专利名称：双面板型有机电致发光显示装置及其制造方法
技术领域：
本发明涉及有机电致发光显示(0ELD)装置，更具体地说，涉及双面板型OELD装置 及其制造方法。
背景技术：
本申请要求2008年11月3日在韩国提交的韩国专利申请2008-0108571的优先 权，在此通过引用将其全部结合进来。 作为新型平板显示装置的OELD装置是自发光型的。OELD装置具有优良的视角、对 比度等特性。而且，因为OELD装置不需要背光组件，因此OELD装置重量轻并且功耗低。此 外，OELD装置具有高响应速率、低生产成本等优点。 图1为示出了相关技术OELD装置的像素区域的电路图。如图l所示，在一个像 素区域"P"中形成选通线"GL"、数据线"DL"、电源线"PL"、开关薄膜晶体管(TFT) "STr"、 存储电容器"StgC"、驱动TFT "DTr"和有机电致发光二极管"E"。选通线"GL"和数据线 "DL"彼此交叉，使得限定了像素区域"P"，并且电源线"PL"被形成为与数据线"DL"平行。 开关TFT "STr"形成在选通线"GL"和数据线"DL"的交叉部。驱动TFT "DTr"电连接到开 关TFT "STr"。 驱动TFT "DTr"电连接到有机电致发光二极管"E"。更详细地说，有机电致发光二 极管"E"的第一电极连接到驱动TFT "DTr"的漏极，而有机电致发光二极管"E"的第二电 极连接到电源线"PL"。电源线"PL"向有机电致发光二极管"E"提供电源电压。存储电容 器"Cst"设置在驱动TFT "DTr"的栅极和源极之间。 当通过选通线"GL"向开关TFT "STr"施加信号使得开关TFT "STr"导通时，向驱 动TFT "DTr"的栅极施加来自数据线"DL"的信号，使得驱动TFT "DTr"导通。结果，从有 机电致发光二极管"E"发出光。在这种情况下，当驱动TFT "DTr"导通时，确定从电源线 "PL"施加到有机电致发光二极管"E"的电流的大小，使得有机电致发光二极管"E"能够产 生灰度级。当开关TFT "STr"截止时，存储电容器"StgC"起到保持驱动TFT "DTr"的栅极 电压的作用。因此，即使开关TFT "STr"截止，从电源线"PL"施加到有机电致发光二极管 "E"的电流的大小也能保持到下一帧。 在单个基板上形成阵列元件(例如，TFT)和包括阳极、阴极和有机发光层的有机 电致发光二极管。或者，在不同基板上形成阵列元件和有机电致发光二极管，并且还形成用 于连接阵列元件和有机电致发光二极管的连接电极。后者可以称为双面板型OELD装置。
图2为示出了相关技术双面板型0ELD装置的一个像素区域的截面图。在图2中， 在第一基板10上形成选通线(未示出)和数据线15。选通线和数据线15彼此交叉以限定 像素区域。在该像素区域中形成有开关TFT(未示出)和驱动TFT "DTr"。形成覆盖开关 TFT和驱动TFT "DTr"的钝化层25。钝化层25包括暴露出驱动TFT "DTr"的漏极20的接 触孔27。在钝化层25上形成有通过接触孔27连接到驱动TFT "DTr"的漏极20的连接电 极35。
此外，在第二基板50上形成有第一电极53。在第一电极53上形成有与像素区域 的边界对应的缓冲图案57，并且在像素区域的一部分上形成柱状隔离部55。在缓冲图案57 上形成具有相对于第二基板50的内表面呈倒锥形的壁60。此外，在第一电极53上形成有 机发光层65和第二电极70。有机发光层65和第二电极70分别与相邻像素区域中的有机 发光层和第二电极隔离。第一电极53、有机发光层65和第二电极70构成了有机电致发光 二极管"E"。第二电极70与第一基板10上的连接电极35接触，使得有机电致发光二极管 "E"电连接到驱动TFT "DTr"。在第一基板10和第二基板50中的一个基板的边缘上形成有密封图案(未示出)，
以便密封第一基板10和第二基板50之间的内部空间。第一基板10和第二基板50之间的
内部空间填充有惰性气体或者具有真空环境以防止被湿气或者空气损坏。在双面板型OELD装置1的制造过程中，尤其是， 一个像素区域中的第二电极70应
当与相邻像素区域中的第二电极隔离。为获得这种结构，在第二基板50上，具有倒锥形的
壁60由有机绝缘材料形成。壁60的靠近第二基板50的一端的第一截面积小于另一端的
第二截面积。壁60围绕各像素区域。将有机发光材料和金属材料顺序地涂覆和沉积于已
经形成有壁60的第二基板50上，以形成有机发光层65和第二电极70。 然而，通过不同处理形成用于双面板型OELD装置的壁60和柱状隔离部55，因此需
要多于一个掩模处理。此外，因为在壁60上存在连续的金属图案73，因此存在由于颗粒造
成的亮度问题。此外，因为具有柱状隔离部55，第一基板10上的驱动TFT "DTr"和有机电
