二緩冲层4的晶体性能，由此可改善发 光层5的晶体性能和提高再现性。(第二实施方案)10本实施方案的半导体发光器件的基本组成和第一实施方案相同，但是如图4所示，其中和第一实施方案的不同在于用p-型Ino.Q5Gao.95N层6d替 代在第一实施方案中的p-型氮化物半导体层6的p-型GaN层6c，并且在 p-型氮化物半导体层6的表面即p-型Ino.05Gao.95N层6d的表面上形成凸-凹结构7，以提高光输出效率。通it^目同的附图标记表示和第一实施方案 类似的部分，而在此不再重复解释。在形成p-型In。.Q5Ga。.95N层6d中，生长温度设定为800t:,生长压力 设定为预定生长压力(此处，10kPa),并且使用TMIn作为铟原料，使用 TMGa作为镓原料，使用NH3作为氮原料。使用&气作为用于输送每种 原料的载气。由此，在p-型Ino.05GaQ.95N层6d的表面上形成小坑(pit)同 时反映(reflecting )作为基层的第二 p-型AlGaN层6b的穿透位错的位置， 由此形成上述的凸-凹结构7。所以，不必单独地准备用于形成凸-凹结构7 的工艺。然而，用于在p-型氮化物半导体层6的表面上形成凸-凹结构7的方 法不限于上述的方法。例如，在第一实施方案的构造中，可通过4吏用抗表 面活性剂方法在第二 p-型AlGaN层6b上生长其表面上具有凸-凹结构7 的p-型GaN层6c,或者可通过采用盐酸、硫酸、盐酸和硫酸的混合溶液、 氲氧化钠、氢氧化钾蚀刻p-型GaN层6c的表面来形成凸，凹结构7，或者 可通过使用等离子体蚀刻p-型GaN层6c的表面来形成凸-凹结构7。在本实施方案中，虽然在p-型氮化物半导体层6的暴露表面上形成凸 -凹结构7,但是形成用于提高光输出效率的凸-凹结构7的区域不限于在 p-型氮化物半导体层6的表面。例如，可在单晶衬底1的暴露表面或者通 p-型氮化物半导体层6的表面蚀刻预定区域至到达n-型氮化物半导体 层3的深度而暴露的n-型氮化物半导体层3的暴露表面上形成凸-凹结构7。当在n-型氮化物半导体层3外侧的第一緩冲层2上的第一 n-型AlGaN 层3a的生长表面上形成WI度(asperity)时，可减少第二 n-型AlGaN 层3b的穿透位错，并且因此可减少发光层5的穿透位错。为了在第一n-型AlGaN层3a的生长表面上形成皿度，可在作为小于第一緩冲层2的 形成温度的预定温度(例如，100C)的形成温度下，在第一緩冲层2上由 与第一緩冲层相同的材料(A1N)形成第三緩冲层，然后可形成第一 n-型 AlGaN层3a。(第三实施方案)在本实施方案中，如在图5中所示，图示i兌明的是一个照明装置，其 中在由金属例如铝制成的设备体20中容纳和布置多个(在本图中，七个) 发光器件10，其中每个发光器件10在其封装(package)中包含第一实施 方案的半导体发光器件。每个发光器件10的封装具有反射器用于反射来自 半导体发光器件的光至所期望的方向以及电连接半导体发光器件的每个 电极的导电端子。发光器件10的数目没有特别的限制。设备本20形成为具有开口表面(开口的前表面)的带底部的管状形 状(在本实施方案中，为具有底部的圆柱形)，并且在由i殳备体20的底壁 20a和筒周边壁20b包围的空间中，通过由绿带(green sheet)制成的绝 缘层(未表示)将每个发光器件10安*^设备体20的底壁20a上。发光 器件10通过导线(未显示)彼此串联或并联连接。可形成用于串联或并联 连接发光器件10的电路图案，并且可在设备体20中容纳具有多个用于暴 露每个发光器件10的窗口的盘状电路基敗。在本实施方案的照明装置中，通过绝缘层在^1备体20的底壁20a上 安装各发光器件10，使得各发光器件10与设备体20电绝缘并且热连接设 备体20。