专利名称：氧化物薄膜晶体管及其制造方法
技术领域：
本发明涉及氧化物薄膜晶体管(TFT)及其制造方法，更具体地，涉及利用基于非 晶氧化锌的半导体作为有源层的具有底栅结构的氧化物TFT，及其制造方法。
背景技术：
随着消费者对信息显示的兴趣增长以及对于便携式(移动)信息设备的需求增 加，对代替阴极射线管(CRT)这种常规的显示设备的轻且薄的平板显示器(“FPD”)的研究 和商业化增加。在FPD中，液晶显示器(“LCD”)是利用液晶的光学各向异性来显示图像的 设备。LCD设备呈现优良的分辨率、色彩显示、以及画质，因此其通常用于笔记本型计算机或 桌上型监视器等。LCD包括滤色基板、阵列基板、以及在滤色基板和阵列基板之间形成的液晶层。通常用于LCD的有源矩阵(AM)驱动方法是利用作为开关元件的非晶硅薄膜晶体 管(a-Si TFT)来驱动像素部分中的液晶分子的方法。下面将参照图1详细描述普通的IXD的结构。图1是示出相关技术的IXD设备的分解立体图。如图1所示，IXD包括滤色基板5、阵列基板10、以及在滤色基板5和阵列基板10 之间形成的液晶层30。滤色基板5包括包括实现红、绿、和蓝色的多个子滤色器7的滤色器(C)，用于划 分子滤色器7并阻挡光透射通过液晶层30的黑底6，以及用于向液晶层30施加电压的透明 公共电极8。阵列基板10包括垂直和水平设置以限定多个像素区域(P)的选通线16和数据线 17、在选通线16和数据线17的各个交叉处形成的开关元件TFT (T)、以及在像素区域(P)上 形成的像素电极18。滤色基板5和阵列基板10通过在图像显示区域的边缘形成的密封剂(未示出)以 相对方式粘接，以形成液晶面板，滤色基板5和阵列基板10的粘接是通过在滤色基板5和 阵列基板10上形成的粘接键(attachmentkey)而完成的。如上所述的IXD重量轻并且具有低功耗，因此，IXD受到很多关注，但IXD是光接 收设备，而不是光发射设备，其在亮度、对比度、视角等方面具有技术限制。因此，正在开发 能够克服这些缺点的新型显示设备。有机发光二极管(OLED)，作为一种新型平板显示设备，是自发光型的，并且与LCD 相比，其具有良好的视角和对比度，因为其不需要背光，其能够形成得更轻和更薄。而且， OLED在功耗上具有优势。此外，OLED能够用低DC电压驱动，并具有快的响应速度，并且具 体地，OLED在制造成本上具有优势。最近，对于增加OLED显示设备的尺寸的研究也在积极进行。并且，为了实现这种 大规模的OLED显示设备，需要开发一种能够确保恒定的电流特性的晶体管作为OLED的驱 动晶体管，以确保稳定操作和耐用性。
用于上述IXD的非晶硅薄膜晶体管(TFT)可在低温工艺中制造，但是具有很小的 迁移率，并且不能满足恒定电流偏置条件。同时，多晶硅TFT具有高迁移率，并且满足恒定 电流偏置条件，但是不能确保一致的特性，这使得很难具有大的面积，并且需要高温工艺。因此，氧化物半导体TFT包括用氧化物半导体形成的有源层，但在此情况下，如果 氧化物半导体应用于现有的底栅结构的TFT，则在源极和漏极的蚀刻工序中氧化物半导体 被损坏，以至于造成退化。图2是顺序地示出相关技术的氧化物TFT的结构的截面图。如图2所示，底栅结构的氧化物TFT被构造为栅极21和栅绝缘层15形成在基板 10上，由氧化物半导体制成的有源层24形成在栅绝缘层15上。之后，源极22和漏极23形成在有源层24上。在此情况下，当对源极22和漏极23 进行沉积和蚀刻时，下部的有源层24(具体地，“A”部分)被损坏，以至于造成退化，使得设 备的稳定性劣化。S卩，考虑到与氧化物半导体的接触电阻，用于源极和漏极的金属被限制为基于钼 的金属。然而，在此情况下，当源极和漏极通过湿刻法形成时，由于氧化物半导体易受蚀刻 剂影响的物理属性，有源层被损坏，甚至当源极和漏极通过干刻法形成时，由于氧化物半导 体的后溅射(back-sputtering)和缺氧(oxygen deficiency)，使得有源层退化。
