阵列基板及其制造方法以及修复该阵列基板中的线的方法

专利名称：阵列基板及其制造方法以及修复该阵列基板中的线的方法
技术领域：
本发明涉及一种液晶显示器件，更具体地，涉及一种阵列基板及其制造 方法以及一种修复该阵列基板中的线的方法。
背景技术：
液晶显示(LCD)器件基于液晶材料的光学各向异性和极化等特性而驱 动。液晶分子具有长且细的形状，并且液晶分子沿定向方向规律地排列。光沿 着长且细形的液晶分子穿过LCD器件。液晶分子的定向取决于施加到液晶分 子上的电场的强度或方向。通过控制电场的强度或方向，控制液晶分子的定向， 从而显示图像。
现将参照图1和图2描述现有技术的LCD器件。
图1为根据现有技术的LCD器件的示意性横截面图，图2为根据现有技 术的用于LCD器件的阵列基板的平面图。
如图1和图2所示，根据现有技术的LCD器件包括下基板22和上基板 50，液晶层14插入在下基板22和上基板50之间。在下基板22上形成有薄膜 晶体管T、像素电极46、栅线13和数据线42。在上基板50上形成有黑矩阵 52、红、绿和蓝滤色片54a、 54b和54c、以及公共电极56。包括薄膜晶体管 T、像素电极46、栅线13和数据线42的下基板22可以称作阵列基板。包括 黑矩阵52、红、绿和蓝滤色片54a、 54b和54c、以及公共电极56的上基板 50可以称作滤色片基板。
栅线13和数据线42彼此交叉以限定像素区P。薄膜晶体管T设置在靠近 栅线13和数据线42的各个交叉点处，并设置在矩阵中。
每个像素电极46设置在每个像素区P处，并且由例如氧化铟锡(ITO)的透明导电材料形成。像素电极46分别与薄膜晶体管T连接。像素电极46 也设置在矩阵中。
每个薄膜晶体管T包括栅极30、有源层34、以及源极36和漏极38。栅 极30与栅线13连接并提供有来自栅线13的脉冲信号。源极36与数据线42 连接并提供有来自数据线42的数据信号。数据信号通过漏极38提供给像素电 极46，所述漏极38与源极36间隔分开并与像素电极46连接。有源层34被 设置在栅极30与源、漏极36和38之间。
可以通过光刻工序形成阵列基板的元件。在这些工序中，由于产生在基 板表面上的颗粒，栅线和数据线可能断路。特别是，因为在形成其它元件之后 形成数据线，所以断路更有可能形成在数据线中而不是在栅线中。

发明内容
因此，本发明致力于提供一种阵列基板、制造该阵列基板的方法以及修 复该阵列基板中的线的方法，其基本上克服因现有技术的局限和缺点而带来的 一个或多个问题。
本发明的一个优点在于提供一种阵列基板、 一种制造该阵列基板的方法、 以及一种修复该阵列基板中的线的方法，其解决线的断开问题。
本发明的另一个优点在于提供一种阵列基板、 一种制造该阵列基板的方 法、以及一种修复该阵列基板中的线的方法，其通过向所有像素提供公共信号 而产生均匀且高质量的图像。
本发明的附加优点和特征将在后面的说明书中得以阐明，部分从说明书 中会显而易见地得到，或者可通过本发明的实践得知。本发明的目的和其他优 点可通过书面说明书及其权利要求以及附图中具体指出的结构来实现和得到。
为了实现这些和其它优点，并根据本发明具体实施方式
的目的，如所概 括和广泛描述的，所述阵列基板包括基板、基板上的栅线、与栅线交叉以限 定像素区的数据线、与栅线和数据线连接的薄膜晶体管、在像素区中的像素电 极、以及包括第一、第二、第三、第四和第五部分的公共电极，其中，第一部 分和第二部分设置在数据线的两侧，第三部分和第四部分中各与第一部分和第 二部分连接，并且第五部分与第二部分连接并延伸进入与像素区相邻的下一个 像素区中。应该理解，上面的概括性描述和下面的详细描述都是示意性和解释
性的，意欲对本发明的权利要求提供进一步的解释。
