专利名称：：太阳能电池组件的制造方法
技术领域：
：本发明涉及具备逆电压矫正工序的太阳能电池组件的制造方法。
背景技术：
：一般，薄膜类的太阳能电池组件具备在透明基板上依次形成的透明电极、半导体层以及金属电极。例如，通过CVD法在透明电极上形成半导体层时，存在附着在透明电极上的异物进入到半导体层中的情况。如果金属电极材料被填充在由于从半导体层剥离这样的异物而形成的针孔中，则在透明电极与金属电极之间发生短路。其结果是产生太阳能电池组件的输出降低的问题。因而，提出了通过施加与在半导体层中产生的光电动势反向的电压(以下，称为逆电压。)，使充填在针孔中的金属电极材料蒸发的方法(例如，参照专利文献1)。一般，施加逆电压的工序称为逆电压矫正工序。专利文献1昭60-46080号公报
发明内容但是，在专利文献1中记载的方法中，难以去除透明电极与金属电极之间的微观的短路。具体地讲，微观的短路由于半导体层的一部分成为低电阻，或者伴随着微小异物的混入形成微小的针孔而发生。在这种微观短路发生的位置即使施加了逆电压，由于金属电极材料未被加热到蒸发那样的高温，因此不能去除微观的短路。本发明是鉴于上述的状况而完成的，目的是提供能够抑制发生透明电极与金属电极之间的微观短路的太阳能电池组件的制造方法。本发明的特征涉及的太阳能电池组件的制造方法的宗旨是包括在透明基板的主面上依次形成透明电极层、半导体层和金属电极层的工序；在金属电极层上形成树脂层的工序；通过在透明电极层与金属电极层之间施加与在半导体层中产生的光电动势反向的电压，使得在形成于树脂层中的针孔内露出金属电极层的一部分的工序；和通过以树脂层为掩模对金属电极层的一部分进行蚀刻，去除金属电极层的一部分的工序。依据本发明的特征涉及的太阳能电池组件的制造方法，由于在透明电极层与金属电极层之间发生的短路是微观的，因此即使在不能蒸发金属电极层的情况下，通过蒸发去除树脂层的一部分，在树脂层中形成针孔。从而，能够使金属电极层中发生微观短路的部分露出于针孔内。通过用蚀刻去除露出的金属电极层，即金属电极层中发生微观短路的部分，能够抑制透明电极与金属电极之间的微观短路的发生。本发明的特征涉及的太阳能电池组件的制造方法的宗旨是包括在透明基板的主面上依次形成透明电极层、半导体层和金属电极层的工序；通过在透明电极层与金属电极层之间施加与在半导体层中产生的光电动势反向的电压，在金属电极层中形成第一针孔的工序；在金属电极层上和第一针孔内形成树脂层的工序；通过在透明电极层与金属电极层之间施加逆电压，使得在树脂层中形成的第二针孔内露出金属电极层的一部分的工序；和通过以树脂层为掩模对金属电极层的一部分进行蚀刻，去除金属电极层的一部分的工序。在本发明的特征中，半导体层具有在透明电极上依次形成的第一半导体层、透光性导电层和第二半导体层，在形成第一针孔的工序中，第一针孔也可以至少贯通金属电极层和第二半导体层。依据本发明，能够提供可以抑制透明电极与金属电极之间的微观短路发生的太阳能电池组件的制造方法。图1是本发明第一实施方式的太阳能电池组件10的截面图。图2是本发明第一实施方式的太阳能电池组件10的概略图。图3是用于说明本发明第一实施方式的太阳能电池组件10的制造工序的图(之一)。图4是用于说明本发明第一实施方式的太阳能电池组件10的制造工序的图(之二)。图5是用于说明本发明第一实施方式的太阳能电池组件10的制造工序的图(之三)。图6是本发明第二实施方式的太阳能电池组件30的截面图。图7是用于说明本发明第二实施方式的太阳能电池组件30的制造工序的图(之一)。图8是用于说明本发明第二实施方式的太阳能电池组件30的制造工序的图(之二)。图9是用于说明本发明第二实施方式的太阳能电池组件30的制造工序的图(之三)。