具有电极的基材、与其结合的有机发光装置、及其制造技术

专利名称：具有电极的基材、与其结合的有机发光装置、及其制造技术
具有电极的基材、与其结合的有机发光装置、及其制造本发明的主题是具有电极的基材、与其结合的有机发光装置、及其制造。已知的有机发光系统或OLED (有机发光二极管)包含通过以导电层的形式在其侧 面包裹的电极提供电流的有机电致发光材料或所述材料的堆叠。传统上，上电极是反射金属层，例如由铝制成，而下电极是基于氧化铟的透明层， 通常是公知缩写为ITO的掺杂锡氧化铟，厚度约为100-150nm。然而，对于大范围的均勻照 明，必须形成不连续下电极，典型地形成几mm2的电极区，以强烈降低每个电极区间的距离， 典型地为约十微米。应用由昂贵和复杂的光刻法和钝化技术。此外，文献US 7172822还提供了一种OLED装置，其最接近基材的电极包含由填充 有裂纹的掩膜得到的无规网状导体。更特别的是，在玻璃基材和OLED活性层之间，OLED装 置依次包含-金基下层；-溶胶-凝胶层，其在退火后形成微裂纹掩膜，具有0.4 μ m的厚度；-金基网状导体，由催化沉积得到，所述网状导体具有3Ω / 口的薄层电阻，和83% 的透光率；-50nm的聚(3，4-乙撑二氧噻吩)层。所述文献US 7172822的图3显示了硅石溶胶-凝胶掩膜的形态。其显示沿优选 方向取向的精细裂纹线的形式，具有弹性材料的破裂现象的分歧特征。所述主裂纹线偶尔 通过分歧结合在一起。裂纹线间的域是不均勻的，具有两个特征尺寸一个在0. 8-lmm间平行于裂纹扩 展方向，另一个在100-200 μ m之间垂直与裂纹扩展方向。 所述电极具有可接受的导电和透明性，薄层电阻等于3 Ω / □，透光率为82%。然 而，具有所述电极的OLED装置的可靠性不能保证。而且，电极的制造可以进一步改善。为了形成裂纹溶胶-凝胶掩膜，基于水、醇和硅石前体(TEOS)的溶胶被沉积，蒸发 掉溶剂，在120°C下退火30分钟。所述通过溶胶_凝胶掩膜的裂纹制造电极的方法组成了通过例如消除对光刻法 (将树脂曝光于辐射/光束并显影)的依靠而制造网状导体的方法，但是仍可以改进，尤其 是为了与工业需求(可靠性、制造步骤的简化和/或减少、降低成本等)兼容。还可以观察到，用于制造网状结构的方法不可避免地需要在开孔的(化学或物 理)可修饰的下层的沉积，以或者允许(例如金属胶体的)有利的附着，或者允许为金属后 生长而接枝的催化剂，从而，所述下层起到网状结构的生长方法中的官能作用。而且，由于弹性材料的断裂机理，裂纹的轮廓是V形，其包括后掩模法的应用，以 使金属网状结构从位于V形基础的胶体颗粒开始生长。本发明的目标是得到用于高性能(高传导率、适合的透明度)的OLED的电极，其 可靠、耐用、可再生，可以在大面积上生成，所有这些在工业规模上并优选以较低的成本和 尽可能容易地操作。优选的，所述电极还赋予OLED装置的全部性能(光输出、照明的均勻 性)的提升，
为此，本发明的第一目标是在一个主表面上具有复合电极的基材，其包含_由线形成的导电网络，其为由基于金属和/或金属氧化物的导电材料制成的层 (单层或多层)，网络结构在550nm处具有至少60 %的透光率，甚至至少60 %的综合透光率 Tl,线间的空间被所谓电绝缘填料的材料填充；_(完全)覆盖导电网络的导电涂层，厚度大于等于40nm，与线电连接并与线接触， 电阻率P 1小于105Ω. cm并大于形成网络结构的线的材料的电阻率，涂层形成电极的光滑 外表面；-复合电极还具有小于等于10Ω/□的薄层电阻。从而，依据本发明的复合电极包含掩埋的导电网络结构，其表面被抛光以避免将 电缺陷引入OLED中。依据其厚度(小于等于线的厚度)，填料显著降低，甚至消除电极网状结构的顶部 水平和底部水平间的差别。通过导电涂层，可以消除由线和/或线间的导电填料的表面的非受控表面微粗糙 度导致的穿刺效应产生的短路的风险。通过充分平滑的填料，或可控制粗糙度的填料，可以赋予消除由穿刺效应产生的 短路风险。因而，依据本发明的导电涂层使得或者使网状结构和填料平滑，或者至少保持预 先得到的平滑(例如通过抛光)成为可能。相反，文献US 7172822中所述的网状结构导体被薄聚合物层覆盖，其匹配网状结 构导体和裂纹掩膜间的高度差。通过所述依据本发明的掩埋的和平滑的网状结构电极的设计，从而可以保证OLED 的可靠性和再生性，并延长其使用寿命。因而，由可以相当厚和/或被隔开的线的网状结构制成的电极开始，本发明涉及 控制若干平面上的电极的粗糙度(首先通过掩埋网状结构以抑制不连贯的阶梯，而后通过 使其充分平滑)，确保适于由若干材料(线材料、填料、导电涂料)制成的电极的电性能和透 明性能，或甚至涉及OLED性能的改善。绝缘填料可以是单组份或多组分，单层或多层。漆可以优选不同于简单钝化树脂。填料有利地可以优选具有至少一个下列功能-为具有开孔的网状结构的掩膜，以形成导电网状结构；-具有平滑电极表面的作用，特别是通过选择可平面化的或平滑的材料(通过沉 积方法、其配方、其厚度的明智选择)；-作为提取OLED发射的辐射的方式。依据本发明的导电涂层，由于其电阻率、其覆盖的网状结构以及由于其厚度，赋予 更好的电流分布。导电涂层的电阻率P 1可以小于等于IO3 Ω. cm，甚至小于等于IO2 Ω. cm。网状结构可以是线的形式，例如平行线，或可以是封闭图案的形式(彼此相互连 接的线，定义网)，例如几何(矩形、正方形、多边形等)封闭图案以及可选的不规则形状和 /或不规则尺寸的图案。可以定义B作为线间的平均距离(特别是相应于平均目径)，A为线的平均宽度，B+A为可选的不规则网状结构的平均周期。线间的平均距离B越短(稠密网状结构)，导电涂层的电阻率越高。填料是绝缘 的。特别当网状结构是稠密的时(B典型地小于等于50 μ m)，电阻率Pl小于等于ΙΟ—1 Ω. c。当网状结构不是非常密时(B典型地大于50 μ m)，电阻率Pl更优选小于等于10_2 Ω. cm,或甚至小于等于10_4 Ω · cm。电阻率ρ 1可以至少比P 2大十倍，以降低短路的灵敏性。导电涂层的表面是电极的外表面。导电涂层的表面可以优选用于与OLED的有机 层接触特别是孔注入层(HIL)和/或孔传输层(HTL)。依据本发明的电极的表面没必要是平面的，通过涂层平面化。其可以是起伏的。尤其，导电涂层可以首先通过形成充分展开的波动使表面平滑。因此，消除锐利的 角、陡峭的裂口是重要的。优选的，外侧表面是这样的，由网状结构的平均周期B+A上的外 表面的实际轮廓起始，并通过由纳米级别过滤形成校正的轮廓，消除局部微粗糙度，得到通 过具有校正(或实际)轮廓的平均平面的校正轮廓的正切形成的角，其在校正轮廓的任何 点上小于等于45°，更优选还小于等于30°。对于所述角的测量，可以使用原子力显微镜。在网状结构的平方周期(A+B)2上形 成实际表面的图像。因此开发出沿给定轴形成表面的实际轮廓的所述图像或所述图像的一 部分。对于轮廓的分析长度A+B是明智的，因为其清楚地反射粗糙度的轮廓。网状结构的 平均周期B+A典型地是亚毫米的，优选10 μ m-500 μ m。通过(在任何点上)取50-200nm间的数值范围上的移动平均值校正实际轮廓，例 如lOOnm，而后，对于每个点，确定中间平面和轮廓的切线间的角度。从而，所述纳米尺度过 滤首先用于消除无规短尺寸。然而，为了尽可能地防止短路，柔化表面而不限制局部微粗糙度是不够的。因此，使用残余轮廓，即实际轮廓减去校正轮廓。因此，在网状结构的平均周期B+A 上，残余轮廓可以具有小于50nm的最高点和最低点间的最大高度差(“峰谷”参数)，更优 选还小于等于20nm，甚至10nm。在网状结构的平均周期B+A上，残余轮廓还可以具有小于等于50nm的RMS粗糙度 参数，甚至20nm(另外已知作为Rq)，甚至5nm。RMS代表“均方根”粗糙度。其是测量粗糙度的均方根偏差值的量度。因此，在具 体条件上，相比于平均(残余)高度，RMS参数量化残余粗糙度(局部微粗糙度)的峰和谷 的平均高度。因此，IOnm的RMS表示双峰振幅。自然地，角度和残余微粗糙度的限制条件可以优选满足绝大多数的电极表面。为 了验证，可以取全部表面上(均勻)延展的不同区域上的量度。优选取电极活性区域中的所述量度，特定区域，如电极的边缘，可以被钝化，例如 用于连接体系或形成若干发光区域。角度测量还可以用另一种方式，通过机械探针系统(例如，使用Veeco销售的商品 名为DEKTAK的测量仪器)。导电涂层的外表面还可以具有非常大范围的波动，典型地超过一或更多毫米。而 且，基材，以及因而外表面，可以是弯曲的。网状结构的透光率依赖于线间的平均距离B对线的平均宽度A的比率B/A。