根据另一方面，提供了一种制造阵列基板的方法，包括在基板上形成 栅线；形成与栅线交叉以限定像素区的数据线；形成与栅线和数据线连接的薄 膜晶体管；在像素区中形成像素电极；以及形成包括第一、第二、第三、第四 和第五部分的公共电极，其中所述第一部分和第二部分分别设置在数据线的两 侧，第三部分和第四部分各与第一部分和第二部分连接，第五部分与第二部分 连接并延伸进入与所述像素区相邻的下一个像素区中。
根据另一方面，提供了一种制造阵列基板的方法，包括在基板上形成
栅线、栅极和公共线，其中所述公共线包括第一、第二、第三、第四和第五部
分；在栅线、栅极和公共线上形成栅绝缘层；在栅极之上的栅绝缘层上形成有 源层和欧姆接触层；形成数据线、源极和漏极，其中所述数据线与栅线交叉以 限定像素区，源极和漏极在欧姆接触层之上间隔分开；在数据线、源极和漏极 上形成钝化层，其中所述钝化层包括暴露漏极的接触孔；以及在像素区中形成 与漏极连接的像素电极，其中所述第一部分和第二部分分别设置在数据线的两 侧，第三部分和第四部分各与第一部分和第二部分连接，第五部分与第二部分 连接并延伸进入与所述像素区相邻的下一个像素区中。
在另一方案中，提供了一种修复阵列基板中的具有断开部分的数据线的 方法，其中所述阵列基板包括基板、基板上的栅线、与栅线交叉以限定像素 区的数据线、与栅线和数据线连接的薄膜晶体管、像素区中的像素电极、以及 包括第一、第二、第三、第四和第五部分的公共电极，其中所述第一部分和第 二部分设置在数据线的两侧，第三部分和第四部分各与第一部分和第二部分连 接，断开部分设置在第三部分和第四部分之间，并且第五部分与第二部分连接 并延伸进入与所述像素区相邻的下一个像素区中，该方法包括将第三部分和 第四部分与数据线焊接；以及将第二部分与第三部分和第四部分切断，从而在 断开部分的一侧处的数据线的第一部分与在断开部分的另一侧处的数据线的 第二部分通过第三部分、第一部分以及第四部分电连接。
应该理解，上面的概括性描述和下面的详细描述都是示意性和解释性的， 意欲对本发明的权利要求提供进一步的解释。


本说明书所包括的附图用于提供对本发明的进一步理解，并且包括在该 说明书中而作为其一部分，该附图示出了本发明的具体实施方式
并且连同说明 书一起用于解释本发明的原理。
在图中
图1为根据现有技术的LCD器件的示意性横截面图2为根据现有技术的用于LCD器件的阵列基板的平面图3为根据本发明第一个实施方式的用于LCD器件的阵列基板的平面
图4为根据本发明第一个实施方式的修复LCD器件中的数据线中的断路 的方法；
图5为根据本发明第二个实施方式的用于LCD器件的阵列基板的平面
图6为根据本发明第二个实施方式的修复LCD器件中的数据线中的断路 的方法；
图7A到图7D为示出根据本发明第二个实施方式的阵列基板、制造该阵 列基板的方法的横截面图8为根据本发明第三个实施方式的用于LCD器件的阵列基板的平面 图；以及
图9A到图9H为示出根据本发明第三个实施方式的阵列基板、制造该阵 列基板的方法的横截面图。
具体实施例方式
以下将详细涉及本发明的优选具体实施方式
，其实施例在附图中示出。 图3为根据本发明第一个实施方式的用于LCD器件的阵列基板的平面图。
在图3中，在基板60上沿第一方向形成栅线64，并且沿第二方向形成数 据线76。栅线64和数据线76彼此交叉，以限定像素区P。
薄膜晶体管T形成为靠近栅线64和数据线76的每个交叉点。像素电极 82形成在每个像素区P处。薄膜晶体管T包括栅线62、有源层70、源极72
以及漏极74。栅极62与栅线64连接并接收来自栅线64的扫描信号。有源层 70形成在栅极62之上。源极72与数据线76连接并接收来自数据线76的图 像信号。漏极74被与源极72间隔分开并与像素电极82连接。
