专利名称：用于晶片背面加工尤其减薄的方法、为此使用的晶片-载体布置和用于制造这种晶片-载 ...的制作方法
用于晶片背面加工尤其减薄的方法、为此使用的晶片-载体布置和用于制造
这种晶片-载体布置的方法
技术领域：
本发明涉及一种晶片-载体布置，所述布置包含晶片、载体层系统和i殳 置在载体层系统与晶片之间的分界层，以及用于这种晶片-栽体布置的层系 统。本发明此外涉及这种晶片-载体布置在晶片背面加工，优选在晶片减薄 和/或分割时的用途，以及涉及一种用于制造这种层系统的方法、 一种用于 制造这种晶片-栽体布置的方法以及一种用于加工晶片背面，特别是用于晶 片背面减薄和/或晶片分割的方法。
目前对尽可能薄的电子元件和电路存在很高的需求。在制造这种电子 元件和电路(二极管、晶体管、IC、传感器等)时，在晶片(可以是由硅、 砷化镓等制成的掺杂圆片)上借助不同的工艺涂覆用于产生所要求的电子 功能的结构和层。目前这种晶片在完成为此所需的加工步骤后，正面(该 面为有源面或施加结构所处的面)上提供保护膜或者其他保护层。这种膜 或层的任务是，在晶片背面的l^减薄和/或其他加工期间保护晶片正面和 特别是施加在上面的电和机械结构。减薄通过如晶片背面的磨薄 (Grinden)、研磨(La印pen)、磨削(Schleifen)、腐蚀等技术来进行。
该过程的目标是降低晶片的原始厚度。在此方面，减少的程度主要由 减薄和/或后面的其他工艺步骤期间所期望的机械和热负荷确定因为晶片 只要减薄就要经过大量的工艺步骤，所以它体现一种很高的经济价值。因 此必须将晶片破碎的风险保持在尽可能小的程度上。与此相应，减薄常常 不可能在其本来希望的程度上进行，因为在本来希望的程度上进行减薄的 话就会由于晶片断裂而出现过大损失。
依据现有技术，减薄之后为改善晶片的断裂特性通常对晶片背面进行 化学处理。在可能的净化步骤之后，将保护膜从晶片表面揭下或者另外去
除。随后可以进行其他加工步骤和/或采取用于改善晶片特性的其他措施以 及进行例如像用于质量控制的检查。利用金属层多次涂覆减薄晶片的背 面。这种涂覆方法通常借助濺射或者类似的真空沉积方法进行并造成多次 热负荷。
此后将晶片背面向下(有源面向上)放置在锯膜(Saegefolie )、膨胀 膜或框架上。随后进行晶片的分割，也就是将晶片分成单个元件(微片 (Mikr叩laettchen )、芯片(Dies))。这种分割通常借助旋转切割圆盘或者 其他;Mfe锯装置进行。但也4吏用激光分离法。作为替代方案还将晶片在分 割时断开，其中，部分4吏用如刻槽的辅助方法。
出于所称的原因，釆用传统方法很难处理或制造非常薄的晶片。这些 困难此外也由此产生，即晶片在减薄期间和之后必须承受;Wfe负荷。这些 负荷在下列情况下出现
-晶片减薄期间，其中，如果使晶片变得非常薄容易成波浪形， -揭下在减薄期间保护晶片正面的保护膜或保护层期间， -将晶片放置在锯膜上期间以及
画在各加工步骤之间的运输期间，但特別是在背面涂覆时，其中，如果背 面涂覆在晶片分割之后进行的情况下，至少还会出现热负荷。
作为对所称方法的替>(&方案，目前也4吏用这些方法，其中晶片正面在 减薄工艺之前就已经借助刻划结构的磨削、刻划、沟和/或结构的化学腐蚀、 等离子体腐蚀这样结构化，使这些结构在随后的减薄工艺期间借助机械和 /或者化学方法从背面使晶片分割。
公开文献DE 103 53 530和WO 2004/051708在晶片的减薄和进一步加 工方面的上述技术中公开了一种可选择的方案这些文献中提出，为晶片 的减薄和后面的加工使用分界层和栽体层，其中，分界层为等离子体聚合 物层，其比在晶片上更牢固地附着在载体层上。通过^1据等离子体聚*
用方法可由专业人员调整的等离子体聚合物层的附着或去附着特性，该层 可以这样构成，使其与载体层具有比与晶片更大的附着强度。在此方面， 与晶片的附着强度可以这样调整，使非常薄的晶片也可与分界层(和载体 层)分离，而不出现过高的机械负荷。
所称文献中公开的方法的缺点是，那里提出的栽体层不是最佳匹配 特别是在三维结构化的晶片表面(例如像具有凸缘(Bums)的晶片或者在 其表面上具有侧凹(Hinterschneidung)的晶片)情况下，所提出的载体 层(例如聚酰亚胺或者聚酰胺)过硬因为等离子体聚合物分界层基本上 利用厚度不变的层覆盖晶片的表面结构，所以空隙如侧凹或者凸缘之间的 空隙需要由载体层的材料填充。如果是这种情况，那么由于载体层的^L 必然导致载体层不能无破坏地与晶片重新分离。如果载体层没有填充表面 结构，那么留下对栽体层与分界层之间的附着性产生不利影响并可以导致 不希望的夹杂物的空腔。此外，由于载体层和晶片不同的热膨胀系数，对 晶片产生附加的M应力。
本发明的目的因此在于，特别是在载体层构造方面提供一种得到改进 的层系统。
依据本发明，该目的通过一种晶片-载体布置得以实现，所述布置包含 - 晶片，
-载体层系统，和
-设置在载体层系统与晶片之间的分界层， 其中，所述栽体层系统包含
(i) 栽体层，和
(ii) 在分界层侧由固化、部分固化或者可固化的弹性体材料构成的层， 或者由这两个层组成，以及
其中，所述分界层为
(iii) 等离子体聚合物层，和
(iv) 载体层系统与分界层之间的附着强度在弹性体材料固化之后大于晶 片与分界层之间的附着强度。
弹性体材料在本文中除了已经聚合的弹性体外，还包括其低分子的前
体(Vorstufe)(直至单体)。它可以是尚未或者仅部分交联的低分子的液 体或者类似于糊状的材料。
与此相应，可固化的弹性体材料在本文的框架内是聚合物弹性体商业 上惯用的前体。部分固化的弹性体材料在本文中为已经产生聚合作用/交联 的可固化弹性体材料，但聚合作用/交联尚未结束和/或需要时可以通过可 选捧的化学或者物理机制进行进一步的聚合作用/交联。固化的弹性体材料
在本文的框架内为其聚合作用/交^i^本上结束的弹性体。在这种情况下需 要注意的是，聚合作用/交联的结束是指存在传统意义上的弹性体。