1透明基板2:透明电极层3半导体层3a第一半导体层3b:透光性导电层3c第二半导体层4:金属电极层5树脂层6密封材料7:背面侧保护材料8弹性体9框体21第一电极22:第二电极10,30太阳能电池组件A、B异物Hi第一分离槽Hii第二分离槽Hiii第三分离槽具体实施例方式使用附图，说明本发明的实施方式。在以下附图的记载中，对相同或者相似的部分标注相同或者相似的符号。附图是示意性的表示，应该注意各种尺寸的比例等与实际的情况不同。因此，具体的尺寸等应当参照以下的说明进行判断。当然附图相互之间也包括相互的尺寸关系或者比例不同的部分。[第一实施方式](太阳能电池组件的结构)以下，参照图1说明本发明第一实施方式的太阳能电池组件的结构。图1是第一实施方式的太阳能电池组件10的放大截面图。如图1所示，太阳能电池组件10具备透明基板1、透明电极层2、半导体层3、金属电极层4、和树脂层5。透明电极层2、半导体层3、金属电极层4和树脂层5依次形成在透明基板1的主面上。在半导体层3中产生的电流按照第一方向在太阳能电池组件10的内部流动。透明基板1是太阳能电池组件10的单一基板。作为透明基板1，能够使用具有透光性的玻璃、塑料等。透明电极层2叠层在透明基板1的主面上。透明电极层2由具有导电性和透光性的金属氧化物形成。作为透明电极层2，例如能够使用氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)、氧化钛(TiO2)或者氧化锡(SnO2)等。在透明基板2中，还能够掺杂氟(F)、锡(Sn)、铝(Al)、铁(Fe)、镓(Ga)、铌(Nb)等。透明电极层2如图1所示，在透明基板1上，由第一分离槽Hi分离。第一分离槽Hi沿着与第一方向大致正交的第二方向形成。第一分离槽Hi的底面由透明基板1构成。半导体层3叠层在透明电极层2上。半导体层3具有通过从透明基板1一侧叠层P型半导体层、作为发光层的i型半导体层、η型半导体层而形成的Pin结(未图示)。从而，在半导体层3中产生的光电流在半导体层3的内部从透明电极层2向金属电极层4流动。作为半导体层3，例如能够使用非晶硅或者微晶硅等硅类半导体材料。半导体层3如图1所示，也形成在第一分离槽Hi的内部。半导体层3如图1所示，在透明电极层2上，由第二分离槽Hii分离。第二分离槽Hii沿着第二方向形成。第二分离槽Hii的底面由透明电极层2形成。金属电极层4叠层在半导体层3上。作为金属电极层4，例如能够使用具有导电性的银(Ag)等金属材料。金属电极层4如图1所示，也形成在第二分离槽Hii的内部。半导体层3和金属电极层4在透明电极层2上由第三分离槽Hm分离。第三分离槽氏沿着第二方向形成。第三分离槽Hm的底面由金属电极层2构成。树脂层5叠层在金属电极层4上。树脂层5由具有绝缘性的树脂材料构成。作为树脂层5，例如能够使用丙烯酸(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯(PE)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚氯乙烯(PVC)、聚酯(ABS)、环氧树脂(EP)等。金属层5优选能够以比通过加热而蒸发金属电极层4的温度低的温度进行蒸发。树脂层5如图1所示，也形成在第三分离槽Hm的内部。在本实施方式中，太阳能电池组件10如图1所示，具有第一针孔(pinhole)PHdn第二针孔PHiitl第一针孔PHi贯通半导体层3、金属电极层4和树脂层5。第二针孔PHii贯通金属电极层4和树脂层5。关于形成第一针孔PHi和第二针孔PHii的原委在后文叙述。如图2所示，具有以上结构的太阳能电池组件10也可以构成为通过密封材料6和背面侧保护材料7密封的密封体。这种情况下，在第一针孔PHi和第二针孔PHii中填充密封材料6。