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优选的，比率B/A在5-15间，还更优选约10，以容易地保留透明度并易于制造。例 如,B 禾口 A 分另Ij等于约 300 μ m 禾口 30 μ m、IOOym 禾口 10μπι、50μπι 禾口 5 μ m、或 20 μ m 禾口 2 μ m。特别的，选择小于30 μ m的线的平均宽度A，典型地为100rim-30 μ m，优选小于等于 10 μ m，甚至5 μ m,以限制其可见性，并大于等于1 μ m以易于制造和容易保留高传导性和透 明度。优选范围为1-10 μ m。特别的，还可以选择大于A的线间的平均距离B，5 μ m-300 μ m,甚至是20-100 μ m，
以易于保留透明度。由于网络结构可以是无规的和/或线的边缘可以是倾斜的，因此尺度A和B是平 均尺度。线的平均厚度可以为100nm-5 μ m,还更优选0. 5-3 μ m,或甚至0. 5-1. 5 μ m，以容
易地保持透明度和高传导率。有利地，依据本发明的复合电极可以具有-小于等于5Ω / 口的薄层电阻，甚至小于等于1 Ω / □，或甚至0. 5 Ω / □，特别对 于网状结构的厚度(甚至是总电极厚度)大于等于Iy m，优选小于10 μ m，甚至小于等于 5 μ m ；-和/或透光率IY大于等于50 %，更优选还大于等于70 %。依据本发明的复合电极可以用于底部发光有机发光装置，或用于底部和顶部发光 有机发光装置。透光率IY可以例如在具有约90%或更高的IY的基材上测量，例如钠钙硅酸盐玻
^^ ο依据本发明的复合电极可以具有大的面积，例如大于等于0.02m2的面积，甚至大 于等于0. 5m2或Im2。而且，导电材料的沉积，甚至是厚的沉积，可以覆盖线而不充分地使表面平滑。这 是因为化学汽相沉积(CVD)或物理汽相沉积(PVD)技术，特别是在真空下的沉积(蒸发、溅 射)再生或甚至放大初始表面的不规则性。而后，为了得到平滑的外表面，需要进行随后的 导电材料的表面操作，例如通过机械(抛光型)作用。而且，优选的，对于依据本发明的导电涂层(甚至也对于填料)，选择液体路线沉 积技术，特别是至少下列技术之一通过(平面、旋转等)印刷，特别是通过柔性版印刷，通 过蚀刻印刷或通过喷涂，通过浸渍涂布，通过帘式涂布、通过浇涂、通过旋涂、通过刮涂、通 过环棒式涂布、通过涂布、通过喷墨打印、或通过丝网印刷术。沉积还可以通过溶胶-凝胶 路线得到。特别的，液体薄膜的表面张力倾向于平滑表面不规则性。在线的顶部，导电涂层的厚度，单独或与下层导电层组合，可以为40-1000nm，优选 50-500nm。导电涂层可以，例如，包含或由透明传导性氧化物(TCO)层组成。可以优选选择单独的锡氧化物SnO2、锌氧化物ZnO、铟氧化物In2O3以及掺杂氧化 物，甚至是混合二元或三元氧化物，特别是一个或多个上述元素的混合二元或三元氧化物。 特别的，优选至少一个下列掺杂或混合氧化物-用至少一种下列元素掺杂或合金化的氧化锌铝、镓、铟、硼、锡(例如Ζη0:Α1、
8ZnO: Ga、ZnO: In、ZnO: B、ZnSnO)；-特别用锌(IZO)、镓和锌(IGZO)或锡(ITO)掺杂或合金化的氧化铟；-用氟或用锑掺杂的氧化锡(SnO2:F、SnO2:Sb)或任选用锑掺杂的锌合金化的氧化 锡；-用铌掺杂的氧化钛(TiO2= Nb)。对于填料，可以选择其他氧化物的材料，特别是高指数氧化物，特别是-氧化铌(Nb2O5)；-氧化锆(ZrO2)；-氧化钛(TiO2)；-氧化铝(Al2O3)；-氧化钽(Ta2O5)；-或氮化物，如Si3N4、AlN、GaN、任选地用&、或化学计量的碳化硅SiC掺杂。导电涂层可以，例如，包含含有金属纳米颗粒或透明传导性氧化物的纳米颗粒的 层，如上所述，优选10-50nm，以更好地限制和控制沉积的粗糙度，纳米颗粒任选和优选在粘 合剂中。填料可以，例如，包含或甚至由溶胶-凝胶层组成，特别基于单独或混合(非传导 性)金属氧化物，如上述那些。然而，得到厚溶胶-凝胶层是困难的，特别是具有超过200nm的厚度。填料可以，例如，包含或甚至由含有(纳米)颗粒或上述(非传导性)氧化物的层 组成。纳米颗粒的优选尺寸为10-50nm，以更好地限制和控制沉积的粗糙度，并通过上面 的导电涂层制备平滑。(纳米)颗粒是任选在粘合剂中的(纳米)颗粒。粘合剂可以是有机的，例如丙烯酸、环氧或聚氨酯树脂，或可以通过溶胶_凝胶路 线(无机或混杂有机/无机粘合剂等)生产。纳米颗粒可以从溶剂(醇、酮、水、二醇等)中的分散体中沉积。基于可以用于形成导电涂层的颗粒的市售产品为由Sumitomo MetalMining Co. Ltd.销售的下列产品-在(任选的)树脂粘合剂中并用酮溶剂分散的XlOO ，XlOO D ITO颗粒；-在醇溶剂中分散的X500 ITO颗粒；-在醇溶剂中的CKR 金涂布银颗粒；-CKRF 聚团金和银颗粒。由于在颗粒之间缺乏粘合剂，分散液单独没有非常高的机械抗性。因此，为了确保 涂层的结合，优选在其分散之前将其混入粘合剂中(粘合剂扩散至填充层的全部厚度上)。粘合剂可以是电绝缘或导电的。粘合剂可以是有机的，例如丙烯酸、环氧或聚氨酯树脂。粘合剂可以通过溶胶_凝胶路线(无机、或混杂有机/无机等)生产。粘合剂可 以基于有机金属前体，优选与金属氧化物的纳米颗粒相同化学属性的有机金属前体。涂层期望的电阻率作为配方的函数进行调节。
导电涂层(和/或填料)可以主要包含无机或混杂有机/无机层，例如特别基于 单独或混合的诸如前述的传导性和/或金属氧化物的溶胶-凝胶层。溶胶-凝胶甚至具有承受高热处理的优势(例如，浸渍涂布型操作)，并具有承受 UV曝光的优势。为了制造溶胶-凝胶层，优选选择市售的透明传导性氧化物的前体，特别是有机 金属化合物的前体或所述金属的盐的前体。因此，作为用于氧化锡沉积的前体的实例，可以选择SnCl4、锡酸钠、SnCl2 (OAc) 2或 Sn(IV)的醇盐，如Sn(OtBu)4。也可以选择已知作为锡前体的任何有机金属化合物或盐。对于氧化锑沉积，可以选择有机金属化合物和盐，特别是Sb(III)的醇盐和氯化 物，如 SbCl3 或 SbCl5。例如通过以适当的比例混合前体和通过使用与所述前体兼容的溶剂，得到混合和 /或掺杂氧化物层。例如，锑掺杂氧化锡层可以在尿素和盐酸的存在下，由氯化锡和氯化锑的水溶液 得到。另一个生产实例包含用在水/醇/乙醇胺混合物中的四异丙氧基锡作为前体并添加 氯化锑作为掺杂物。在Ka'iS Daoud 所著，Order No. 58—2003，2003 年 5 月 20 日在 Lyons presented and upheld，题目为“ ^ΑΒΟΚΑΤΙΟΝ ET CARACTERISATION DE FILMSMINCES D，OXYDE D’ INDIUM DOPE A L' ETAIN 0BTENUS PAR VOIE SOL-GEL” [通过溶胶-凝胶路线得到的 锡掺杂氧化铟的薄膜的生产和特征]的论文中的19-25页给出了 ITO层的溶胶-凝胶制造 的实例。也可以使用Sumitomo Metal Mining Co. Ltd.销售的商品名为DX-400 的产品。 这是基于锡和铟醇盐的膏状物，在有机溶剂和粘性调节剂中。由于成本的原因，复合电极优选具有有限的ITO含量。例如，基于有机金属前体的 ITO溶胶-凝胶层具有150nm的最大厚度，甚至是50nm。使用醇盐型金属氧化物的前体，例如在有机溶剂中稀释，例如挥发性醇。作为挥发 性醇，可以选择直链或支链Cl-ClO或15醇，特别是甲醇、乙醇、己醇、异丙醇、或二醇，特别 是乙二醇，或挥发性酯，如乙酸乙酯。用于沉积溶胶-凝胶层的组合物也可以有利地包含其他成分，特别是水作为水解 剂，或稳定剂，诸如双丙酮醇、乙酰丙酮、乙酸或甲酰胺。特别的，通常在水溶液中使用金属盐型的前体。水的PH可以通过用酸或碱调节 (例如盐酸、醋酸、氢氧化铵、氢氧化钠)以控制前体的浓度条件。也可以使用稳定剂，如双 丙酮醇、乙酰丙酮、乙酸或甲酰胺。沉积后，通常在20_150°C间进行干燥步骤，有利地在100°C的数量级的温度下，而 后在450-600°C的数量级的温度下热处理几分钟至几小时，有利地在550°C的数量级的温 度下热处理30min的数量级的周期。导电涂层可以基本上包含或由通过液体路线沉积的聚合物层组成，适当时，任选 可以形成用于填充层的氧化物(纳米)颗粒的粘合剂。例如，其是源于至少一个下列族的 一个或多个传导性聚合物的层-聚噻吩族，如PEDOT(3，4-聚乙二醇噻吩)，PED0T/PSS即与聚苯乙烯磺酸盐混合