"等离子体聚合物层"在本文本的框架内是一种可借助等离子体聚* 用制造的层。等离子体聚合作用是一种方法，其中气态的前体(通常也称 为单体)通过等离子体激励，作为高度交联层沉积在可自由选择的衬底上。 等离子体聚合作用的前提是工作气体中存在形成链的原子如碳或者硅。通 过激励，气态物质(前体)的分子通过利用电子和/或高能量离子的轰击而 裂成碎片。与此同时产生高度激励的自由基或者离子的分子碎片，它们在 气体室内相互反应并沉积在所要涂覆的表面上。等离子体的放电及其强烈 的离子和电子轰击连续作用于该沉积层，从而可以在沉积层上引发进一步 的反应并可以实现沉积分子的高度结合。
在本文本的框架内，概念"等离子体聚合物层"也包括可以借助等离子 体增强化学气相沉积(PE-CVD)制造的层。在这种情况下，为控制反应 额外将衬底加热。这样例如可以由珪烷和氧制造SiCV涂层。此外需要强 调的是，大气压等离子体法也可以用于制造依据本发明所务使用的等离子
体聚合物层，尽管目前优选低压等离子体聚合法。
在本文本的框架内，将用于通过等离子体聚合作用形成层作为气体或 者蒸气输送到等离子体的物质称为"单体"(气态前体)。称为"液态前体"
的是例如通过等离子体的作用(例如通过高度激励的粒子、电子或者uv
辐射)可以交联而不事先蒸发的液体。
等离子体聚合物层在其显微组成上与聚合物层明显不同。在聚合物情 况下，单体的结合过程以可预见的方式进行，而在等离子体聚合作用中，
所使用的单体通过与等离子体接触剧烈变化(直至完全破坏)并以反应性 物质形式沉积，从而形成一种高度交联的层，而没有有规律地重复的区域。 与此相应，等离子体聚合作用在本文的意义上与等离子体诱导的聚合作用 有所不同。这一点也适用于所谓的"形成结构的等离子体聚合作用"，因为 在"温和的，，等离子体条件下也可出现不可预见的分子断裂。
在前面提到的WO 2004/051708 A2中，公开了适用于本发明的等离子 体聚合物层。所述文献以引用方式并入本文。这特别适用于WO 2004/051708 A2中用于制造等离子体聚合物分界层和分界层本身的信息。
专利文献DE 100 34 737 C2同样也>^>开了可用于本发明的等离子体聚 合物分界层。但这里需要考虑的是，那里所公开的等离子体聚合物分界层 的更强去附着作用的表面必须相对于晶片取向并因此在等离子体聚合物 分界层沉积在晶片上的情况下，等离子体过程的反应控制相应地与DE 100 34 737 C2中公开的方式相反进行。在该前提下，DE 100 34 737 C2的公开 内容，特别是在沉积过程和等离子体聚合物分界层本身方面的公开内容因 此以引用方式并入本文。
专业人员可以按照DIN 971-1: 1996-09确定各层之间的附着强度并将 其定义为"涂层与其本底之间总结合力"。
依据本发明的晶片-载体布置的优点在于，由于弹性体材料的特性(柔 韧性、膨胀性)，在载体层与需要时处于晶片上的分界层之间可以产生理
想的连接。特别是等离子体聚合物层与弹性体材料构成的层之间的附着强 度可以这样调整，使载体层和弹性体材料构成的层所组成的载体层系统与 晶片之间分离时，分界层保持附着在弹性体层上。同时在晶片上存在三维 表面结构如凸缘和侧凹的情况下，也可与晶片良好分离。
弹性体层此外的优点是，它能够在一定范围内平衡由于在每种情况下 使用的载体层与晶片之间线性膨胀的不同热膨胀系数而出现的张力。弹性
体层的另一个主要优点在于，它在厚^L够的情况下防止由于在晶片减薄 时出现的机械应力而导致的晶片正面上的凸起例如凸缘挤压晶片，从而可 能出现不平并在极端情况下毁坏晶片。
对本发明来说重要的是，弹性体材料的选择和等离子体聚合物分界层 既与该材料也与各种情况下存在的晶片表面的匹配。专业人员通过适当的 方法控制在等离子体聚合物沉积过程时(或者PECVD方法)调整等离子 体聚合物分界层。等离子体聚合物的分界层在此方面促成所需的附着特 性，使得晶片-载体布置在涂覆层系统情况下可以便于操作。这一点特别也 适用于减薄期间的处理。另一方面，栽体层系统必须可以适当的方式与晶 片分离。等离子体聚合物分界层在其附着强度方面所提及的构成，使晶片 表面(同样也可以包含例如像钝化层的其他层)与分界层之间具有预定断 裂处(Sollbruchstelle )。在此方面，对于该预定断裂处的附着特性来说， 重要的是在分离之前的可操作性(或这里出现的负荷)和分离期间减薄后 晶片的负荷容许量(Belastungstoleranz )。
不言而喻，起到重要作用的还有弹性体材料构成的层。弹性体材料的 硬度必须使得所述材料足够柔软，还可以优选无空腔包围结构化的晶片表 面(其中，表面的结构上可以已经存在结构后成形的分界面)。此外，聚 硅氧烷材料必须足够硬或可可转变为足够硬的状态，将栽体层系统施加在 晶片表面上(间接，因为等离子体聚合物分界层设置在晶片表面与分界层 系统之间)之后，保证晶片-载体布置的可操作性。特别是弹性体层本身必 须足够牢固，使晶片与等离子体聚合物分界层之间发生分离并且弹性体层 本身基本不开裂。
不言而喻，专业人员很容易理解形成载体层系统的两个层(载体层和 由固化、部分固化或者可固化的弹性体材料构成的层)彼此的附着强度必 须大于分界层与晶片之间的附着强度。
在构造依据本发明的晶片-栽体布置时，弹性体材料如已经提到的那样 必须足够柔软，以便完全包围晶片表面的形态。这一点例如可以由此实现，
工艺方式液态涂覆在涂覆有等离子体聚合物分界层的晶片上。随后液态可 固化的弹性体材料必须被固化，以便可以满足其功能。作为选择，也可以 将可固化或者部分固化的弹性体材料涂覆在载体层上并且需要时继续部 分固化，从而产生皿状的稠度。不言而喻，对于载体层与弹性体材料构
成的层的连接提供给专业人员从例如通过硫化(Vulkanisieren)粘接直至 挤压的大量可能性。在这里，专业人员根据各种情况下所使用的材料选择 适当的方法。
一旦制造了载体层系统，就可将其与上面沉积了等离子体聚合物分界 层的晶片连接。这一点例如可以通过挤压进行，但也可以使用其他物理和 /或化学的产生附着的技术。专业人员在这里也根据实际使用的材料既为分 界层也为弹性体材料构成的层选"^相应的方法。此外，如果需要将分界层 与晶片分离，专业人员在此方面考虑弹性体材料所处的状态。这一点特别 是在下述情况下具有重要意义，即当与(涂覆有等离子体聚合物的)晶片 表面连接时，弹性体材料尚未完全固化-这是一种优选的方案。
