专利名称：多层电容器及其制造方法
技术领域：
本发明涉及微电子电容器，更具体而言，涉及使用后端(BEOL)工艺 形成的电容器。
背景技术：
电容器用来在电子电路中实现多种功能。这些包括谐振电路、滤波器、 电压控制振荡器、放大级间耦合和旁路。微电子电容器经常制造为后端 (BEOL)工艺的一部分。BEOL是指在半导体晶片上，将如晶体管、电阻 器和二极管等部件采用配线互连的集成电路制造步骤。更具体而言，BEOL 从第一层金属沉淀到晶片上开始。BEOL包括接触、绝缘体、金属级和芯片 到封装连接的焊接点。
评价电容器的一些特征包括电容密度、对地寄生电容和一个或多个功 能参数受器件取向影响的程度。现有的BEOL电容器有一些缺点。在标准 的BEOL梳形电容器中，所述器件在两个方向都是不对称的，这造成了取 向依赖操作、不期望的寄生电容和电路失配。所述不对称结构也可以导致 增加的面积需求。此外，现有的BEOL电容器有一个不期望的大寄生电容， 其与耦接到半导体衬底的电容器阳极的最下层相关。
发明内容
通过使用多个交叉导电指，克服了现有技术的缺点并提供了额外的优 势，多个导电指排列以形成一基本正方的结构，多层中的每一层由高介电 常数材料分隔，其中所述多个交叉导电指的每一个包括至少一个基本卯度 的弯。所述多个交叉导电指包括连接到阳极端子的第一组指、和连接到阴 极端子的第二组指。所述的多层包括最下层，其相对于所述的多层的其它 层最接近衬底。所述最下层不包括任何连接到所述阳极端子的指。
使用具有90度弯的交叉指的多层结构电容器，通过消除指上的导电连 接片的需要而提供了增加的电容密度。最接近所述衬底的所述电容的层不
包括任何连接到所述电容阳极端子的指，从而消除或减小耦接到所述衬底 的电场和因此产生的寄生电容。
被视为本发明的主题被特别指出，并且在所述说明书结论的权利要求 中被明确的主张。由结合附图对本发明的以下详细描述，本发明前述的和
其它目标、特征和优点将变得更加明显，在附图中
图l为与方向无关的、多层BEOL电容的一个例子； 图2为与方向无关的、多层BEOL电容的另一个例子；以及 图3示出了图1所述电容器沿轴A-A，所取的剖面视图。
具体实施例方式
现在更详细的参考附图，可以看出，图1阐述了被示为一个从上而下 视角的平面图的与方向无关的、多层BEOL电容的例子。在多层中的每一 层中，多个交叉导电指12、 13、 14、 15、 16、 17、 18、 19、 20、 21和22 被排列以形成基本正方的结构。图l描绘一个单层，其它层在图3中显示， 并且在下文中进行更详细的描述。作为例证，多层中的每一层可以，但不 必须，由低电介质绝缘体层制成，导电指例如使用低电阻导电材料形成， 并且每层例如通过高介电常数材料分隔。高介电常数材料的例子包括五氧 化钽和氮化硅，而示例性的低介电常数材料包括氟化玻璃、气凝胶、丝绸 或氢硅倍半氧烷(HSQ)。所述导电材料可以包括铝、铜或任何其它各种材料。 在使用铜的情况下，可以使用金属镶嵌BEOL方法。
所述多个交叉导电指12、 13、 14、 15、 16、 17、 18、 19、 20、 21和22 中的每个包括至少一个基本卯度弯。所述多个交叉导电指包括连接到阴极 端子25的第一组指12、 14、 16、 18、 20和22，和连接到阳极端子27的第 二组指13、 15、 17、 19和21。交叉导电指12、 13、 14、 15、 16、 17、 18、 19、 20、 21和22可以，但不必须，包括一个或多个通过孔24来连接第一 层上的导电指和第二层上的导电指。所述多层包括一最下层，其相对与所 述多层的其它层最接近村底。所述最下层不包括任何连接到阳极端子27的 指。
图2阐述了被示为从上而下视角的平面图的与方向无关的、多层BEOL