发明内容
本发明的目的是提供一种利用基于非晶氧化锌的半导体作为有源层的氧化物薄 膜晶体管(TFT)，以及其制造方法。本发明的另一目的是提供一种当蚀刻源极和漏极时能够防止基于非晶氧化锌的 半导体退化的氧化物TFT，以及其制造方法。本发明的实施方式的附加特征和优点将在下面的描述中描述且将从描述中部分 地显现，或者可以通过本发明的实施方式的实践来了解。通过书面的说明书及其权利要求 以及附图中特别指出的结构可以实现和获得本发明的实施方式的目的和其他优点。为了实现这些和其他优点，按照本发明的实施方式的目的，作为具体和广义的描 述，本发明提供一种液晶显示(LCD)设备，该液晶显示设备包括在基板上形成的栅极；在 所述栅极上形成的栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成的主有源层，其中在该主有源层的沟 道区域的侧面具有锥形部分；在主有源层上形成的源极和漏极；以及在源极和漏极上形成 的由基于非晶氧化锌的半导体制成的次有源层，其中次有源层与主有源层的锥形部分接触 以由此防止由于源极和漏极的台阶而导致次有源层的断开。为了实现这些和其他优点，按照本发明的实施方式的目的，作为具体和广义的描 述，本发明还提供一种制造液晶显示(LCD)设备的方法，该方法包括以下步骤在基板上形 成栅极；在基板上形成栅绝缘层；在栅绝缘层上形成主有源层，在该主有源层的沟道区域 的侧面具有锥形部分，并且在主有源层上形成源极和漏极；以及在源极和漏极上形成次有 源层，该次有源层由基于非晶氧化锌的半导体制成并与主有源层的锥形部分接触，其中在 对源极和漏极进行湿刻期间以低选择性来蚀刻主有源层，以使其具有锥形部分。应当理解，本发明的上述一般描述和下述详细描述是示例性和说明性的，且旨在 提供所要求保护的实施方式的进一步解释。
附图被包括在本说明书中以提供对本发明的进一步理解，并结合到本说明书中且 构成本说明书的一部分，附图示出了本发明的实施方式，且与说明书一起用于解释本发明 的原理。在附图中图1是示意地示出相关技术的液晶显示(IXD)设备的分解立体图；图2是示意地示出相关技术的氧化物薄膜晶体管(TFT)的结构的截面图；图3是示意地示出根据本发明的第一示例性实施方式的氧化物TFT的结构的截面 图；图4是示意地示出根据本发明的第二示例性实施方式的氧化物TFT的结构的截面 图；图5A到5C是顺序地示出图4所示的氧化物TFT的制造工艺的截面图；图6A到6C是详细地示出根据图5B所示的本发明的第二示例性实施方式的第二 掩模工序的截面图；图7是示出由于仅包括次有源层的氧化物TFT中的源极和漏极的台阶而导致半导 体断开的扫描电子显微镜(SEM)照片；图8是示出根据本发明的示例性实施方式的氧化物TFT中通过对源极和漏极进行 湿刻而变为锥形的主有源层的SEM照片；以及图9是示出根据本发明的示例性实施方式的氧化物TFT中次有源层与锥形的主有 源层接触的状态的SEM照片。
具体实施例方式下面将参照附图来描述根据本发明的示例性实施方式的氧化物薄膜晶体管(TFT) 及其制造方法。图3是示意地示出根据本发明的第一示例性实施方式的氧化物TFT的结构的截面 图，其中基于非晶氧化锌的半导体被用作有源层。如图3所示，根据本发明的第一示例性实施方式的氧化物TFT包括在特定基板110 上形成的栅极121、在栅极121上形成的栅绝缘层115、在栅绝缘层115上形成的主有源层 124a、源极122和漏极123、以及由基于非晶氧化锌的半导体制成并且与源极122和漏极 123电连接的次有源层124b。在此情况下，根据本发明的第一示例性实施方式的氧化物TFT包括利用基于非晶 氧化锌的半导体的用于沟道的次有源层124b，所以可以满足高迁移率和恒定的电流偏置条 件，确保一致的特性，以被有利地应用于大规模显示设备。氧化锌(ZnO)是一种能够根据氧的含量来实现导电性、半导体属性、以及电阻三 种属性的材料。