致发光二极管"E"具有点接触，因此增加了发生接触问题的可能性。 为克服这些问题，引入了包括双构造壁(其起到连接电极的作用)而无柱状隔离 部的无隔离部型OELD装置。不幸的是，仍然存在问题。因为在该双构造壁上连续形成的有 机电致发光二极管的第二电极用作连接电极，所以在第二基板上需要平坦化层以获得双构 造壁的均匀高度。当由有机绝缘材料形成的平坦化层被加热时，由该平坦化层生成气体。当 有机发光层的有机发光材料暴露于该气体时，在有机发光层中会产生热退化，使得OELD装 置的寿命减短。此外，不能对无隔离部型OELD装置的第一基板和第二基板上元件之间的接 触区域进行控制。
发明内容
因此，本发明目的是提供一种基本避免了由于相关技术的限制和缺点造成的一个
或更多个的问题的双面板型有机电致发光显示装置和制造该装置的方法。 本发明的其它特征及优点将在以下的说明书中进行阐述，并且一部分根据本说明
书将是清楚的，或者可以通过实践本发明而获知。本发明的这些和其它优点可以通过在本
书面说明书及其权利要求书以及附图中具体指出的结构来实现和获得。 根据本发明，如这里所具体和广泛描述的，一种双面板型有机电致发光显示装置 包括第一基板和第二基板，该第一基板和第二基板彼此面对并且具有像素区域和在该像 素区域的边界处的边界区域；在所述第一基板上且位于所述像素区域和所述边界区域中 的第一电极；在所述边界区域中且在所述第一电极上的第一壁和第二壁，所述第一壁和所 述第二壁彼此分开，所述第一壁和所述第二壁各具有相对于所述第一基板呈倒锥形的形状 并且所述第一壁和所述第二壁各具有第一侧面和第二侧面，其中，所述第一壁的第二侧面面向所述第二壁的第二侧面，并且所述第一壁的第一侧面和所述第二壁的第一侧面分别与
所述第一壁的第二侧面和所述第二壁的第二侧面相背对；第一图案，其覆盖所述第一壁的
第一侧面和所述第二壁的第一侧面并相对于第一电极言而具有第一高度；第二图案，其覆
盖所述第一壁和所述第二壁二者中至少一个的上表面并相对于第一电极而言具有大于第
一高度的第二高度；位于所述第一电极上的有机发光层；位于所述有机发光层上的第二电
极，所述第二电极的一部分覆盖所述第二图案上的有机发光层的上表面；位于所述像素区
域中并且在所述第二基板上的开关薄膜晶体管；位于所述像素区域中并且在所述第二基板
上的驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管连接到所述开关薄膜晶体管；以及连接电极，其
位于所述第二基板上并连接到所述驱动薄膜晶体管和所述第二电极的所述一部分。 根据本发明的另一个方面，一种双面板型有机电致发光显示装置包括第一基板
和第二基板，该第一基板和第二基板彼此面对并且具有像素区域和在该像素区域的边界处
的边界区域；位于所述像素区域和所述边界区域中并且在所述第一基板上的第一电极；在
所述边界区域中并且在所述第一电极上的第一壁和第二壁，所述第一壁和所述第二壁彼此
分开，所述第一壁和所述第二壁各具有相对于所述第一基板呈倒锥形的形状并且所述第一
壁和所述第二壁各具有第一侧面和第二侧面，其中，所述第一壁的第二侧面面向所述第二
壁的第二侧面，并且所述第一壁的第一侧面和所述第二壁的第一侧面分别与所述第一壁的
第二侧面和所述第二壁的第二侧面相背对；从所述第一壁延伸入所述像素区域中的凸出
部；第一图案，其覆盖所述第一壁的第一侧面和所述第二壁的第一侧面并相对于第一电极
而言具有第一高度；第二图案，其覆盖所述凸出部的上表面并相对于第一电极而言具有大
于所述第一高度的第二高度；位于所述第一电极和所述凸出部上的有机发光层；位于所述
有机发光层上的第二电极，所述第二电极的一部分覆盖所述凸出部上的有机发光层的上表
面；位于所述像素区域中并且在所述第二基板上的开关薄膜晶体管；位于所述像素区域中
并且在所述第二基板上的驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管连接到所述开关薄膜晶体
管；以及连接电极，其位于所述第二基板上并连接到所述驱动薄膜晶体管和所述第二电极
的所述一部分。 根据本发明的另一个方面，一种制造双面板型有机电致发光显示装置的方法包括 以下步骤形成第一电极的步骤，其在第一基板的整个表面上形成第一电极，该第一基板具 有像素区域和所述像素区域的边界处的边界区域；形成第一壁和第二壁的步骤，其形成在 所述边界区域中且在所述第一电极上的绝缘材料的第一壁和第二壁，所述第一壁和所述第 二壁彼此分开，所述第一壁和所述第二壁各具有相对于所述第一基板呈倒锥形的形状并且 所述第一壁和所述第二壁各具有第一侧面及第二侧面，其中，所述第一壁的第二侧面面向 所述第二壁的第二侧面，并且所述第一壁的第一侧面和所述第二壁的第一侧面分别与所述 第一壁的第二侧面和所述第二壁的第二侧面相背对；形成聚合物材料层的步骤，其在所述 第一壁和所述第二壁上形成具有平坦顶面的聚合物材料层；形成第一光刻胶图案和第二 光刻胶图案的步骤，其在所述聚合物材料层上并且对应于所述第一壁和所述第二壁形成第 一光刻胶图案和第二光刻胶图案，所述第一光刻胶图案的厚度小于所述第二光刻胶图案的 厚度；形成聚合物图案的步骤，其移除所述聚合物材料层中通过所述第一光刻胶图案和所 