作为密封材料6，能够使用EVA、EEA、PVB、硅、氨基甲酸乙酯、丙烯酸、环氧树脂等树脂。作为背面侧保护材料7，能够使用PET等树脂膜、具有用树脂膜将Al箔夹在中间的结构的叠层膜等。如图2所示，密封体也可以通过用弹性体8和框体9将外周部固定而被加强。作为弹性体8能够使用硅橡胶或者丁基橡胶(butylgom)等。作为框体9能够使用Al框、铁框或者SUS框等。(太阳能电池组件的制造方法)参照图3至图5说明第一实施方式的太阳能电池组件10的制造方法。如图3(a)所示，在透明基板1的主面上叠层透明电极层2。通过对被叠层的透明电极层2照射激光，沿着第二方向去除透明电极层2的一部分。由此，如图3(b)所示，形成将透明电极层2分离的第一分离槽印。第一分离槽Hi也能够使用掩模通过叠层透明电极层2而形成。接着，如图3(c)所示，使用CVD法等，在透明电极层2上和第一分离槽Hi内部形成第一半导体层3。在这种情况下，如图3(c)所示，在透明电极层2上附着有异物A的情况下，异物A进入到半导体层3中。接着，通过对所形成的半导体层3照射激光，沿着第二方向去除半导体层3。由此，如图3(d)所示，形成将半导体层3分离的第二分离槽Η。通过从半导体层3剥离进入到半导体层3中的异物A，在半导体层3中形成针孔PH/。如图3(c)所示，在形成半导体层3时，存在在半导体层3上附着异物B的情况。通过从半导体层3剥离异物B，在半导体层3中形成针孔PHii'。接着，如图4(a)所示，在半导体层3上和第二分离槽Hii内部形成金属电极层4。具体地讲，在半导体层3上和第二分离槽Hii内部溅射银等。在这种情况下，金属电极层4还形成在针孔PHi'内部和针孔PHii'内部。接着，通过夹着第二分离槽Hii对第一分离槽Hi的相反侧照射激光，由此沿着第二方向去除半导体层3和金属电极层4。由此，如图4(b)所示，形成分离半导体层3和金属电极层4的第三分离槽Hm。接着，如图4(c)所示，在金属电极层4上和第三分离槽Hm内部形成树脂层5。具体地讲，通过喷涂(spray)法、旋转涂覆法或者印刷法等，涂敷用有机溶剂溶解后的树脂材料。形成在金属电极层4上的树脂层5的厚度能够考虑到后文中的逆电压矫正工序的蒸发的容易性、和后述的蚀刻工序的耐蚀刻性而适当地设定。在本实施方式中，通过使用掩模，形成贯通树脂层5的第一接触孔CHi和第二接触孔CHiitl具体地讲，如图4(c)所示，形成第一接触孔CHi使得金属电极层4的一部分露出。形成第二接触孔CHii使得邻接的其它金属电极层4的一部分露出。接着，通过在大约100°C下将树脂层5加热10分钟左右，使树脂层5固化。接着，如图5(a)所示，在第一接触孔CHi中插入第一电极21。在第二接触孔CHii中插入第二电极22。在透明电极层2与金属电极层4之间施加与在半导体层3中产生的光电动势反向的电压。具体地讲，使第一电极21成为高电位，并且使第二电极22成为低电位。在本实施方式中，将施加该逆电压的工序称为“逆电压矫正工序”。在该逆电压矫正工序中，将形成在针孔PHi'内部的金属电极层4、和由形成在针孔PHii'内部的金属电极层4引起的发生微观短路的部分(以下，称为“微观的短路部分”。)加热。被加热的形成在针孔PHi'内部的金属电极层4蒸发。由此，形成贯通半导体层3、金属电极层4和树脂层5的第一针孔PHi。另一方面，如果金属电极层4的微观的短路部分与形成在针孔PH/内部的金属电极层4相比较，难以流过电流，因此金属电极层4的微观的短路部分难以被加热。从而，金属电极层4的微观的短路部分的温度不能达到金属电极层4蒸发的温度。但是，与金属相比较，由于树脂的蒸发温度低，因此形成在针孔PHii'上的树脂层5蒸发。由此，如图5(b)所示，在树脂层5的针孔PHii'上形成针孔PHii:在针孔PHii”的内部露出金属电极层4的一部分。