不言而喻，专业人员可以理解的是，对于具有足够的弹性和可膨胀性 的等离子体聚合物分界层，所述等离子体聚合物分界层也可以沉积在可固 化的弹性体材料构成的层上。在这种情况下，在后面的步骤中，才将背离 载体层的面上包含等离子体聚合物层的载体层系统与晶片通过产生附着 的适当方法连接。在这里重要的也是很好地包围需要时结构化的晶片表 面。专业人员特别需要注意的是，在制造依据本发明的晶片-载体布置时， 弹性体材料构成的层相对于晶片表面进行整个表面分布并且所述层系统 尽可能，优选完全无空气夹杂或者空腔来制造。这一点在本发明的一种优
选方案中特别是由此实现，即弹性体材料构成的层的可固化的弹性体材料 或部分固化的弹性体材料足够"液态"，以便(由于等离子体聚合物分界层 间接)包围晶片表面上的结构。接着然后可以进行固化。不言而喻，层压 也可以在真空条件下进行。
员选^的与材料匹配的方^ ， ;J如通过输送或者^^取热形式的能量或者通 过适当的化学反应例如聚^ft用和/或硫化作用进行。
不言而喻，专业人员应理解弹性体材料构成的层不必完全由这种材料 组成并还可以包含适当的添加物。但其中机械特性基本上通过弹性体材料 体现。该层不言而喻特别优选在固化以后一如既往地是弹性体层。
对于专业人员来讲容易理解的是，依据本发明的晶片-载体布置也可 以包含其他层，例如象载体层与弹性体材料构成的层之间的粘合剂层。最 后重要的是，所述层在各种情况下均可以实现其功能，也就是说，特别是
-分界层与晶片之间的附着强度是整个层系统中两个层之间最小的附着 强度，从而在分界层与晶片之间提供预定断裂处，
-弹性体材料构成的层在层系统与晶片连接时具有确保晶片的表面结构 在所需程度上被包围的稠度，
-弹性体材料构成的层在固化之后使层系统对于晶片的进一步加工来说 足够稳定，以及它特别AA够稳定，以便晶片与分界层分离(或者相反) 时，弹性体材料构成的层不破裂，以及
-栽体层使晶片-载体布置足够稳定。
在有些情况下弹性体材料构成的层还可以同时承担栽体层的功能。
最后，依据本发明的晶片-载体布置在上述前提下可以使晶片的背面加 工明显更加容易地进行，因为操作简单并存在合适的稳定化层系统。特别 是可以将晶片大大减薄，因为由于等离子体聚合物分界层在晶片与层系统
分离时出现相对小(并通过选择等离子体聚合物层很大程度上可以控制) 的^应力。
在分界层方面还需注意的是，对于专业人员来说不言而喻可以理解的 是，等离子体聚合物分界层不一定非得或者沉积在晶片上或者沉积在弹性 体材料构成的层上。原则上分界层也可以首先独立于晶片和弹性体材料构 成的层制造并随后与它们例如通过挤压连接。但优选分界层沉积在晶片表 面上，因为这样晶片表面的轮廓仿形通过等离子体聚合物分界层得到最佳 保证。
此外优选一种依据本发明的晶片-载体布置，所述布置包^^在晶片背离 分界层的面(晶片的背面)上的连接材料层和第二载体层。
容易理解的是，当然在加工晶片背面之后才产生刚刚介绍的晶片-栽体 布置。在此方面需要强调的是，第二载体层在材料上可与第一栽体层完全 不同。连接材料层用于将第二栽体层与晶片连接。对这些可以不同地构造 的材料来说重要的是，保证第二载体层与晶片之间以适当的方式可分离连
接。连接材料层例如可以是uv或者热分离的粘合剂层，其在uv光辐射
或热能的作用下降低或失去其附着力。不言而喻，在此优选在附着力相应 降低之后，尽可能少，特别是优选没有连接材料层留在晶片上。需要时连 接材料层从它那方面来说可以是等离子体聚合物分界层，其对第二载体层 的附着力大于对晶片的附着力。
这种第二载体层的优点可以是便于减薄和/或分割的晶片的操作，以及 需要时可以使或者有助于晶片正面上的层系统与晶片分离(对此继续参阅 下文内容)。
本发明的组成部分还有一种用于依据本发明的晶片-载体布置的栽体 层系统，所述层系统包含
(i) 栽体层，
(ii) 由固化、部分固化或者可固化的弹性体材料构成的层和(m)在弹性体材料构成的层背离载体层的面上的可揭下的保护膜,
除的薄膜。
所介绍的依据本发明的载体层系统是依据本发明的晶片-载体布置的 准备阶段并在制造依据本发明的晶片-载体布置时使用。这一点可以由此进 行，即去除可揭下的保护膜并随后将栽体层系统与已经具有等离子体聚合 物分界层的晶片挤压或者以其他适当的方式连接。
这种载体层系统的优点特别是由于保护膜可以很好存放和运输并且在 远离晶片制造和加工的地点也可以生产。
本发明的部分还涉及一种用于依据本发明的晶片-载体布置的层系统， 其包括
(i) 载体层，
(ii) 由固化、部分固化或者可固化的弹性体材料构成的层和
(m )在弹性体材料构成的层背离载体层的面上的等离子体聚合物分界层，
其中，在这里也优选在等离子体聚合物分界层背离载体层的面上提供可揭 下的保护膜。
只要前述前提适合等离子体聚合物分界层，这种产品也可以特别有效 地用于制造Ji据本发明的晶片-载体布置。这里的优点还在于，层系统可以 单独制造并可以作为预制品使用。
本发明的部分还涉及一种依据本发明的晶片-载体布置或者一种依据
本发明的层系统，其中，所述弹性体材料在部分固化的状态下的Shore-A 現复明显低于固化状态下的典型的Shore-A現变，该典型的Shore-A>^tl 为15~78,优选20~70，进一步优选30~60和特别优选40-55。
部分固化状态下明显更低的Shore-A硬度是指比固化状态下低至少10%，优选20%和特别优选40%的Shore-A現变。对大量应用特别优选 在部分固化状态下实际不存在Shore-A^t^，因为弹性体材料(还)不是 传统意义上具有Shore-A硬度的模淬体(Formhaertkoerper),而是以糊 状，需要时甚至是可以流动的状态存在的。
如上所述，弹性体材料构成的层的部分固化的状态用于促成弹性体材 料产生适当的稠度，使得其以足够的程度包围(被等离子体聚合物分界层 覆盖的)晶片表面形态，但另一方面在层压时不自由流动。
弹性体材料的部分固化状态可以按照不同方式产生。如果弹性体材料 的固化(例如聚合作用)以热控制实现，就仅向弹性体材料输送热能，直 至i^JiJ所要求的部分固化状态。需要时相应的固化(聚合作用)反应也可 以通过有针对性的排出热量例如像冷却来中断或者在所要求的程度上放 慢iiA。这一点在固化反应仅热诱导的情况下特别适用。