电容的例子。在多层中的每一层中，多个交叉导电指112、 113、 114、 115、 116和117被排列以形成基本正方结构。图2描绘一单层，其它层在图3中 显示，并且在下文中进行更详细的描述。如上文结合图1的讨论，这些层 中的每一层可以，但不必须，由低电介质绝缘体层制成，导电指例如使用 低电阻导电材料形成，并且每层例如通过高介电常数材料分隔。
所述多个交叉导电指112、 113、 114、 U5、 116和117中的每个(图2) 包括至少一个基本90度弯。例如，图2所述的结构使用导电指112、 113、 114、 115、 116和117,其形成了一系列同心的正方形，每个所述导电指包 括四个弯。所述多个交叉导电指包括连接到阳极端子127的第一组指112、 114和116，和连接到阴极端子125的第二组指113、 115和117。交叉导电 指112、 113、 114、 115、 116和117能够，但不必须，包括一个或多个通过 孔124来连接第一层上的导电指和第二层上的导电指。所述多层中包括一 最下层，其相对于所述多层的其它层最接近衬底。所述最下层不包括任何 连接到阳极端子127的指。
图3为图1所述电容器沿轴A-A，所取的剖面视图。第一层201包括交 叉导电指16、 19、 14、 15、 12、 13、 18、 15、 20、 19和22。指12、 14、 16、 18、 20和22连接到阴极端子25 (图1 )，而指13、 15、 17、 19和21 (图3)连接到阳极端子27 (图1)。在第一层201下面是电介质层206。 在电介质层206下面是第二层202。第二层202包括一组交叉导电指，其与 在图1的单层结构中描绘的第一层201中的交叉导电指16、 l9、 ]4、 l5、 12、 13、 18、 15、 20、 19和22基本相同。
在第二层202 (图3 )下面是电介质层208。在电介质层208下面是第 三层203。第三层203包括一组交叉导电指，其与与在图1的单层结构中描 绘的第一层201中的交叉导电指16、 19、 14、 15、 12、 13、 18、 15、 20、 19和22。在第三层203 (图3 )下面是电介质层210。在电介质层210下面 是第四层204。
第四层204分别相对于第一层201、第二层202和第三层2(X3离衬底 212最近。第四层204包括一组连接阴极的交叉导电指，其与第一层201的 交叉导电指16、 14、 12、 18、 20和22 (图1)基本相同，并且其连接到阴 极端子25。然而，第四层204 (图3 )不包括任何连接到阳极端子27 (图1 ) 的交叉指。这个特性用来减小或消除由于阳极元件和衬底212耦合而产生
的寄生电容(图3)。
由于消除最接近衬底212的最下层(例如，第四层204)中的阳极元件 形成的电场在图3中进行了图形化描绘。观测到这些电场终止于连^t妻到阴 极端子25 (图1 )的指，而不是进入衬底212 (图3 )。根据现有技术BEOL 电容设计，这些电场将显著侵犯衬底212，因此导致了不期望的寄生电容。
对比，图3中示出的电容器设计构思，通过基本防止所述电场从所述电容 器离开并且进入到所述衬底，所述电容器的电特性保持基本不变，而无论 所述电容器的物理方向如何。
第一层201、第二层202、第三层203和第四层204可以，但不必须， 由低电介质绝缘层制成，该低电介质绝缘层例如为氟化玻璃、气凝胶、丝 绸或氢硅倍半氧烷(HSQ)、其它的低电介质绝缘材料或其混合物。导电指16 、 19、 14、 15、 12、 13、 18、 15、 20、 19和22可以，但不必须，由j氐电阻导 电材料形成，例如铝、铜或任意各种其它材料。在使用铜的情况下，可以 使用金属镶嵌BEOL方法。分隔第一层201、第二层202、第三层203和第 四层204的电介质层206、 208和210可以，但不必须，由高介电常lt材料 制成，例如五氧化钽、氮化硅或任意各种其他高介电常数材料。
