专利名称：糊组合物及太阳能电池元件的制作方法
技术领域：
本发明一般而言涉及糊组合物及太阳能电池元件，具体而言，涉及在构成晶体硅太阳能电池的硅半导体衬底的背面上形成电极时使用的糊组合物，以及使用该糊组合物形 成了背面电极的太阳能电池元件。
背景技术：
作为在ρ型硅半导体衬底的背面上形成了电极的电子部件，已知有如日本特开 2000-90734号公报(专利文献1)、日本特开2004-134775号公报(专利文献2)中所公开 的太阳能电池元件。图1是示意地表示太阳能电池元件的一般剖面结构的图。如图1所示，太阳能电池元件使用厚度为200 300 μ m的ρ型硅半导体衬底1构 成。在P型硅半导体衬底1的受光面侧形成有厚度为0. 3 0. 6 μ m的η型杂质层2、以及 其上方的防反射膜3和栅极4。另外，在ρ型硅半导体衬底1的背面侧，形成有铝电极层5。铝电极层5通过利用 丝网印刷等将含有由大致球状的铝粒子构成的铝粉、玻璃料(glass frit)及有机载体的糊 组合物进行涂布，经干燥后，在660°C (铝的熔点)以上的温度下短时间焙烧而形成。由于 该焙烧时铝向P型硅半导体衬底1的内部扩散，因而在铝电极层5与ρ型硅半导体衬底1 之间形成Al-Si合金层6，同时形成由铝原子的扩散产生的作为杂质层的ρ+层7。由于该ρ+ 层7的存在，防止了电子的再结合，能够得到提高生成载体的收集效率的BSF (背电场，Back Surface Field)效果。例如，如日本特开平5-129640号公报(专利文献3)中所公开的，利用酸等除去由 铝电极层5和Al-Si合金层6构成的背面电极8、再利用银糊等重新形成集电极层的太阳能 电池元件已实用化。但是，必须对用于除去背面电极8的酸实施废弃处理，存在由于该除去 工序而使工序变得繁杂等问题。为了避免这种问题，近来大多保留背面电极8直接作为集 电极利用而构成太阳能电池元件。而且，通过使用现有的含有由大致球状的铝粒子构成的铝粉的糊组合物在ρ型硅 半导体衬底的背面上涂布、并进行焙烧而形成了背面电极的太阳能电池元件，生成载体的 收集效率得到了一定的提高，但是为了提高转换效率，需要进一步提高所期望的BSF效果。专利文献1 日本特开2000-90734号公报专利文献2 日本特开2004-134775号公报专利文献3 日本特开平5-129640号公报
发明内容
但是，最近为了解决硅原料不足、降低太阳能电池的成本，正在研究使ρ型硅半导 体衬底的厚度变薄的方法。特别是近年来对地球环境的关注增加，太阳光发电的重要性受到世界性地认可，大量企业参与到太阳光发电的领域，太阳能电池连续增产。因此，作为太阳能电池元件的原 料的P型硅半导体衬底变得难以得到。为了应对此情形而确保太阳能电池的产量，已尝试 将ρ型硅半导体衬底的厚度变薄至比现有主流厚度200 μ m 220 μ m更薄的160 μ m。但是，在将现有的含有由大致球状的铝粒子构成的铝粉的糊组合物涂布到厚度变 薄的P型硅半导体衬底上并进行焙烧时，因P型硅半导体衬底的硅与铝的热膨胀系数的差 另IJ，导致在糊组合物的焙烧后P型硅半导体衬底变形且发生翘曲，而在形成了电极层的背 面侧呈凹状。此外，为了提高BSF效果而在厚度变薄的P型硅半导体衬底上增加涂布量地涂 布糊组合物并进行焙烧时，因P型硅半导体衬底的硅与铝的热膨胀系数的差别，导致在糊 组合物的焙烧后P型硅半导体衬底变形且发生翘曲，而在形成了电极层的背面侧呈凹状。 因此，在太阳能 电池的制造工序中产生裂纹等，结果存在太阳能电池的制造成品率降低的 问题。为了解决该翘曲的问题，有减少糊组合物的涂布量而使背面电极层变薄的方法。 但是，减少糊组合物的涂布量时，从P型硅半导体衬底的背面向内部扩散的铝量变得不充 分。