作为选择可使用可以借助两种机制固化(聚合作用和/或交联)的弹性 体材料。这一点例如可以通过在可固化的弹性体材料中提供不同的反应基 团实现。例如，可以首先进行UV促成的固化/聚合/交联，并^接触晶片 表面(不言而喻通过等离子体聚合物分界层促成)之后才开始例如化学的 第二种^J[机制。
对于许多应用来说，也可以优选使用可固化的弹性体材料，其在固化 过程期间或者至少在部分固化过程期间依赖于不断的能量输送(例如光 /UV光/热量)，以保持固化过程。
依据本发明优选一种依据本发明的晶片-载体布置或者一种依据本发 明的层系统，其中，弹性体材料在聚硅氧烷基础上或者在其特性方面类似 于聚硅氧烷的材^KS^上制造。
在这方面重要的特性在这种情况下特别是机械强度、耐热性、真空相 容性和与其他材料的低化学反应性。
弹性体材料的优选材料是聚硅氧烷弹性体、橡胶和类似于橡胶的材料。
此外优选一种依据本发明的晶片-栽体布置或者一种依据本发明的层
系统，其中，载体层为聚酰亚胺或者聚酰胺层，优选采用Kapton或者Ultem 薄膜的方式，为玻璃层或者硅层。
特别优选一种依据本发明的晶片-栽体布置，其中载体层线性膨胀在 20°C下的热膨胀系数与晶片的热膨胀系数相差最大10.0*1(T6/°C，优选最
大5*10-6/°<:，进一步优选最大2.5*10-6/°<:，特别优选最大1.8*10-6/°<:。
最后所提到的依据本发明的晶片-载体布置的优点在于，根据热膨胀系 数选择载体层材料的作用是，使晶片与栽体层之间出现很小或者优选不出 现基于材料的不同膨胀的M应力。
与此相应，载体层优选玻璃或改性的玻璃，这种玻璃在其热膨胀系数 方面与晶片的热膨胀系数仅有4艮小的差别或者与实质上形成晶片相同的
材料。在这种情况下，理想的是4吏用如供货商Planoptik的Borofloat 33 玻璃，其在20°C室温下的热膨胀系数为3.2*1(T6/°C，因此与硅的热膨胀 系数非常接近。
但在此特别优选一种在其热膨胀系数方面相匹配的玻璃，因为这种玻 璃一般情况下相当物美价廉且此外光和/或UV光可以透过，借助它可以(部 分)固化弹性体材料构成的层。
还优选一种依据本发明的晶片-载体布置，其中，第二载体层为薄膜和 特别优选第二载体层的挠性大于第一载体层的挠性。
挠性比较如下进行为进行两个层的挠性比较，由组成层的材料分别 产生具有相同长度和宽度和各自高度为层厚的体。优选这些体纵向延伸。 随后将体的一端固定，而向另一端施加确定的力。通过在未固定的末端上
在此方面，挠性主要涉及弹性变形，而不是非弹性的例如像压弯。
特别是在栽体层由柔性较小/挠性较小的材料例如像玻璃组成的情况 下，对于晶片与分界层机械分离来说的优点是，(减薄的)晶片连同其背
面上的层系统可以共同弯曲，从而晶片一方面通过其背面上的载体层保 护，而另一方面出现M剪切力，^^开晶片与分界层之间的连接变得容 易。不言而喻，分离过程可以通过机械辅助工具例如像转向辊进行支持(对 此亦参见下列内容)和此外有利的是将载体层固定。
第二载体层特别优选的材料在此为由一层或更多层pp、 PE、 PET和/ 或其他塑料组成的薄膜。优选第二载体层的材料可以膨胀。这种薄膜例如 为锯膜(业内通常也称为"蓝膜(bluetape)"),如由制造厂商如Lintec 或者Nitto提供。
优选具有第二栽体层的依据本发明的晶片-载体布置，其中，所述连接 材料层包含或者由优选为粘合剂的材料组成，该材料对晶片的附着力在辐 射和/或热的作用下降低或者消失。
这种优选的连接材料层可以使第二载体层与晶片也优选无残留分离。 这种分离通常在晶片与等离子体聚合物分界层分离之后进行。最后按照这 种方式可以获得不具有用于加工的层系统的晶片。
对许多应用来说，优选一种^^据本发明的晶片-栽体布置或者一种依据 本发明的层系统，其中，载体层和/或弹性体材料构成的层和/或第二载体 层这样构成，使它们可以静电加荷和/或可以由静电加荷的面固定。
为优选构成(可静电加荷)相应的层，专业人员可利用一系列可选方 案。所要求的效果一方面可以通过选择各层的(主要)材料或者通过向一 个或更多个所提到的层内加入相应可静电加荷的粒子取得。
本发明的这个优选实施方式的优点在于，借助层的静电特性可与静电 加荷的表面产生相互作用并可以固定依据本发明的晶片-栽体布置(例如用 于运输)。不言而喻，也可以为不同的工艺例如^^减薄或者背面金属化而 固定。静电固定对于真空条件下的加工是特别有利的。
依据本发明还优选一种依据本发明的具有保护膜的层系统，其中所述 保护膜例如可以是涂覆有聚硅氧烷的纸或者由PP、 PE、 PET或者其他塑料组成的薄膜。薄膜的关键特性是可以很容易和优选无残留地与载体的弹 性体层再分离。
本发明的部分还涉及固化的弹性体材料构成的层和等离子体聚合物的 分界层和/或依据本发明的层系统和/或依据本发明的晶片-栽体布置在加工 晶片背面时，优选在晶片的减薄和/或者分割时的用途。
本发明的部分还涉及依据本发明的层系统在制造依据本发明的晶片-载体布置时的用途。
此外，本发明的组成部分还包括一种用于制it依据本发明的层系统的
方法，所述方法包括以下步骤
a) 载体层的形成，
b) 可固化的弹性体材料构成的层的形成，
c) 将在步骤a)和b)中产生的层连接，优选与步骤a)或者b)同时，
d) 需要时固化或者部分固化可固化的弹性体材料构成的层，
e) 需要时在弹性体材料构成的层背离栽体层的面上沉积等离子体聚合物 分界层，
f) 需要时将可揭下的保护膜施加在弹性体材料构成的层背离载体层的面 上或者等离子体聚合物分界层背离载体层的面上。
对于专业人员来说在此方面很容易理解的是，被称为需要时的步骤分 别依赖于该方法中应制造哪种层系统(需要时优选的)的实施方式来实施。
特别是在步骤d)中，优选可固化的弹性体材料构成的层部分固化，以 最佳完成其任务并可以在与晶片表面接触(通过等离子体聚合物分界层促 成)之后固化。
本发明的部分还涉及一种用于制造依据本发明的晶片-载体布置的方
法，所述方法包括以下步骤
a) 提供晶片，