采用基于非晶氧化锌的半导体材料作为次有源层124b的氧化物TFT可应 用于包括液晶显示(IXD)设备和有机发光显示设备的大规模显示设备。另外，最近，很多兴趣和活动都关注于透明电子电路，并且采用基于非晶氧化锌的 半导体材料作为次有源层124b的氧化物TFT具有高迁移率，并可在低温下制造，因而其可用于透明电子电路。具体地，根据本发明的第一示例性实施方式的氧化物TFT包括次有源层124b，该 次有源层124b是由在ZnO中包含诸如铟(In)和镓(Ga)的重金属的a_IGZ0半导体制成的。a-IGZO半导体是透明的，可使可见光从其透射，并且由a_IGZ0半导体制成的氧化 物TFT具有1 100cm2/VS的迁移率，与非晶硅TFT相比呈现出更高的迁移率特性。另外，a-IGZO半导体具有宽的带隙，用其能够制造具有高色彩纯度的UV发光二极 管(LED)、白色LED以及其它部件，并且因为a-IGZO半导体可以在低温下处理，所以能够制 造轻和柔性的产品。此外，由a-IGZO半导体制成的氧化物TFT呈现出与非晶硅TFT类似的一致的特 性，具有像非晶硅TFT —样的简单部件结构，并且可应用于大规模显示器。对于根据本发明的第一示例性实施方式的具有这些特性的氧化物TFT，可通过在 溅射期间调节反应气体中的氧密度来调节次有源层124b的载流子密度，由此调节TFT的器 件特性。在此情况下，类似于上部次有源层124b，根据本发明的第一示例性实施方式的主 有源层124a可由包括a-IGZO半导体的基于非晶氧化锌的半导体制成。在形成由氧化物半 导体制成的主半导体层之后，在源极122和漏极123上进行湿刻。接着，以低选择性蚀刻源 极122和漏极123，从而产生了在沟道区域的侧面形成的锥形部分。在此情况下，在主有源 层124a的侧面形成的锥形部分用作与上部的次有源层124b接触的接触区域，由此防止由 于源极122和漏极123的台阶而导致次有源层124b断开。对于根据本发明的第一示例性实施方式的氧化物TFT，在形成源极122和漏极123 之后，对a-IGZO氧化物半导体进行沉积，以形成用于沟道的次有源层124b，由此基本解决 了当源极122和漏极123被蚀刻时产生的氧化物半导体层的退化问题。S卩，在设备制造期间氧化物半导体暴露于例如源极和漏极的干刻的工序中，其特 性改变以至于使得设备或其一致性劣化。由此，为了解决这个问题，在本发明的示例性实施 方式中，形成源极122和漏极123，在其上应用了用作沟道的次有源层124b的结构。该结构 具有低效率的缺陷，即由于源极122和漏极123的台阶，次有源层124b被断开或接触，但在 本发明的示例性实施方式中，这种缺陷被改善，使得形成了由氧化物半导体制成的主半导 体层，接着，通过对源极122和漏极123进行湿刻来形成主有源层124a以使其具有锥形部 分，以确保与次有源层124b的接触区域。为了自由地应用源极和漏极的蚀刻工序而不受限制，并且改善氧化物半导体与源 极和漏极之间的欧姆接触特性，可将源极和漏极形成为双层。这将通过本发明的第二示例 性实施方式来进行描述。图4是示意地示出根据本发明的第二示例性实施方式的氧化物TFT的截面图，除 了源极和漏极被构造为双层之外，该图包括与根据本发明的第一示例性实施方式的氧化物 TFT相同的元件。如图4所示，根据本发明的第二示例性实施方式的氧化物TFT包括在特定基板210 上形成的栅极221、在栅极221上形成的栅绝缘层215、在栅绝缘层215上形成的主有源层 224a、源极222和漏极223、以及由基于非晶氧化锌的半导体制成并且与源极222和漏极 223电连接的次有源层224b。
