专利名称：包括发光元件的器件的制作方法
技术领域：
本发明涉及包括发光元件的器件。
背景技术：
近年来，展开了对包括以EL (电致发光)元件为代表的发光元件的显示器件的开发。所述显示器件被期待通过利用自发光型的优势，例如高图像质量、宽视角、薄型、轻量等而期待广泛的应用。发光元件的亮度与发光元件的电流值成比例。
发光元件具有周围温度(以下称为环境温度)在高温时电阻值则降低而在低温时电阻值则增加的特性。发光元件还具有根据随时间变化，电阻值增加的特性。因此，提出了一种抑制由发光元件的电阻值变动所造成的影响的显示器件，所述发光元件的电阻值变动由环境温度的变化和随时间变化引起(例如，参见专利文献l)。
专利文献1中描述的显示器件具有发光元件、监控用发光元件、恒流电源以及缓冲放大器。恒定的电流从恒流电源供给给监控用发光元件。此外，监控用发光元件的一个电极通过缓冲放大器与发光元件的一个电极连接。在这种状态下，当发生环境温度的变化和随时间变化时，监控用发光元件的一个电极的电位改变，然后该电位传达到发光元件的一个电极的电位。像这样，根据环境温度的变化和随时间变化来改变发光元件的一个电极的电位，可以抑制发光元件的电阻值变动所造成的影响。日本专利申请公开2002-333861号公报
发明内容
在上述专利文献1中，如果发光元件和监控用发光元件的随时间变化以不同的速度进展，由随时间变化所引起的发光元件和监控用发光元件的电阻值的变化就不同，因此，不能正确地进行传达到发光元件的电位(以下也称为电源电位)的校正。因此，本发明的目的在于提供一种显示器件和电子器具，所述显示器件通过使用随时间变化的进展速度相同的发光元件和监控用发光元件，可以正确地进行传达到发光元件的电位的校正。
本发明的显示器件具有第一发光元件(相当于监控用发光元件)、第二发光元件、将恒定的电流供给给第一发光元件的恒流电源、以及将输入的电位以相同的电位输出的电路。第一发光元件的第一电极与电路的输入端子连接。第二发光元件的第一电极与电路的输出端子连接。第一发光元件的第二电极和第二发光元件的第二电极保持恒定的电位。
第一发光元件和第二发光元件各是由第一导电层、含有有机化合物和无机化合物的第一层、含有发光物质的第二层以及第二导电层以此顺序层叠而成的元件。或者，第一发光元件和第二发光元件各是由第一导电层、含有发光物质的第一层、含有有机化合物和无机化合物的第二层以及第二导电层以此顺序层叠而成的元件。
所述有机化合物为4,4'-双[N- (l-萘基)-N-苯胺]联苯、4,4'-双[N-(3-甲基苯)-N-苯胺]联苯、4，4， ，4"陽三(N,N-二苯胺)三苯胺、4,4， ,4"-三[N- (3-甲基苯)-N-苯胺]三苯胺、4,4，-双(N-[4- (N,N-二-m-甲苯基氨基)苯基]-N-苯胺)联苯、1,3,5-三[N,N-二 (m-三苯基)氨基]苯、4,4，-双[N- (4-联苯)-N-苯胺]联苯、4,4， ,4"-三(N-咔唑基)三苯胺、3-[N- (9-苯基咔唑-3-某基)-N-苯胺]-9-苯基咔唑、3，6-双[N- (9-苯胺咔唑-3-某基)-N-苯胺]-9-苯基咔唑、酞菁、铜钛菁、钒氧酞菁或5，6，ll,12-四苯基萘并萘(tetraphenylnaphthacene)(也称作5,6,11，12-四苯基并四苯tetraphenyltetracene)。此外，所述无机化合物为氧化锆、氧化铪、氧化钒、氧化铌、氧化钽、氧化铬、氧化钼、氧化钨、氧化钛、氧化锰或氧化铼。
优选的是，所述有机化合物为4,4'-双[N- (l-萘基)-N-苯胺]联苯和5,6,11,12-四苯基萘并萘(tetraphenyl naphthacene)，所述无机化合物为氧化
钼。或者，所述有机化合物为4，4'-双^-[4-(:^:^二-111-甲苯基氨基)苯基]-^
苯胺}联苯，所述无机化合物为氧化钼。
所述发光物质为选自N,N' -二甲基喹吖啶酮、3- (2-苯并噻唑酯)-7-二乙胺香豆素、三(8-喹啉醇合)铝以及9,10-二 (2-萘基)蒽中的一种或多种。
具有上述叠层结构的第一发光元件和第二发光元件的随时间变化可以以相同的速度进展。因此，通过使用第一发光元件，可以正确地进行传达到第二发光元件的电位(第二发光元件的电位)的校正。
此外，第一发光元件的总电流量和第二发光元件的总电流量的比率为1:0.2至1:1，优选为1:0.6至1:1。这个比率为在一定期间内的总电流量的比率。
此外，电路为缓冲放大器，电路的输入端子为缓冲放大器的同相输入端子，并且电路的输出端子为缓冲放大器的倒相输入端子和输出端子。通过使用电路，当将第一发光元件的第一电极的电位传达到第二发光元件的第一电极时，可以防止由电压下降等引起的电位的变动。
换句话说，通过使用上述电路，可以使第一发光元件的第一电极的电位与第二发光元件的第一电极的电位相同，以可以防止由电压下降等引起的电位的变动。要注意，传达就是将某个节点的电位(例如，第一电极的电位)传达到另一节点的电位(例如，第二电极的电位)。在传达了电位之后，第- 一电极和第二电极就具有相同的电位。
此外，第一发光元件和第二发光元件提供在同一绝缘表面上。即，第一发光元件和第二发光元件是以同一条件并且以同一步骤而制造的。因此，第一发光元件和第二发光元件对环境温度的变化具有相同的特性。
此外，第一发光元件、第二发光元件、恒流电源以及电路提供在同一绝缘表面上。通过将多个电路提供在同一绝缘表面上，可以减少连接到外部的IC数量，以可以提供实现了小型化、薄型化以及轻量化的显示器件。
本发明的电子器具使用具有上述结构中的任何一个结构的显示器件。在本发明中，发光元件和监控用发光元件各具有含有有机化合物和无机化合物的层，因此，可以使发光元件和监控用发光元件的随时间变化以相同的速度进展。因此，通过使用监控用发光元件，可以正确地进行传达到发光元件的电位(即，发光元件的电位)的校正。一方面，本发明提供了一种器件，包括第一发光元件；第二发光元件；
将恒定的电流供给给所述第一发光元件的恒流电源；
放大器；
衬底；以及
相对衬底；
其中，所述第一发光元件的第一电极与所述放大器的输入端子电连接，所述第二发光元件的第一电极与所述放大器的输出端子电连接，所述第一发光元件的第二电极和所述第二发光元件的第二电极保持恒定的电位，
所述第一发光元件和所述第二发光元件各具有形成在所述第一电极和所述第二电极之间的第一层和第二层，