b) 提^l据本发明的层系统，其中，如果所提供的层系统包含等离子体聚 合物分界层，该分界层这样构成，使得载体层系统与分界层之间的附着强 度在载体层系统与晶片连接和弹性体材料固化之后大于晶片与分界层之 间的附着强度，其中所述连接通过分界层促成，
c) 需要时从层系统上揭下保护膜，
d) 如果所提供的层系统不包含等离子体聚合物分界层，那么将这种层沉积 在晶片或者弹性体材料构成的层上，使得载体层系统与分界层之间的附着 强度在载体层系统与晶片连接和弹性体材料固化之后大于晶片与分界层 之间的附着强度，其中所述连接通过分界层促成，
e) 将层系统与需要时用等离子体聚合物分界层涂覆的晶片连接以及
f) 弹性体材料的固化。
在所述依据本发明的方法中，关M专业人员从前面介绍的出发点特 别是与其功能相关地选"^各层的材料。弹性体材料固化的程度，优选通过 首先部分固化和l^固化，专业人员也要根据各自的需求来调整。
还要注意的是，为产生和连接各层有各种各样的可能性可供专业人员 使用。层压例如可以通过挤压、粘接或者化学连接进行，其中，在层与层 彼此间的附着强度方面必须始终满足前面介绍的前提，以便使层可以实现 其依据本发明的功能。
根据材料的选择对产生层也有不同的可能性可供专业人员使用，因此， 层例如可以首先以适用于涂覆液态材料的旋涂或者喷涂法液态涂覆，但它 们可以从一开始就以薄膜的方式施加。只要不影响层的上述功能，也可以 使用促进附着或者降低附着的物质并且该使用根据所要取得的层功能也 是合适的。
本发明的部分还有一种用于加工晶片背面的方法，所述方法包括以下
步骤
a) 制造依据本发明的晶片-载体布置，其在晶片背面上(还)不包括连接 材料层和第二栽体层，以及
b) 加工晶片的背面。
优选在最后所述依据本发明的方法中将晶片的背面减薄。这一点可以 通过传统的方法例如像磨薄、研磨、磨削或者腐蚀进行。
不言而喻，也可以在依据本发明的晶片-载体布置的基础上有效采取其 他用于加工晶片背面的措施，例如像背面的金属化、借助腐蚀的背面结构 化和背面的掺杂。
对于专业人员来说可以直接理解的是，依据本发明的方法的许多步骤 也可以在真空条件下实施。这一点优选适用于弹性体材料构成的层与晶片 的连接(特别是挤压)，其中，处于晶片与弹性体材料构成的层之间的等 离子体聚合物分界层在接触的时间点上是处于晶片上还是弹性体材料构 成的层上无关紧要。
优选一种依据本发明的方法，其中，在完成晶片背面的背面加工之后 在晶片的背面上施加连接材料层和第二载体层。
不言而喻，最后提及的层这样施加，使这些层彼此间以及与晶片间的 附着强度大于晶片与等离子体聚合物分界层之间的附着强度。
与此相应，优选一种^l据本发明用于加工晶片背面的方法，其中在步 骤b)之后和需要时在步骤c)之后晶片与等离子体聚合物分界层之间进行分 离。
在载体层为例如^J^璃片这种柔性很小的层的情况下，特别优选该方 法。特别是在使用比该载体层挠性更高的第二载体层情况下，晶片从分界 层的分离对应依据本发明的优选方法可以如下进行
载体层在其背离晶片的面上被固定。这例如特别对于玻璃片作为栽体 层的情况下可以借助真空的抽吸完成。但也可以例如通过夹紧来机械固 定。现在将优选以薄膜方式存在的第二载体层借助适当的装置M。这种 装置例如可以是导向辊，在其半径方面这样设计，4吏其在由晶片、连接材 料层和第二载体层组成的系统弯曲时，仅由几乎不可能或者甚至排除由于 机械应力损坏晶片的力作用于晶片。在此方面不言而喻可以理解的是，晶 片减薄越多，也就是其变得越薄，其所承受的弯曲越高。
通过M由第二载体层、连接材料层和晶片组成的系统，在等离子体 聚合物分界层与晶片之间的预定断裂处上进行分离。如已经介绍的那样， 这种分离优选机械地进行。在此方面，例如在使用导向辊的情况下可以这 样选择进给速度，使晶片不过栽但等离子体聚合物分界层与晶片完全分 离。分离之后产生没有为加工所施加的层系统的晶片正面并在需要时可以 继续加工。
优选一种依据本发明的方法，其中在晶片与分界层分离之后也将第二 载体层分离。这优选在降低连接材料层与晶片之间的附着力情况下进行。
在例如通过uv辐射或者热能降低或者失去其粘接作用的粘合剂情况下， 通过uv辐射或者输送热能降低附着力。这一点也^1依据本发明的优选方
法的一部分。
此外优选一种依据本发明的方法，其中晶片在去除等离子体聚合物分 界层之前和/或在去除第二载体层之前分割。这一点例如可以由此进行，即 等离子体聚合物分界层借助适当的方法(对此例如参照上述内容)分离之 后，将晶片分割成微片(芯片)。^目应的分离也可以在涂覆第二栽体层 之前，等离子体聚合物分界层尚附着在晶片上期间进行。
这种方法的优点是，分割的晶片(也就是实际上其已分割的部分)只 要还与载体层或者第二载体层接触就保持在一起，各自层系统的单个模片 也保持在一起。对于专业人员来说自然可以理解的是，在许多情况下合适 的是，在晶片分割时不分离或者至少不完全分离各个层系统。
下面关于依据本发明的方法和制造依据本发明的晶片-载体布置或依
据本发明的层系统做进一步的提示
-使用液态前体
正如WO 2004/051708 A2已经介绍的那样，为调整等离子体聚合物层 的附着特性(或去附着特性、分离特性)，使用液态前体可以是有利的。 作为液态前体在本发明的框架内特别适用硅油与适当溶剂的混合物。
液态前体例如可以借助旋涂、喷涂，其中晶片分别旋转、浇注，其中 利用前体从上面浇注晶片表面、或者浸渍，其中将晶片浸入前体内(需要 时连同薄膜覆盖的背面)涂覆在晶片上。
在此方面，对于许多应用来说有利的是将前体这样涂覆在晶片上，即 使在关键的侧凹区域内或晶片与等离子体聚合物分界层之间分离时承受 特别高的剪切作用的部位上，产生M的前体层。
前体如前面所述的公开文献中介绍的那样需要时交联，这也可以借助 等离子体在等离子体聚合物分界层沉积时进行。如果前体层在几个部位上 厚度较大(较厚)，沉积法或交联法就可以这样构成，使前体在特别关键 的部位上不交联或者不完全交联。它因此还例如作为油或以部分交联的方 式存在并在特别关键的部位上额外降低晶片表面与分界层之间的附着性。 由此晶片与分界层之间的分离特别是在形态上关键的部位上更加容易.