在此情况下，类似于根据第一示例性实施方式的氧化物TFT，根据本发明的第二示 例性实施方式的氧化物TFT包括通过利用基于非晶氧化锌的半导体的用于沟道的次有源 层224b，所以能够满足高迁移率和恒定电流偏置条件，并且确保一致的特性，以可有利地应 用于大规模显示设备。具体地，根据本发明的第二示例性实施方式的氧化物TFT包括由在ZnO中包含诸 如铟(In)和镓(Ga)的重金属的a-IGZO制成的次有源层224b。对于具有这种特性的根据本发明的第二示例性实施方式的氧化物TFT，可通过在 溅射期间调节反应气体中的氧密度来调节次有源层224b的载流子密度，由此调节TFT的器 件特性。类似于上部的次有源层224b，根据本发明的第二示例性实施方式的主有源层 224a可由包括a-IGZO半导体的基于非晶氧化锌的半导体制成。在形成由氧化物半导体制 成的主半导体层之后，在源极222和漏极223上进行湿刻。接着，以低选择性蚀刻源极222 和漏极223，产生了在侧面形成的锥形部分。在此情况下，在主有源层224a的侧面产生的锥 形部分用作与上部的次有源层224b接触的接触区域，由此防止由于源极222和漏极223的 台阶而导致次有源层224b断开。对于根据本发明的第二示例性实施方式的氧化物TFT，在形成源极222和漏极223 之后，对a-IGZO氧化物半导体进行沉积以形成用于沟道的次有源层224b，由此基本解决当 源极222和漏极223被蚀刻时产生的氧化物半导体层的退化问题。具体地，在根据本发明的第二实施方式的氧化物TFT中，为了改善氧化物半导体 (即，次有源层224b)与源极222和漏极223之间的欧姆接触特性，将源极和漏极形成为双 层。源极222和漏极223包括与主有源层224a接触的第一源极222a和第一漏极223a，以 及在第一源极222a和第一漏极222b上形成并且与次有源层224b接触的第二源极222b和 第二漏极223b。在此情况下，与次有源层224b接触的第二源极222b和第二漏极223b可由与氧或 氧化铟锡(ITO)、钼(Mo)等具有良好的键合力(bondingforce)、具有与a-IGZO氧化物半导 体的良好欧姆接触特性的诸如钛(Ti)或钛合金的金属制成。下面将通过氧化物TFT的制 造方法进行详细描述。图5A到5C是顺序地示出图4所示的氧化物TFT的制造工艺的截面图。如图5A所示，在由透明绝缘材料制成的基板210上形成栅极221。在此情况下，用于根据本发明的示例性实施方式的氧化物TFT的基于非晶氧化锌 的复合半导体(composite semiconductor)可用于低温沉积，因此可以使用诸如塑料基板、 钠钙玻璃等的可用于低温工艺的基板210。另外，因为基于非晶氧化锌的复合半导体具有非 晶体特性，所以可使用大规模显示基板210。在基板210的整个表面上沉积第一导电膜之后，通过光刻工序(第一掩模工序) 对其选择性地构图以形成栅极221。在此，第一导电膜可由诸如铝(Al)、铝合金、钨(W)、铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、钼 (Mo)、钛(Ti)、钼(Pt)、钽(Ta)等的低电阻不透明导电材料制成。而且，第一导电膜可由诸 如ΙΤ0、氧化铟锌(IZO)等的不透明导电材料制成，或可通过堆叠2种或更多种导电材料的 多层结构形成。
接着，如图5B所示，在基板210的其上形成有栅极221的整个表面上形成栅绝缘 层 215。在基板210的其上形成有栅绝缘层215的整个表面上形成基于非晶氧化锌的半导 体层以及第二和第三导电膜，接着，通过光刻工序(第二掩模工序)对第二和第三导电膜选 择性地构图，以在栅绝缘层215上形成包括第一源极222a和第一漏极223a以及第二源极 222b和第二漏极223b的源极222和漏极223。此时，在第一源极222a和第一漏极223a的下部形成由基于非晶氧化锌的半导体 制成的第一有源层224a，在对源极222和漏极223进行湿刻期间以低选择性来蚀刻基于氧 化物的半导体，从而产生了在侧面形成的特定的锥形部分。图6A到6C是详细示出根据图5B所示的本发明的第二示例性实施方式的第二掩 模工序的截面图。如图6A所示，在基板210的其上形成有栅极221的整个表面上形成由诸如硅氮化 物膜(SiNx)、或二氧化硅膜(SiO2)、或诸如铪(Hf)氧化物或氧化铝的高介电氧化物膜的无 机绝缘层形成的栅绝缘层215。