进一步形成公共线。公共线包括对应于每个像素区P的第一部分66a、第 二部分66b、第三部分66c、第四部分66d、以及第五部分66e。第一部分66a 和第二部分66b与数据线76平行并分别设置在数据线76的两侧，从而数据线 76设置在第一部分66a和第二部分66b之间。第三部分66c和第四部分66d 与栅线64并行并分别在像素区P的上下区域中与数据线76交叉。第三部分 66c和第四部分66d与第一部分66a和第二部分66b相连接。第五部分66e与 第二部分66b和另一个第一部分66a， g卩，像素区P的下一个像素区的第一部 分，相连接。第五部分66e可以设置为靠近薄膜晶体管T。因此，在每个像素 区P处，第一部分66a、第二部分66b和第五部分66e具有一致的形状。当数 据线76断开时，公共线66a、 66b、 66c、 66d以及66e可以被用作修复线。
在本发明的第一个实施方式中，将参照图4解释修复数据线的方法。图4 为示出当在本发明中数据线断开时修复数据线的方法。
在图4中，当数据线之一 76断开时，将与断开的数据线76交叉的公共 线的第三部分66c和第四部分66d用激光焊接并与断开的数据线76连接。用 激光将第二部分66b从与断开的数据线76连接的第三部分和第四部分66c和 66d分开。进一歩地，在前像素区P中，第二部分66b也从第三部分66c和第 四部分66d分开，其中，所述前像素区P相邻于与断开的数据线76连接的第 三部分和第四部分66c和66d。
相应地，与断开的数据线76连接的第三部分和第四部分66c和66d以及 与第三部分和第四部分66c和66d连接的第一部分66a用作修复线。
与断开的数据线76电连接的第一部分66a可以从前像素区P的第五部分 66e分开，以减少修复线的电阻。因为第一部分66a和第五部分66e在像素电 极82之上连接，所以当切断前像素区P的第一部分66a和第五部分66e时， 第--部分66a或第五部分66e可与像素电极82短路。因此，第二部分66b可 以从第三部分66c和第四部分66d分开，所述第三部分66c和第四部分66d在 前像素区P中的数据线76和第二部分66b之间，在前像素区P中不存在像素 电极。
在根据第一个实施方式的LCD器件中，可以称作数据信号的图像信号能
够顺序地传输通过断开的(断路的)数据线76的上部、第三部分66c、第一 部分66a、第四部分66d、以及断开的数据线76的下部。
在第一个实施方式中，不能将公共信号提供给设置修复线的前像素区P， 这是因为在前像素区P中的一部分公共线与其它部分间隔分开。本发明的第二 个实施方式具有解决上述问题的结构。
图5为根据本发明第二个实施方式的用于LCD器件的阵列基板的平面图。
在图5中，在基板100上沿着第一方向形成栅线104，沿着第二方向形成 数据线118。栅线104和数据线118彼此交叉，以限定像素区P。
薄膜晶体管T形成为靠近栅线104和数据线118的每个交叉点处。像素 电极124形成在每个像素区P处。薄膜晶体管T包括栅极102、有源层110、 欧姆接触层(未示出)、源极114和漏极116。栅极102与栅线104连接并接 收来自栅线104的扫描信号。有源层110和欧姆接触层顺序地形成在栅极102 之上。源极114和漏极116形成在欧姆接触层之上。源极114与数据线118连 接并接收来自数据线118的图像信号。漏极116从源极〗.14间隔分开并与像素 电极124连接。
进一步形成公共线。公共线包括对应于每个像素区P的第一部分106a、 第二部分106b、第三部分106c、第四部分106d、以及第五部分106e。第一部 分106a和第二部分106b与数据线118平行并设置在数据线118的两侧，从而 数据线118设置在第一部分106a和第二部分106b之间。第三部分106c和第 四部分106d与栅线104平行并在图中的像素区P的上区域和下区域中分别与 数据线118交叉。第三部分和第四部分106c和106d与第一部分106a和第二 部分106b连接。第五部分106e沿着第一方向与像素区P交叉并接触像素区P 中的第二部分106b。第五部分106e还与下一个像素区P的另一个第二部分 106b连接。第五部分106e可以设置为靠近薄膜晶体管T。