述第二光刻胶图案暴露出的部分，以形成聚合物图案，该聚合物图案覆盖所述第一壁的第 一侧面、所述第二壁的第一侧面以及所述第一壁和所述第二壁中各壁的上表面；形成第三其通过完全移除所述第一光刻胶图案暴露出所述第一壁和所述第二壁 中各壁的所述上表面的一部分，并通过部分移除所述第二光刻胶图案来形成第三光刻胶图 案；形成第一图案和第二图案的步骤，其移除所述聚合物图案中通过所述第三光刻胶图案 暴露出的另一部分以形成第一图案和第二图案，其中所述第一图案覆盖所述第一壁的第一 侧面和所述第二壁的第一侧面并且相对于所述第一电极而言具有第一高度，该第二图案覆 盖所述第一壁和所述第二壁二者中至少一个的上表面并且相对于所述第一电极而言具有 大于所述第一高度的第二高度；形成有机发光层的步骤，其在所述第一电极、所述第一图案 和所述第二图案上形成有机发光层；以及形成第二电极的步骤，其在所述有机发光层上形 成第二电极，所述第二电极的一部分覆盖所述第二图案上的有机发光层的上表面。
根据本发明的另一个方面，一种制造双面板型有机电致发光显示装置的方法包括 以下步骤在第一基板的整个表面上形成第一电极，该第一基板具有像素区域和所述像素 区域的边界处的边界区域；形成在所述边界区域中且在所述第一电极上的绝缘材料的第一 壁和第二壁以及从所述第一壁延伸入所述像素区域中的绝缘材料的凸出部，所述第一壁和 所述第二壁彼此分开，所述第一壁和所述第二壁各具有相对于所述第一基板呈倒锥形的形 状并且所述第一壁和所述第二壁各具有第一侧面及第二侧面，其中，所述第一壁的第二侧 面面向所述第二壁的第二侧面，并且所述第一壁的第一侧面和所述第二壁的第一侧面分别 与所述第一壁的第二侧面和所述第二壁的第二侧面相背对；形成第一图案和第二图案，该 第一图案覆盖所述第一壁的第一侧面和所述第二壁的第一侧面并且相对于所述第一电极 而言具有第一高度，该第二图案覆盖所述凸出部的上表面并且相对于所述第一电极而言具 有大于所述第一高度的第二高度；在所述第一电极和所述凸出部上形成有机发光层；在所 述有机发光层上形成第二电极，所述第二电极的一部分覆盖所述凸出部上的有机发光层的 上表面；在所述像素区域中并且所述第二基板上形成开关薄膜晶体管；在所述像素区域中 并且所述第二基板上形成驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管连接到所述开关薄膜晶体 管；在所述第二基板上形成连接到所述驱动薄膜晶体管的连接电极；以及附接所述第一基 板和所述第二基板，使得所述连接电极接触所述第二电极对应于所述第二图案的部分。
应当理解的是，前面的一般描述和后面的具体描述都是示例性和解释性的，且旨 在提供所要求保护的本发明的进一步解释。
为对本发明提供进一步的理解所包括进来并结合到本说明书中且构成本发明书
的一部分的附图例示了本发明的实施方式，并与本说明书一同用来解释本发明的原理。 图1为示出了相关技术OELD装置的像素区域的电路图。 图2为示出了相关技术双面板型OELD装置的一个像素区域的截面图。 图3A到3E分别为根据本发明的双面板型0ELD装置的一部分的平面图。 图4是示出了根据本发明的双面板型0ELD装置的像素区域的截面图。 图5A到5F是例示根据本发明的双面板型0ELD装置的制造过程的截面图。
具体实施例方式
现在详细说明优选的实施方式，在附图中例示出了这些实施方式的示例。
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图3A到图3E分别为根据本发明的双面板型0ELD装置的一部分的平面图。图3A 到3E中各图集中于起双面板型OELD装置中形成有有机电致发光二极管的上基板上的隔离 部作用的壁和第二图案。将第二图案标记为点。图3A和图3E分别示出了在相邻像素区域 中具有不同形状的第二图案。然而，它们可以具有相同形状。 参考图3A至图3E，在上基板110上形成有彼此分开的第一壁118a和第二壁118b。 第一壁118a和第二壁118b中的各壁具有倒锥形的形状。第一壁118a围绕第一像素区域 "P1"，而第二壁118b围绕第二像素区域"P2"。 SP，第一壁118a和第二壁118b分别围绕相 邻的像素区域"P"。第一壁118a和第二壁118b中的各壁可以具有如图3A到图3C所示的 矩形或者如图3D和3E所示的蜂窝形。第一壁118a和第二壁118b中的各壁在围绕像素区 域"P"的部分可以具有相同宽度，而如图3B到图3D中所示第一壁118a和第二壁118b中 的各壁的一部分的宽度可以比第一壁118a和第二壁118b中各壁的其他部分的宽度更宽。 在图3B到图3D中，第一壁118a和第二壁118b中的各壁被分支并进入形成有第一连接电 极的区域，以形成凸出部190。 在图3B到图3D中，因为在形成凸出部190的区域形成第一连接电极，所以上基 板110和下基板(未示出)具有点接触。同时，在图3A和3E中，因为具有线状的第二图案 123b用于连接上基板110和下基板，所以上基板110和下基板具有线接触。因此，在图3A 和图3E中不需要凸出部。 参考图4，其为示出了根据本发明的双面板型0ELD装置的像素区域的截面图，在 第一壁118a和第二壁118b上形成包括第一图案123a和第二图案123b的壁图案123。作 为缓冲图案的第一图案123a覆盖第一壁118a和第二壁118b 二者的外表面。作为隔离部 的第二图案123b覆盖第一壁118a和第二壁118b 二者中至少一个的上表面。