所述第一层含有有机化合物和无机化合物，所述第二层含有发光物质，并且
所述第一发光元件、所述第二发光元件、所述恒流电源、以及所述放大器置于所述衬底与所述相对衬底之间。
另一方面，本发明提供了一种器件，包括第一发光元件；第二发光元件；
将恒定的电流供给给所述第一发光元件的恒流电源；放大器；
构造为控制所述第一发光元件的第一晶体管；构造为控制所述第二发光元件的第二晶体管；衬底；以及相对衬底；
其中，所述第一发光元件的第一电极与所述放大器的输入端子电连接，所述第二发光元件的第一电极与所述放大器的输出端子电连接，所述第一发光元件的第二电极和所述第二发光元件的第二电极保持恒定的电位，
所述第一发光元件和所述第二发光元件各具有形成在所述第一电极和所述第二电极之间的第一层和第二层，
所述第一层含有有机化合物和无机化合物，所述第二层含有发光物质，并且
所述第一发光元件、所述第二发光元件、所述恒流电源、所述放大器、所述第一晶体管、以及所述第二晶体管置于所述衬底与所述相对衬底之间。
在一个优选的实施方式中，所述有机化合物为4,4'-双[N-(l-萘基)-N-苯胺]联苯、4，4，-双[N-(3-甲基苯)-N-苯胺]联苯、4，4，,4"-三(N,N-二苯胺)三苯胺、4,4，，4"-三[N-(3-甲基苯)-N-苯胺]三苯胺、4,4，-双(N-[4-(N,N-二-m-甲苯基氨基)苯基]-N-苯胺〉联苯、1,3,5-三[N，N-二(m-三苯基)氨基]苯、4,4，-双[N-(4-联苯)-N-苯胺]联苯、4,4，,4"-三(N-咔唑基)三苯胺、3-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯胺]-9-苯基咔唑、3，6-双[N-(9-苯胺咔唑-3-基)-N-苯胺]-9-苯基咔唑、酞菁、铜钛菁、钒氧酞菁或5，6，U,12-四苯基萘并萘。
在另一个优选的实施方式中，所述无机化合物为氧化锆、氧化铪、氧化钒、氧化铌、氧化钽、氧化铬、氧化钼、氧化钨、氧化鈦、氧化锰或氧化铼。在另一个优选的实施方式中，所述发光物质为选自N，N'-二甲基喹吖啶
酮、3-(2-苯并噻唑酯)-7-二乙胺香豆素、三(8-喹啉醇合)铝、以及9,10-二(2-
萘基)蒽中的一种或多种。
在另一个优选的实施方式中，所述第一层和所述第二层是层叠而成的，并且所述第一层提供在所述第二层上。
在另一个优选的实施方式中，所述第一层和所述第二层是层叠而成的，并且所述第二层提供在所述第一层上。
在另一个优选的实施方式中，所述第一发光元件的第二电极和所述第二发光元件的第二电极与布线电连接。
在另一个优选的实施方式中，所述第一发光元件的第二电极和所述第二发光元件的第二电极通过布线与电源连接。
在另一个优选的实施方式中，所述放大器为缓冲放大器、运算放大器、或读出放大器。
在另一个优选的实施方式中，所述放大器为缓冲放大器，所述放大器的输入端子为所述缓冲放大器的同相输入端子，所述放大器的输出端子为所述缓冲放大器的输出端子。
在另一个优选的实施方式中，所述第一发光元件的总电流量X除以所述第二发光元件的总电流量Y (X/Y)等于1至5，其中包括1和5。
在另一个优选的实施方式中，所述第一发光元件和第二发光元件形成在同一绝缘表面上。
在另一个优选的实施方式中，所述第一发光元件、所述第二发光元件、所述恒流电源以及所述放大器形成在同一绝缘表面上。
通过参照附图来看以下详细说明可以使除了上述以外的本发明的目的、特性、以及优点更明确。
图1为示出本发明的显示器件的图；图2A至2D为示出本发明的显示器件的图;
图3A和3B为示出本发明的显示器件的图;
图4A和4B为示出本发明的显示器件的图;
图5为示出本发明的显示器件的图6A至6F为示出本发明的显示器件的图;
图7为示出实验结果的图表-,
图8为示出实验结果的图表；图9为示出实验结果的图表；图IOA和IOB为示出实验结果的图表。
本发明的选择图为图1。
具体实施例方式
关于本发明的实施方式将参照附图给予详细说明。但是，本发明不局限于以下说明，所属领域的普通人员可以很容易地理解一个事实就是其方式和详细内容可以被变换为各种各样的形式，而不脱离本发明的宗旨及范围。因此，本发明不应该被解释为仅限定在实施方式所记载的内容中。此外，在以下说明中，在每个附图中的共同部分使用相同的符号。
本发明的显示器件具有监控用发光元件104、发光元件107 (也称为显示用发光元件)、将恒定的电流供给给监控用发光元件104的恒流电源110、以及将输入的电位以相同的电位输出的电路111 (参见图1)。
监控用发光元件104提供在监控部分101所包括的监控用像素103中。监控用像素1(B至少具有监控用发光元件104。在图上所示的结构中，监控用像素103具有监控用发光元件104和晶体管105。
晶体管105的栅极保持恒定的电位(VL)，晶体管105的源极和漏极中的一个与电源线112连接，并且晶体管105的源极和漏极中的另一个与监控用发光元件104的第一电极连接。监控用发光元件104的第二电极保持恒定的电位(VSS)。晶体管105的栅极和监控用发光元件104的第二电极都与布线连接。晶体管105的栅极和监控用发光元件104的第二电极都通过布线
与外部电源连接，因此，它们保持恒定的电位(VL或VSS)。
晶体管105是为了控制流过监控用发光元件104的电流量而提供的，其中，电位(VL)是使晶体管105接通(ON)的电位。监控用发光元件104通过晶体管105与电路111的输入端子连接。
发光元件107提供在像素部分102所包括的像素106中。像素106具有发光元件107和至少两个晶体管。在图上所示的结构中，像素106具有发光元件107、驱动用晶体管108以及开关用晶体管109。此外，像素部分102具有多个源极线S1至Sx(x为自然数)、多个栅极线G1至Gy(y为自然数)以及多个电源线VI至Vx。
多个源极线Sl至Sx (x为自然数)与源极驱动器113连接。多个栅极线G1至Gy (y为自然数)与栅极驱动器114连接。源极驱动器113将视频信号供给给像素106。栅极驱动器114将控制开关用晶体管109接通(ON)或断开(OFF)的选择信号供给给像素106。