结果由于不能达到所期望的BSF效果而产生太阳能电池的特性降低的问题。而且，在ρ型硅半导体衬底的厚度变得非常薄的情况下，即使大幅减少糊组合物 的涂布量，也仍然存在P型硅半导体衬底发生某种程度的翘曲的问题。另外，不减少糊组合物的涂布量而减少糊组合物中的铝粉含量时，焙烧后的背面 电极的电阻变大，转换效率降低，仍存在发生某种程度的翘曲的问题。因此，本发明的一个目的在于解决上述问题，提供在用于在现有比较厚的硅半导 体衬底上形成较薄的背面电极层时，能够充分达到与使用现有的含有由大致球状的铝粒子 构成的铝粉的糊组合物形成较厚的背面电极层时同等程度或同等以上的BSF效果的糊组 合物。本发明的另一个目的在于，提供在用于在较薄的硅半导体衬底上形成较薄的背面 电极层时，能够充分达到与使用现有的含有由大致球状的铝粒子构成的铝粉的糊组合物形 成较厚的背面电极层时同等程度或同等以上的BSF效果、而且与使用现有的含有由大致球 状的铝粒子构成的铝粉的糊组合物形成较薄的背面电极层时相比能够大幅抑制焙烧后的 硅半导体衬底变形的糊组合物。本发明的再一个目的在于，提供设有使用上述糊组合物形成的背面电极层的太阳 能电池元件。本发明人为了解决现有技术的问题进行了反复的深入研究，结果发现，通过使用 含有薄片状铝粒子的铝粉作为糊组合物中的铝粉，能够达到上述目的。基于该见解，本发明 的糊组合物具备如下特征。本发明的糊组合物，用于在构成晶体硅太阳能电池的ρ型硅半导体衬底的背面上 形成电极，并且含有铝粉作为导电性粉末，铝粉含有薄片状铝粒子。其中，薄片状铝粒子是 指粒子的外形为板状、薄片状、扁平状、或者至少含有板状外形部分的铝粒子、或至少含有 扁平外形部分的铝粒子。优选本发明的糊组合物的薄片状铝粒子的含量为10质量％以上、50质量％以下。而且，优选本发明的糊组合物的薄片状铝粒子的平均粒径为3μπι以上、60μπι以 下。
更优选本发明的糊组合物的薄片状铝粒子的平均粒径相对于平均厚度的比率、即平均长径比(aspect ratio)为30以上、600以下。而且，优选本发明的糊组合物还含有有机载体和/或玻璃料。本发明的太阳能电池元件，设有将具有上述任意一个特征的糊组合物涂布到ρ型 硅半导体衬底的背面上后进行焙烧而形成的电极。发明效果如上所述，根据本发明，通过使用含有薄片状铝粒子的铝粉作为糊组合物中的铝 粉，在较厚的硅半导体衬底上形成较薄的背面电极层、或在较薄的硅半导体衬底上形成较 薄的背面电极层中的任意一种情况下使用本发明的糊组合物，均至少能够充分达到与使用 现有的含有由大致球状的铝粒子构成的铝粉的糊组合物形成较厚的背面电极层时同等程 度或同等以上的BSF效果。此外，为了在较薄的硅半导体衬底上形成较薄的背面电极层而 使用本发明的糊组合物时，能够达到与使用现有的含有由大致球状的铝粒子构成的铝粉的 糊组合物形成较厚的背面电极层时同等程度或同等以上的BSF效果，而且与使用现有的含 有由大致球状的铝粒子构成的铝粉的糊组合物形成较薄的背面电极层时相比，能够大幅抑 制焙烧后的硅半导体衬底的变形。
图1是示意地表示应用了本发明的一个实施方式的太阳能电池元件的一般剖面 结构的图。图2是示意地表示测定实施例和比较例中形成了作为背面电极层的铝电极层的 焙烧后的P型硅半导体衬底的翘曲量的方法的图。标记说明1 :p型硅半导体衬底、2 :n型杂质层、3 防反射膜、4 栅极、5 铝电极层、6 =Al-Si 合金层、7 :p+层、8 背面电极