涂覆前体之后可以优选将溶剂蒸发掉(如果前体包含溶剂)。这例如可 以通过抽吸溶剂蒸气、置于真空室或通过加热来支持。
-弹性体材料
优选的弹性体材料是基于聚硅氧烷的弹性体例如制造商Wacker， Burghausen的自附着液态聚珪氧烷橡胶，ELASTOSIL LR 3070或LR 3070型。作为选择可以使用固化状态的树胶、橡胶或具有弹性体特性的其 他材料。当然还可以使用不同弹性体材料的适当混合物或层复合物。
当然弹性体材料构成的层的Shore ^L在部分固化和固化状态下分别 与其功能相匹配(参考前面所述)。在此为专业人员提供了适当的材料和 可能性。
如果待加工的晶片例如在其表面上具有例如高度为50 nm的凸缘， Shore現变为20-60是有利的。对于专业人员不言而喻的是，弹性体材料 构成的层的厚度必须足够超过凸缘的高度。
涂覆由可固化的弹性体材料构成的层可以例如通过刮板来进行。这种 层的交联可以如上所述通过多个步骤(部分固化、固化)进行。例如上述 制造商Wacker， Burghausen的聚珪氧烷橡胶可通过165"C下的挤压在5分 钟之内硫化并且由此交^/固化。
与部分交联类似的还可以考虑弹性体材料构成的层的暂时固化，例 如通过冷却或深冷。这种过程如上所述还显然可以用于中断固化>^应(交 联反应)。相应的冷却优选在干燥气氛下，需要时在保护气体气氛下进行 来阻止空气湿度冷凝。
如果将弹性体材料构成的层冷却下来，则这个层与晶片表面接触时 或之前(例如通过挤压)例如在保护气体气氛下的加热/融化是合适的。
-层压
层压可以利用掩^器(Bonder)进行，其中真空、温度、UV光、 层压的压力或持续时间这些参数根据需要来使用和/或由专业人员选择。
-弹性体材料构成的层的层厚度设定
这可以优选利用机械制动器(Anschlags )和/或平行导入掩^器的两 个挤压冲模进行。
出于质量保证的目的实施依据本发明的晶片-载体布置的厚度(高 度)控制可以是有利的。
-第二栽体层
作为第二载体层可以使用优选具有膨胀特性的锯膜(也称为蓝膜)。 这种锯膜由制造商如Lintec、 Nitto或者Advantek提供。作为第二载体层 优选使用制造商Advantek的具有粘接层的薄膜，例如具有压力敏感粘附 剂(例如DX112A型)或者UV敏感粘附剂(例如DU099D型)的那种。 这种作为第二载体层的锯膜的附着力按照ASM D 1000方法测量为700 gr.。在考虑到这种粘附力的情况下，等离子体聚合物分界层与晶片之间的 分离可以在向第二分界层(亦参照下面的内容)施加拉力的情况下进行。
在这方面重要的是，晶片与第二载体层(需要时通过连接材料层促 成)的附着力足够大，使其超过晶片与分界层的附着力(也包括例如在凸 缘恥漠(Entformen)时出现的脱模力)。如果第二载体层由DU099D型锯 膜组成，就可以通过UV光的辐射将按照ASM D 1000方法测量的附着力 从原始的700 gr降到20 gr并因此准备第二载体层与晶片的分离。
下面借助附图和实施例对本发明进行详细说明。不言而喻，本发明 并不局限于附图和/或实施例。其中
图1示出依据本发明用于晶片-载体布置的层系统；
图2示出依据本发明的晶片-载体布置；
图3示出依据本发明可能的分离过程的示意图，其中晶片与等离子体聚合 物分界层之间进行分离。
图1所示依据本发明的层系统包含分界层6、由固化、部分固化或 者可固化的弹性体材料构成的层5、等离子体聚合物分界层4和可揭下的 保护膜9。
图2所示的晶片-载体布置包含晶片1，其包含具有电和/或^功能 元件的有源区2和钝化层3，等离子体聚合物分界层4，其仿形覆盖包括凸 缘7在内的晶片表面，由可固化、部分固化或者固化的弹性体材料构成的
层5和载体层6。
图3示出依据本发明的分离过程的示意图，其中晶片与等离子体聚 合物分界层之间进行分离。在此示出晶片1,其已经部分分割(8)并在其 正面上与等离子体聚合物分界层4、由固化的弹性体材料构成的层5和栽 体层6连接。载体层6优选为玻璃片。载体层6固定在衬底16 (例如传送 带)上。第二载体层17通过导向辊11在已经减薄的晶片1、 8背面上由辊 IO层压。连接材料层没有单独示出.第二栽体层作为薄膜存在。层压之后 这样产生的晶片-载体布置例如通过衬底16的运动输送到终端辊13，其中， 第二载体层17以180。通过终端辊13，而衬底16不改变方向从终端辊旁通 过。通过这种设置在等离子体聚合物分界层4与晶片1、 8之间的位置12 上进行分离。晶片保持附着在第二栽体层17上并随后可以转移到框架14 内。
由此产生的具有晶片(组成部分)l、 8的框式薄膜与半导体工业中 常用的胶片框(Filmframe) 15相对应，并可以方便操作和简化运输。需 要时可以通过降低连接材料层(未示出)的附着性将晶片l或其分割的部 分8 (作为微片)，为其他用途与第二载体层分离。
实施例
一个厚度约700 nm的6英寸晶片需要减薄到50 jim的厚度，将其 背面金属化、测试，然后借助锯分割。处于晶片正面上的是高度60jim和 径节(Pitch ) 150 nm的凸缘。
晶片从其正面借助制造商Garching的SfissAG的喷涂器利用前体涂 覆，所述前体由1份制造商Burghausen的Wacker的AK50型珪油和作为 溶剂的500份异丙醇组成。在此这样调整喷涂器，使其保证利用前体均匀 涂覆晶片表面。
晶片借助喷涂进行涂覆之后，将晶片置于抽吸装置中。在这种抽吸 下挥发性的溶剂蒸发并在晶片表面上留下约120 nm厚的硅油构成的层。
现在将晶片iH^真空室内。该真空室现在抽真空，其中，蒸发和抽
出最后剩余的溶剂。1^如WO 2004/051708中所公开的将等离子体聚合 物分界层沉积在晶片上。