再参考图3A到图3E，第二图案123b具有各种形状。例如， 一个像素区域"P"可以 完全被第二图案123b围绕。或者，除矩形或六边形像素区域"P"的至少一侧之外的侧可以 被第二图案123b围绕。当第一壁118a和第二壁118b包括凸出部190时，第二图案123b可 以形成于除其他部分之外的凸出部190上。在这种情况下，第二图案123b具有柱状(柱) 或条状。因为在第一壁118a和第二壁118b上的第二图案123b具有各种形状，因此可以控 制第二图案123b上的第一连接电极(未示出)和连接到下基板上的驱动TFT(未示出)的 第二连接电极的连接区域。例如，如图3D中所示，当像素区域"P"具有蜂窝形状时，凸出部 190可以设置为位于相邻的四个像素区域P当中的菱形区域。 尽管未示出，但是在上基板110上形成有透明导电材料的第一电极。在第一电极 上形成有发出红色、绿色和蓝色的有机发光层。有机发光层位于被第一图案123a(图4中) 围绕的区域中，使得一个像素区域"P"中的有机发光层与相邻像素区域"P"中的另一有机 发光层隔离。此外，在有机发光层上形成有第二电极。在一个像素区域"P"中的有机发光层 和第二电极由于第一壁118a、第二壁118b、第一图案123a和第二图案123b而自然地与相 邻像素区域"P"中的有机发光层和第二电极隔离。第一电极、有机发光层和第二电极构成 了有机电致发光二极管。第二电极在第二图案123b上的部分起第一连接电极的作用。此 外，还可以在第一电极下面形成低电阻材料的辅助电极，以改善第一电极的导电性。辅助电 极设置于像素区域"P"的边界处。 在面向上基板110的下基板上形成有多条选通线和多条数据线。选通线和数据线彼此交叉以形成像素区域"P"。在下基板上与数据线平行地形成电源线。在选通线和数据 线的交叉部形成开关TFT，并且驱动TFT连接到该开关TFT。 当上基板110与下基板附接时，上基板上的第一连接电极接触连接到下基板上的 驱动TFT的第二连接电极，使得上基板上的有机电致发光二极管电连接到下基板上的驱动 TFT。上基板110与下基板通过沿着上基板110和下基板中至少一个基板的边缘的密封剂 来密封，以获得根据本发明的双面板型OELD装置。在本发明中，有机电致发光二极管和驱 动TFT根据第二图案123b的形状而具有点接触或线接触。 再参考图4，来解释双面板型0ELD装置的截面结构。在图4中，双面板型OELD装 置101包括上基板110和下基板150。在透明上基板110的像素区域"P"的边界处形成低 电阻材料的辅助电极113。在上基板110的整个表面上形成由具有相对高的逸出功(work function)的透明导电材料制成的第一电极115，以覆盖辅助电极113。
在第一电极115上像素区域"P"的边界处形成第一壁118a和第二壁118b。在图 4中，第一壁118a和第二壁118b位于辅助电极113的端部。第一壁118a和第二壁118b的 各壁具有相对于上基板110的内表面呈倒锥形的形状。即，第一壁118a和第二壁118b中 各壁中比另一端更靠近上基板110的一端的第一截面积小于另一端的第二截面积。第一壁 118a和第二壁118b彼此分开预定距离。 在第一电极115上形成了包括第一图案123a和第二图案123b的壁图案123，以 部分地覆盖第一壁118a和第二壁118b。第一图案123a覆盖第一壁118a的第一侧面和第 二壁118b的第一侧面。第一壁118a的第二侧面和第二壁118b的第二侧面可以不用壁图 案123覆盖。第一壁118a的第二侧面面向第二壁118b的第二侧面，并且第一壁118a的第 一侧面和第二壁118b的第一侧面分别与第一壁118a的第二侧面和第二壁118b的第二侧 面相背对。第二图案123b覆盖第一壁118a和第二壁118b 二者中至少一个的上表面。第 二图案123b从第一图案123a延伸。第一壁118a的第二侧面和第二壁118b的第二侧面具 有倒锥形形状，而沿着第一壁118a的第一侧面和第二壁118b的第一侧面的表面整体上具 有锥形形状。第二图案123b与第一壁118a和第二壁118b 二者中形成有第二图案123b的 所述至少一个起到隔离部的作用。如上所述，第二图案123b可以覆盖第一壁118a和第二 壁118b 二者中所述至少一个的整个表面或者第一壁118a和第二壁118b 二者中所述至少 一个的部分表面。此外，因为第二图案123b具有各种形状，所以第二图案123b的面积是可 控的，使得上基板110上的第一连接电极131和下基板150上的第二连接电极175的接触 面积也是可控的。 在第一电极115和壁图案123上形成有机发光层126。在一个像素区域"P"中的 有机发光层126由于第一壁118a、第二壁118b及壁图案123而与相邻像素区域"P"中的有 机发光层126分开。例如，在三个相邻像素区域"P"中的有机发光层126分别发出红色、绿 色和蓝色。图4示出了单层的有机发光层126。然而，为了提高发光效率，有机发光层126 可以是包括电子注入层、电子传输层、有机发光材料层、空穴传输层和空穴注入层的多层。