当液晶面板制造完成并不存在断开的数据线时，第一、第二、第三、第 四和第五部分106a、 106b、 106c、 106d和106e用作接收公共信号的公共线。 当数据线118之一断开时，第一、第三和第四部分106a、 106c和106d用作修 复线，并且第二和第五部分106b和106e用作公共线。
在本发明的第二个实施方式中，将参照图6解释修复数据线的方法。图6
为根据本发明第二个实施方式的修复LCD器件中的数据线中的断路的方法。
在图6中，当数据线118之一断开时，用激光将第三部分106c和第四部 分106d在交叉点CR1和CR2处焊接并与断开的数据线118连接，其中，所 述第三部分106c和第四部分106d设置在断开部分OP的上部和下部处并与断 开的数据线118交叉。然后，使用激光将与断开的数据线118相邻的第二部分 106b从与断开的数据线118连接的第三部分和第四部分106c和106d断开。 将与断开的数据线118连接的第三部分和第四部分106c和106d以及连接其 上的第一部分106a电连接至断开的数据线118并从公共线的其它部分间隔分 开。被断开的第二部分106b仍然与断开的数据线118相邻的前像素区P的第 五部分106e连接。
相应地，与断开的数据线118连接的第三部分106c和第四部分106d以及 与第三部分106c和第四部分106d连接的第一部分106a用作修复线。在相邻 于断开的数据线118的前像素区P至中，第二部分106b和第五部分106e用作 公共线。公共信号能够传输到与断开的数据线118相邻的前像素区P，并且在 像素区P和前像素区P的充电特性之间不存在差别。能够将图像中的差别最小 化。
以下将参照图7A到图7D描述根据本发明第二个实施方式的用于LCD器 件的阵列基板的制造方法。图7A到图7D为示出制造工序中的根据本发明第 二个实施方式的阵列基板的横截面图。图7A到图7D对应于图5的线V-V。
图7A表示第一和第二掩模工序。在图7A中，像素区P和开关区S限定 在基板100上。
将第一金属材料沉积在基板100上，并通过第一掩模工序对其构图，由 此形成图5的栅极102和栅线104。同时，形成公共线。栅极102对应于开关 区S，并且栅线104沿着像素区P的第一侧延伸。公共线包括第一、第二、第 三、第四和第五部分，即图5的106a、 106b、 106c、图5的106d、以及106e。 第一部分106a和第二部分106b设置在与像素区P的第一侧相邻的像素区P 的相对侧处。图5的第三部分106c和第四部分106d与彼此相邻的第一部分 106a和第二部分106b相连接。第五部分106e与第二部分106b和与像素区P 相邻的另一个像素区的第二部分106b相连接。
第一金属材料为选自包括铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、铝(Al)、例如 氮化铝(AlNd)的铝合金、铜(Cu)和钛(Ti)的导电金属组的一种或多种。
栅绝缘层108形成在包括图5的栅极102和栅线104在内的基板100的 整个表面上。
接着，将本征非晶硅(a-Si:H)和掺杂非晶硅(n+a-Si:H)沉积在包括栅 绝缘层108的基板100的整个表面上，并通过第二掩模工序对其构图。由此， 有源层110和欧姆接触层112形成在栅极102之上的栅绝缘层108上。
图7B示出第三掩模工序。在图7B中，将第二金属材料沉积在包括有源 层和和欧姆接触层112的整个表面上，然后通过第三掩模工序对其构图，以形 成源极114和漏极116以及数据线118。源极114和漏极H6在欧姆接触层112 之上彼此间隔分开。数据线118沿着与图5的栅线104垂直的像素区P的第二 侧延伸。数据线118与源极114连接。第二金属材料可以为选自上述导电金属 组中的一种或多种。