10的3，4_聚乙二醇噻吩，和在申请US2004/253439中所述的其他衍生物；-或聚(乙炔)、聚(吡咯)、聚(苯胺)、聚(芴)、聚(3-烷基噻吩)、聚四硫富瓦 烯、聚萘、聚(对苯硫醚)、和聚(对苯撑乙烯)。作为聚噻吩，可以选择，例如，HC Strack销售的商品名为BAYTRON 的产品，或 Agfa 销售的商品名为 d，Orgacon 、或 d，Orgacon EL-P3040 的产品。传导性聚合物是电极的部分，还任选作为孔注射层。优选在550nm的透光率大于等于70%的导电涂层和/或填料，更优选在550nm还 大于等于80 %，或甚至在全部可见范围内。由前体生产的TCO层比由(纳米)颗粒生产的层更平滑。优选的，复合电极，至少，填料和/或导电涂层具有在CIELAB图中绝对值低于5的 色度坐标a*和b*。在本申请中，为了降低制造成本，网状结构排列可以直接通过导电材料的沉积得 到。从而，避免了构造后操作，例如干法和/或湿法蚀刻操作，其通常需要平版印刷过 程(将抗蚀剂在辐射下曝光并显影)。所述网状结构的直接排列可以直接通过一个或多个适合的沉积方法得到，例如用 印台、或通过喷墨打印(具有适合的喷嘴)。而且，导电网状结构可以直接通过由在基材上的掩膜中的开孔的网状结构的导电 沉积(永久掩膜或而后去除掩膜)得到，或甚至也可以通过在例如通过由所述掩膜的蚀刻 形成的基材的蚀刻网状结构中的导电沉积得到，所述掩膜的蚀刻例如从IOnm开始的深度， 优选不超过lOOnm，特别是50nm的数量级。这可以支持线的锚定。在玻璃基材的情况下，可以例如使用氟等离子体蚀刻，特别是在真空下，例如通过 CF4或CHF3。在氧化气氛下，可以控制掩膜的蚀刻率，特别当选择其为有机的时。而后，线的排列可以基本上是掩膜中的开孔的网状结构的复制，或蚀刻网状结构 的复制。优选选择无需使用退火操作即能稳定的掩膜。因此，可以优选一个或多个可以在常温下进行，和/或是简单的(特别是比不可避 免地需要使用催化剂的催化沉积简单的)，和/或给出稠密沉积的沉积技术。也可以选择非选择性沉积技术，沉积既填充了掩膜中或蚀刻网状结构中的开孔部 分，又覆盖了掩膜或基材的表面。而后可以去除掩膜，或可以抛光表面。特别地可以优选通过液体路线沉积，特别通过印刷、用导电油墨刮涂、和/或真空 沉积技术，如溅射，或还更优选挥发。沉积可以任选地用电解在充电完成，使用由Ag、Cu、Au或其他可用的高传导性金 属制成的电极。当导电网状结构被(部分或全部)以基材的蚀刻网状结构沉积时，特别是玻璃基 材，为了通过湿法蚀刻基材(例如用用于玻璃的HF溶液HF)，可以选择具有开孔的适合的网 状结构的溶胶-凝胶掩膜。有利地，导电网状结构，可视为自组织的，可以通过在基材上的掩膜中的自生开孔 的网状结构中的导电材料的沉积得到。
自生开孔的网状结构可以例如通过适合所述目的的材料的连续沉积的固化得到。 这可以是空隙、或特别是裂缝，如文献US 7 172 822所述的那些。生产所述自裂纹掩膜所必须的大量技术步骤的减少有利地影响产量和期望的终 产品的成本。自生开孔，以及从而线，可以是无规的，非周期或(伪)随机分布。在本发明的第一实施方案中，掩膜，优选具有自生开孔，在导电平滑涂层的沉积之 前被去除。在第一无掩膜构造中，导电涂层可以至少部分填充线间的空间，至少线间的上部 (离基材最远)。其厚度可以特别至少比线的高度大1. 5倍，或甚至两倍。在所述构造中，可以优选例如通过印刷、(特别通过柔性印刷术)、喷涂或浸渍涂 布沉积的导电涂层，涂层可以以一种或多种途径沉积。而且，还在有利的不含掩膜的构造中，可以提供下列性能-用填料填充线间的空间，优选高于线的全高度，所述填料是所谓的高指数填料， 至少在550nm的折射率大于等于1. 65，优选超过全部可见光范围，还更优选折射率在550nm 为1.65-2，或甚至超过全部可见光范围，优选线间的距离B小于等于50 μ m，更优选还小于 等于30μπι ；-以及线用无色反射材料(白色金属)制成，优选银和铝，或钼、铬、钯和镍。实际上，选择的填料具有至少大于等于活性OLED系统(典型地具有1. 7-1. 9的数 量级的光学指数)的指数-0.05。通过选择所述指数，OLED系统的导模的提取，以及通过足 够接近在一起的线，在线的边缘上提取的光散射是有利的。从而提高了 OLED的效率。而且，优选填料的吸收不是非常高，特别是具有小于KT2CnT1的可见光范围的吸 收。作为无机高指数填料，例如可以选择基于已经指出的金属氧化物的沉积，特别是 基于&02、Ti02、Al203或Ta205。所述氧化物可以在真空下沉积，优选通过液体路线。其可以 是凝胶_溶胶。作为溶胶-凝胶型高指数填料的实例，可以提及由金属前体与稳定剂复合得到的 混杂溶胶_凝胶层制成的填料。例如，由与乙酰丙酮复合的丙醇锆或钛酸四丁酯在醇介质 中的溶液得到层。当其不能经历高温热处理而产生相应的氧化物时，所述材料包含与有机 分子复合的金属氧化氢氧化物。可以通过起始于350°C的热处理去除有机官能团，得到无机 溶胶-凝胶层。作为高指数无机填料，也可以选择高指数玻璃粉(铅玻璃、铋玻璃等)，例如通过 丝网印刷术或喷涂沉积。作为高指数聚合物，可以提及由下列聚合物制成的聚合物聚(1-萘基甲基丙烯 酸酯-共-甲基丙烯酸缩水甘油酯)，具有IOmol %的甲基丙烯酸缩水甘油酯，聚(2，4，6-三 溴苯基甲基丙烯酸酯)，聚(2，4，6-三溴苯基甲基丙烯酸酯-共-甲基丙烯酸缩水甘油酯)， 具有IOmol %的甲基丙烯酸缩水甘油酯，聚(2，6-二氯苯乙烯)，聚(2-氯苯乙烯)，聚(2-乙 烯基噻吩)，聚(双(4-碘苯氧基)磷腈)，聚(N-乙烯基邻苯亚胺)，聚(五溴苄基丙烯酸 酯)，聚(五溴苄基甲基丙烯酸酯)，聚(五溴苄基甲基丙烯酸酯-共-甲基丙烯酸缩水甘 油酯)，具有IOmol %的甲基丙烯酸缩水甘油酯，聚(五溴苯基丙烯酸酯-共-甲基丙烯酸缩水甘油酯)，具有IOmol %的甲基丙烯酸缩水甘油酯，聚(五溴苯基丙烯酸酯-共-甲基丙 烯酸缩水甘油酯)，具有50mol %的甲基丙烯酸缩水甘油酯，聚(五溴苯基甲基丙烯酸酯)， 聚(五溴苯基甲基丙烯酸酯-共-甲基丙烯酸缩水甘油酯)，具有IOmol %的甲基丙烯酸缩 水甘油酯，聚(五溴苯基甲基丙烯酸酯-共-甲基丙烯酸缩水甘油酯)，具有50mol %的甲 基丙烯酸缩水甘油酯，聚(五氯苯基甲基丙烯酸酯)，聚(乙烯基苯基硫醚)，聚(乙烯基苯 基硫醚-共-甲基丙烯酸缩水甘油酯)，具有IOmol %的甲基丙烯酸缩水甘油酯。所述聚合 物例如由Sigma-Aldrich销售。另一种用于得到高指数填料的可能性包含选择具有高指数颗粒的透明材料，其是 聚合或无机的，并且可以选择已经提及的高指数材料。例如由&02、1102、51102或Al2O3制成 的颗粒。作为无机透明材料，可以选择合适的玻璃。作为溶胶-凝胶型透明材料，可以选择由四乙氧基硅烷(TEOS)，钠、锂或钾的硅酸 盐，或由有机硅烷型前体得到的混杂产生的硅石，其通式为R2nSi (ORl) 4_n其中η是0-2间的整数，Rl是CxH2x+1型烷基官能，R2是有机基团，包含例如烷基、 环氧基、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、胺、苯基或乙烯基官能。所述混杂化合物可以作为混合物 或单独使用，在具有适当的PH的水溶液中或水/醇混合物中。作为透明聚合物材料，可以选择硅树脂、环氧树脂、聚氨酯PU、乙烯/醋酸乙烯酯 EVA、聚乙烯醇缩丁醛PVB、聚醋酸乙烯酯PVA、和丙烯酸树脂。在一个有利的不含掩膜概念中，填料时漫射的，特别基于漫射颗粒。可以优选具有超过5%的雾化的漫射填料。漫射颗粒可以在粘合剂中分散，以混合物重量的1-80%的比例。所述漫射颗粒的平均粒径超过50nm，和亚微米级，优选100-500nm，或甚至 100-300nm。漫射颗粒的指数可以有利地大于1. 7，粘合剂的指数可以优选小于1. 6，例如硅石 或混杂有机硅树脂材料。漫射颗粒可以是有机的，例如由前述高指数聚合材料制成。优选的，所述漫射颗粒 可以是无机的，优选氮化物、碳化物或氧化物，氧化物选自氧化铝、氧化锆、钛、铈或至少两 种所述氧化物的混合物。漫射填料的粘合剂可以优选选自基本上无机粘合剂，诸如硅酸钾、硅酸钠、硅酸 锂、磷酸铝、硅石、和玻璃粉。作为混杂有机/无机粘合剂，可以提及由有机硅烷基粘合剂制成的那些，如前述 透明材料所述的。漫射填料可以通过任何本领域内的技术人员已知的层沉积技术沉积，特别是丝网 印刷术、涂料的涂布、浸渍涂布、旋涂、溅射、或浇涂。所述漫射填充层使提高OLED的效率成为可能，特别是对于相当大的线间距离， 即，30 μ m和甚至更大，以至100 μ m和更高。漫射填料可以仅仅部分填充空间，特别可以是网状结构间的较低部分的空间。漫射填料是绝缘的。从而其厚度可以优选为传导性线的高度的20% -100%，有利