具体实施例方式本发明人着眼于太阳能电池元件的特性与糊组合物中的铝粉的关联性，特别是铝 粒子的形状，发现通过使用含有特定外形的铝粒子的铝粉作为糊组合物中的铝粉，能够提 高太阳能电池元件的特性。本发明的糊组合物含有铝粉作为导电性粉末，且铝粉含有薄片状铝粉。一直以来， 为了在P型硅半导体衬底的背面上形成铝电极层而使用的糊组合物，作为该糊组合物中含 有的铝粉，使用由具有球形或近似球形形状的铝粒子构成的铝粉。在本发明中，通过使用含有薄片状铝粒子的铝粉，即使在ρ型硅半导体衬底上形 成较薄的背面电极层，也能够达到与使用现有的含有由大致球状的铝粒子构成的铝粉的糊 组合物形成较厚的背面电极层时同等程度或同等以上的BSF效果。如日本特开2000-90734号公报(专利文献1)中所记载的，已知通常通过使背面 电极层变薄来减小P型硅半导体衬底产生的翘曲量，但转换效率降低。与此相对，为了在较薄的硅半导体衬底上形成较薄的背面电极层而使用本发明的 糊组合物时，能够达到与使用现有的含有由大致球状的铝粒子构成的铝粉的糊组合物形成较厚的背面电极层时同等程度或同等以上的BSF效果，而且与通过现有的含有由大致球状 的铝粒子构成的铝粉的糊组合物形成较薄的背面电极层时相比，能够大幅抑制焙烧后的硅 半导体衬底的变形。 其原因尚未确定，但可推测是因为使用本发明的糊组合物时具有捕获(閉I；込力 ^ )光能的作用。使用现有的糊组合物形成背面电极层时，焙烧后的背面电极层具有消光 的灰色外观。与此相对，使用本发明的糊组合物形成背面电极层时，焙烧后的背面电极层具 有反射光的银色外观。因此，在本发明中，由于焙烧后的背面电极层作为反射从硅半导体衬 底的表面入射到内部的光的反射层起作用，因此可推测起到将光能捕获到硅半导体衬底内 部的作用。因此，通过该作用，光能的损失减少，因而推测即使在形成较薄的背面电极层时， 也能够保持与通过现有的含有由大致球状的铝粒子构成的铝粉的糊组合物形成较厚的背 面电极层时同等程度或同等以上的转换效率。另外，在本发明的糊组合物中，构成糊组合物中含有的铝粉的铝粒子不必全部为 薄片状铝粒子。只要糊组合物中含有的铝粉包含薄片状铝粒子，则能够达到上述作用效果。 即使糊组合物中含有由以往使用的具有球形或近似球形的粒子形状的铝粒子和薄片状铝 粒子的混合物构成的铝粉，也能够达到上述作用效果。薄片状铝粒子可以通过任何方法制作，例如可以通过将在塑料膜的表面经蒸镀形 成的铝薄膜从塑料膜的表面剥离后进行破碎，或者通过将由以往公知的雾化法得到的铝粒 子在有机溶剂存在下用球磨机进行粉碎，来制作薄片状铝粒子。一般而言，在上述通过使用球磨机进行粉碎而得到的薄片状铝粒子的表面，附着 有例如高级脂肪酸等粉碎助剂，但在本发明中，可以使用表面附着有粉碎助剂的薄片状铝 粒子，也可以使用表面除去了粉碎助剂的薄片状铝粒子。使用任意一种薄片状铝粒子均能 达到上述作用效果。此外，薄片状铝粒子在糊组合物中的含量优选为10质量％以上、50质量％以下， 进一步优选为15质量％以上、30质量％以下。若薄片状铝粒子的含量在上述范围内，则含 有薄片状铝粒子的糊组合物在对P型硅半导体衬底的涂布性、印刷性方面优良。在现有的糊组合物中，由于糊组合物中所含有的由大致球状的铝粒子构成的铝粉 的含量占有非常高的比例，因此糊组合物的涂布一般通过丝网印刷来形成。但是，在本发明 的糊组合物中，由于能够减少含有薄片状铝粒子的铝粉在糊组合物中的含量，因此涂布方 法并不限于丝网印刷法，还可以通过例如喷雾法进行涂布。能够利用喷雾法进行涂布时，与 丝网印刷法的情况相比，能够进行大量生产，也有可能能够大幅减少涂布所需的工作量。此外，现有的糊组合物中含有的铝粉的含量为约70质量％，如上所述，在糊组合 物中占有相当高的比例。这是因为，例如当使铝粉的含量为60质量％以下时，通过在ρ型 硅半导体衬底的背面上涂布糊组合物并进行焙烧而形成的背面电极层的电阻变高，太阳能 电池元件的特性降低，具体而言导致转换效率降低。与此相对，在本发明中，虽然薄片状铝粒子在糊组合物中的含量为60质量％以 下，但不会发生如上所述的问题。