图7C示处第四掩模工序。在图7C中，将有机材料涂覆在包括源极114 和漏极116以及数据线118在内的基板100的整个表面，以形成钝化层120。 通过第四掩模工序对钝化层120构图，以形成部分暴露漏极116的漏接触孔 122。有机材料可以为选自包括苯并环丁烯(BCB)和丙烯酸树脂的有机材料 的一种或多种。
图7D示出第五掩模工序。在图7D中，将透明导电材料沉积在包括钝化 层120的基板100的整个表面上，然后通过第五掩模工序对其构图，以形成像 素电极124。将像素电极124设置在像素区P处。像素电极124通过漏接触孔 122接触漏极116。透明导电材料可以为选自包括氧化铟锌(IZO)和氧化铟 锡(ITO)的透明导电材料组中的一种。
可以通过上述五个掩模工序制造用于LCD器件的阵列基板。
通过减少掩模工序，可以减少制造成本和时间，以增加产率。
图8为根据本发明第三个实施方式的用于LCD器件的阵列基板的平面图。
在图8中，在基板200上沿着第一方向形成栅线204，沿着第二方向形成 数据线226。栅线204和数据线226彼此交叉，以限定像素区P。
薄膜晶体管T形成为靠近栅线204和数据线226的每个交叉点处。像素
电极244形成在每个像素区P处。薄膜晶体管T包括栅极202、有源层232、 欧姆接触层(未示出)、源极236和漏极238。栅极202与栅线204连接并接 收来自栅线204的扫描信号。有源层232和欧姆接触层构成第一半导体层220a， 并顺序地形成在栅极202之上。源极236和漏极238形成在欧姆接触层之上。 源极236与数据线226连接，并接收来自数据线226的图象信号。漏极238 从源极236间隔分开并与像素电极244连接。第二半导体层220b形成在数据 线226之下。第二半导体层220b延伸自第一半导体层220a并包括本征非晶硅 层210和掺杂非晶硅层(未示出)。本征非晶硅层210暴露于数据线226之外。
进一步形成公共线。公共线包括对应于每个像素区P的第一部分206a、 第二部分206b、第三部分206c、第四部分206d、以及第五部分206e。第一部 分206a和第二部分206b与数据线226平行，并设置在数据线226的两侧，从 而数据线216设置在第一部分206a和第二部分206b之间。第三部分206c和 第四部分206d与栅线204平行并分别与附图中像素区P中的上下区域的数据 线226交叉。第三部分206c和第四部分206d与第一部分206a和第二部分206b 连接。第五部分206e沿着第一方向与像素区P交叉，并接触像素区P中的第 二部分206b。第五部分206e还与下一个像素区P的另一个第二部分206b相 连接。第五部分206e可以设置为靠近薄膜晶体管T。
当液晶面板制造完成并且不存在断开的数据线时，第一、第二、第三、 第四和第五部分206a、 206b、 206c、 206d和206e用作接收公共信号的公共线。 当数据线226之一断开时，第一、第三部分和第四部分206a、 206c和206d用 作修复线，第二和第五部分206b和206e用作公共线。
相应地，公共信号能够传输到所有的像素区P，并且不存在像素区P的充 电特性之间的区别。图像中的区别能够最小化并且能够解决图像质量的降低问 题。
以下将参照图9A到图9H描述根据第三个实施方式的用于LCD器件的阵 列基板的制造方法。图9A到图9H为示出制造工序中根据本发明第三个实施 方式的阵列基板的横截面图。图9A到图9H对应于图8的线VII-VII。
图9A示出第一掩模工序。在图9A中，在基板200上限定出像素区P、 开关区S和数据区D。像素区P可以包括开关区S。
将金属材料沉积在包括开关区S、像素区P和数据区D的基板200上，