接着，如图5(c)所示，通过将树脂层5作为掩模进行蚀刻，去除在针孔PHii"内部露出的金属电极层4。具体地讲，用5%盐酸水溶液将在针孔PHii"内部露出的金属电极层4蚀刻3分钟左右。由此，形成贯通金属电极层4和树脂层5的第二针孔PHiitl用密封材料6和背面侧保护材料7将如上所述制造的太阳能电池组件10密封。在第一针孔PHi和第二针孔PHii中填充密封材料6。(作用和效果)本发明第一实施方式的太阳能电池组件10的制造方法在逆电压矫正工序中，具备通过在透明电极层2与金属电极层4之间施加逆电压，使金属电极层4的一部分在形成于树脂层5的针孔ΡΗ”内露出的工序；和将树脂层5作为掩模，通过蚀刻去除金属电极层4的一部分的工序。从而，利用金属电极层4的微观的短路部分，树脂层5的一部分蒸发，在树脂层5中形成针孔ΡΗ”。即，能够使金属电极层4的微观的短路部分在针孔PPHii”内露出。从而，通过蚀刻去除金属电极层4的微观的短路部分，由此能够高精度地去除透明电极层2与金属电极层4之间的微观的短路。在蚀刻金属电极层4的微观的短路部分的工序中，能够将形成有针孔PHii"的树脂层5作为掩模利用。从而，能够提高太阳能电池组件的生产性。另外，在微结晶硅半导体层与金属电极连接的结构中，存在构成金属电极层4的金属材料进入到微结晶硅粒子之间的情况。在这种情况下，微结晶硅半导体层局部地成为低电阻，存在使太阳能电池组件的输出降低的情况。另外，在通过照射激光去除半导体层的情况下，存在半导体层局部地结晶化的情况。在这种情况下，结晶化的半导体层成为低电阻，存在使太阳能电池组件的输出降低的情况。本发明也适用于将这些低电阻化的半导体层上的金属电极层4去除。通过去除该金属电极层4，能够抑制太阳能电池组件的输出降低。[第二实施方式](太阳能电池组件的结构)以下，参照图6说明本发明第二实施方式的太阳能电池组件的结构。图6是第二实施方式的太阳能电池组件30的截面图。以下，以与上述第一实施方式的不同点为主进行说明。如图6所示，在本实施方式的第一针孔PH/中填充有树脂层5。另外，如图6所示，半导体层3由第一半导体层3a、透光性导电层3b和第二半导体层3c构成。第一半导体层3a利用从透明电极层2—侧入射的光产生光生成载流子。另外，第一半导体层3a利用通过后述的透光性导电层3b反射的光产生光生成载流子。第一半导体层3a具有ρ型半导体、i型半导体、η型半导体从基板1一侧叠层而成的pin结(未图示)。i型半导体构成第一半导体层3a中的发电层。作为第一半导体层3a中的i型半导体，例如能够使用a-Si或者a-SiC等非晶硅类半导体。第一半导体层3a被填充在第一分离槽Hi中。透光性导电层3b具有透光性和导电性。透光性导电层3b将透过第一半导体层3a的光的一部分透射到第二半导体层3c—侧，并且将透过第一半导体层3a的光的一部分反射到第一半导体层3a—侧。作为透光性导电层3b，能够使用2110、11~0、1102等金属氧化物。在透光性导电层3b中也可以掺杂Al等掺杂剂。第二半导体层3c通过从透明电极层2—侧入射的光中透过透明电极层2、第一半导体层3a和透光性导电层3b的光生成光生成载流子。第二半导体层3c具有从透明基板1一侧叠层P型半导体、i型半导体、和η型半导体而形成的pin结(未图示)。i型半导体构成第二半导体层3c中的发电层。作为第二半导体层3c中的i型半导体，例如能够使用μc-Si或者μC-SiGe等微结晶硅类半导体。(太阳能电池组件的制造方法)参照图7至图9说明第二实施方式的太阳能电池组件30的制造方法。如图7(a)所示，在透明基板1的主面上叠层透明电极层2。通过对叠层的透明电极层2照射激光，沿着第二方向去除透明电极层2。由此，如图7(b)所示，形成分离透明电极层2的第一分离槽氏。