像素106根据由源极驱动器113所供给的信号而发光或不发光。开关用晶体管109的栅极与栅极线Gn (n为自然数，1^n^y)连接，开关用晶体管109的源极和漏极中的一个与源极线Sm (m为自然数，1^m^x)连接，并且开关用晶体管109的源极和漏极中的另一个与驱动用晶体管108的栅极连接。驱动用晶体管108的源极和漏极中的一个与电源线Vm(m为自然数，l芸m^x)连接，并且驱动用晶体管108的源极和漏极中的另一个与发光元件107的第一电极连接。
发光元件107的第二电极与布线连接。发光元件107的第二电极通过布线与外部电源连接，因此，保持恒定的电位(VSS)。发光元件107的第一电极通过驱动用晶体管108与电路111的输出端子连接。
注意，监控用像素103不局限于上述结构，而可以具有其它晶体管。此外，像素106不局限于上述结构，而可以具有其它晶体管。例如，像素106还可以具有删除用晶体管。删除用晶体管的源极和漏极中的一个与驱动用晶体管的栅极连接，而另一个与驱动用晶体管的源极连接。此外，删除用晶体管的栅极与另外提供的栅极线连接。
此外，像素106还可以具有删除用二极管。删除用二极管的一个端子与驱动用晶体管的栅极连接，而另一个端子与保持恒定的电位的布线连接。作为删除用二极管可以采用具有整流性的元件，诸如PN型二极管、PIN型二
极管或连接有栅极和漏极的晶体管等。此外，像素106还可以具有保持驱动用晶体管108的栅极和源极之间的电压的电容元件。
在电路lll中，输入到输入端子的电位和从输出端子输出的电位相同，从而所述电路111例如相当于缓冲放大器。电路111的输入端子相当于缓冲放大器的同相输入端子，并且电路111的输出端子相当于缓冲放大器的倒相输入端子和输出端子。
此外，电路111例如相当于运算放大器或读出放大器。接下来，将说明具有上述结构的本发明的显示器件的工作。
恒流电源110将恒定的电流供给给监控用发光元件104。因此，监控用发光元件104进行两个电极之间的电流值为一定的恒流驱动。如果在这种状态下发生环境温度的变化或随时间变化，监控用发光元件104的电阻值则改变。因为监控用发光元件104总是保持一定的电流值，因此，当监控用发光元件104的电阻值改变时，监控用发光元件104的两个电极之间的电位差则改变。
在图上所示的结构中，因为监控用发光元件104的第二电极保持了恒定的电位，因此，当监控用发光元件104的电阻值改变时，监控用发光元件104的第一电极的电位改变。监控用发光元件104的第一电极的电位传达到电路111的输入端子。
电路111将输入到输入端子的电位以相同的电位输出。电路111所输出的电位通过电源线VI至Vx和驱动用晶体管108传达到发光元件107的第-电极。发光元件107根据电源线VI至Vx的电位和发光元件107的第二电极的电位(VSS)之间的电位差而发光。像这样，本发明通过根据起因于环境温度的变化和随时间变化的监控用 发光元件104的电阻值的变化，来改变传达到发光元件107的第一电极的电 位，而可以抑制由环境温度的变化和随时间变化所造成的影响。注意，发光
元件107进行根据两个电极之间的电位差而工作的恒压驱动。因此，驱动用 晶体管108优选在线性区域工作。
要注意，至少监控用发光元件104和发光元件107设置在同一绝缘表面 上。监控用发光元件104和发光元件107是以同一条件并且以同一步骤而制 造的。因此，监控用发光元件104和发光元件107对环境温度的变化具有相 同的特性。
此外，监控用发光元件104和发光元件107是由第一导电层、第一层、 第二层以及第二导电层以此顺序层叠而成的元件，其中第一层和第二层的一 个含有有机化合物和无机化合物，而另一个含有发光物质。监控用发光元件 104和发光元件107的随时间变化以相同的速度进展。换句话说，监控用发 光元件104和发光元件107由于对随时间变化的特性相同，因此可以通过使 用监控用发光元件104，正确地进行传达到发光元件107的电位的校正。
此外，不仅监控用发光元件104和发光元件107，恒流电源110和电路 111也可以设置在同一绝缘表面上。通过将多个电路设置在同一绝缘表面上， 可以减少连接到外部的IC数量，而可以提供实现了小型化、薄型化以及轻 量化的显示器件。
接下来，将参照图2A至2D更详细地说明具有绝缘表面的衬底10上的 监控用发光元件104和发光元件107的叠层结构。监控用发光元件104和发 光元件107各是由第一导电层11、第一层13、第二层14以及第二导电层 12以此顺序层叠而成的元件(参见图2A)。当第一导电层11和第二导电层 12之间发生电位差时，监控用发光元件104和发光元件107发光。
在下文中，说明当第一导电层11的电位高于第二导电层12的电位时监 控用发光元件104和发光元件107发光的实例。即，说明第一导电层ll为 阳极而第二导电层12为阴极的实例。第一导电层11可以采用金属、合金、导电化合物以及这些材料的混合
物等。例如，可以采用氧化铟锡(ITO, Indium Tin Oxide)、含有硅的氧化铟 锡、将氧化锌(ZnO)混合到氧化铟的氧化铟锌(IZO， Indium Zinc Oxide)、 添加了氧化钛的氧化铟、金(Au)、钼(Pt)、镍(Ni)、钨(W)、铬(Cr)、 钼(Mo)、铁(Fe)、钴(Co)、钛(Ti)、铜(Cu)、钯(Pd)、铝(Al)、含 硅的铝、含钛的铝、含硅和铜的铝、或诸如TiN等的金属材料的氮化物等。 在将第一导电层11用作阳极的情况下，第一导电层11优选由功函数高(功 函数为4.0eV或更高)的材料形成。
第一层13是含有有机化合物和无机化合物的层。第一层13是包含含有 有机化合物和无机化合物的复合材料的层。有机化合物是具有良好的空穴传 输性能的物质。无机化合物是对有机化合物呈现电子接收性能的物质。
对用于第一层13的无机化合物没有特别的限定，然而优选采用过渡金 属的氧化物。具体地说，优选采用氧化锆、氧化铪、氧化钒、氧化铌、氧化 钽、氧化铬、氧化钼、氧化钨、氧化钛、氧化锰和氧化铼。