在此情况下，可通过化学气相沉积(CVD)或等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 来形成栅绝缘层215。接着，在基板210的其上形成有栅绝缘层215的整个表面上形成由基于非晶氧化 锌的半导体制成的基于非晶氧化锌的半导体层220、以及特定的第二导电膜230和第三导 电膜240。在此情况下，基于非晶氧化锌的半导体层220可被形成为具有从10人到2000A范 围的厚度。可以使用第二导电膜230而不管金属种类如何，以在基于非晶氧化锌的半导体层 220上形成第一源极和第一漏极，并且第三导电膜240可由与氧或ΙΤ0、钼等具有良好的键 合力、与a-IGZO氧化物半导体具有良好的欧姆接触特性的诸如钛或钛合金的金属制成。另 外，源极和漏极可形成为具有包括两个或更多个层的多层结构。如图6B所示，在基板210的整个表面上形成由诸如光刻胶的光敏材料制成的光敏 膜，并且通过根据本发明的第二示例性实施方式的第二掩模工序来形成光敏膜图案270。之后，如图6C所示，通过利用由此形成的光敏膜图案270作为掩模来选择性地去 除下部的第二和第三导电膜，以在栅绝缘层215的上部形成包括第一源极222a和第一漏极 223a以及第二源极222b和第二漏极223b的双层的源极222和漏极223。在此情况下，通过湿刻来蚀刻源极222和漏极223，当源极222和漏极223被蚀刻 时，以与第二和第三导电膜相比较低的选择性来蚀刻基于氧化物的半导体，从而形成在侧 面具有特定锥形部分的主有源层224a。在此，在主有源层224a的侧面形成的锥形部分用作与上部的次有源层(未示出) 接触的接触区域，由此防止由于源极222和漏极223的台阶导致次有源层断开。如图5C所示，在基板210的其上形成有双层的源极222和漏极223的整个表面上 沉积基于非晶氧化锌的半导体，以形成特定的基于非晶氧化锌的半导体层，接着通过光刻 工序(第三掩模工序)对其选择性地构图，以形成与第二源极222b和第二漏极223b电连 接的第二有源层224b。
在此情况下，可利用氧化镓(Ga2O3)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)的复合靶 (complex target)通过溅射法来形成基于非晶氧化锌的复合半导体，具体地讲是a_IGZ0 半导体。另外，可通过诸如CVD、原子层沉积(ALD)等的化学沉积法来形成。另外，通过分别具有1 1 1，2 2 1，3 2 1和4 2 1的原子比例 的镓、铟和锌的合成氧化物靶，可使用a-IGZO半导体来形成基于非晶氧化锌的半导体层。在此，对于根据本发明的第二示例性实施方式的氧化物TFT，可通过在溅射期间调 节反应气体中的氧密度来调节次有源层224b的载流子密度，以形成基于非晶氧化锌的半 导体层，由此获得到10%的氧密度下和500A到1000人的厚度条件下的器件特性。根据本发明的第二示例性实施方式的次有源层224b与主有源层224a的具有锥形 部分的接触区域相接触，由此防止了由于源极222和漏极223的台阶导致次有源层224b断 开。下面将参照附图进行详细描述。图7是示出由于仅包括次有源层的氧化物TFT中的源极和漏极而导致半导体断开 的扫描电子显微镜(SEM)照片，其中a-IGZO半导体TFT的沟道区域被放大示出。参照图7，如果形成了具有500人的厚度的源极和漏极，接着对基于非晶氧化锌的 半导体层进行沉积以形成次有源层，则由于源极和漏极的台阶而导致次有源层在源极和漏 极的边缘部分断开。图8是示出通过对根据本发明的示例性实施方式的氧化物TFT中的源极和漏极进 行湿刻而变为锥形的主有源层的SEM照片，并且图9是示出根据本发明的示例性实施方式 的氧化物TFT中的次有源层与锥形的主有源层接触的状态的SEM照片。参照图8，应注意到，当通过利用光敏膜图案作为掩模对主基于氧化物的半导体层 和用于源极和漏极的导电膜进行沉积和选择性构图时，在源极和漏极的下部形成具有特定 锥形部分的主有源层。