接着，如图7(c)所示，用RF等离子体CVD法等，在透明电极层2上依次形成第一半导体层3a、透光性导电层3b和第二半导体层3c。由此形成半导体层3。第一半导体层3a和第二半导体层3c用等离子体CVD法形成。透光性导电层3b用溅射法等形成。通过对所形成的半导体层3照射激光，沿着第二方向去除半导体层3。由此，如图7(d)所示，形成分离半导体层3的第二分离槽Η。在本实施方式中，与上述第一实施方式相同，通过从半导体层3剥离进入到半导体层3中的异物A，在半导体层3中形成针孔PHi，。如图7(c)所示，在形成第二半导体层3c时，有可能在半导体层3上附着异物B。通过从第二半导体层3c剥离异物B，在第二半导体层3c中形成针孔PHii'。接着，如图8(a)所示，在半导体层3上，在第二分离槽Hii内部和针孔PHi'内部形成金属电极层4。接着，通过对金属电极层4照射激光，沿着第二方向去除半导体层3和金属电极层4。由此，如图8(b)所示，形成分离半导体层3和金属电极层4的第三分离槽Hiiiο接着，在透明电极层2与金属电极层4之间施加与在半导体层3中产生的光电动势的方向相反方向的电压。具体地讲，如图8(c)所示，使第一电极21成为高电位，并且使第二电极22成为低电位。通过该逆电压矫正工序，形成在针孔PH/内部的金属电极层4被加热而蒸发。由此，形成贯通半导体层3和金属电极层4的第一针孔PHi。另一方面，形成在针孔PHii'内部的微观的短路部分虽然被加热，但是形成在针孔PHii'内部的微观的短路部分的温度没有达到蒸发温度。从而，在针孔PHii'上保持覆盖有金属电极层4的状态。接着，如图8(d)所示，在金属电极层4上，在第三分离槽Hiii内部和第一针孔PHi内部形成树脂层5。在本实施方式中，与上述第一实施方式相同，在树脂层5中形成第一接触孔CHi和第二接触孔CHiitl接着，通过在大约100°C下将树脂层5加热10分钟左右，使树脂层5固化。接着，如图9(a)所示，在第一接触孔CHi中插入第一电极21。在第二接触孔CHii中插入第二电极22。接着，在透明电极层2与金属电极层4之间施加逆电压。通过该逆电压矫正工序，形成在针孔PHii'内部的金属电极层4的微观的短路部分被加热到比蒸发温度低的温度。通过该加热，树脂层5中位于针孔PHii’上的树脂层5蒸发。如图9(b)所示，在树脂层5的针孔PHii'上形成针孔ΡΗ”。在针孔PHii''内部露出金属电极层4的一部分。接着，如图9(C)所示，将树脂层5作为掩模，通过对金属电极层4进行蚀刻，去除露出在针孔PHii”内部的金属电极层4。由此，形成贯通金属电极层4和树脂层5的第二针孔PHiitl(作用以及效果)本发明第二实施方式的太阳能电池组件30的制造方法作为形成树脂层5的工序的前工序，具备逆电压矫正工序。因此，能够将树脂层5填充到在该逆电压矫正工序中形成的第一针孔PHi中。从而，能够通过该第一针孔PHi,抑制水分到达半导体层3。其结果是，能够提高太阳能电池组件30的耐湿性。聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或者环氧树脂(EP)即使在高湿、高湿的环境下也难以透过水蒸气。从而，作为树脂层5，通过使用聚对苯二甲酸乙二醇酯或者环氧树月旨，能够进一步抑制水分到达半导体层3。其结果是能够进一步提高太阳能电池组件30的耐湿性。通过抑制透光性导电层3b因水分而劣化，能够提高太阳能电池组件30的可靠性。〈其它的实施方式〉虽然本发明由上述的实施方式记载，但是构成该公开的一部分的论述以及画面不应该理解为对本发明的限定。从业人员将根据该公开的内容明确各种替代实施方式、实施例以及应用技术。例如，在上述的实施方式中，通过使用有导电性的银等金属材料形成了金属电极层，但是并不限于该材料。