13地为线厚度的50% -100%。作为填料，可以选择熔融玻璃粉或溶胶-凝胶层。许多化学元素可以作为溶胶_凝胶填充层的基础。作为基础组成材料，其可以包 含至少一个元素Si、Ti、Zr、Sb、Hf、Ta、Mg、Al、Mn、Sn、Zn、Ce的至少一个化合物。其可以 特别是单一氧化物或至少一个上述元素的混合氧化物。填料优选可以主要基于硅石，特别 为了其与无机玻璃的附着以及其与无机玻璃的兼容性。硅石层的组分材料的溶胶前体可以是硅烷，特别是四乙氧基硅烷(TEOS)和/或甲 基三乙氧基硅烷(MTEOS)，或锂、钠或钾的硅酸盐。硅石可以是通过如上述已经提及的通式为R2nSi (ORl)4_n的化合物得到的混杂。优选的填料可以优选通过丝网印刷、浸渍涂布或喷涂沉积。传导性下层涂料可以 优选通过印刷，特别通过柔性印刷、浸渍涂布或喷涂沉积。而且，如已经指出的，可以保留具有自生开孔的网状结构的掩膜，线填充，优选完 全地填充掩膜的网状结构中的开孔，从而填料相应于所述掩膜。所述掩膜优选是可平面化的，尤其通过机械抛光，优选下至线的表面水平。而且如 果必要，抛光可以去除掩膜表面上的传导性材料，导致用于网状结构导体的材料的非选择 性沉积。由于抛光，任选地可以选择通过化学或物理气相路线沉积导电涂层。例如，可以选择溶胶-凝胶掩膜，优选基于硅石，厚度可以超过一微米或更高。这可以特别是由硅酸钾、硅酸锂或硅酸钠得到的无机硅石的溶胶-凝胶层。也可以是由通式为R2nSi(0Rl)4_n的前体的浓缩溶胶得到的混杂硅石的溶胶-凝胶 层，其中η是0-2间的整数，Rl是CxH2x+1型烷基官能，R2是有机基团，优选具有烷基、环氧 基、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、胺、苯基或乙烯基官能。所述混杂化合物可以作为混合物或通过其本身使用，在具有适当的pH的水溶液 中或水/醇混合物中。使用20-60%的A质量浓度的前体，优选35-55%。通过控制浓度和 掩膜的干燥条件，可以调节B/A的比率。导电网状结构可以是复合材料，特别是多层结构。而且，导电网状结构可以包含或由基于金属氧化物的层组成，所述金属氧化物是 便宜和易制的，例如氧化锌ZnO、或氧化锡SnO2，或混合氧化铟和氧化锡ΙΤ0。所述金属氧化 物例如通过真空沉积、磁控溅射、或离子束溅射沉积。导电网状结构可以基于选自银、铝、或甚至钼、金、铜、钯、铬的纯金属材料，或基于 所述材料与至少一个其他材料的合金或掺杂，所述其他材料为Ag、Au、Pd、Al、Pt、Cu、Zn、 Cd、In、Si、Zr、Mo、Ni、Cr、Mg、Mn、Co、Sn。导电网状结构可以包含或由主要为金属材料(连续介质)制成的层和/或基于分 散在基质中的金属颗粒的层组成，所述基质可以是导电或非导电的，例如用传导性颗粒，特 别是银填充的油墨，如InkTec销售的产品TEC-PA-030 ，其可以通过刮涂沉积。如已经可见的，沉积，特别是金属沉积，可以任选的通过使用由Ag、Cu、Au或另一 个可用的高传导性金属制成的电极进行电解液再充电而完成。线可以是多层结构，特别是由前述材料，特别是银、铝制成的第一金属层，任选地 用铜包裹，和用于防止腐蚀(水和/或空气)的覆盖层，例如金属的，由镍、铬、钼或其混
14合物或TCO氧化物制成的，厚度起始于lOnm，典型地为20-30nm，例如上至200nm或甚至 lOOnm。例如，覆盖层通过挥发或溅射沉积。优选的，依据本发明的复合电极(线、填料、导电涂层)可以主要是矿物质，还更优 选基材也是玻璃基材。基材可以是平面或弯曲的，也可以是硬质、软质或半软质的。其主面可以是矩形、正方形或甚至任何其他形状(圆形、椭圆形、多边形等)。所述 基材可以是大尺寸的，例如表面积大于0. 02m2或甚至0. 5m2或lm2，并且一个下电极基本上 占有全部表面积(除了构造区域之外)。基材可以基本上是透明的，无机的，或由诸如聚碳酸酯PC或聚甲基丙烯酸甲酯 PMMA或PET、聚乙烯醇缩丁醛PVB、聚氨酯PU、聚四氟乙烯PTFE等的塑料制成。基材优选是玻璃基材，特别是由钠钙硅酸盐玻璃制成的。基材可以有利地是在OLED辐射的波长下，吸收系数小于2. 5m—1的玻璃，优选小 于0.7m-1。例如所选的钠钙硅酸盐玻璃具有低于0.05%的Fe III或Fe2O3，特别是产自 Saint-Gobain Glass 的 Diamant 玻璃、产自 Pilkington 的 Optiwhite 玻璃、产自 Schott 的 B270玻璃。可以选择文献WO 04/025334中描述的所有超清晰玻璃组合物。基材的厚度，特别是所选的玻璃基材，可以至少为0. 35mm，优选至少0. 7mm。基材平板的边缘也可以是反射的，优选具有镜面，以使导入的放射线最适宜地循 环，而且边缘形成与OLED系统相关的外角大于等于45°但小于90°的主面，优选大于等于 80°，以将辐射引导至更宽的提取面积上。从而，平板可以是斜面。而且，文献US 7 172 822中所述的电极的制造方法不可避免地需要可以在裂纹 上修饰的亚表层的沉积，以允许用于金属后生长的催化剂接枝，所述亚表层因而在网状结 构的生长过程中具有官能作用。所述亚表层也可以具有下列缺点之一-对钠钙玻璃基材的低附着力；-在碱性介质中的不稳定性，通常在基材的洗涤期间使用碱性介质；_在高温热处理(高温回火、退火等)期间的不稳定性。因此，依据本发明的复合电极优选可以直接在基材上，特别是玻璃基材。而且，为了利于电极的能量供给和/或为了形成多重发光区域，依据本发明的复 合电极可以是不连续的，典型地形成至少彼此绝缘的电极区，优选一个或多个平行排列的 复合电极区。为了达到所述情况，例如用激光蚀刻复合电极，产生的开孔用钝化材料填充， 例如聚酰胺。具有如前所述的复合电极的基材还可以包含直接沉积在外表面上的有机发光体系。本发明还涉及与具有前述复合电极的基材相关的有机发光装置，复合电极形成所 谓的下电极，最接近基材。有机发光装置可以包含-一排复合(下)电极区；-至少一个由有机电致发光材料制成的非连续层，以电致发光层区的形式排列在 复合(下)电极区上；和
-具有导电层的非连续上电极，以电极区的形式排列在电致发光层区上。各种类型的连接是可以的_所有电致发光区的单独串联；_串联和并联的组合；-特定对每一排的串联。需要记住的是，在串联中，电流由上电极区向邻近的下电极区流动。对于每排的串联，电致发光层区可以在排列方向上偏离下电极区，沿给定方向，而 上电极区可以在排列方向上和在相同方向偏离电致发光区。分离的排的电致发光区之间的距离可以大于给定排的区间的距离，优选100 μ m 以上，尤其是100 μ m-250 μ m。因而，每排是独立的。如果每排中的区域之一有缺陷，整个排仍然可以运行。相邻 排是完好的。依据本发明的有机发光装置可以提供或不提供电线。形成集电器或电流分配器的一部分的两个连续或非连续电线带可以分别与复合 下电极的外围边缘和上电极的外围边缘电接触。所述电线带连接优选具有0. 5-10 μ m的厚度和0. 5nm的宽度，可以是各种形式-由下列金属僅0、六1、0、而之一或诸如临0、六1而的合金制成的金属单层-由下列金属形成的金属复层Mo、Al、Cr、NcUnMoCr/Al/MoCr；-由传导性珐琅制成的，例如含银并经丝网印刷的；-由传导性材料或用传导性颗粒填充的材料制成并用喷墨印刷沉积的；或-由传导性聚合物制成的，或者用例如银的金属掺杂或者没有掺杂。对于上电极，可以使用薄金属层，称为TCC(透明传导性涂层)，例如由Ag、Al、Pd、 Cu、Pd、Pt、In、Mo、Au制成，典型地依据期望的透光率/光反射率具有5-50nm的厚度。上电极可以是导电层，有利地选自金属氧化物，尤其是下列材料掺杂氧化锌，尤 其是铝掺杂氧化锌ZnO: Al或镓掺杂氧化锌ZnO: Ga，或者是掺杂氧化铟，尤其是锡掺杂氧化 铟(ITO)或锌掺杂氧化铟(IZO)。更通常的，可以使用任何类型的透明导电层，例如被称为TCO(透明传导性氧化 物)层的层，例如厚度为20-1000nm。OLED装置可以产生单色光，尤其是蓝光和/或绿光和/或红光，或可以调节以产生 白光。为了产生白光，若干方法是可行的在单层上混合化合物(红、绿、蓝光发射)；在 三个有机结构(红、绿、蓝光发射)或两个有机结构(黄和蓝)的电极表面上堆叠；在电极 表面上，三个相邻有机结构(红、绿、蓝光发射)的串联，一个有机结构用一种颜色，并在其 他适合的磷层的表面上。OLED装置可以包含多重相邻的有机发光体系，每个发射白光，或通过三个发射红、 绿和蓝光的串联，所述体系例如串联连接。每排可以例如发射给定的颜色。OLED装置可以形成多层玻璃单元的一部分，尤其是真空玻璃单元或具有空气层或 另一种气体层的玻璃单元。装置还可以是单片，并包含单片玻璃单元，以更紧凑和/或更