在此，当对次基于氧化物的半导体层进行沉积以形成次有源层时，如图9所示， 在主有源层和次有源层之间确保了充分的接触区域，从而呈现出良好的互相键合属性 (interbonding property)0至此，本发明可应用于通过利用TFT制造的不同显示设备，例如OLED (有机发光二 极管)显示设备，其中OLED与驱动晶体管连接，并且本发明可应用于IXD设备。另外，由于具有高迁移率并可在低温下进行处理的基于非晶氧化锌的半导体材料 被用作有源层，本发明还可应用于透明电子电路或柔性显示器。由于本发明可通过多种形式来实现而不脱离其特性，应当理解上述实施方式不受 限于上述描述的任何细节，除非另有规定，而应在所附权利要求限定的范围内宽泛地进行 理解，并且因此落入权利要求的边界和范围内的或落入所述边界和范围的等同物内的全部 变化和修改由所附权利要求包含。
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权利要求
一种制造液晶显示设备的方法，该方法包括以下步骤在基板上形成栅极；在基板上形成栅绝缘层；在栅绝缘层上形成主有源层，在该主有源层的沟道区域的侧面具有锥形部分，并且在主有源层上形成源极和漏极；以及在源极和漏极上形成次有源层，该次有源层由基于非晶氧化锌的半导体制成并与主有源层的锥形部分接触，其中在对源极和漏极进行湿刻期间以低选择性来蚀刻主有源层，以使其具有锥形部分。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述基板被形成为玻璃基板或塑料基板。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述主有源层由基于非晶氧化锌(ZnO)的半导体 制成。
4.根据权利要求1所述的方法，其中利用基于非晶氧化锌的半导体来使所述主有源层 形成为具有从10 A到2000A范围的厚度。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述源极和漏极包括在主有源层上形成的第一源 极和第一漏极以及在第一源极和第一漏极上形成的与上部的次有源层电连接的第二源极 和第二漏极。
6.一种液晶显示设备，该液晶显示设备包括 在基板上形成的栅极；在所述栅极上形成的栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成的主有源层，其中在该主有源层的沟道区域的侧面具有锥形部分；在主有源层上形成的源极和漏极；以及在源极和漏极上形成的由基于非晶氧化锌的半导体制成的次有源层， 其中次有源层与主有源层的锥形部分接触以由此防止由于源极和漏极的台阶而导致 次有源层的断开。
7.根据权利要求6所述的液晶显示设备，其中所述主有源层由基于非晶氧化锌(ZnO) 的半导体制成。
8.根据权利要求6所述的液晶显示设备，其中利用基于非晶氧化锌的半导体来使所述 主有源层形成为具有从10 A到2000人范围的厚度。
9.根据权利要求6所述的液晶显示设备，其中随着在对所述源极和漏极进行湿刻期间 以低选择性来蚀刻主有源层，主有源层的侧面变为锥形。
全文摘要
氧化物薄膜晶体管及其制造方法。一种制造液晶显示(LCD)设备的方法包括以下步骤在基板上形成栅极；在基板上形成栅绝缘层；在栅绝缘层上形成主有源层，在该主有源层的沟道区域的侧面具有锥形部分，并且在主有源层上形成源极和漏极；以及在源极和漏极上形成次有源层，该次有源层由基于非晶氧化锌的半导体制成并与主有源层的锥形部分接触，其中在对源极和漏极进行湿刻期间以低选择性来蚀刻主有源层，以使其具有锥形部分。
文档编号H01L21/34GK101901787SQ200910207090
公开日2010年12月1日 申请日期2009年10月30日 优先权日2009年5月27日
发明者徐铉植, 裵钟旭, 金能烨 申请人:乐金显示有限公司