其原因尚未明确，但推测是因为薄片状铝粒子比大致球状的铝粒子的厚度薄，焙 烧时容易受到热影响，结果与硅衬底的反应性变好，促进了铝的扩散。薄片状铝粒子的平均粒径优选为3μπι以上、60μπι以下，更优选为7μπι以上、30 μ m以下。薄片状铝粒子的平均粒径若在上述范围内，则含有薄片状铝粒子的糊组合物在 对P型硅半导体衬底的涂布性、印刷性方面优良。另外，薄片状铝粒子的平均粒径可以通过 激光衍射法进行测定。此外，薄片状铝粒子的平均粒径相对于平均厚度的比率、即平均长径比优选为30 以上、600以下，更优选为70以上、300以下。薄片状铝粒子的平均长径比若在上述范围内， 则含有薄片状铝粒子的糊组合物在对ρ型硅半导体衬底的涂布性、印刷性方面优良。另外， 平均长径比可以通过由激光衍射法测定的平均粒径与平均厚度之比(平均粒径[ym]/平 均厚度[Pm])来计算。另外，平均厚度可以如日本特开平06-200191号公报及国际公开第 W02004/026970号小册子记载的那样，通过测定薄片状铝粉的水面扩散面积后代入特定公 式的计算方法得到，具体的计算方法如下所述。用丙酮清洗薄片状铝粒子后，测定干燥后的薄片状铝粒子的质量w(g)、以及使薄片状铝粒子均勻漂浮在水面上时的覆盖面积A(cm2)，通过下述式1计算WCA(水面扩散面 积)。然后，将WCA值代入下述式2，计算薄片状铝粒子的平均厚度。式 1 =WCA (cm2/g) = A (cm2) /w (g)式2 平均厚度(μ m) = IO4/ (2. 5 (g/cm3) XWCA)求得上述平均厚度的方法例如在 Aluminum Paint and Powder, J. D. Edeards and R. I. Wray 著、第三版、Reinhold Publishing Corp, New York(1955)出版、Pages 16 22 等中已有记载。另外，当薄片状铝粒子的表面未附着硬脂酸等饱和高级脂肪酸时，或附着不饱和 高级脂肪酸而非饱和高级脂肪酸时，如日本特开平06-200191号公报所记载那样进行漂浮 化处理(leafing process)，测定覆盖面积A，计算WCA。本发明的糊组合物优选还含有有机载体。含有的有机载体的成分没有特殊限制， 可以使用乙基纤维素类、醇酸树脂类等树脂以及乙二醇醚类、松油醇类等溶剂。有机载体的 含量优选为5质量％以上、20质量％以下。若有机载体的含量在上述范围内，则含有薄片状 铝粒子的糊组合物在对P型硅半导体衬底的涂布性、印刷性方面优良。而且，本发明的糊组合物也可以含有玻璃料。玻璃料的含量优选为0. 5质量％以 上、5质量％以下。玻璃料具有提高焙烧后与铝电极层的密合性的作用，但当玻璃料的含量 超过5质量％时，发生玻璃的偏析，作为背面电极层的铝电极层的电阻可能增大。玻璃料的 平均粒径只要不给本发明的效果带来不良影响则没有特殊限制，通常优选使用约1 μ m 约4μπι的玻璃料。本发明的糊组合物中含有的玻璃料的组成及各成分的含量没有特殊限制，通常使 用软化点在焙烧温度以下的玻璃料。通常，作为玻璃料，除SiO2-Bi2O3-PbO系之夕卜，还可以 使用 B2O3-SiO2-Bi2O3 系、B2O3-SiO2-ZnO 系、B2O3-SiO2-PbO 系等。另外，本发明的糊组合物在不妨碍本发明效果的前提下，还可以含有各种物质。例 如，可以适当地与公知的树脂、粘度调节剂、表面调节剂、防沉淀剂、消泡剂等其他构成成分 混合，制备糊组合物。另外，本发明的糊组合物的制造方法，例如可以通过使用公知的搅拌机搅拌混合 各成分进行制造的方法、或者利用辊磨等混炼机将各成分混炼的方法等进行制造，但并不限于此。实施例以下，对本发明的实施例进行说明。