16壳。OLED体系可以与另一个平面基材粘合，或优选层压，被称为覆盖层，优选是透明 的，如玻璃，使用层压夹层，尤其是超清晰夹层。层压玻璃单元通常包含两个硬质基材，在其之间放置热塑性聚合物片或所述片的 重叠。本发明还包括所谓的“不对称”层压玻璃单元，特别使用玻璃型硬质载体基材和作为 覆盖基材的一个或多个保护聚合物片。本发明还包括具有至少一个基于弹性体型的单侧或双侧附着聚合物的夹层片的 层压玻璃单元(即，不需要传统条件的层压操作，即，需要通常在压力下加热以软化热塑夹 层片并使其粘合的层压)。在所述构造中，用于在载体基材上固定覆盖物的方式可以是层压夹层，尤其是热 塑性片，例如聚氨酯(Pu)、聚乙烯醇缩丁醛(PVB)或乙烯/醋酸乙烯酯(EVA)，或热固性单 组份或多组分树脂(环氧、PU)或可紫外固化单组份或多组分树脂(环氧、丙烯酸树脂)。 优选片基本上具有与覆盖物和基材相同的尺寸。层压夹层可以防止覆盖物弯曲，尤其是对于大型装置，例如面积超过0. 5m2。特别的，EVA提供许多优势-其含有很少或不含以体积计的水；-其不必需要高压加工。热塑性层压夹层可以优选为由铸造树脂制成的覆盖物，因为其即更容易实施，又 便宜，并可以更加密封。夹层任选包括在其内表面中设定的导电线圈的网状结构，面向上电极，和/或在 覆盖物的内表面上的导电层或导电带。OLED体系可以优选位于双玻璃单元的内侧，尤其具有惰性气体(例如氩)层。而且，在具有依据本发明的电极的基材相对的表面上或在其他基材上添加具有给 定的官能性的涂层是有利的。这可以是防雾涂层(使用亲水层)，防污层(包含TiO2的光 催化涂层，至少部分以锐钛矿的形式结晶)，或诸如Si3N4/Si02/Si3N4/Si02型的防反射复层， 或诸如氧化钛(TiO2)层的UV过滤器。其也可以是一个或多个磷层，镜面层或至少一个散 射光提取层。本发明还涉及各种可以放置所述OLED装置的应用，所述装置形成一个或多个发 光表面，其是透明和/或反射性的(镜面功能)，既可以置于室外也可以置于室内应用中。所述装置可以形成，(可选的或组合的)，照明、装饰、建筑等系统中，或指示显示 板——例如制图、标示或文字与数字指示类型，尤其是紧急出口面板。OLED装置可以排列以形成均勻发光，尤其是均勻照明，或产生不同的光区，具有相 同或不同的强度。相反，可以开发差异照明。有机发光体系(OLED)产生直射光区，通过由基材的厚 度的总反射导致的OLED发光的提取得到另一个发光区，选择所述基材由玻璃制成。为了形成所述其他发光区，提取区可以邻接OLED系统或在基材的另一侧上。提取 区(zone)或区(zones)可以起例如增加由直射光区提供的照明的作用，尤其是用于建筑照 明，或者显示发光面板。提取区(zone)或区(zones)优选以一个或多个，尤其是均一的，光 带的形式，其优选位于一个表面的边缘。所述带可以例如形成高亮结构。
通过至少一个下列位于提取区的方式完成提取漫射层，优选基于无机颗粒和优 选用无机粘合剂；由漫射制成的基材，尤其是有织纹或粗糙的基材。两个主面可以每个具有一个直射光区。当选择透明的OLED系统的电极和有机结构时，可以特别地生产照明窗。从而对室 内照明的改善不会对透光率产生损害。还通过限制光反射，尤其是在照明窗的外侧，也可以 控制反射水平，例如从而有效地达到建筑物立面的防耀眼标准。更广泛的，装置，尤其是部分或完全透明装置，可以_用于建筑物，如外部发光玻璃，内部发光隔离物或发光玻璃门(或门的一部分)， 尤其是滑动门；-用于运输工具，如发光顶、发光侧窗(或窗的部分)、陆上、水上或空中交通工具 的内发光隔离(小轿车、卡车、火车、飞机、轮船等)；-用于城市或专业设备，如公交车候车厅面板、显示计数器墙、珠宝展示或商店橱 窗、温室墙壁、或发光瓷砖；_用于室内家具、搁板或橱柜元件、橱柜立面、发光瓷砖、天花板、发光电冰箱搁板、 水族箱壁；_用于电子设备的背光，尤其是显示屏，任选的双屏，如电视或计算机屏，触摸屏。例如，可以涉及双侧屏具有不同尺寸的背光，小屏优选与Fresnel棱镜相关以聚 光。为了形成照明镜面，电极之一可以是反射的，或镜面可以位于OLED系统的对面， 如果在直射光区的仅仅一侧上的优先照明是期望的。其还可以是镜面。发光面板可以用于照明浴室壁或厨房操作面，或可以是天花板。依据使用的有机材料，OLED通常分为两个宽泛的族。如果由小分子形成电致发光层，装置被称为SM-OLED(小分子有机发光二极管)。 所述薄层的有机电致发光材料包括挥发性分子，例如复合AlQ3(三(8-羟基喹啉)铝)、 DPVBi (4,4' -(二苯乙烯)联苯)、DMQA(二甲基喹吖啶酮)或DCM(4-(二氰基亚甲基-2-甲 基-6-(4-二甲氨基苯乙烯基)-4H-吡喃)。发光层还可以是例如用fac-三(2-苯基吡啶) 铱[Ir(ppy)3]掺杂的4，4'，4〃 -三(N-咔唑)三苯胺(TCTA)层。通常，SM-OLED的结果包括HIL (孔注射层)、HTL (孔传输层)、发光层和ETL (电子 传输层)的堆叠。孔注射层的实例是酞菁铜(CuPC)，而孔传输层的实例可以是N，N'-双 (萘-1-基)-N，N'-双(苯基)对二氨基联苯(α-ΝΡΒ)。电子传输层可以包含三-(8-羟基喹啉)铝(AlQ3)或红菲咯啉(BPhen)。上电极可以是Mg/Al或LiF/Al层。有机发光堆叠的实例是例如在文献US 6645645中描述的。如果有机电致发光层是聚合物，装置被称为PLED (聚合物发光二极管)。薄层有机电致发光材料包含CES聚合物(PLWD)，如代表聚(对苯撑乙烯)的PPV、 PPP (聚(对苯乙烯))、D0-PPP (聚(2-癸氧基-1，4-亚苯基))、MEH-PPV (聚[2-(2'-乙基 己氧基)-5_甲氧基-1，4-苯撑乙烯])、CN-PPV(聚[2，5-双(己氧基)-1，4-亚苯基-(1-氰 乙烯)])或PDAF(聚二烷基芴)，聚合物层还与促进孔注射层(HIL)结合，所述促进孔注射层包含例如PEDT/PSS (聚(3，4-乙烯-二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯))。PLED的一个实例包含下列堆叠-用聚(苯乙烯磺酸酯)掺杂的聚(2，4_乙烯二氧噻吩)(PED0T:PSS)的层，厚度 为50nm ；和-苯基聚(对苯撑乙烯)Ph-PPV层，厚度为50nm。上电极可以是Ca层。本发明还涉及在如前所述的载体基材上制造复合电极的方法，在第一构造中包含 如下步骤-直接形成导体的网状结构排列的第一步，包含至少一个如下沉积-通过印台或通过传导性油墨喷射打印在基材上沉积网状结构的导电材料；-在基材的蚀刻网状结构上沉积，优选玻璃基材；-包含通过液体路线沉积导电涂层(不同于或非源自于导电填料)的第二步。或者，在第二构造中，包含下列步骤-直接形成导体的网状结构排列的第一步，包括在优选的玻璃基材上通过一层沉 积导电材料，被称为掩膜，具有自组织为网状结构的开孔，直到一部分开孔的深度已被填 充；_任选地，在第一步前，通过掩膜的开孔蚀刻基材，从而在基材上部分(或完全)锚 定网状结构；-去除掩膜；-包含通过液体路线沉积导电涂层的第二步。如已经指明的，在掩膜中和/或在蚀刻的网状结构中的网状结构的导电材料的沉 积优选可以通过简单的非选择性沉积实施，优选通过真空沉积，特别是通过挥发，或通过液 体路线，特别通过用传导性油墨刮涂、通过浸渍涂布、或通过(平面或旋转)印刷。所述沉 积任选地通过用诸如金、银或铜的金属进行电解在充电而完成。在第二构造中，依据本发明的方法包含形成掩膜的第一步，包含-在被称为掩膜层的层的(裸露或涂布)基材上沉积；-掩膜层的固化(如果层是液体，即为干燥)，直到得到形成所述掩膜的网状结构 开孔。掩膜层有利地可以是分散在溶剂中的稳定胶体颗粒的溶液，尤其是基于丙烯酸共 聚物的胶体的水溶液。可以得到形成掩膜的基本上直边开孔的二维网状结构，其在至少一个方向上具有 开孔的随机、非周期性网眼。所述开孔的网状结构基本上比裂纹的硅石溶胶_凝胶掩膜具有更多的交互连接。 通过所述依据本发明的方法，从而形成可以在全部表面上分布的开孔的网孔，其使得到各 向同性成为可能。因而，掩膜至少在一个方向，或甚至在两个(所有)方向上具有随机、非周期结构。由于所述特别方法，可以以较低的成本得到包含适合的性能尺寸的随机(形状和 /或尺寸)、非周期单元的掩膜-网状结构的(平均)宽度A为微米尺度，或甚至纳米级，特别是在几百纳米到几十微米，尤其是200nm-50 μ m ；-单元的(平均)尺寸B为毫米级或甚至亚毫米级，尤其是5-500μ m，或甚至 100-250 μm。