所以，与在电路板上安装各个发光器件10并使电路板容纳并布 置在设备休20中的情况相比，可降低每个发光器件10到设备本20的热阻， 并可提高辐射性能。可将各发光器件IO安装在电路基板上，例如基于金属 的印刷电路板，其中通过绝缘树脂层在金属板(例如铝板或铜板)上形成 导电图案。在这种情况下，可在电路M和设备体20的底壁20a之间提供 绝缘层例如绿带。在本实施方案的上述照明装置中，因为在第一实施方案中说明的半导 体发光器件用作发射紫外辐射的半导体发光器件，与现有技术相比可提高 紫外辐射的输出。虽然在本实施方案中，使用在第一实施方案中说明的半 导体发光器件作为半导体发光器件，但是也可使用在第二实施方案中说明 的半导体发光器件作为半导体发光器件。虽然在每个上述实施方案的半导体发光器件中使用蓝宝石衬底作为 单晶衬底l，但是单晶衬底1不限于蓝宝石衬底，可使用其中可生长用作 第一緩冲层2的单晶AIN层的衬底。例如，也可使用尖晶石衬底、硅(SO衬底、碳化硅(SiC )衬底、氧化锌衬底、磷化镓(GaP )衬底、砷化镓(GaAs )衬底、氧化4美衬底、氧化锰衬底、硼化锆衬底、m族氮化物系列半导体晶体衬底。
权利要求
1.一种半导体发光器件，包括通过第一缓冲层在用于外延生长的单晶衬底的一个表面上形成的n-型氮化物半导体层；在所述n-型氮化物半导体层的表面上形成的发光层；在所述发光层的表面上形成的p-型氮化物半导体层；其中所述发光层具有AlGaInN量子阱结构，设置在所述n-型氮化物半导体层和所述发光层之间的与所述发光层的势垒层具有相同组成的第二缓冲层。
2. 根据权利要求l所述的半导体发光器件，其中所述第一緩冲层由A1N
3. 根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述n-型氮化物半导体 层由AlGaN层形成。
4. 根据权利要求l所述的半导体发光器件，其中所述第一緩冲层和所述第二緩冲层具有彼此不同的晶格常数；所述n-型氮化物半导体层的相对比例改变为使得所述n-型氮化物半导体层的晶格常数从所述第 一緩冲层的晶格常数向与所述第 一緩冲层间 瞌一*新銮站筮二键蓉始。曰n拔赍浙胜;斤
5. 根据权利要求4所述的半导体发光器件，其中所述第二緩冲层具有大 于所述势垒层的膜厚度。
6. 根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中在所述单晶衬底、所述 n-型氮化物半导体层和所述p-型氮化物半导体层中的至少其一的暴露表面 上形成用于提高光输出效率的凹凸结构。
7. —种照明装置，包括根据所述权利要求1至6中任意一项所述的半导体发光器件。
全文摘要
一种半导体发光器件，具有通过第一缓冲层(2)，在用于外延生长的单晶衬底1的一个表面上形成的n-型氮化物半导体层(3)；在n-型氮化物半导体层(3)的表面上形成的发光层(5)；和在发射光(5)的表面侧上形成的p-型氮化物半导体层(6)。发光层(5)具有AlGaInN量子阱结构，并且在n-型氮化物半导体层(3)和发光层(5)之间布置与发光层(5)的势垒层(5a)具有相同组成的第二缓冲层(4)。在半导体发光器件中，与常规构造相比，可以改善紫外光发光强度，同时使用AlGaInN作为用于发光层的材料。
文档编号H01L33/06GK101258616SQ200680032480
公开日2008年9月3日 申请日期2006年9月4日 优先权日2005年9月5日
发明者平山秀树, 池田顺治, 近藤行广, 高野隆好 申请人:松下电工株式会社;独立行政法人理化学研究所