作为用于第一层13的有机化合物，可以举出4，4'-双[N- (l-萘基)-N-苯胺]联苯(縮写ot-NPB)、 4,4，-双[N- (3-甲基苯)-N-苯胺]联苯(缩写 TPD)、 4,4， ，4"-三(N，N-二苯胺)三苯胺(縮写:TDATA)、 4,4， ,4"-三 [N- (3-甲基苯)-N-苯胺]三苯胺(缩写MTDATA)、 4，4，.双(N-[4- (N,N-二-m-甲苯基氨基)苯基]-N-苯胺〉联苯(縮写DNTPD)、 1,3,5-三[N，N-二 (m-二苯基)氨基]苯(縮写m-MTDAB)、 4,4'-双[N- (4-联苯)-N-苯胺]联苯 (縮写BBPB)、 4，4， ，4"-三(N-咔唑基)三苯胺(縮写TCTA)、 3-[N-(9-苯基咔唑-3-某基)-^苯胺]-9-苯基咔唑(縮写:PCzPCAl)、 3,6-双[N-(9-苯胺咔唑-3-某基)-N-苯胺]-9-苯基咔唑(PCzPCA2)、酞菁(縮写H2Pc)、 铜钛菁(縮写CuPc)、钒氧酞菁(縮写VOPc)禾[I 5,6，11，12-四苯基萘并 萘(tetraphenyl naphthacene)(縮写红荧烯)等。在上述有机化合物中， 尤其优选釆用易于产生空穴的芳香胺化合物(a-NPB、 TPD、 TDATA、 MTDATA、 DNTPD、 m-NTDAB、 BBPB、 TCTA等)。此外，优选的是，第一层13在可见光区的光吸收尽量地小。因此，优 选采用具有以下公式1至4所示的结构的有机化合物。通过采用具有以下公 式1至4所示的结构的有机化合物，可以使在可见光区的光吸收减少，并且
提高发光元件的发光功率。
公式1中，R'至R^可以互相相同，也可以不同。R'至R^表示氢、烷 基、垸氧基、芳基和芳垸基中的一种。公式2中，X表示结构式(2-1)至(2-6)所示的芳香烃基中的一种。
此外，R'至R^可以互相相同，也可以不同。R'至R"表示氢、垸基、烷氧
基和芳基中的一种。
R2
(3)
公式3中，R"至I^可以互相相同，也可以不同。R'至W表示氢、烷基、
烷氧基和芳基中的一种。
公式4中，R'和RS可以互相相同，也可以不同。W和R 表示氢、碳数 为1至6的垸基、碳数为6至25的芳基、碳数为5至9的杂芳基、芳垸基 和碳数为1至7的酰基中的一种。Ar1表示碳数为6至25的芳基和碳数为5 至9的杂芳基中的一种。W表示氢、碳数为1至6的垸基和碳数为6至12 的芳基中的一种。W表示氢、碳数为1至6的烷基、碳数为6至12的芳基 和以公式5示出的取代基中的一种。
2公式5中，W表示氢、碳数为1至6的垸基、碳数为6至25的芳基、 碳数为5至9的杂芳基、芳烷基和碳数为1至7的酰基中的一种。A—表示 碳数为6至25的芳基和碳数为5至9的杂芳基中的一种。W表示氢、碳数 为1至6的'烷基和碳数为6至12的芳基中的一种。
注意，有机化合物由于受热作用的影响而改变其性质，因此，有机化合 物优选具有高玻璃化温度(Tg)。具体地说，玻璃化温度为50。C至300。C， 优选为80°C至120°C。如果采用具有公式4所示的结构的有机化合物，则 在可见光区的吸收特别小，并且具有高玻璃化温度(Tg)。因此，当采用具 有公式4所示的结构的有机化合物时，可以提供具有高耐热性并且可靠性被 提高了的发光元件。此外，作为第一层13，可以以单层结构形成由上述材 料构成的层，也可以以叠层结构形成多个由上述材料构成的层。
第二层14是含有发光物质的层。所述发光物质是，例如，将具有高发 光性能的物质和具有高载流子传输性能并且其膜质量良好(即难以结晶化) 的物质任意组合的物质。其中所述具有高发光性能的物质例如为N,N' -二 甲基喹吖啶酮(缩写DMQd)和S- (2-苯并噻唑酯)-7-二乙胺香豆素(縮写 香豆素6)等，所述具有高载流子传输性能并且其膜质量良好的物质例如为 三(8-喹啉醇合)铝(縮写Alq3)和9， 10-二 (2-萘基)蒽(缩写DNA) 等。另外，Akb和DNA还具有高发光性能，因此第二层14可以单独使用 Alq3或DNA形成。此外，作为第二层14，可以以单层结构形成由上述材料 构成的层，也可以以叠层结构形成多个由上述材料构成的层。
作为形成第二导电层12的材料，可以采用各种金属、合金、导电化合 物或上述材料的混合物等。例如可以举出元素周期表中属于第一或第二族的元素，即碱金属如锂(Li)或铯(Cs)等、碱土金属如镁(Mg)、钙(Ca)或锶(Sr)等、 以及含有所述元素的合金(Mg:Ag、 Al丄i)。注意，在将第二导电层12用作 阴极的情况下，第二导电层12优选由功函数低(功函数为3.8eV或更低) 的材料形成。此外，通过在第二层14和第二导电层12之间与第二导电层 12接触地提供具有促进电子注入功能的层，可以将各种导电材料如Al、 Ag、 ITO以及含硅的ITO等作为第二导电层12使用，而无需考虑这些材料的功 函数。
接下来，说明与上述结构不同的监控用发光元件104和发光元件107 的叠层结构。监控用发光元件104和发光元件107各是由第一导电层11、 第一层15、第二层16、第三层17、第四层18、第五层19以及第二导电层 12层叠而成的元件(参见图2B)。
第一层15是含有有机化合物和无机化合物的层。第一层15由与上述第 一层13相同的材料构成。
第二层16是含有具有高空穴传输性能的物质的层。具有高空穴传输性 能的物质相当于芳香胺(即，具有苯环-氮键)的化合物，例如4， 4'-双[N-(l-萘基)-N-苯胺]联苯(縮写a-NPB)、 N,N，-双(3-甲基苯)-N,N，-二苯基-[l， 1，-联苯]-4， 4， -二胺(縮写TPD)、 4,4， ，4"-三(N，N-二苯 胺)三苯胺(缩写TDATA)、 4,4， ，4"-三[N- (3-甲基苯)-N-苯胺]三苯胺 (縮写MTDATA)等。注意，在这里所述的物质主要是具有10—6cm2/Vs 或更高的空穴迁移率的物质。然而，只要是空穴传输性能高于电子传输性能 的物质，就可以采用上述物质以外的物质。此外，作为第二层16，可以以 单层结构形成由上述材料构成的层，也可以以叠层结构形成多个由上述材料 构成的层。
第三层17是含有发光物质的层。第三层17由与上述第二层14相同的 材料构成。