-Β/Α的比率可调，特别的，作为颗粒属性的函数，尤其是7-20或甚至40 ；-在掩膜的给定区域，或甚至在绝大部分或全部表面上，开孔的最大宽度与开孔的 最小宽度之间的差别小于4，或甚至小于等于2 ；-在掩膜的给定区域，或甚至在绝大部分或全部表面上，最大网孔(单元)尺度与 最小网孔尺度间的差别小于4，或甚至小于等于2 ；-在掩膜的给定区域，或甚至在绝大部分或全部表面上，开孔网孔(非开口或“盲” 空隙)的量低于5%，或甚至小于等于2%，因而具有有限的或甚至几乎为零的网状结构破 裂，其任意地通过网状结构的蚀刻被降低并抑制。-对于给定的网孔，绝大多数或甚至全部的给定区域中或全部表面上的网孔，网孔 的最大尺度和最小尺度之间的差别小于2，以强化各向同性；和_对于网状结构的绝大多数或甚至全部片段，边缘为恒定间距的、平行的，特别是 10 μ m级(例如用200倍的光学显微镜观察)。宽度A例如可以为1-20 μ m，或甚至1-10 μ m，而B可以是50-200 μ m。这使得随后生产由平均线宽确定的栅格成为可能，所述平均线宽基本上与开孔和 线间的(平均)间距一致，所述平均间距基本上与(网孔的)孔间的间距一致。特别的，线的 尺寸可以优选为几十微米到几百纳米之间。B/A的比率可以在7-20间选择，或甚至30-40。由开孔限定的网孔是不同形状的，典型的具有三、四或五条边，例如主要有四条 边，和/或不同尺寸，随机和非周期分布的。对于绝大多数或全部网孔，一个网孔的两个相邻边间的角度可以为60° -110°， 尤其是80° -100°。在一个构造中，用(任选大约平行的)开孔和(任选大约垂直于平行网状结构的) 开孔的二级网状结构得到主网状结构，其位置和距离是随机的。二级开孔的宽度例如小于 主开孔。干燥导致掩膜层的收缩以及在层内的张力导致的表面上的纳米颗粒的摩擦，通过 放松形成孔。与硅石凝胶-溶胶不同，溶液是天然稳定的，具有已经形成的纳米颗粒，优选不含 (或含有可以忽略的量的)聚合物前体类型的活性元素。在一个步骤中，干燥导致溶剂的消除和孔的形成。干燥后，得到纳米颗粒簇，簇具有不定的尺寸，并通过本身不定尺寸的孔分离。为了在全部深度上得到孔，必须_选择有限尺寸的颗粒(纳米颗粒)，以促进其分散，优选特征(平均)尺寸为 10-300nm，或甚至 50_150nm ；和_(尤其通过用表面电荷处理，例如用表面活性剂，通过控制pH)稳定化溶剂中的 颗粒，以防止其聚团、沉淀和/或由于重力而沉降。另外，调节颗粒的浓度，优选为5wt%，或甚至IOwt% -60wt%，更优选20%-40%o 避免添加粘合剂。
溶剂优选为水基的，或甚至完全是水的。在第一实施方案中，胶体溶液包含聚合纳米颗粒(并优选具有水基，或甚至完全 是水的，溶剂)。例如，选择丙烯酸共聚物、苯乙烯、聚苯乙烯、聚(甲基)丙烯酸酯、聚酯或 其混合物。在第二实施方案中，溶液包含无机纳米颗粒，优选硅石、氧化铝、或氧化铁。由于颗粒具有给定的玻璃转化温度Tg，沉积和干燥可以优选在低于所述温度Tg的 温度下实施，以更好地控制栅格掩膜的形态学。本方法的沉积和干燥步骤尤其可以(基本上)在常温下进行，典型地在20-25°C 下。不需要退火。给定的颗粒的玻璃转化温度Tg和干燥温度间的差别优选大于10°C，或甚至20°C。本方法的沉积和干燥步骤可以基本上在大气压力下进行，而不是例如在真空下干
O可以修改干燥参数(控制参数)，尤其是湿度和干燥速率，以调节B、A、和/或B/A 的比率。 湿度越高(所有其他条件均相同)，A越低。温度越高(所有其他条件均相同)，B越高。通过修改选自压实胶体和基材表面间的摩擦系数、纳米颗粒的尺寸、挥发速率、起 始颗粒浓度、溶剂属性和依赖于沉积技术的厚度的控制参数，可以调节B/A速率。掩膜的边缘基本上是直线的，即沿相对于表面80-100°的中间平面，或甚至 85-95°。由于直线边缘的原因，沉积层中断(沿边缘没有或很少沉积)，因而可以去除涂布 的掩膜而不损害栅格网状结构。由于简单性，用于栅格材料的沉积的定向技术可以是有利 的。沉积可以既穿过空隙又在掩膜上进行。可以在进行第一沉积步骤之前清洁网状结构开孔，优选用大气压力等离子源。用于胶体基掩膜层的沉积的表面是成膜表面，特别是如果溶剂是水的话，为亲水 表面。这是基材的表面玻璃、塑料(例如聚碳酸酯)，或任选地官能添加亚层亲水层(硅 石层，例如在塑料上)和/或碱金属阻挡层和/或促进栅格材料的附着力的层，和/或(透 明)导电层。所述亚层不必是用于栅格材料的电解沉积的生长层。在掩膜层之间，可以有若干亚层。因而，依据本发明的基材可以包含压层(尤其是基础层，最接近基材)，其是连续 的，并可以阻挡碱金属。其保护栅格材料不受任何污染(可以导致诸如剥离的机械缺陷的污染)，在导电 沉积的情况下(特别是形成电极)，另外保护其电导率。依据不同的技术，基础层是耐用、快速和易于沉积的。其可以例如通过高温分解技 术沉积，尤其以气相(通常表示为“化学汽相沉积”，缩写为CVD的技术)。所述技术对于本 发明是有利的，因为沉积参数的适当调整可以得到用于增强阻挡的非常稠密的层。基础层可以任选用铝和/或硼掺杂以使其在真空下的沉积更加稳定。基础层(单 层或多层，任选被掺杂)可以具有10-150nm的厚度，更优选15-50nm。
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基础层可以优选-基于氧化硅、碳氧化硅，通式为SiOC的层；-基于氮化硅、氧氮化硅、氧碳氮化硅，通式为SiNOC的层，尤其是SiN，特别是
Si3N40最特别的，可以优选(主要)由掺杂或未掺杂氮化硅Si3N4制成的基础层。非常快 速地沉积氮化硅，形成对碱金属的卓越阻挡。作为促进金属栅格材料(银、金)的附着力的层，尤其是在玻璃上的附着力，可以 选择基于NiCr、Ti、Nb、Al的层，单独或混合的、掺杂或未掺杂金属氧化物(ΙΤ0等)，例如厚 度小于等于5nm。当基材是疏水性时，可以添加亲水层，如硅石层。还在第二构造中，在第二沉积步骤前，提供去除步骤，优选通过液体路线，例如通 过选择性化学溶解掩膜(在水、醇、酮或酸或碱溶液中)，任选当加热和/或借助超声时，直 到显露出所述导电网状结构。再次在第二构造中，在第二沉积步骤前，可以提供掩膜去除步骤，例如通过选择化 学溶解掩膜(在水、醇或酸或碱溶液中)，直到显露出所述导电网状结构。在第一构造或第二构造中(在除去掩膜直到显露出所述导电网状结构后)，可以 提供更薄的填料沉积。所述涂料可以任选还是漫射的、高指数的，并由已经描述的材料制成，特别是其可 以是溶胶-凝胶层。依据所选的材料和配方，沉积可以例如通过印刷、丝网印刷、用油墨刮涂、浸渍涂 布或喷涂实施。在第一构造或第二构造中(在除去掩膜直到显露出所述导电网状结构后)，可选 的，可以提供用可平面化填料填充线和覆盖导电网状结构的步骤，任选热处理，而后通过机 械抛光步骤直到在第二步前得到导电网状结构和基本上等高的填充层，并具有充分平滑的 表面。所述可平面化填充层可以被丝网印刷，例如用玻璃粉，或可以是溶胶_凝胶层，优 选透明的，例如已经描述的无机或混杂硅石层。所述填充层是绝缘的；当然平面化必须能使线的表面处于与上层导电涂层电接 触。热处理例如用于熔融玻璃粉，或在溶胶_凝胶层的情况下用于去除溶剂和/或使 层稠密。当然，若干热处理是可以的。由于抛光，第二沉积步骤甚至可以是汽相沉积步骤，特别是通过溅射简单传导性 金属氧化物，其掺杂和/或混合氧化物，如已经描述的那些。在第二构造中，使用保留和可抛光掩膜，如已经描述的混杂溶胶-凝胶掩膜，可以 进行机械抛光步骤直到在第二步前得到导电网状结构和基本上等高的填充层，并具分平滑 的表面。而且，由于抛光，第二沉积步骤甚至可以是汽相沉积步骤，特别是通过溅射简单传 导性金属氧化物，其掺杂和/或混合氧化物，如已经描述的那些。优选复合电极，至少是导电涂层，是耐下列OLED制造步骤的
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-200°C 下耐 Ih-耐pH13(清洁溶液)-耐pHl.5-2 (特别是在OLED堆叠前，当沉积用于导电涂层的PEDOT时)-耐剥离性(胶带测试)现在将通过非限制性实施例和附图对本发明进行更详细地描述-