在有机发光层126上形成有第二电极130。在一个像素区域"P"中的第二电极 130由于第一壁118a、第二壁118b及壁图案123也与相邻像素区域"P"中的第二电极130 隔离。第二电极130可以由具有相对高逸出功的金属材料(例如，铝(Al)或A1合金)形 成。第一电极115、有机发光层126和第二电极130构成了有机电致发光二极管"E"。第二电极130叠在第一壁118a、第二壁118b、第一图案123a和第二图案123b上。第二电极130 中叠在第二图案123b上的部分起第一连接电极131的作用。第一连接电极131与下基板 150上的第二连接电极175接触，使得有机电致发光二极管"E"的第二电极130电连接到驱 动TFT "DTr"。在形成有机发光层126和第二电极130的步骤中，在第一壁118a和第二壁 118b之间存在有机图案127和金属图案132。 在下基板150上，形成有选通线(未示出)和数据线162，其间夹有栅绝缘层155。 选通线和数据线162彼此交叉，使得限定了像素区域"P"。在选通线和数据线162的交叉部 形成有连接到选通线和数据线162的开关TFT(未示出)。至少一个驱动TFT"DTr"电连接 到开关TFT。图4示出了单个驱动TFT "DTr"。开关TFT和驱动TFT "DTr" 二者都包括顺 序堆叠的栅极153、包含有源层158a和欧姆接触层158b的半导体层158、源极164和漏极 166。它可以称为底栅结构。或者，开关TFT和驱动TFT "DTr" 二者都可以具有顶栅结构。
在开关TFT和驱动TFT'DTr"上形成有包括接触孔172的钝化层170。接触孔172 暴露出驱动TFT "DTr"的电极，例如漏极166。钝化层170由有机绝缘材料形成，以形成平 坦顶面。或者，钝化层170可以由无机绝缘材料形成，以便形成根据下面结构而不平坦的顶 面。 在钝化层170上形成有连接到驱动TFT "DTr"的漏极166的第二连接电极175。 上基板110与下基板150附接，使得在上基板110上的第一连接电极131与连接到下基板 150上的第二连接电极175接触。尽管未示出，但是沿着上基板110和下基板150中至少一 个基板的边缘形成密封图案，以密封上基板110和下基板150。在上基板110和下基板150 之间的内部空间具有真空环境或者惰性气体环境。此外，还可以形成用于吸收湿气的除气 图案(getter pattern)。 参考图5A到图5F，来解释根据本发明的双面板型0ELD装置的制造过程。图5A到 图5F是例示根据本发明的双面板型OELD装置的制造过程的截面图。将形成壁的区域定义 为边界区域"CA"。 在图5A中，通过沉积第一金属层(未示出)并且通过掩模工艺进行构图，在上基 板110上的边界区域"CA"中形成辅助电极113。第一金属层可以包括低电阻金属材料，例 如A1、A1合金、铜(Cu)、Cu合金和铬(Cr)。掩模工艺可以包括形成光刻胶(PR)层的步骤、 利用掩模对PR层进行曝光的步骤、对曝光后的PR层进行显影以形成PR图案的步骤和利用 PR图案作为蚀刻掩模来蚀刻第一金属层的步骤。辅助电极113可以具有沿着像素区域"P" 的边界的栅格形状或者沿着像素区域"P"的一边的线性形状。 在上基板110的整个表面上形成由具有相对高逸出功的透明导电材料(例如铟锡 氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO))制成的第一电极115，以覆盖辅助电极113。形成辅助 电极113以提高第一电极115的导电性。可以省略辅助电极113。 在图5B中，通过涂覆有机绝缘材料层(未示出)并对其进行构图，来在边界区域 "CA"中的第一电极115上形成第一壁118a和第二壁118b。第一壁118a和第二壁118b中 的各壁具有倒锥形形状。有机绝缘材料具有负感光属性，因此可以获得具有倒锥形形状的 有机绝缘材料层。当对具有负感光属性的有机绝缘材料层的一部分进行曝光以使在显影过 程之后保留曝光部分时，会在化学上改变该部分。当对有机绝缘材料层进行曝光时，照射到 该有机绝缘材料层的上表面的光量不同于照射到该有机绝缘材料层的下表面的光量。对曝