首先，准备表1所示的铝粉A、B和表2所示的玻璃料，将它们作为实施例1 4和 比较例1 4的原料粉末。铝粉A通过用球磨机粉碎雾化粉来制备，使铝粒子具有预定的 平均粒径和平均长径比。铝粉B为雾化粉。另外，构成铝粉A的薄片状铝粒子的平均粒径 (表1中所示的铝粉A的平均粒径)、构成铝粉B的大致球状的铝粒子的平均粒径(表1中 所示的铝粉B的平均粒径)以及玻璃料的平均粒径(表2中所示的平均粒径)为通过激光 衍射法测定的值。另外，表1中所示的铝粉A、B的平均粒径是根据激光衍射法由7 ^ ” 口 卜，7々XlOO (日机装公司制造的测定器)测得。此外，构成铝粉A的薄片状铝粒子的平 均厚度，如上所述通过测定薄片状铝粒子的水面扩散覆盖面积后代入特定公式的计算方法 进行测定。使用这些测定值，如表1所示计算铝粉A的平均长径比。然后，以表3所示的比例混合表1所示的铝粉A、B和表2所示的玻璃料，同时，进 一步添加将乙基纤维素以相对于糊组合物占8质量％的方式溶解在乙二醇醚类有机溶剂 中而得到的物质作为有机载体，由此制作各种糊组合物(总量100质量％ )。具体而言，向作为有机载体的将乙基纤维素溶解在乙二醇醚类有机溶剂中而得到 的物质中，添加铝粉A、B及玻璃料，并利用公知的混合机进行混合，由此制得实施例1 4 及比较例1 4的糊组合物。另一方面，如图1所示，在作为形成有pn结(pn junction)的、厚度为160 μ m或 200 μ m、大小为125mmX 125mm的P型硅半导体衬底1的硅晶片的受光面上，形成由Ag构成 的栅极4。通过利用丝网印刷法以0. lkg/cm2的印刷压力在上述硅晶片的背面上涂布实施例 1 4和比较例1 4的糊组合物，将干燥后的涂布量调节为0.2g/片(使用250目的丝网 印刷版)或1.5g/片(使用160目的丝网印刷版)，从而形成糊组合物的涂布层。在温度100°C下使如上形成的涂布层干燥后，在红外线炉中以最高温度830°C进 行焙烧而形成背面电极层，制作实施例1 4和比较例1 4的试样。使用激光位移计(显示部LK_GD500、传感器LK_G85、均由株式会社* 一工> ^ 制造)测定如上制得的各试样的翘曲(变形)量。翘曲的测定方法如下所述。首先，使试样的背面(凹面)、即涂布了糊组合物的硅晶片的面朝下，置于平坦面 上。置于平坦面上的硅晶片如图2所示，连接Pl与P4的边和连接P2与P3的边与平坦面接 触，而连接Pl与P2的边与连接P3与P4的边由于翘曲而变形，因而向平坦面的上方隆起。由此，利用激光位移计在连接Pl与P2的边上边移动边进行测定时，作为来自激光 位移计的测定值，由于P2(或Pl)的位置与平坦面相接触，因此最小位移值(Xl)表示硅晶 片的厚度(包括背面电极层的厚度)，最大位移值(X2)表示硅晶片的厚度和翘曲(变形) 量的总计值。由此，根据来自激光位移计的测定值的最大位移值(X2)和最小位移值(XI)， 通过下式计算各试样的翘曲量。翘曲(mm)量=最大位移值(X2)-最小位移值(Xl)
然后，通过对相对侧的边、即连接P3与P4的边同样地使用激光位移计进行测定， 由上式计算翘曲量。
这样，计算出对连接Pl与P2的边进行测定而得到的翘曲量的值、和对连接P3与 P4的边进行测定而得到的翘曲量的值的平均值，作为各试样的翘曲量的值。此外，作为如上制得的试样的太阳能电池元件的转换效率(Eff)，使用太阳光模拟 器(WXS-155S-10 株式会社^ 二 Λ電創)，在温度25°C、AMI. 5G光谱的条件下，分别对实施 例1 4和比较例1 4的试样进行测定。以上的测定结果如表3所示。表 1 表2
成分系平均粒径(μ m)