虽然参照了特定的实施例描述了本发明，所述特定实施例的描述只是 为了说明，不能当作对本发明范围的限制。本领域的技术人员在不脱离本 发明的精神和范围的情况下，可以进行各种其他的修改和变化。
权利要求
1.一种多层结构的电容器，包括多个交叉导电指，在多层中形成一基本正方的结构，多层由高介电常数材料分隔，其中所述多个交叉导电指的每一个包括至少一个基本90度的弯；连接到阳极端子的第一组指、和连接到阴极端子的第二组指；且其中所述的多层包括最下层，其相对于所述的多层的其它层最接近衬底，其中所述最下层不包括任何连接到所述阳极端子的指。
2. 权利要求1中所述的多层结构电容器，其中每一层由低介电常数材 料制成。
3. 权利要求1中所述的多层结构电容器，其中所述导电指由包括一种 或多种金属或包含金属的合金的低电阻导电材料形成。
4. 权利要求1中所述的多层结构电容器，其中所述多层的每一层由高 介电常数材料与所述多层的至少一其他层分隔。
5. 权利要求4中所述的多层结构电容器，其中所述高介电常数材料包 括五氧化钽和氮化硅的至少之一 。
6. 权利要求2中所述的多层结构电容器，其中所述低介电常数材料包 括氟化玻璃、气凝胶、丝绸或氢硅倍半氧烷的至少之一。
7. 权利要求3中所述的多层结构电容器，其中所述低电阻导电材料包 括铝或铜的至少之一。
8. 权利要求7中所述的多层结构电容器，其中所述低电阻导电材料包 括由金属镶嵌BEOL工艺提供的铜。
9. 一种制造多层结构电容器的方法，所述方法包括 在多层中排列多个交叉导电指来形成基本正方形结构，多层由高介电常数材料分隔，其中所述多个交叉导电指包括至少一个基本90度弯；和 将所述多个交叉导电指的第一组指连接到阳极端子，并将所述多个交叉导电指的第二组指连接到阴极端子，其中所述多层包括最下层，其相对于所述多层的其它层最接近衬底，其中所述最下层不包括任何连接到所述阳极端子的指。
10. 权利要求9中所述的方法，还包括制造低介电常数材料的所述多层 的一层或多层。
11. 权利要求9中所述的方法，还包括形成包括一种或多种金属或包含 金属的合金的低电阻导电材料的所述导电指。
12. 权利要求9中所述的方法，还包括通过高介电常数材料层分隔所述 多层的每层与所述多层的至少一个其他层。
13. 权利要求12中所述的方法，其中所述高介电常数材料包括五氧化 钽和氮化硅的至少之一 。
14. 权利要求10中所述的方法，其中所述低介电常数材料包括氟化玻 璃、气凝胶、丝绸或氢硅倍半氧烷的至少之一。
15. 权利要求11中所述的方法，其中所述低电阻导电材料包括铝和铜 的至少之一。
16. 权利要求15中所述的方法，其中所述低电阻导电材料包括铜，并 且所述方法还包括使用金属镶嵌后端工艺。
全文摘要
本发明公开了一种多层电容器及其制造方法。多个导电指排列以形成一基本正方的结构，多层中的每一层由高介电常数材料分隔，其中所述多个交叉导电指的每一个包括至少一个基本90度的弯。所述多个交叉导电指包括连接到阳极端子的第一组指、和连接到阴极端子的第二组指。所述的多层包括最下层，其相对于所述的多层的其它层最接近衬底。所述最下层不包括任何连接到所述阳极端子的指。根据本发明，消除或减小耦接到衬底的电场和因此产生的寄生电容。
文档编号H01L21/02GK101359663SQ20081013772
公开日2009年2月4日 申请日期2008年7月18日 优先权日2007年7月31日
发明者埃里克·汤普森, 阿尼尔·K·钦瑟金迪 申请人:国际商业机器公司