12光后的有机绝缘材料层进行显影，使得能够获得倒锥形形状。 在图5C中，通过涂覆聚合物材料(例如聚酰亚胺)来在上基板110的形成有第一 壁118a和第二壁118b的整个表面上形成聚合物材料层(未示出)。还在聚合物材料层上 形成光刻胶(PR)层(未示出)，然后利用衍射曝光法或者半色调(half-tone)曝光法对PR 层进行曝光和显影以形成具有第一厚度的第一PR图案181a和具有大于第一厚度的第二厚 度的第二PR图案181b。在衍射曝光法或半色调曝光法中，曝光掩模包括透射部、半透射部 和阻挡部。半透射部的透射性小于透射部而大于阻挡部。第一PR图案181a形成在将要形 成第一图案123a的第一区域，而第二 PR图案181b形成在将要形成第二图案123b的第二 区域。 接着，对聚合物材料层中通过第一PR图案181a和第二PR图案181暴露出的部分 进行蚀刻，以形成聚合物图案122，该聚合物图案122覆盖第一壁118a和第二壁118b的第 一侧面、以及第一壁118a和第二壁118b二者中至少一个的上表面。对应于第一壁118a的 聚合物图案122相对于第一电极115而言具有与对应于第二壁118b的聚合物图案122相 同的高度。 接着，在图5D中，对第一 PR图案181a和第二 PR图案181b (图5C中)进行灰化 以移除第一 PR图案181a并且由第二 PR图案181b形成第三PR图案181c。对通过移除第 一PR图案181a而暴露出的聚合物图案122进行干法蚀刻，以具有与第一壁118a相同的 高度。对应于第二壁118b的聚合物图案122覆盖有第三PR图案181c，使得对应于第一壁 118a的聚合物图案122相对于第一电极115而言具有与对应于第二壁118b的聚合物图案 122不同的高度。对应于第一壁118a的聚合物图案122覆盖了第一壁118a的第一侧面，而 不覆盖第一壁118a的上表面。对应于第一壁118a的聚合物图案122被定义为壁图案123 的第一图案123a。 对应于第二壁118b的聚合物图案122不仅覆盖第二壁118b的第一侧面，而且覆 盖第二壁118b的上表面。聚合物图案122中覆盖了第二壁118b的第一侧面的部分被定义 为第一图案123a，而聚合物图案122中覆盖了第二壁118b的上表面的部分被定义为壁图案 123的第二图案123b。结果，第二图案123b具有相对于第一电极115而言比第一图案123a 更高的高度。第一图案123a起相关技术双面板型0ELD装置中缓冲图案的作用，而第二图 案123b起隔离部的作用。 接着，在图5E中，通过剥离处理移除(图5D的)第三PR图案181c，然后通过沉积 有机发光材料或者通过喷嘴涂覆装置或喷墨装置(inkjet即paratuw)涂覆有机发光材料， 来在像素区域"P"中的第一图案123a、第二图案123b及第一电极115上形成有机发光层 126。有机发光层126发出红色、绿色和蓝色。有机发光层126还覆盖第二图案123b的上 表面。同时，在第一图案123a和第二图案123b之间的空间中形成了有机图案127。
接着，在图5F中，通过沉积具有相对低逸出功的金属材料(例如，Al或Al合金) 在有机发光层126上形成第二电极130。第二电极130的金属材料的逸出功小于第一电极 115的透明导电材料。同时，在有机图案127上形成金属图案132。即，有机图案127和金 属图案132设置于边界区域"CA"中。由于第一壁118a和第二壁118b，有机图案127和金 属图案132分别与有机发光层126和第二电极130断开。在一个像素区域"P"中的有机发 光层126和第二电极130由于第一壁118a和第二壁118b而自然地与相邻像素区域"P"中
13的有机发光层和第二电极隔离。第二电极130中覆盖第二图案123b上的有机发光层的部 分起第一连接电极131的作用。第一电极115、有机发光层126和第二电极130构成了有机 电致发光二极管"E"。 再参考图4，上基板110和形成有开关TFT、驱动TFT "DTr"和第二连接电极175 的下基板150面对，使得第二图案123b上的第一连接电极131与连接到驱动TFT "DTr"的 第二连接电极175接触。然后，沿着上基板IIO和下基板150的边缘形成密封图案(未示 出)，并且上基板110和下基板150附接，使得其中具有真空环境或惰性气体环境，从而获得 双面板型OELD装置101。 对于本领域技术人员而言，很明显，可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下 对本发明做出各种修改和变型。因此，本发明旨在涵盖落入所附权利要求书及其等同物范 围内的本发明的这些修改和变型。
权利要求