第四层18是含有具有高电子传输性能的物质的层。含有具有高电子传 输性能的物质的层是由具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金属配合物等构成的层，所述金属配合物包括例如三(8-喹啉醇合)铝(縮写Alq3)、三(5-甲基-8-喹啉醇合)铝(縮写Almq3)、双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍(縮写 BeBq2)或双(2-甲基-8-喹啉醇合)-4-苯基苯酚盐-铝(縮写BAlq)等。此外，还 可以采用具有恶唑配体或噻唑配体的金属配合物，诸如双[2-(2-羟基苯基)-苯并恶唑]锌(缩写Zn(BOX)2)或双[2-(2-羟基苯基)-苯并噻唑]锌(縮写 Zn(BTZ)2)等。除了金属配合物以外，还可以采用2-(4-联苯基)-5-(4-tert-丁基 苯基)-l,3，4-恶二唑(缩写PBD)、 1,3-双[5-&々11-丁基苯基)-1，3，4-恶二唑-2-某基]苯(缩写OXD-7)、 3-(4-tert-丁基苯基)-4-苯基-5-(4-联苯基)-l,2,4-三唑 (縮写TAZ)、 3-(4-tert-丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4-联苯基)-l，2，4-三唑(縮 写p-EtTAZ)、红菲咯啉(缩写BPhen)或浴铜灵(缩写BCP)等。注意，在 此所述的物质主要是具有10—、r^/Vs或更高的电子迁移率的物质。只要是电 子传输性能高于空穴传输性能的物质，就可以采用上述物质以外的物质作为 第四层18使用。此外，作为第四层18，可以以单层结构形成由上述材料构 成的层，也可以以叠层结构形成多个由上述材料构成的层。
第五层19是含有具有高电子注入性能的物质的层。具有高电子注入性 能的物质例如是碱金属化合物或者碱土金属化合物如氟化锂(LiF)、氟化铯 (CsF)或氟化钙(CaF2)等。此外，作为第五层19，除了上述物质以外还可以采 用在由具有电子传输性能的物质构成的层中含有碱金属或碱土金属的化合 物，例如在Alq3中含有镁(Mg)的化合物等。此外，作为第五层19，可以以 单层结构形成由上述材料构成的层，也可以以叠层结构形成多个由上述材料 构成的层。
接下来，说明与上述结构不同的监控用发光元件104和发光元件107 的叠层结构。监控用发光元件104和发光元件107各是由第一导电层11、 第一层20、第二层21、第三层22以及第二导电层12层叠而成的元件(参 见图2C)。
第一层20是含有发光物质的层。第一层20由与上述第二层14和第三 层17相同的材料构成。第二层21是含有具有电子给予性能的物质和具有电子传输性能的物质 的层。具有电子给予性能的物质是碱金属、碱土金属、碱金属的氧化物、碱 土金属的氧化物、碱金属的盐或碱土金属的盐。具体地说是锂、铯、钙、氧 化锂、氧化钙、氧化钡或氮酸铯等。具有电子传输性能的物质为如上所述的 物质。
第三层22是含有有机化合物和无机化合物的层。第三层22由与上述第 一层13和第一层15相同的材料构成。
在上述结构中，当施加电压时，在第二层21和第三层22的界面附近给 予并接受电子，产生电子和空穴。然后第二层21将电子传输到第一层20， 同时，第三层22将空穴传输到第二导电层12。因此，第二层21和第三层 22—起起到载流子产生层的作用。此外，可以说第三层22还起到将空穴传 输到第二导电层12的作用。
接着，说明与上述结构不同的监控用发光元件104和发光元件107的叠 层结构。监控用发光元件104和发光元件107各是由第一导电层11、第一 层23、第二层24、第三层25、第四层26以及第二导电层12层叠而成的元 件(参见图2D)。
第一层23为含有有机化合物和无机化合物的层。第一层23由与上述第 一层13、第一层15和第三层22相同的材料构成。
第二层24为含有发光物质的层。第二层24由与上述第二层14、第三 层17和第一层20相同的材料构成。
第三层25为含有具有电子给予性能的物质和具有电子传输性能的物质 的层。第三层25由与上述第二层21相同的材料构成。
第四层26为含有有机化合物和无机化合物的层。第四层26由与上述第 一层13、第一层15和第三层22相同的材料构成。
如上所述那样，监控用发光元件104和发光元件107至少具有这两个层， 即含有有机化合物和无机化合物的层和含有发光物质的层。在第一导电层 11和第二导电层12之间至少提供有所述两个层。除了所述两个层以外，还提供有由具有高电子传输性能的物质、具有高空穴传输性能的物质、具有高 电子注入性能的物质、具有高空穴注入性能的物质、或具有双极性能(具有 高电子和空穴传输性能)的物质等构成的层。
由于在第一导电层11和第二导电层12之间产生电位差而使电流流过监 控用发光元件104和发光元件107。在含有发光物质的层中，空穴和电子再 结合而发光。发光元件的发光通过第一导电层11和第二导电层12的一个或
两者发射到外部。因此，第一导电层11和第二导电层12的一个或两者由透
光物质构成。发光元件所发射的光有两种， 一种是当从单重态激发回到基态 时的发光(荧光)，另一种是当从三重态激发回到基态时的发光(磷光)。
含有有机化合物和无机化合物的层具有极高的空穴注入性能和空穴传 输性能。因此，通过使用含有有机化合物和无机化合物的层，可以降低施加 到发光元件的两个电极之间的电压值。因此，可以减少耗电量。
此外，含有有机化合物和无机化合物的层的电阻值低于其它由有机化合
物构成的层的电阻值。例如，含有a-NPB和氧化钼并且ot-NPB和氧化钼的 重量比率为1:0.5的材料的电阻值为3.1x1050。因此，即使以更厚的膜厚度 形成含有有机化合物和无机化合物的层，也不会增加发光元件本身的电阻 值。换句话说，即使以更厚的膜厚度形成含有有机化合物和无机化合物的层， 也不会增加施加到发光元件的两个电极之间的电压值(以下也称为驱动电 压)。
此外，由于含有有机化合物和无机化合物的层的电阻值低，因此，可以 通过使层形成得更厚来防止产生由尘土和冲击等造成的短路部分。结果，可 以提供可靠性高的发光元件。
例如，使用含有有机化合物和无机化合物的层的发光元件的第一导电 层、第二导电层、以及所述第一导电层和所述第二导电层的总厚度可以设定 为100nm至500nm，优选为200nm至500nm，而一般的发光元件的第一导 电层、第二导电层、以及所述第一导电层和所述第二导电层之间的层的总厚 度为100nm至150nm。此外，含有有机化合物和无机化合物的层可以以40nm或更厚，优选以80nm或更厚，更优选以100nm或更厚的厚度形成。
即使以更厚的厚度形成含有有机化合物和无机化合物的层，发光元件的 驱动电压也不受影响，所以可以任意设定含有有机化合物和无机化合物的层
的厚度。因此，通过使层的厚度最优化，可以提高来自发光元件的发光的取 光功率和色纯度。