作为载体层使用直径6英寸和厚度2.5 mm的玻璃片。在此，玻璃具 有在室温下接近硅的热膨胀系数。
在玻璃片的一面上涂覆300 pm厚的聚硅氧烷橡J！^。这种聚硅氧烷 橡l^l制造商Burghausen的WACKER的材料，名称为ELASTOSILLR 3070且Shore現变为50。该材料由两种成分组成并在其使用之前必须在混 合器内以1:1的比例混合。现在将两种成分混合物倾倒在玻璃片的一面上。 玻璃片在这种情况下下沉处于一个精密模具(Passform)内。在此，精密 模具上侧面与玻璃片上侧的表面具有约300 nm的高度差。借助刮板现在 将弹性体材料这样分布，^吏玻璃表面上形成300 jmi厚的均匀层。刮掉弹 性体的多余部分。在此有利的是，精密模具和刮板的材料这样选择，使其 与弹性体仅具有非常差的附着性。
将平放在精密模具内的玻璃片和已涂覆的弹性体层(聚硅氧烷橡胶) 现在短时间加热到约120°C，并因此开始弹性体内的减/ft过程(部分固化)。 由此达到弹性体仅部分交联并具有这样多的自身强度，使玻璃片可以>^ 密模具取出，而在这种情况下所涂覆的弹性体层不会由于其流动性而改变 形状。
就将其"一个装置内，在该装置上可以将其冷却至负50。C以下。该装 置在这种情况下具有氮气氛，以避免结霜形式的湿气冷凝。
但层系统也可以立即使用。为此将此前介绍的晶片连同其所涂覆的 分界层在奥地利制造商ScMrding的EVG的掩^器内这样放置在夹盘上， 使其正面—也就是分界层所处的面-向上。随后将层系统—也就是具有 弹性体涂覆的玻璃片—这样放置在晶片表面上，使弹性体层与分界层接 触。现在封闭掩^器，并且对具有分界层的晶片以及具有弹性体层的玻璃
片现在所处的室借助泵抽真空。在达到足够的真空后，现在将晶片与层系 统借助两个夹盘挤压。这样产生弹性体与晶片表面的无气泡形状连接。晶 片的凸缘在此完全由部分交联的弹性体材料包围。通过对将晶片与载体挤
压的两个夹盘加热到165°C，弹性体在5分钟内完全交联(固化)。
现在可以将晶片-载体布置从接合器中取出。通过接合器的平面平行 性保证晶片连同其载体具有10 nm以下的厚度误差。
现在将晶片-载体布置"研磨机内并将晶片的自由面(背面) 一定 程度上磨薄，使晶片具有50 pm的剩余厚度。
为消除研磨过程期间晶片背面上出现的缺陷，将减薄的晶片连同栽 体层系统置于真空室内，在该真空室内借助等离子体对晶片的研磨面进行 腐蚀，以去除表面的损坏。在这种情况下有利的是，晶片-载体布置在此短 时间承受高达300°C的加工温度并且其组成部分在其热膨胀性能方面没有 过大差别。
1^将晶片置于真空室内并在其自由面上金属化。
出于将背面金属化的薄晶片与分界层分离的目的，在背面上借助层 压辊施加制造商Advantek的DU099D型锯膜。该锯膜固定在其凸起面上。 同时玻璃片的自由面也借助真空抽吸固定。锯膜的固定端现在围绕导向辊 引导。在此导向辊的直径大于这样的辊的直径，在所述辊上薄晶片不会由 于弯曲而过载断裂。
由此薄晶片与分界层分离，其中，分界层保留在玻璃片的面上。
晶片表面现在借助溶剂如铕射气和纯水净化。
锯膜(第二载体层)现在借助框架绷住并可以连同层压的晶片输送 到检测装置。在晶片及其部件借助触针电测试后，将晶片在锯装置上借助 分离磨切锯成其部件。锯开的晶片此后位于锯膜上。膨胀薄膜和同时借助 薄膜利用UV光的膝光这样降低薄膜的附着特性，使单个部件可以借助自
动摘取和放置装置移出
权利要求
1. 一种晶片-载体布置，所述布置包含-晶片(1)，-载体层系统(5、6)和-设置在载体层系统(5、6)与晶片(1)之间的分界层(4)，其中，载体层系统(5、6)包含(i)载体层(6)和(ii)在所述分界层侧由固化、部分固化或者可固化的弹性体材料构成的层(5)，或者由这两个层组成，以及其中，分界层(4)为(iii)等离子体聚合物层，和(iv)载体层系统(5、6)与分界层(4)之间的附着强度在所述弹性体材料固化之后大于晶片(1)与分界层(4)之间的附着强度。
2. 根据权利要求1的晶片-载体布置，所述布置在所述晶片背离分界层 (4)的面上包含连接材料层和第二载体层(17)。
3. —种用于根据权利要求1或2的晶片-载体布置的载体层系统，所述 栽体层系统包含(i) 载体层(6),(ii) 由固化、部分固化或者可固化的弹性体材料构成的层(5)和(iii) 在弹性体材料构成的层背离所述载体层的面上的可揭下的保护膜 (9)。
4. 一种用于根据权利要求1或2的晶片-栽体布置的层系统，所述层系 统包含(i) 栽体层(6)，(ii) 由固化、部分固化或者可固化的弹性体材料构成的层(5)和(m)在弹性体材料构成的层背离所述栽体层的面上的等离子体聚合物分界层(4)。
5. 根据权利要求4的层系统，所述层系统包含在所述等离子体聚合物 分界层(4)背离栽体层(6)的面上的可揭下的保护膜(9)。
6. 根据权利要求1或2的晶片-载体布置或者根据权利要求3 ~ 5中任 一项的层系统，其中所述弹性体材料是部分固化的。
7. 根据权利要求1、 2或6中任一项的晶片-载体布置或者根据权利要 求3 ~ 6中任一项的层系统,其中所述弹性体材^F在部分固化的状态下具有 明显低于固化状态下的Shore-A硬度和/或在固化状态下具有15~78的 Shore-A ^JL。
8. 根据权利要求1、 2、 6或7中任一项的晶片-载体布置或者根据权利 要求3 ~ 7中任一项的层系统，其中所述弹性体材料在聚硅氧)^础上或者 在其特性方面类似于聚硅氧烷的材料基础上制造。
9. 根据权利要求1 、 2或6 ~ 8中任一项的晶片-载体布置或者根据权利 要求3 ~ 8中任一项的层系统，其中载体层(6)为聚酰亚胺或者聚酰胺层， 优选采用Kapton或者Ultem薄膜的方式，为玻璃层或者珪层。