作为金属电极层，还能够使用涂敷型电极。作为涂敷型电极的材料，能够使用银粒子、铝粒子(Al)、铜粒子(Cu)等任意一种，或者将2种以上的粒子混合在树脂中而形成的金属膏。在半导体层上涂覆该金属膏。通过将所涂敷的金属膏进行烧结形成涂敷型电极。关于涂敷的方法，可以举出丝网印刷、旋转涂覆法以及喷涂法等。在上述的实施方式中，半导体层3包括pin结，但不限于这种结构。半导体层3也可以包括由P型半导体与η型半导体形成的ρη结。另外，在上述的第一实施方式中，半导体层3包括1个pin结，但不限于这种结构。半导体层3也可以包括2个以上的pin结。在上述的第二实施方式中，半导体层3包括2个pin结，但不限于这种结构。半导体层3也可以包括1个或3个以上的pin结。在上述的第一实施方式中，半导体层3以非晶硅半导体作为主要成分，但不限于这种情况。例如，半导体层3也可以以结晶硅半导体作为主要成分。另外，结晶硅中，包括微结晶硅或者多结晶硅。在上述的第二实施方式中，第一半导体层3a以非晶硅半导体作为主要成分，但不限于这种情况。例如，第一半导体层3a也可以以结晶硅半导体作为主要成分。在上述的第二实施方式中，第二半导体层3c以微结晶硅半导体作为主要成分，但不限于这种情况。例如，第二半导体层3c也可以以非晶硅半导体作为主要成分。像这样，本发明当然包括未在这里记载的各种实施方式。从而，根据上述的说明，本发明的技术范围仅由妥当的权利要求范围中的发明特定事项决定。实施例以下，举出实施例具体说明本发明的太阳能电池组件。本发明并不是由在下述的实施例中表示的例子所限定。在不改变其宗旨的范围内，能够适当变更而加以实施。〈实施例〉如以下所述，制作了与实施例有关的太阳能电池组件。在玻璃基板上形成了SnO2层。接着，通过从SnO2层一侧照射Nd:YAG激光，去除了SnO2层的一部分。由此，形成分离SnO2层的第一分离槽。作为Nd:YAG激光，使用波长1064nm的基波。另外，第一分离槽的宽度为40μm。接着，使用RF等离子体CVD法，在SnO2层上依次叠层ρ型非晶硅半导体层、i型非晶硅半导体层、η型非晶硅半导体层。i型非晶硅半导体层的厚度为300nm。接着，使用DC溅射法，在η型非晶硅半导体层上，形成以Al作为掺杂剂而包含的ZnO层。ZnO层的厚度为50nm。接着，使用RF等离子体CVD法，在ZnO层上依次叠层ρ型微结晶硅半导体、i型微结晶硅半导体、η型微结晶硅半导体。i型微结晶硅半导体的厚度为2000nm。表1表示基于RF等离子体CVD法的各半导体层的形成条件。[表1]<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>接着，通过从玻璃基板一侧照射Nd:YAG激光，去除各半导体层和ZnO层各自的一部分。由此，形成第二分离槽。作为Nd:YAG激光，使用波长532nm的第二高次谐波。第二分离槽的宽度为50μm。接着，使用DC溅射法，在η型微结晶硅半导体上形成Ag层。Ag层的厚度为200mm。接着，通过从玻璃基板一侧向夹着第二分离槽与第一分离槽相反侧的位置照射Nd:YAG激光，去除Ag层、各半导体层和ZnO层各自的一部分。由此，形成第三分离槽。作为Nd:YAG激光，使用波长532nm的第二高次谐波。另外，第三分离槽的宽度为50μm。接着，通过喷涂法，在Ag层上涂覆溶解在有机溶剂中的丙烯酸树脂。由此，形成大约15μπι厚的丙烯酸树脂层。这时，通过使用掩模，形成插入一对电极的一对接触孔。接着，在SnO2层与Ag层之间，与在各半导体层中产生的光电动势反方向地对一个一个的半导体层施加6V的逆电压。由此，丙烯酸树脂层的一部分蒸发，形成贯通丙烯酸树脂层的针孔。在针孔的内部露出Ag层的一部分。接着，用5%的盐酸水溶液，对在针孔内部露出的Ag层进行3分钟左右的蚀刻。