此外，通过共同沉积法形成含有有机化合物和无机化合物的层。共同沉 积法是使用两个或更多的蒸发源来进行气相沉积的方法。将无机化合物放在 一个蒸发源中，并将有机化合物放在另一个蒸发源中。像这样，含有有机化 合物和无机化合物的层与发光元件所包括的其它层一样，可以通过气相沉积 法来形成。因此，如果在将发光元件的第一导电层形成在衬底上之后将形成 有第一导电层的衬底放在气相沉积设备中，就可以连续地形成除了含有有机 化合物和无机化合物的层以外的所有的层。因此，可以防止发生尘土而可以 使层和层的界面保持洁净。注意，含有有机化合物和无机化合物的层以外的 层不仅可以使用气相沉积法，而且可以通过印刷法、旋转涂敷法等来形成。
实施例1
在本实施例中，将参照图3A和3B、 4A和4B说明作为本发明的显示 器件的面板的一个模式。面板具有设置在衬底10和相对衬底30之间的监控 部分101、包括发光元件107和驱动用晶体管108的像素部分102、恒流电 源110、电路1U、包括多个元件125的源极驱动器113以及栅极驱动器114。 此外，面板还具有设置在衬底10上的连接膜122。连接膜122与设置在外 部的多个IC连接。在图3A的透视图中的虚线A-B对应于在图3B、 4A和 4B的截面图中的A-B。然而，在截面图中省略了对电路111的描述。
在监控部分101、像素部分102、恒流电源110、电路111、源极驱动器 113以及栅极驱动器114的周围提供密封剂123。由密封剂123和相对衬底 30密封在衬底10上的多个电路。为了防止发光元件107受潮而进行所述密 封处理。在此，采用由覆盖材料(玻璃、陶瓷、塑料或金属等)密封的方法，然而也可以采用以下方法使用热固化树脂或紫外线固化树脂的密封方法； 使用具有高阻挡性能的薄膜如金属氧化物或氮化物等的密封方法。
在发光元件107的第一导电层11 (也称为像素电极)具有透光性而发
光元件107的第二导电层12 (也称为相对电极)具有遮光性的情况下，发 光元件107进行底部发光(Bottom Emission)(参见图3B)。
此外，在发光元件107的第一导电层11具有遮光性而发光元件107的 第二导电层12具有透光性的情况下，发光元件107进行顶部发光(Top Emission)(参见图4A)。此外，在发光元件107的第一导电层11和发光元 件107的第二导电层12都具有透光性的情况下，发光元件107进行双面发 光(Dual Emission)(参见图4B)。
底部发光意味着发光元件107向衬底10的方向发射光，顶部发光意味 着发光元件107向相对衬底30的方向发射光，双面发光意味着发光元件107 向衬底10和相对衬底30的双方向发射光。
此外，可以在驱动用晶体管108的源极线和漏极线上形成绝缘层后，在 所述绝缘层上形成发光元件107的第一导电层11 (参见图3B)，也可以在与 驱动用晶体管108的源极线和漏极线相同的层上形成发光元件107的第一导 电层ll (参见图4A和4B)。此外，层叠驱动用晶体管108的源极线和漏极 线与发光元件107的第一导电层II的部分，可以具有下层为驱动用晶体管 108的源极线或漏极线而上层为发光元件107的第一导电层11的结构(参 见图4A)。此外，也可以具有下层为发光元件107的第一导电层11而上层 为驱动用晶体管108的源极线或漏极线的结构(参见图4B)。
注意，在通过光刻法形成第一导电层11的步骤中，尤其在蚀刻第一导 电层U的步骤中，优选使用异丙醇(IPA)。通过使用异丙醇，可以减少对 驱动用晶体管108的源极线和漏极线与第一导电层11的损伤。
形成在衬底10上的元件可以由将晶体半导体用于沟道部分的薄膜晶体 管构成，所述晶体半导体具有良好的特性如迁移率等，因而就可以实现在同 一个表面上形成有多个元件的单片集成。具有上述结构的显示器件由于可以减少要连接的外部IC的数量，所以可以实现小型化、薄型化以及轻量化。
此外，监控部分101和像素部分102可以由形成在衬底10上的薄膜晶 体管(优选为将非晶体半导体用于沟道部分的薄膜晶体管)构成，而恒流电
源110、电路111、源极驱动器113以及栅极驱动器114可以由IC芯片构成。 IC芯片通过COG方式在衬底10上接合或与连接膜122接合。非晶体半导 体通过使用CVD法，可以容易地形成在大面积衬底上并且不需要结晶化步 骤。因此，可以提供廉价的显示器件。此外，在这个步骤中，如果通过使用 以喷墨法为代表的液滴喷出法形成导电层，可以提供更廉价的显示器件。
实施例2
将参照阁5和6A至6F描述使用本发明的显示器件的电子器具的一个 模式。这甩示出的电于器具是移动电话装置，其包括机架2700和2706、面 板2701、外壳2702、印刷电路板2703、操作按键2704和电池2705 (参见 图5)。面板2701具有监控部分101和像素部分102，并且由一对衬底密封 这些屯路。面板2701通过可拆卸(detachable)的方式结合到外壳2702中， 并且外売2702固定到印刷电路板2703。外壳2702的形状和大小根据安装 有面板2701的电子器具而适当改变。在印刷电路板2703上安装有多个IC 芯片、该多个IC芯片相当于中央处理电路(CPU)、控制电路、恒流电源110、 电路111、源极驱动器113和栅极驱动器114等。
印刷电路板2703通过连接膜2708安装在面板2701上。像这样，将印 刷电路板2703安装在面板2701上的状态称作模块。面板2701、外壳2702 和印刷电路板2703，与操作按键2704和电池2705 —起安装在机架2700和 2706的内部。面板2701所包括的像素部分被布置成使其从机架2700中提 供的开孔窗口可见。
注意，机架2700和2706示出了移动电话装置的外部形状的一个实例， 使ffl本发明的显示器件的电子器具可以根据其功能和用途被改变为各种模 式。本发明的显示器件可以适用于各种各样的电子器具，例如，作为携带终端的移动电话装置(也称为移动电话机、手机)、PDA、电子手册以及携带 游戏机；电视机(也称为电视、电视接收机)；显示器(也称为监控装置)； 如数字照相机或数字摄像机等摄像设备；如汽车音响系统等的声音再现装 置；以及家庭游戏机等。以下，将参照图6A至6F描述这些电子器具的模 式的一个实例。
作为便携式终端的移动电话装置包括像素部分9102等(参见图6A)。 作为便携式终端的便携式游戏机包括像素部分9801等(参见图6B)。数字 摄像机包括像素部分9701、 9702等(参见图6C)。作为便携式信息终端的 PDA (个人数字助理)包括像素部分9201等(参见图6D)。电视机包括像 素部分9301等(参见图6E)。监控装置包括像素部分9401等(参见图6F)。 本实施例可以与其它实施方式和实施例任意组合。