一种双面板型有机电致发光显示装置，其包括第一基板和第二基板，该第一基板和第二基板彼此面对并且具有像素区域和在该像素区域的边界处的边界区域；第一电极，其位于所述像素区域和所述边界区域中且在所述第一基板上；第一壁和第二壁，该第一壁和第二壁在所述边界区域中且在所述第一电极上，所述第一壁和所述第二壁彼此分开，所述第一壁和所述第二壁各具有相对于所述第一基板呈倒锥形的形状，并且所述第一壁和所述第二壁各具有第一侧面及第二侧面，其中，所述第一壁的第二侧面面向所述第二壁的第二侧面，并且所述第一壁的第一侧面和所述第二壁的第一侧面分别与所述第一壁的第二侧面和所述第二壁的第二侧面相背对；第一图案，其覆盖所述第一壁的第一侧面和所述第二壁的第一侧面并相对于所述第一电极而言具有第一高度；第二图案，其覆盖所述第一壁和所述第二壁二者中至少一个的上表面并相对于第一电极而言具有大于所述第一高度的第二高度；位于所述第一电极上的有机发光层；位于所述有机发光层上的第二电极，所述第二电极的一部分覆盖所述第二图案上的有机发光层的上表面；位于所述像素区域中并且在所述第二基板上的开关薄膜晶体管；位于所述像素区域中并且在所述第二基板上的驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管连接到所述开关薄膜晶体管；以及连接电极，其位于所述第二基板上并连接到所述驱动薄膜晶体管和所述第二电极的所述一部分。
2. 根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一图案和所述第二图案每个都由聚酰亚 胺形成。
3. 根据权利要求l所述的装置，其中，所述第」 二壁二者的上表面。
4. 根据权利要求l所述的装置，其中，所述第」 壁二者中的一个的上表面。
5. 根据权利要求l所述的装置，其中，所述第」 二壁二者中的一个的上表面。
6. 根据权利要求1所述的装置，其中，所述第-壁和所述第二壁向所述像素区域的内侧或外侧凸出的凸出部，并且所述第二图案覆盖所述 凸出部的上表面。
7. 根据权利要求6所述的装置，其中，所述像素区域具有蜂窝形状，并且所述凸出部设 置在位于相邻的四个像素区域当中的菱形区域中，并且其中，所述第二电极的一部分设置 在所述凸出部上，并且所述连接电极接触所述第二电极中在所述凸出部上的所述一部分。
8. 根据权利要求1所述的装置，该装置还包括位于所述边界区域中并且在所述第一基 板和所述第一电极之间的低电阻金属材料的辅助电极。
9. 一种双面板型有机电致发光显示装置，其包括第一基板和第二基板，该第一基板和第二基板彼此面对并且具有像素区域和在该像素 :图案部分地覆盖所述第一壁和所述第 :图案完全覆盖所述第一壁和所述第二 :图案部分地覆盖所述第一壁和所述第 -壁和所述第二壁各包括从各所述第一区域的边界处的边界区域；第一电极，其位于所述像素区域和所述边界区域中并且在所述第一基板上； 第一壁和第二壁，该第一壁和第二壁在所述边界区域中且在所述第一电极上，所述第 一壁和所述第二壁彼此分开，所述第一壁和所述第二壁各具有相对于所述第一基板呈倒锥 形的形状，并且所述第一壁和所述第二壁各具有第一侧面及第二侧面，其中，所述第一壁的 第二侧面面向所述第二壁的第二侧面，并且所述第一壁的第一侧面和所述第二壁的第一侧 面分别与所述第一壁的第二侧面和所述第二壁的第二侧面相背对； 从所述第一壁延伸入所述像素区域中的凸出部；第一图案，其覆盖所述第一壁的第一侧面和所述第二壁的第一侧面并相对所述于第一电极而言具有第一高度；第二图案，其覆盖所述凸出部的上表面并相对于所述第一电极而言具有大于所述第一 高度的第二高度；位于所述第一电极和所述凸出部上的有机发光层；位于所述有机发光层上的第二电极，所述第二电极的一部分覆盖所述凸出部上的有机 发光层的上表面；位于所述像素区域中并且在所述第二基板上的开关薄膜晶体管；位于所述像素区域中并且在所述第二基板上的驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管 连接到所述开关薄膜晶体管；以及连接电极，其位于所述第二基板上并连接到所述驱动薄膜晶体管和所述第二电极的所 述一部分。
10. —种制造双面板型有机电致发光显示装置的方法，该方法包括以下步骤 形成第一电极的步骤，其在第一基板的整个表面上形成第一电极，该第一基板具有像素区域和在所述像素区域的边界处的边界区域；形成第一壁和第二壁的步骤，其形成在所述边界区域中且在所述第一电极上的绝缘材料的第一壁和第二壁，所述第一壁和所述第二壁彼此分开，所述第一壁和所述第二壁各具有相对于所述第一基板呈倒锥形的形状，并且所述第一壁和所述第二壁各具有第一侧面及 第二侧面，其中，所述第一壁的第二侧面面向所述第二壁的第二侧面，并且所述第一壁的第一侧面和所述第二壁的第一侧面分别与所述第一壁的第二侧面和所述第二壁的第二侧面 相背对；形成聚合物材料层的步骤，其形成在所述第一壁和所述第二壁上且具有平坦顶面的聚 合物材料层；形成第一光刻胶图案和第二光刻胶图案的步骤，其在所述聚合物材料层上且对应于所 述第一壁和所述第二壁形成第一光刻胶图案和第二光刻胶图案，所述第一光刻胶图案的厚 度小于所述第二光刻胶图案的厚度；形成聚合物图案的步骤，其移除所述聚合物材料层中通过所述第一光刻胶图案和所述 第二光刻胶图案暴露出的部分，以形成聚合物图案，该聚合物图案覆盖所述第一壁的第一 侧面、所述第二壁的第一侧面以及所述第一壁和所述第二壁中各壁的上表面；形成第三光刻胶图案的步骤，其通过完全移除所述第一光刻胶图案暴露出所述第一壁 