然后通过第一掩模工序对其构图，由此形成图8的栅极202和栅线204。栅极 202对应于开关区S并接收来自图8的栅线204的信号。公共线与图8的栅极 202和栅线204同时形成。公共线包括第一、第二、第三、第四和第五部分， 即图8的206a、 206b、 206c，图8的206d、和206e。第-一部分206a和第二部 分206b设置在与图8的栅线204相邻的像素区P的相对侧。图8的第三部分 206c和第四部分206d与彼此相邻的第一部分206a和第二部分206b连接。第 五部分206e与第二部分206b和相邻于像素区P的另一个像素区的第二部分 206b连接。
金属材料可以为选自包括铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、铝(Al)、例如 氮化铝(AlNd)的铝合金、铜(Cu)和钛(Ti)的导电金属组中的一种或多 种。
栅绝缘层208形成在包括图8的栅极202和栅线204的基板200的整个 表面上。可以通过沉积包括氮化硅(SiNx)或二氧化硅(Si02)的无机绝缘材 料或者包括苯并环丁烯(BCB)或丙烯酸树脂的有机绝缘材料而形成栅绝缘层 208。
图9B到图9F示出第二掩模工序。
在图9B中，将本征非晶硅(a-Si:H)层210、掺杂非晶硅(n+或p+ a-Si:H) 层212以及导电金属层214顺序地沉积在包括栅绝缘层208的基板200的整个 表面上。可以通过沉积选自上述导电金属组的一种或多种而形成导电金属层 214。
接着，通过涂覆光刻胶，在包括导电金属层214的基板200的整个表面 上形成光刻胶层216。掩模M设置在光刻胶层216之上。掩模M包括光透射 部分B1、光阻挡部分B2和光半透射部分B3。更具体地，光半透射部分B3 和光阻挡部分B2对应于开关区S，从而光阻挡部分B2设置在光半透射部分 B3的两侧，其中，光半透射部分B3对应于栅极202。光阻挡部分B2还对应 于数据区D。光透射部分Bl对应于除开关区S和数据区D以外的其它区域。 光半透射部分B3可以为半透明的，以部分传输入射到光半透射部分B3上的 光，或者可以包括狭缝，以通过衍射减少通过那里的光强。 光刻胶层216曝光于通过掩模M的光，然后进行显影。 在图9C中，形成第一光刻胶图案218a和第二光刻胶图案218b，以暴露
导电金属层214。第一光刻胶图案218a具有在开关区S中的第一部分和第二 部分。第一部分对应于栅极202，第二部分比第一部分厚。第二光刻胶图案218b 设置在数据区D中。第二光刻胶图案218b具有与第一光刻胶图案218a的第 二部分基本相同的厚度。
然后，选择性地去除暴露的导电金属层214、掺杂非晶硅层212和本征非 晶硅层210。可以湿刻导电金属层214，并且可以干刻掺杂非晶硅层212和本 征非晶硅层210。或者，如果导电金属层由能够干刻的金属形成，可以一次干 刻所有的层214、 212和210。
在图9D中，源-漏金属层224和第一半导体层220a形成在第一光刻胶图 案218a之下，并且数据线226和第二半导体层220b形成在第二光刻胶图案 218b之下。第一和第二半导体层220a和220b中的每一个层包括本征非晶硅 层210和掺杂非晶硅层212。数据线226与源-漏金属层224连接。数据线226 与图8的栅线204交叉。
实施灰化工序，以去除对应于栅极202的第一光刻胶图案218a的第一部分。
在图9E中，第一光刻胶图案218a具有彼此间隔开的两部分，其基本为 第二部分，并且暴露源-漏金属层224。第一光刻胶图案218a的第二部分和第 二光刻胶图案也被部分去除并具有减小的厚度。
此夕卜，去除第一和第二光刻胶图案218a和218b的边缘，由此曝光源-漏 金属层224和数据线226的周边。
接着，去除暴露的源-漏金属层224和掺杂非晶硅层212。
在图9F中，将源极和漏极236和238形成在栅极202之上并彼此间隔开， 欧姆接触层234形成在源极236和漏极238之下。图9F的本征非晶硅层210 变成欧姆接触层234之下的有源层232。有源层232的周边暴露于欧姆接触层 234和源极236和漏极238的边缘之外。此外，第二半导体层220b的本征非 晶硅层210的外周暴露于数据线226和掺杂非晶硅层212的边缘之外。