图1是第一有机发光装置的示意性截面图，其包含依据本发明的第一实施方案 的复合下电极；-图2说明了图1的装置中使用的电极的网状结构的示意性顶视图；-图3是第二有机发光装置的示意性截面图，其包含依据本发明的第二实施方案 的复合下电极；-图4是第三有机发光装置的示意性截面图，其包含依据本发明的第三实施方案 的复合下电极；为了明确，必须提及所示目标的不同元素未按比例绘制。有机发光装置实施例1有意高度示意性的图1显示了有机发光装置100的截面图(从基材发射或“底部 发射”)。所述装置100包含透明的钠钙硅酸盐玻璃的平面基材1，例如是矩形的，厚度为 0. 7mm，具有第一和第二主面11、12。第一主面11包含-复合下电极2，随后详细解释；-有机发光系统3，例如具有下列结构的SM-OLED- α -NPD 层；-1^^+11~( 7)3层；-BPhen 层；-LiF 层；-反射上电极4，特别是金属性的，特别是基于银或铝。更特别的，复合下电极2首先包含1 μ m厚的非周期网状结构导体21，由无规银基 线形成，平均宽度A约为3 μ m,彼此间的间隔约为30 μ m的平均距离B，B/A的比率为10。以所述方式，通过B/A和厚度的明智选择，所述网状结构21的低薄层电阻特别地 约为0.6 Ω/口。所述网状结构21的透光率I；约为70%，和线是肉眼不可见的。任选地，可以在金属线上沉积用于防腐蚀的覆盖层，所述覆盖层由镍或铬制成，厚 度约为lOnm，从而形成复合线。在网状结构21的线间使用由粒径小于50nm的TiO2纳米颗粒形成的高指数填充 层23。指数约为1.8。所述层23可以用溶剂沉积，而后挥发。所述层23改善了有机层中 的导模的提取。由通过液体路线沉积的PED0T/PSS制成的导电涂层22的电阻率P 1为ΙΟ—1 Ω . cm 的数量级，厚度为IOOnm的数量级，其填充保留的空间并使电极2平滑。通过在提供了自组织孔的网状结构的掩膜上挥发银制造导电网状结构21。而后去除掩膜。在图2中显示了具有线210的导电网状结构21的无规排列。对于电极2、4的电源，在有机层3沉积之前，复合电极2的孔在纵向边缘附近形 成，优选在其全部长度上。所述孔例如用激光制成，约150 μ m宽。而后通过丙烯酸型绝缘 树脂5钝化所述蚀刻区域。在电连接区域，在此假设在纵向边缘附近，优选添加传统的母线6，例如通过在电 极2、4上丝网印刷银。装置100在可以较大的区域内产生均勻照明。如果期望产生多重照明区域，在蚀 刻连接系统期间，进行其他适合的激光蚀刻，例如150 μ m宽，而后钝化。实施例2图3显示有机发光装置3200的截面图，其包含复合电极2”。以下仅仅对装置100 的修改进行详细解释。在网状结构210的线间插入由熔融玻璃粉制成的填充层230。通过机械抛光使通过网状结构210的线和熔融玻璃粉230形成的表面平滑，例如 用氧化铝、或氧化铈等抛光。作为变体，玻璃粉可以是高指数玻璃料。为了制造复合电极210，在网状结构210的线间并超过线沉积玻璃粉，以在线上形 成覆盖层。退火后，将表面削刮至线的水平上。可选的，作为填充层，可以选择溶胶-凝胶层，例如由包含MTEOS (甲基三乙氧基硅 烷)的溶胶得到的混杂硅石层。前体在水/乙醇介质中水解，用盐酸酸化水至PH = 2。每 摩尔MTEOS添加3摩尔水和3摩尔乙醇。优选通过浸渍涂布或喷涂沉积配方。沉积的配方 在100°C下干燥，而后在450°C下热处理一小时。优选可以选择沉积配方作为覆盖层，在任 选的干燥和退火后，通过削刮表面直到显露出线而抛光溶胶凝胶层。所述溶胶_凝胶层可以是高指数层，例如用&02填充的层。由于填充层230是绝缘的，因此选择具有非常低电阻率的导电涂层220。导电涂层 220保持平滑并能分配电流。由于抛光，可以选择通过汽相沉积法沉积导电涂层220。例如，可以选择通过溅射 沉积ΙΤ0，以得到10_4Q.cm数量级的电阻率P 1，厚度不低于40nm。也可以形成电阻率为 10_2-10_3 Ω . cm数量级的电阻率P 1的ITO溶胶-凝胶层，厚度约为70nm。可选的，导电涂层可以是通过液体路线沉积的PED0T/PSS。在有机发光装置400的变体中，由于保留含有自组织孔，典型地为裂纹的网状结 构的掩膜，因此不适用抛光的玻璃粉，用所述掩膜制造电极的网状结构。其可以是固体抛光 的单片掩膜，例如混杂溶胶-凝胶层。优选选择由包含摩尔比等于1的TEOS(三乙氧基硅 烷)和MTEOS的溶胶得到的硅石层。前体在水/乙醇介质中水解，用盐酸酸化水至pH = 2。 前体的质量浓度为45%。优选通过浸渍涂布或喷涂沉积配方。在沉积配方后，立即进行高 温热处理，例如在450°C下热处理一小时，以形成裂纹。为了制造平滑复合电极，通过液体路线沉积例如银的传导性网状结构材料，例如 通过用油墨刮涂直到掩膜的部分高度被填充。而后通过抛光削刮掩膜的表面直到达到线。实施例3图4显示有机发光装置300的截面图，其包含复合电极20’。以下仅详细描述了相 对于装置100的修改。
导电网状结构210’是玻璃1的边缘网状结构110，厚度为一微米。使用玻璃上的裂纹溶胶_凝胶掩膜，例如基于杂化或非杂化硅石。基材用HF溶液湿法蚀刻。沉积网状结构的材料，同时保持溶胶_凝胶掩膜，沉积通过裂缝实施。优选的，选 择真空沉积，例如通过挥发沉积银，或通过溅射沉积ITO或ΙΖ0。可以选择液体路线，例如使 用银油墨的刮刀。沉积的厚度可以控制，优选完全填充蚀刻区域。如果在沉积网状结构材料之前除去掩膜，那么玻璃被抛光以去除其自由表面上的 导电沉积。导电涂层220，可以例如是通过液体路线沉积的PED0T/PSS，厚度为50nm以上。注意确保用于连接的纵向蚀刻51比蚀刻网状结构110深。在所有实施例中，涂层的外部表面是这样的，由B+A网状结构的平均周期上的外 部表面的实际轮廓开始，通过由纳滤形成校正的轮廓，以去除局部微粗糙度，在校正轮廓的 每个点上得到的是通过具有小于等于45°的校正轮廓的平均平面的校正轮廓的切线形成 的角度。起始于由实际轮廓和校正轮廓间的差别形成的残留轮廓，在校正轮廓的每个点上 得到的残留轮廓的最高点和最低点间的高度的最大差在B+A网状结构的平均周期上至少 小于50nmo制造复合电极以下给出的是在优选实施方案中用具有自生开孔的网状结构的掩膜制造复合电 极的实施例。a)制造具有自生开孔的掩膜首先，生产具有自生开孔的掩膜。为此，通过液体路线沉积在水中稳定的浓度 为40wt%的基于丙烯酸共聚物的胶体颗粒的简单乳液。所述胶体颗粒的特征尺度为 80-100nm，是DSM销售的商品名为Neocryl XK 52的产品。而后将所谓的与胶体颗粒结合的掩膜层干燥以挥发溶剂。所述干燥可以通过任何 适合的方法实施(热风干燥等)。在所述干燥步骤期间，系统经历自排列，并描述依据由形态的平均宽度，以下称为 Al，和形态间的平均距离，以下称为Bi，表示的结构的形态。因而所述稳定的掩膜由比率 B1/A1确定。无需借助退火得到稳定的掩膜。B1/A1的比率可以通过例如调节压缩胶体和基材表面间的摩擦系数，或纳米颗粒 的尺寸，或挥发速率，或颗粒的起始浓度，或溶剂的属性，或厚度，依据沉积技术修改。为了举例说明这些不同选项，以下给出了两种胶体溶液浓度(Ctl和0. 5XC0)和不 同厚度的实验计划，通过调节样品上升速度沉积。通过浸渍涂布沉积溶液。应当指出，Bi/ Al的比率可以通过改变浓度而改变。结果见下表 还用浓度Ctl = 40%的胶体溶液用不同厚度的拉膜沉积。所述实验显示，可以通过 调节胶体层的起始厚度改变形态的尺寸Al和形态间的距离Bi。结果见下表 b)清洗掩膜作为清洁位于裂纹的底部的有机颗粒的来源的等离子源的应用随后使得改善涂 覆的导电材料对电极的网状结构的附着力成为可能。为了给出示例性实施方案，借助于大气压力等离子源的清洁，用基于氧/氦混合 物的转移弧等离子体，使改善沉积在空隙底部的材料的附着力和改善空隙的扩展成为可 能。可以使用由Surfx销售的商标为“AT0MFL0W”的等离子源。c)导电网状结构的制造使用所述掩膜生产依据本发明的复合电极的导电网状结构。为此，通过掩膜沉积 一个或多个导电材料，直到一部分空隙被填充。作为金属，优选可以选择银或铝。作为传导性氧化物，优选可以选择ITO、IZO或 IGZO0传导性线的平均宽度A约等于任一。传导性线间的平均距离B约等于Bi。d)掩膜的去除为了从掩膜上显露出网状结构，实施“剥离(life-off) ”操作。将胶体掩膜浸渍在 含有水和丙酮的溶液中(依据胶体颗粒的属性选择清洗液)，而后清洗以去除全部胶体涂 布的部分。e)填充和覆盖网状结构用给定的材料完全填充传导性线间的空间，优选促进OLED (高指数、漫射等)层中 的导模的提取并是导电的，用导电涂层覆盖网状结构和填充材料，所述涂层完全平滑并具 有分布电流或保持垂直传导性的电学作用。
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特别的，可以用一个或与实施例1中相同的具有适合电阻率的轻微导电材料填充 和平滑线间的空间。无需说明，本发明以相同的方式应用于除了实施例中所述的有机发光系统，并用 于塑料基材上。