和所述第二壁中各壁的所述上表面的一部分，并通过部分移除所述第二光刻胶图案来形成第三光刻胶图案；形成第一图案和第二图案的步骤，其移除所述聚合物图案中通过所述第三光刻胶图案暴露出的另一部分以形成第一图案和第二图案，其中所述第一图案覆盖所述第一壁的第一侧面和所述第二壁的第一侧面并且相对于所述第一电极而言具有第一高度，所述第二图案覆盖所述第一壁和所述第二壁二者中至少一个的上表面并且相对于所述第一电极而言具有大于所述第一高度的第二高度；形成有机发光层的步骤，其在所述第一电极、所述第一图案和所述第二图案上形成有机发光层；以及形成第二电极的步骤，其在所述有机发光层上形成第二电极，所述第二电极的一部分覆盖所述第二图案上的有机发光层的上表面。
11. 根据权利要求io所述的方法，其中，形成第一壁和第二壁的步骤包括形成从所述第一壁和所述第二壁中各壁向所述像素区域的内侧或外侧凸出的凸出部。
12. 根据权利要求11所述的方法，其中，所述像素区域具有蜂窝形状，并且所述凸出部设置在位于相邻的四个像素区域当中的菱形区域中，并且其中所述第二电极的一部分设置在所述凸出部上。
13. 根据权利要求12所述的方法，其中，所述第二图案覆盖所述凸出部的上表面。
14. 根据权利要求IO所述的方法，其中，所述第二图案部分地覆盖所述第一壁和所述第二壁中各壁的上表面。
15. 根据权利要求10所述的方法，其中，所述第二图案完全覆盖所述第一壁和所述第二壁二者中的一个的上表面。
16. 根据权利要求IO所述的方法，该方法还包括在形成第一电极的步骤之前在所述边界区域中且在所述第一基板上形成低电阻金属材料的辅助电极。
17. 根据权利要求10所述的方法，该方法还包括以下步骤形成选通线和数据线的步骤，其在第二基板上形成选通线和数据线，该选通线和数据线彼此交叉以限定所述像素区域；形成开关薄膜晶体管的步骤，其在所述第二基板上形成连接到所述选通线和所述数据线的开关薄膜晶体管；形成驱动薄膜晶体管的步骤，其在所述第二基板上形成连接到所述开关薄膜晶体管的驱动薄膜晶体管；形成连接电极的步骤，其在所述第二基板上形成连接到所述驱动薄膜晶体管的连接电极；以及附接第一基板和第二基板的步骤，其附接所述第一基板和所述第二基板使得所述连接电极接触所述第二电极中对应于所述第二图案的部分。
18. —种制造双面板型有机电致发光显示装置的方法，该方法包括以下步骤在第一基板的整个表面上形成第一电极，该第一基板具有像素区域和在所述像素区域的边界处的边界区域；形成在所述边界区域中且在所述第一电极上的绝缘材料的第一壁和第二壁以及从所述第一壁延伸入所述像素区域中的绝缘材料的凸出部，所述第一壁和所述第二壁彼此分开，所述第一壁和所述第二壁各具有相对于所述第一基板呈倒锥形的形状，并且所述第一壁和所述第二壁各具有第一侧面及第二侧面，其中，所述第一壁的第二侧面面向所述第二壁的第二侧面，并且所述第一壁的第一侧面和所述第二壁的第一侧面分别与所述第一壁的第二侧面和所述第二壁的第二侧面相背对；形成第一图案和第二图案，该第一图案覆盖所述第一壁的第一侧面和所述第二壁的第一侧面并且相对于所述第一电极而言具有第一高度，该第二图案覆盖所述凸出部的上表面并且相对于所述第一电极而言具有大于所述第一高度的第二高度；在所述第一电极和所述凸出部上形成有机发光层；在所述有机发光层上形成第二电极，所述第二电极的一部分覆盖所述凸出部上的有机发光层的上表面；在所述像素区域中且所述第二基板上形成开关薄膜晶体管；在所述像素区域中且所述第二基板上形成驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管连接到所述开关薄膜晶体管；在所述第二基板上形成连接到所述驱动薄膜晶体管的连接电极；以及附接所述第一基板和所述第二基板，使得所述连接电极接触所述第二电极中对应于所述第二图案的部分。
全文摘要
本发明涉及双面板型有机电致发光显示装置及其制造方法，该显示装置包括彼此面对并具有像素区域和边界区域的第一和第二基板；在第一基板上的第一电极；在边界区域中且在第一电极上的第一和第二壁，第一和第二壁各具有第一侧面和第二侧面，第一壁的第二侧面面向第二壁的第二侧面；覆盖第一和第二壁的第一侧面并相对于第一电极而言具有第一高度的第一图案；覆盖第一和第二壁中至少一个的上表面并相对于第一电极而言具有大于第一高度的第二高度的第二图案；依次层叠在第一电极上的有机发光层和第二电极；位于像素区域中且在第二基板上的开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管；以及位于第二基板上并连接到驱动薄膜晶体管和第二电极的一部分的连接电极。
文档编号H01L25/065GK101728374SQ20091017821
公开日2010年6月9日 申请日期2009年9月27日 优先权日2008年11月3日
发明者李晙硕, 裵晟埈, 金度亨, 闵景熙 申请人:乐金显示有限公司