由此，形成贯通Ag层和丙烯酸树脂层的针孔。<比较例1>制作比较例1的太阳能电池组件。与上述实施例的不同点在于没有进行丙烯酸树脂层的形成工序以后的工序。即，在比较例1中没有进行逆电压矫正工序。其它的工序与上述第一实施方式相同。〈比较例2>制作比较例2的太阳能电池组件。与上述实施例的不同点在于没有进行丙烯酸树脂层的形成工序和蚀刻工序，进行了通常进行的逆电压矫正工序。其它的工序与上述第一实施方式相同。〈输出特性评价〉接着，关于实施例、比较例1和比较例2的太阳能电池组件进行开路电压Voc、短路电流18(、曲线因素？工.和输出值Pmax的比较。表2表示比较结果。[表2]<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>如表2所示，实施例的太阳能电池组件的各特性值优于比较例1和比较例2的太阳能电池组件的特性值。这是因为通过蚀刻露出在针孔内部的Ag层，能够去除Ag层中引起了微观短路的部分。从而，确认了依据实施例的太阳能电池组件的制造方法，通过去除微观的短路，能够提高太阳能电池组件的特性。另一方面，在比较例2的太阳能电池组件中，由于仅进行了一般的逆电压矫正工序，所以不能去除微观的短路。因此，得到比实施例的太阳能电池组件低的各特性值。在比较例1的太阳能电池组件中，由于一般的逆电压矫正工序也未进行，所以不仅是微观的短路，通过一般的逆电压矫正工序而去除的短路也未被去除。因此，得到比实施例和比较例2的太阳能电池组件都低的各特性值。另外，日本国专利申请第2008-231321号(2008年9月9日申请)的全部内容作为参考编入在本申请说明书中。产业上的可利用性如上所述，本发明的太阳能电池组件的制造方法，由于能够提供一种太阳能电池组件，其能够抑制透明电极与金属电极之间的微观短路的发生，因此在太阳能电池组件的制造中是有用的。权利要求一种太阳能电池组件的制造方法，其特征在于，包括在透明基板的主面上依次形成透明电极层、半导体层和金属电极层的工序；在所述金属电极层上形成树脂层的工序；通过在所述透明电极层与所述金属电极层之间施加与在所述半导体层中产生的光电动势反向的电压，使得在形成于所述树脂层中的针孔内露出所述金属电极层的一部分的工序；和通过以所述树脂层为掩模对所述金属电极层的所述一部分进行蚀刻，去除所述金属电极层的所述一部分的工序。2.一种太阳能电池组件的制造方法，其特征在于，具备在透明基板的主面上依次形成透明电极层、半导体层和金属电极层的工序；通过在所述透明电极层与所述金属电极层之间施加与在所述半导体层中产生的光电动势反向的电压，在所述金属电极层中形成第一针孔的工序；在所述金属电极层上和所述第一针孔内形成树脂层的工序；通过在所述透明电极层与所述金属电极层之间施加所述逆电压，使得在所述树脂层中形成的第二针孔内露出所述金属电极层的一部分的工序；和通过以所述树脂层为掩模对所述金属电极层的所述一部分进行蚀刻，去除所述金属电极层的所述一部分的工序。3.根据权利要求2所述的太阳能电池组件的制造方法，其特征在于；所述半导体层具有在所述透明电极上依次形成的第一半导体层、透光性导电层和第二半导体层，在形成所述第一针孔的工序中，所述第一针孔至少贯通所述金属电极层和所述第二半导体层。全文摘要太阳能电池组件10的制造方法具备在逆电压矫正工序中，通过在透明电极层2与金属电极层4之间施加逆电压，使金属电极层4的一部分在形成于树脂层5中的针孔PHii’内露出的工序、和通过以树脂层5为掩模进行蚀刻，去除金属电极层4的一部分的工序。文档编号H01L31/04GK101809761SQ200980100613公开日2010年8月18日申请日期2009年9月9日优先权日2008年9月9日发明者柳浦聪生申请人:三洋电机株式会社