然后，去除第一和第二光刻胶图案218a和218b。
图9G示出第三掩模工序。在图9G中，将无机绝缘材料沉积在或者将有 机绝缘材料涂覆在包括源、漏极236和238以及数据线226的基板200的整个 表面上，以形成钝化层240。通过第三掩模工序对钝化层240构图，以形成部分暴露漏极238的漏接触孔242。无机绝缘材料可以为选自包括氮化硅(SiNx) 和二氧化硅(Si02)的无机绝缘材料组中。有机绝缘材料可以为选自包括苯并 环丁烯(BCB)和丙烯酸树脂的有机绝缘材料组中的一种或多种。
图9H示出第四掩模工序。在图9H中，将透明导电材料沉积在包括钝化 层240的基板200的整个表面上，然后通过第四掩模工序对其构图，以形成像 素电极244。像素电极244设置在像素区P中。透明导电材料可以为选自包括 氧化铟锌(IZO)和氧化铟锡(ITO)的透明导电材料组中的一种或多种。
根据本发明，在像素区中， 一部分公共线用于修复断开的数据线，而其 它部分公共线仍然用于传输公共信号。在像素的充电特性之间不存在区别，并 且能够获得高质量的LCD器件。
对于本领域技术人员显而易见的，在不背离本发明精神或范围的条件下可 以做出各种变型和修改。因此，倘若本发明的修改和变型在权利要求及其等同 物的范围之内，本发明应包括这些修改和变型。
权利要求
1、一种阵列基板，包括基板；基板上的栅线；与栅线交叉以限定像素区的数据线；与栅线和数据线连接的薄膜晶体管；在像素区中的像素电极；以及包括第一部分、第二部分、第三部分、第四部分和第五部分的公共电极，其中，所述第一部分和第二部分分别设置在数据线的相对侧，第三部分和第四部分各与第一部分和第二部分连接，并且第五部分与第二部分连接并延伸进入与所述像素区相邻的下一个像素区中。
2、 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第五部分与下一 个像素区中的第二部分直接连接。
3、 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括 与栅线连接的栅极、在栅极之上的有源层、在有源层之上的欧姆接触层、与数 据线连接的源极、以及在欧姆接触层之上与源极间隔分开的漏极。
4、 根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，进一步包括数据线之 下的半导体层，其中所述半导体层包括从有源层延伸出的层和欧姆接触层之一
5、 一种制造阵列基板的方法，包括 在基板上形成栅线；形成与栅线交叉的数据线以限定像素区； 形成与栅线和数据线连接的薄膜晶体管； 在像素区中形成像素电极；以及形成包括第一部分、第二部分、第三部分、第四部分和第五部分的公共 电极，其中所述第一部分和第二部分分别设置在数据线的相对侧，第三部分和 第四部分各与第一部分和第二部分连接，第五部分与第二部分连接并延伸进入 与所述像素区相邻的下一个像素区中。
6、 根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第五部分与下一个像素区中的第二部分直接连接。
7、根据权利要求5所述的方法，其特征在于，形成数据线包括在数据线 之下形成半导体层。
8、 一种制造阵列基板的方法，包括在基板上形成栅线、栅极和公共线，其中所述公共线包括第一部分、第 二部分、第三部分、第四部分和第五部分；在栅线、栅极和公共线上形成栅绝缘层； 在栅极之上的栅绝缘层上形成有源层和欧姆接触层；形成数据线、源极和漏极，其中所述数据线与栅线交叉以限定像素区， 并且源极和漏极在欧姆接触层之上间隔分开-,在数据线、源极和漏极上形成钝化层，其中所述钝化层包括暴露漏极的 接触孔；以及在像素区中形成与漏极连接的像素电极，其中，所述第一部分和第二部分分别设置在数据线的相对侧，第三部分 和第四部分各与第一部分和第二部分连接，第五部分与第二部分连接并延伸进 入与所述像素区相邻的下一个像素区中。