10. 根据权利要求l、 2或6~9中任一项的晶片-载体布置，其中，载体 层(6)线性膨胀的热膨胀系数与晶片(1)的热膨胀系数相差最大 10"0力。C。
11. 根据权利要求2或6~10中任一项的晶片-栽体布置，其中，第二载 体层(17)为薄膜。
12. 根据权利要求2或6~11中任一项的晶片-载体布置，其中，第二载体层(17)的挠性大于载体层(16)的挠性。
13. 根据权利要求2或6 ~ 12中任一项的晶片-载体布置，其中，第二载 体层(17)为由一层或更多层PP、 PE、 PET和/或其他塑料构成的薄膜。
14. 根据权利要求2或6 ~ 13中任一项的晶片-载体布置，其中所述连接 材料层包含或由优选为粘合剂的材料组成，所述材料对晶片的附着力在辐 射和/或热的作用下减少或者消失。
15. 根据权利要求1 、 2或6 ~ 14中任一项的晶片-栽体布置或者根据权 利要求3~8中任一项的层系统，其中，载体层(6)和/或所述弹性体材料 构成的层(5)和/或第二载体层(17)这样构成，使它们可以静电加荷和/ 或可以由静电加荷的面固定。
16. 根据权利要求3或5所述的层系统，其中，保护膜(9 )是由PP、 PE、 PET和/或其他塑料构成的薄膜或者是利用聚硅氧烷涂覆的纸。
17. 由固化的弹性体材料构成的层(5)和等离子体聚合物的分界层(4) 和/或根据权利要求3~8、 15或16中任一项的层系统和/或者根据权利要 求1或6~10或15中任一项的晶片-载体布置在加工晶片(l)背面时，优 选在晶片(1)的减薄和/或分割时的用途。
18. 根据权利要求3 ~ 8、 15或16中任一项的层系统在制造根据权利要 求l、 2或6~15中任一项的晶片-栽体布置时的用途。
19. 一种用于制造根据权利要求3~8、 15或16中任一项的层系统的方 法，所述方法包括以下步骤a) 栽体层(6)的形成，b) 可固化的弹性体材料构成的层(5)的形成，c) 将在步骤a)和b)中产生的层连接，优选与步骤a)或者b)同时，d) 需要时固化或者部分固化所述可固化的弹性体材料构成的层(5)，e) 需要时在所述弹性体材料构成的层(5)背离栽体层(6)的面上沉积等 离子体聚合物分界层(4)，和f)需要时将可揭下的保护膜(9)施加在所述弹性体材料构成的层(5 )背 离载体层(6)的面上或者所述等离子体聚合物分界层(4 )背离载体层(6) 的面上。
20. —种用于制造根据权利要求1 、 6 ~ 10或15中任一项的晶片-载体布 置的方法，所述方法包括以下步骤a) 提供晶片(1)，b) 提供根据权利要求3~8、 15或16中任一项的层系统，其中，如果所提 供的层系统包含等离子体聚合物分界层U)，该分界层(4)这样构成，使 得载体层系统(5、 6)与分界层(4)之间的附着强度在载体层系统(5、 6) 与晶片(1)连接和弹性体材料固化之后大于晶片(1)与分界层(4)之间 的附着强度，其中，所述连接通过分界层(4)促成，c) 需要时从层系统上揭下保护膜(9 )，d) 如果所提供的层系统不包含等离子体聚合物分界层(4)，那么将这种层 (4)沉积在晶片(1)或者弹性体材料构成的层(5)上，从而载体层系统 (5、 6)与分界层(4)之间的附着强度在载体层系统(5、 6)与晶片(1)连接和弹性体材料固化之后大于晶片(1)与分界层(4)之间的附着强度， 其中所述连接通过分界层(4)促成，e) 将所述层系统与需要时利用等离子体聚合物分界层(4)涂覆的晶片连 接，以及f) 弹性体材料的固化。
21. —种用于加工晶片(1)背面的方法，所述方法包括以下步骤a) 制造根据权利要求l、 6~10或15中任一项的晶片-栽体布置，其中所 述层系统施加在晶片(1)的正面，以及b) 加工晶片(1)的背面。
22. 根据权利要求21的方法，其中，在步猓b)中将晶片(1)的背面减 薄。
23. 根据权利要求21或22的方法，其中，作为步骤b)之后的步骤c)， 在晶片(1)的背面上施加连接材料层和第二载体层(17)，从而产生根据 权利要求2或6 ~ 14中任一项的晶片-载体布置。
24. 根据权利要求21 ~23中任一项的方法，其中，作为步骤b)之后和需 要时在步骤c)之后的步骤d),进行晶片(l)与等离子体聚合物分界层U) 之间的分离。
25. 根据权利要求24的方法，其中所述分离以机械方式进行。
26. 根据权利要求24或25的方法，其中，接着作为步骤e)将晶片(1) 与连接材料层之间需要时在改变连接材料层的情况下进行分离。
27. 根据权利要求26的方法，其中所述分离在使用UV辐射和/或热能 的情况下进行。
28. 根据权利要求21~27中任一项的方法，其中，在步骤c)之前和/或 步骤e)之前将晶片(1)分割。
全文摘要
本发明涉及一种晶片-载体布置，所述布置包含晶片(1)、载体层系统(5、6)和设置在载体层系统(5、6)与晶片(1)之间的分界层(4)，其中，载体层系统(5、6)包含(i)载体层(6)和(ii)在所述分界层侧的由固化、部分固化或者可固化的弹性体材料构成的层(5)，或者由这两个层组成，以及其中，分界层(4)为(iii)等离子体聚合物层，和(iv)载体层系统(5、6)与分界层(4)之间的附着强度在弹性体材料固化之后大于晶片(1)与分界层(4)之间的附着强度。
文档编号H01L21/68GK101395703SQ200780007194
公开日2009年3月25日 申请日期2007年3月1日 优先权日2006年3月1日
发明者安德烈亚斯·雅各布 申请人:雅各布+理查德知识产权利用有限责任公司