在本实施例中，将参照图7至IOA和IOB说明实验结果，其中调查了 含有发光元件和监控用发光元件的样品(样品A至C的三个样品)在室温 下工作时的特性的变化。每个样品A至C包括发光元件和监控用发光元件。 每个发光元件和监控用发光元件都具有由第一导电层(阳极)、第一层(空 穴注入层)、第二层(空穴传输层)、第三层(发光层)、第四层(电子传输 层)、第五层(电子注入层)以及第二导电层(阴极)从下面以此顺序层叠 的结构。在每个样品中发光元件和监控用发光元件具有相同的叠层结构。
在样品A的发光元件和监控用发光元件中，作为第--导电层形成氧化 铟锡，作为第一层以120nm的厚度形成由a-NPB、氧化钼和红荧烯构成并且 a-NPB、氧化钼和红荧烯的重量比率为l:0丄0.4的层。此外，作为第二层以 40nm的厚度形成a-NPB，作为第三层以40nm的厚度形成由Alq3和香豆素6 构成并且Alq3和香豆素6的重量比率为1:0.05的层。此外，作为第四层以 30nm的厚度形成Alq3，作为第五层以lnm的厚度形成氟化锂，作为第二导 lU层形成铝。样品A的起始亮度为316.0cd/m2，起始本征亮度为770.7cd/m2，起始电流为72.7mA，第一导电层的起始电位为6.2V以及第二导电层的电位 为0V。要注意，起始本征亮度是乘了起始亮度和每个样品的开口比率的值。
在样品B的发光元件和监控用发光元件中，作为第一导电层形成氧化 铟锡，作为第一层以120nm的厚度形成由DNTPD和氧化钼构成并且DNTPD 和氧化钼的重量比率为1:0.5的层。此外，作为第二层以40nm的厚度形成 a-NPB，作为第三层以40nm的厚度形成由Alq3和香豆素6构成并且Alq3 和香豆素6的重量比率为1:0.05的层。此外，作为第四层以30nm的厚度形 成Alq3，作为第五层以lnm的厚度形成氟化锂，作为第二导电层形成铝。 样品B的起始亮度为306.0cd/m2，起始本征亮度为746.3cd/m2，起始电流为 65.0mA，第一导电层的起始电位为6.1V，以及第二导电层的电位为0V。
在样品C的发光元件和监控用发光元件中，作为第一导电层形成氧化 铟锡，作为第一层以20nm的厚度形成CuPc，作为第二层以40nm的厚度形 成a-NPB。此外，作为第三层以40nm的厚度形成由Alq3和香豆素6构成并 卜i Alq3和香豆素6的重量比率为1:0.05的层。此外，作为第四层以30腿的 厚度形成Alq3，作为第五层以lnm的厚度形成氟化锂，作为第二导电层形 成铝。样品C的起始亮度为327.0cd/m2，起始本征亮度为797.6cd/m2，起始 电流为76.0mA，第-一导电层的起始电位为7.5V，以及第二导电层的电位为 0V。
在每个样品A至C中，用于第一层的材料是互相不同的，而用于其它 层的材料都是相同的。此外，在每个样品A至C中，发光元件和监控用发 光儿件的压力条件都是相同的。更详细地说，当进行实验时，发光元件和监 控发光兀件总是在发光的状态下，并且发光元件和监控用发光元件的瞬间的 电流值相同。换句话说，压力条件相同意味着在一定期间内的发光元件和监 控用发光元件的总电流量相同。亦即，在这种条件下，发光元件和监控用发 光元件的总电流量的比率为1:1。
接下来，说明样品A至C的每个第一导电层的电压值、被标准化的电 流、被标准化的亮度、以及被标准化的电流亮度效率与时间的关系。注意，被标准化的电流就是当以起始电流为100%时的电流(％)。被标准化的亮度 就是当以起始亮度为100%时的亮度(％)。被标准化的电流亮度效率就是当 以起始电流亮度效率为100%时的电流亮度效率(％)。
首先，将参照图7说明第一导电层(阳极)的电位(V，右边的纵轴) 和时间(hour，横轴)的关系。从图7中可以看到，在样品A至C中，第 --导电层的电位随着时间的推移都增加。这是因为随着时间的推移所有样品 的监控用发光元件发生随时间变化，而监控用发光元件的电阻值增加的缘 故。注意，样品A和B呈现大致相同的增加趋向。
接着，将参照图7说明被标准化的电流(。/。，左边的纵轴)和时间(hour， 横轴)的关系。从图7中可以看到，在样品A和B中，被标准化的电流几 乎不随着时间的推移而变化，而在样品C中，被标准化的电流随时着间的推 移巾]增加。如上所述，因为发光元件和监控用发光元件的压力条件相同，所 以在样品A和B中发光元件和监控用发光元件的随时间变化以相同速度而 进展，而在样品C中监控用发光元件的随时间变化的进展速度快于发光元件 的随时间变化的进展速度。
接若，将参照图8说明被标准化的亮度(％，纵轴)和时间(hour,横 轴)的关系。从图8中可以看到，样品A和B随着时间的推移标准化亮度 减少，而样品C的标准化亮度几乎没有变化。样品C的标准化亮度几乎没 有变化是因为，如上所述那样，在样品C中被标准化的电流增加的缘故。
接着，将参照图9说明被标准化的电流亮度效率和时间的关系。从图9 中iij以看到，在样品A至C中，被标准化的电流亮度效率都随着时间的推 移减少。
从上述结果可以了解，在样品A和B中，发光元件和监控用发光元件 的随时间变化的进展速度相同，而在样品C中，发光元件和监控用发光元件 的随时间变化的进展速度不同。在样品A和B中将含有有机化合物和无机 化合物的材料用于第一层，而在样品C中只将有机化合物用于第一层。这是 样品A和B与样品C的相异28化合物的材料用于第一层，就可以使发光元件和监控用发光元件的随时间变 化以相同的速度进展。因此，当每个发光元件和监控用发光元件都具有含有 有机化合物和无机化合物的层时，可以通过使用监控用发光元件，正确地进 行传达到发光元件的电位的校正。
接着，将参照图IOA和10B说明当使发光元件的发光率为25%(图10A 和10B中写成D)、 50% (图10A和10B中写成E)、 75% (图10A和10B 中写成F)以及100% (图10A和10B中写成G)、并且使监控用发光元件 的发光率为100%时的发光元件的标准化亮度和时间的关系。