权利要求
在一个主面(11)上具有复合电极(2 20’)的基材(1)，其包含 导电网状结构(21 210’)，其是由基于金属和/或金属氧化物的导电材料制成的线形成的层，在550nm的透光率至少为60％，该网状结构的线间的空间用被称为电绝缘填料的材料填充； 覆盖导电网状结构的导电涂层(22 220’)，与线电连接，与线接触，厚度大于等于40nm，电阻率ρ1小于105Ω.cm并大于网状结构的电阻率，所述涂层形成电极的平滑外表面； 复合电极还具有小于等于10Ω/□的薄层电阻。
2.依据前一权利要求的基材(1)，其特征在于，外表面是这样的，由网状结构的平均周 期B+A上的外表面的实际轮廓起始，并通过由纳米级别的过滤形成校正的轮廓，消除局部 微粗糙度，得到通过校正轮廓的平均平面与校正轮廓正切形成的角，其在校正轮廓的任何 点上小于等于45°，并且在于，起始于由实际轮廓和校正轮廓间的差别形成的残留轮廓，在 校正轮廓的每个点上得到的残留轮廓的最高点和最低点间的高度的最大差在网状结构的 平均周期B+A上小于50nm。
3.依据前述权利要求之一的基材(1)，其特征在于，线间的平均距离B与线的平均宽度 A之间的B/A比率为5-15，优选线的平均宽度A为ΙΟΟηπΗΒΟμπι，和/或线间的平均距离B ^J 5 μ m-30 μ m。
4.依据前述权利要求之一的基材(1)，其特征在于，导电涂层(22、22’)包含基于金属 的层，特别是基于由下列材料之一制成的纳米颗粒的层Ag、Al、Cu、Au、Pd、Pt、Cr，或者在 于，导电涂层(22、22’)包含任选掺杂和/或混合的层，特别是溶胶层，其主要基于单独的氧 化锡、氧化锌或氧化铟；并优选至少一种下列掺杂或混合氧化物-用至少一种下列元素掺杂或合金化的氧化锌铝、镓、铟、硼、锡-用锌、镓和锌、锡掺杂或合金化的氧化铟；-用氟或用锑掺杂的氧化锡或用任选用锑掺杂的锌合金化的氧化锡；-用铌掺杂的氧化钛，
5.依据前述权利要求之一的基材(1)，其特征在于，导电涂层(22’)包含基本上聚合 物层，或包含源自以下组中的至少一种的一种或多种聚合物聚(乙炔)、特别是基于聚(3， 4-乙烯二氧噻吩)的层的聚(噻吩)、聚(吡咯)、聚(苯胺)、聚(芴)、聚(3-烷基噻吩)、 聚四硫富瓦烯、聚萘、聚(对苯硫醚)和聚(对苯撑乙烯)。
6.依据前述权利要求之一的基材(1)，其特征在于，填料是绝缘的，电阻率Pl小于等 于 ICT1 Ω . cm。
7.依据权利要求1-6的任一的基材(1)，其特征在于，所谓的高指数填料(23)的折射 率在550m下大于等于1. 65，线间的距离B优选小于等于50 μ m,线优选基于金属，特别基于 银或铝。
8.依据权利要求1-6的任一的基材(1)，其特征在于，填料是漫射的(23’)。
9.依据权利要求1-8之一的基材(1)，其特征在于，导电网状结构(210’)至少部分地 在优选玻璃基材的蚀刻网状结构(110)中。
10.依据权利要求1-9之一的基材(1)，其特征在于，填料是具有自生开孔的网状结构 的掩膜，尤其用硅石制成，任选混杂硅石、溶胶_凝胶，线填充了掩膜的开孔，线和/或掩膜的平面优选是平滑的。
11.依据前述权利要求之一的基材(1)，其特征在于，导电网状结构(21-210’)包含基 于纯金属材料的层，所述金属材料选自银、铝、铜、钯、铬、钼或金，或基于用至少一个其他材 料合金化或掺杂的所述材料，所述其他材料选自Ag、Au、Pd、Al、Pt、Cu、Zn、Cd、In、Si、Zr、 Mo、Ni、Cr、Mg、Mn、Co、Sn。
12.依据前述权利要求之一的基材(1)，其特征在于，所述基材是玻璃基材。
13.依据前述权利要求之一的基材(1)，其特征在于，其包含直接沉积在电极(2-20’) 的外表面上的有机发光系统(3)。
14.结合依据前述权利要求的任一的基材(1)的有机发光装置(100-300)，复合电极 (2-20’ )形成所谓的下电极，即最接近基材的电极。
15.依据前一权利要求的有机发光装置(100-500)，其特征在于，其形成一个或多个透 明和/或反射发光表面，尤其是照明、装饰或建筑系统，或指示显示板，例如制图、标示或文 字与数字指示类型，系统产生均一光或差别发光区域，尤其是通过玻璃基材中的导入光提 取产生的差别。
16.依据装置权利要求之一的有机发光装置(100-500)，其特征在于，其_用于建筑物，如外部发光玻璃，内部发光隔离物或发光玻璃门(或门的一部分)，尤其 是滑动门；-用于运输工具，如发光顶、发光侧窗(或窗的部分)、陆上、水上或空中交通工具的内 发光隔离；-用于城市或专业设备，如公交车候车厅面板、显示计数器墙、珠宝展示或商店橱窗、温 室墙壁、或发光瓷砖；-用于室内家具、搁板或橱柜元件、橱柜立面、发光瓷砖、天花板、发光电冰箱搁板、水族 箱壁；_用于电子设备的背光，尤其是显示屏，任选的双屏，如电视或计算机屏，触摸屏；或-发光镜，尤其是用于浴室墙壁或厨房台面，或用于天花板。
17.制造依据前述基材权利要求之一的基材(1)上的复合电极的方法，其特征在于，其 包含如下步骤-直接形成导体的网状结构排列的第一步，包含至少一个如下沉积-通过印台沉积网状结构的导电材料；-通过传导性喷墨印刷在基材上沉积；-在基材的蚀刻网状结构(110)中沉积，优选玻璃基材；-包含通过液体路线沉积导电涂层(220’ )的第二步。
18.制造依据前述基材权利要求之一的基材上的复合电极(2-20)的方法，其特征在 于，其包含如下步骤_直接形成导体的网状结构排列的第一步，包括在基材上通过称为掩膜的一层沉积网 状结构的导电材料，所述掩膜具有自组装为网状结构的开孔，直到一部分开孔的深度已被 填充；-包含通过液体路线沉积导电涂层的第二步。
19.制造依据权利要求17和18任一的复合电极(2-20)的方法，其特征在于，在掩膜上或蚀刻网状结构上沉积网状结构的导电材料包含非选择性沉积，优选真空沉积，特别是通 过挥发，或通过液体路线沉积，特别通过印刷、用传导性油墨刮涂、浸渍涂布、喷涂，沉积任 选通过使用诸如金、银、铜的金属进行电解液再充电而完成。
20.制造依据权利要求18和19任一的复合电极(2-20)的方法，其特征在于，其包含形 成掩膜的步骤，包括-在被称为掩膜层的基材上沉积；-掩膜层的固化，直到得到形成所述掩膜的网状结构开孔。
21.制造依据前一权利要求的复合电极(2-20)的方法，其特征在于，掩膜层是胶体颗 粒溶液，特别是基于丙烯酸共聚物的胶体的水溶液，所述颗粒在溶剂中稳定和分散。
22.制造依据权利要求17-21之一的复合电极(2-20)的方法，其特征在于，在所述第二 步之前，还包括-优选通过液体路线，用至少一种下列导电填料填充线间的空间的步骤所述高指数 材料或所述漫射材料；-如果适当的话，在填充前，去除任选存在的掩膜，直到显露出所述导电网状结构的步马聚ο
23.制造依据权利要求17-21之一的复合电极(20)的方法，其特征在于，在所述第二步 之前，还包括-优选通过液体路线，尤其通过丝网印刷、浸渍涂布或喷涂，用可平面化填料填充线间 的空间并覆盖线的步骤； -任选的热处理步骤；-随后的机械抛光步骤，以得到导电网状结构和相同高度的填料，尤其是熔融玻璃粉或 溶胶_凝胶，并具有充分平滑的表面；和-如果适当的话，在填充前，去除任选存在的掩膜，直到显露出所述导电网状结构的步马聚ο
24.制造依据权利要求23的复合电极(20)的方法，其特征在于，用沉积传导性金属氧 化物的汽相沉积步骤代替第二沉积步骤。
25.制造依据权利要求19的复合电极的方法，其特征在于，掩膜，尤其是溶胶-凝胶层， 可以被抛光，所述方法包括在第二沉积步骤之前的机械抛光步骤，以得到导电网状结构和 相同高度的掩膜并具有充分的平滑表面，并且第二沉积步骤任选用沉积传导性金属氧化物 的汽相沉积步骤代替。
全文摘要
本发明的主题是在主面(11)上具有复合电极(2)的基材(1)，其中包含导电网状结构(21)，其是由基于金属和/或金属氧化物的导电材料制成的线形成的层，在550nm的透光率至少为60％，用被称为导电填料的材料填充网状结构的线间的空间。其还包含覆盖导电网状结构的导电涂层(22)，其可以与填料相同或不同，与线电连接，厚度大于等于40nm，电阻率ρ1小于105Ω.cm并大于网状结构的电阻率，涂层形成电极的平滑外表面。复合电极还具有小于等于10Ω/□的平面电阻率。本发明的另一个主题是其制造和与所述电极结合的有机发光装置(100)。
文档编号H01L51/52GK101926018SQ200880125354
公开日2010年12月22日 申请日期2008年11月21日 优先权日2007年11月22日
发明者D·茹斯, S·恰库罗夫, S·贝松 申请人:法国圣-戈班玻璃公司