玻璃料SiO2-Bi2O3-PbO 系 2表 3 由表3所示的结果可知，为了在比较厚的硅半导体衬底(厚200 μ m)上形成较薄 的背面电极层而使用本发明的糊组合物时(实施例1)，能够充分达到与使用现有的糊组合 物形成较厚的背面电极层时(比较例1)基本同等的BSF效果(转换效率)；为了在比较薄 的硅半导体衬底(厚160 μ m)上形成较薄的背面电极层而使用本发明的糊组合物时(实施例2 4)，能够达到与使用现有的糊组合物形成较厚的背面电极层时(比较例2)同等程度或基本同等的BSF效果，而且与使用现有的糊组合物在比较厚的硅半导体衬底(厚200 μ m) 上形成较薄的背面电极层时(比较例3)相比，能够大幅抑制焙烧后的硅半导体衬底的变 形。此外，使用现有的糊组合物形成较薄的背面电极层时(比较例3)、使糊组合物中含有少 量现有的由大致球状的铝粒子构成的铝粉来形成较厚的背面电极层时(比较例4)，只能得 到低的BSF效果。以上公开的实施方式和实施例均仅为例示，没有限制性。本发明的范围如请求保 护的范围所示而不是以上的实施方式和实施例，与请求保护的范围具有相等含义和范畴内 的所有修改和变形均包含在本发明中。产业上的利用可能性根据本发明，将使用含有薄片状铝粒子的铝粉作为糊组合物中的铝粉的本发明的 糊组合物，在较厚的硅半导体衬底上形成较薄的背面电极层、或在较薄的硅半导体衬底上 形成较薄的背面电极层中的任意一种情况下使用，均至少能够充分达到与使用现有的含有 由大致球状的铝粒子构成的铝粉的糊组合物形成较厚的背面电极层时同等程度或同等以 上的BSF效果。此外，为了在较薄的硅半导体衬底上形成较薄的背面电极层而使用本发明 的糊组合物时，能够达到与使用现有的含有由大致球状的铝粒子构成的铝粉的糊组合物形 成较厚的背面电极层时同等程度或同等以上的BSF效果，而且与使用现有的含有由大致球 状的铝粒子构成的铝粉的糊组合物形成较薄的背面电极层时相比，能够大幅抑制焙烧后的 硅半导体衬底的变形。
权利要求
一种糊组合物，用于在构成晶体硅太阳能电池的p型硅半导体衬底(1)的背面上形成电极(8)，并且含有铝粉作为导电性粉末，其中，所述铝粉含有薄片状铝粒子。
2.如权利要求1所述的糊组合物，其中，所述薄片状铝粒子的含量为10质量％以上、50 质量％以下。
3.如权利要求1所述的糊组合物，其中，所述薄片状铝粒子的平均粒径为3μπι以上、 60 μ m以下。
4.如权利要求1所述的糊组合物，其中，所述薄片状铝粒子的平均粒径相对于平均厚 度的比率、即平均长径比为30以上、600以下。
5.如权利要求1所述的糊组合物，其中，还含有有机载体和/或玻璃料。
6.一种太阳能电池元件，其设有将权利要求1所述的糊组合物涂布到P型硅半导体衬 底(1)的背面上后进行焙烧而形成的电极(8)。
全文摘要
本发明提供糊组合物及设有使用该糊组合物形成的电极的太阳能电池元件，该糊组合物在较厚的硅半导体衬底上形成较薄的背面电极层、或在较薄的硅半导体衬底上形成较薄的背面电极层中的任意一种情况下使用时，均能够达到与以往同等以上的BSF效果，用于在较薄的硅半导体衬底上形成较薄的背面电极层时，能够达到与以往同等以上的BSF效果，而且与使用现有的糊组合物形成较薄的背面电极层时相比，能够抑制焙烧后的硅半导体衬底的变形。糊组合物含有铝粉作为导电性粉末，并且铝粉含有薄片状铝粒子。太阳能电池元件设有将上述糊组合物涂布到硅半导体衬底(1)的背面上后进行焙烧而形成的背面电极(8)。
文档编号H01B1/22GK101868859SQ20088011638
公开日2010年10月20日 申请日期2008年11月20日 优先权日2007年11月21日
发明者加藤晴三, 大熊隆, 宫泽吉辉, 松村贤, 池田真和, 石桥直明, 菊地健, 越智裕 申请人:东洋铝株式会社