注意，发光率表示发光元件的发光的时间的比率。发光元件的发光率为 100%指的是，发光元件在某一时间内(在此，为一个帧周期) 一直处于发 光的状态。发光元件的发光率为75%指的是，发光元件在一个帧周期的75% 的期间处于发光的状态。发光元件的发光率为50%指的是，发光元件在一个 帧周期的50%的期间处于发光的状态。此外，发光元件的发光率为25%指的 是，发光元件在一个帧周期的25%的期间处于发光的状态。
首先，参照图IOA说明样品B的被标准化的亮度(％，纵轴)和时间 (hour，横轴)的关系。从图10A中可以看到，在样品B中当使发光元件 的发光率设定为50%并且使监控用发光元件的发光率设定为100%时，发光 兀件的亮度最稳定。
此外，参照图10B说明样品C的被标准化的亮度(％，纵轴)和时间 (hour，横轴)的关系。从图IOB中可以看到，在样品C中当使发光元件的 发光率设定为100%并且使监控用发光元件的发光率设定为100%时，发光元 件的亮度最稳定。
从上述结果可知，在样品B中当使用发光元件显示发光率为50%的图 像时，发光元件的亮度最稳定。此外，在样品C中当使用发光元件显示发光 率为100%的图像时，发光元件的亮度最稳定。
木说明书根据2005年4月11日在日本专利局受理的日本专利申请编号 2005-113054而制作，所述申请内容包括在本说明书中。
权利要求
1.一种器件，包括第一发光元件；第二发光元件；将恒定的电流供给给所述第一发光元件的恒流电源；放大器；衬底；以及相对衬底；其中，所述第一发光元件的第一电极与所述放大器的输入端子电连接，所述第二发光元件的第一电极与所述放大器的输出端子电连接，所述第一发光元件的第二电极和所述第二发光元件的第二电极保持恒定的电位，所述第一发光元件和所述第二发光元件各具有形成在所述第一电极和所述第二电极之间的第一层和第二层，所述第一层含有有机化合物和无机化合物，所述第二层含有发光物质，并且所述第一发光元件、所述第二发光元件、所述恒流电源、以及所述放大器置于所述衬底与所述相对衬底之间。
2. —种器件，包括 第一发光元件； 第二发光元件；将恒定的电流供给给所述第一发光元件的恒流电源； 放大器；构造为控制所述第一发光元件的第一晶体管； 构造为控制所述第二发光元件的第二晶体管； 衬底；以及相对衬底；其中，所述第一发光元件的第一电极与所述放大器的输入端子电连接，所述第二发光元件的第一电极与所述放大器的输出端子电连接，所述第一发光元件的第二电极和所述第二发光元件的第二电极保持恒定的电位，所述第一发光元件和所述第二发光元件各具有形成在所述第一电极和所述第二电极之间的第一层和第二层，所述第一层含有有机化合物和无机化合物，所述第二层含有发光物质，并且所述第一发光元件、所述第二发光元件、所述恒流电源、所述放大器、所述第一晶体管、以及所述第二晶体管置于所述衬底与所述相对衬底之间。
3. 根据权利要求1或2所述的器件，其特征在于，所述有机化合物为4，4，-双[N-(l-萘基)-N-苯胺]联苯、4，4，-双[N-(3-甲基苯)-N-苯胺]联苯、4,4',4"-三(N,N-二苯胺)三苯胺、4,4，,4"-三[N-(3-甲基苯)-N-苯胺]三苯胺、4，4，-双(N-[4-(N，N-二-m-甲苯基氨基)苯基]-N-苯胺)联苯、l，3,5-三[N,N-二(m-三苯基)氨基]苯、4,4，-双[N-(4-联苯)-N-苯胺]联苯、4,4，，4"-三(N-咔唑基)三苯胺、3-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯胺]-9-苯基咔唑、3,6-双[^(9-苯胺咔唑-3-基)-1^-苯胺]-9-苯基咔唑、酞菁、铜钛菁、钒氧酞菁或5，6，ll，12-四苯基萘并萘。
4. 根据权利要求1或2所述的器件，其特征在于，所述无机化合物为氧化锆、氧化铪、氧化钒、氧化铌、氧化钽、氧化铬、氧化钼、氧化钨、氧化钛、氧化锰或氧化铼。
5. 根据权利要求1或2所述的器件，其特征在于，所述发光物质为选自N，N，-二甲基喹吖啶酮、3-(2-苯并噻唑酯)-7-二乙胺香豆素、三(8-喹啉醇合)铝、以及9，10-二(2-萘基)蒽中的一种或多种。
6. 根据权利要求1或2所述的器件，其特征在于，所述第一层和所述第二层是层叠而成的，并且所述第一层提供在所述第二层上。
7. 根据权利要求1或2所述的器件，其特征在于，所述第一层和所述第二层是层叠而成的，并且所述第二层提供在所述第一层上。
8. 根据权利要求1或2所述的器件，其特征在于，所述第一发光元件 的第二电极和所述第二发光元件的第二电极与布线电连接。
9. 根据权利要求1或2所述的器件，其特征在于，所述第一发光元件 的第二电极和所述第二发光元件的第二电极通过布线与电源连接。
10. 根据权利要求1或2所述的器件，其特征在于，所述放大器为缓冲放大器、运算放大器、或读出放大器。
11. 根据权利要求1或2所述的器件，其特征在于，所述放大器为缓冲放大器，所述放大器的输入端子为所述缓冲放大器的同相输入端子，所述放 大器的输出端子为所述缓冲放大器的输出端子。
12. 根据权利要求1或2所述的器件，其特征在于，所述第一发光元件 的总电流量X除以所述第二发光元件的总电流量Y (X/Y)等于1至5，其 中包括1和5。
13. 根据权利要求1或2所述的器件，其特征在于，所述第一发光元件 和第二发光元件形成在同一绝缘表面上。
14. 根据权利要求1或2所述的器件，其特征在于，所述第一发光元件、 所述第二发光元件、所述恒流电源以及所述放大器形成在同一绝缘表面上。
全文摘要
本发明涉及包括发光元件的器件，提供了一种器件，包括第一发光元件；第二发光元件；将恒定的电流供给给所述第一发光元件的恒流电源；放大器；衬底；以及相对衬底；其中，所述第一发光元件的第一电极与所述放大器的输入端子电连接，所述第二发光元件的第一电极与所述放大器的输出端子电连接，所述第一发光元件的第二电极和所述第二发光元件的第二电极保持恒定的电位，所述第一发光元件和所述第二发光元件各具有形成在所述第一电极和所述第二电极之间的第一层和第二层，所述第一层含有有机化合物和无机化合物，所述第二层含有发光物质，并且所述第一发光元件、所述第二发光元件、所述恒流电源、以及所述放大器置于所述衬底与所述相对衬底之间。
文档编号H01L27/32GK101599504SQ20091015944
公开日2009年12月9日 申请日期2006年4月6日 优先权日2005年4月11日
发明者吉富修平, 德丸亮, 早川昌彦 申请人:株式会社半导体能源研究所