9、 根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第五部分与下一个像 素区中的第二部分直接连接。
10、 根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在使用不同掩模的各自 掩模工序中执行形成有源层和欧姆接触层以及形成数据线、源极和漏极的步 骤。
11、 根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在使用一个掩模的相同掩 模工序中执行形成有源层和欧姆接触层以及形成数据线、源极和漏极的步骤。
12、 根据权利要求ll所述的方法，其特征在于，所述掩模工序包括形成本征非晶硅层、掺杂非晶硅层和导电层；在导电层上形成第一光刻胶图案和第二光刻胶图案，其中所述第一光刻 胶图案包括第一部分以及比第一部分厚的第二部分；使用作为蚀刻掩模的第一光刻胶图案和第二光刻胶图案，通过选择性去 除导电层、惨杂非晶硅层以及本征非晶硅层，形成源-漏金属层、数据线、第 一半导体层和第二半导体层，其中所述源-漏金属层和第一半导体层设置在第 一光刻胶图案之下，数据线和第二半导体层设置在第二光刻胶图案之下，第一 半导体层和第二半导体层各包括本征非晶硅图案和惨杂非晶硅图案； 去除第一光刻胶图案的第一部分，从而暴露源-漏金属层；使用作为蚀刻掩模的第一光刻胶图案的第二部分，去除暴露的源-漏金属 层和掺杂非晶硅图案，从而形成源极和漏极以及欧姆接触层，其中第一半导体 层的本征非晶硅图案用作有源层；以及去除第一光刻胶图案的第二部分和第二光刻胶图案。
13、 根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述第一半导体层和第 二半导体层的本征非晶硅图案暴露于源极和漏极的边缘之外。
14、 根据权利要求12所述的方法，其特征在于，形成第一光刻胶图案和 第二光刻胶图案包括形成光刻胶层，将光刻胶层曝光于通过掩模的光，以及对 曝光的光刻胶层进行显影，其中所述掩模包括光透射部分、光阻挡部分、以及 光半透射部分，所述光阻挡部分对应于第一光刻胶图案的第二部分和第二光刻 胶图案，光半透射部分对应于第一光刻胶图案的第一部分。
15、 一种修复阵列基板中的具有断开部分的数据线的方法，其中所述阵 列基板包括基板、基板上的栅线、与栅线交叉以限定像素区的数据线、与栅线和数据线连接的薄膜晶体管、像素区中的像素电极、以及包括第一部分、第 二部分、第三部分、第四部分和第五部分的公共电极，其中所述第一部分和第 二部分分别设置在数据线的相对侧，第三部分和第四部分各与第一部分和第二 部分连接，断开部分设置在第三部分和第四部分之间，并且第五部分与第二部分连接并延伸入与所述像素区相邻的下一个像素区中，所述方法包括 将第三部分和第四部分与数据线焊接；以及将第二部分与第三部分和第四部分切断，从而在所述断开部分的一侧处 的数据线的第一部分与在所述断开部分的另一侧处的数据线的第二部分通过 第三部分、第一部分以及第四部分电连接。
全文摘要
本发明公开了一种阵列基板，其包括基板、基板上的栅线、与栅线交叉以限定像素区的数据线、与栅线和数据线连接的薄膜晶体管、在像素区中的像素电极、以及包括第一部分、第二部分、第三部分、第四部分和第五部分的公共电极，其中所述第一部分和第二部分设置在数据线的两侧，第三部分和第四部分各与第一部分和第二部分连接，并且第五部分与第二部分连接并延伸进入与像素区相邻的下一个像素区中。
文档编号H01L27/12GK101202287SQ20071016559
公开日2008年6月18日 申请日期2007年11月22日 优先权日2006年12月12日
发明者林凤默, 金定焕, 金殷泓 申请人:Lg.菲利浦Lcd株式会社