专利名称：有机电致发光设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种有机电致发光设备。
技术背景
显示设备一般使用阴极射线管(CRT)，一直到最近。目前，作为CRT的替代品，正 在进行各种努力和研究，以开发各种平板显示器，如液晶显示器(IXD)、等离子体显示面板 (PDP)、场发射显示器和电致发光显示器(ELD)。在这些平板显示器中，有机电致发光显示 器(OELD)是自发光显示设备。OELD以低压操作并具有较薄的外形。此外，OELD具有较快 的响应时间、较高的亮度和较宽的视角。
OELD 一般分为无源矩阵型OELD和有源矩阵型OELD。
图1是图解根据现有技术的有源矩阵型OELD的示意性电路图。
参照图1，OELD包括彼此交叉以限定像素区域P的栅极线GL和数据线DL。电源 线PL形成为与数据线DL平行。
在像素区域P中，形成有开关薄膜晶体管STr、驱动薄膜晶体管DTr、存储电容器 StgC和有机发光二极管E。有机发光二极管E包括第一电极、第二电极和在第一与第二电 极之间的有机发光层。第一电极形成在每个像素区域P中并与驱动薄膜晶体管DTr连接。 第二电极形成在所有像素区域上并用作公共电极。
当给栅极线GL施加ON栅极电压时，开关薄膜晶体管STr导通，数据电压施加到数 据线DL。数据电压经过开关薄膜晶体管STr并施加给驱动薄膜晶体管DTr的栅极。根据施 加给驱动薄膜晶体管DTr的数据电压来调整经过驱动薄膜晶体管DTr的电流，且该电流施 加到有机发光二极管E。在开关薄膜晶体管STr截止时，存储电容器^gC存储施加到驱动 薄膜晶体管DTr的数据电压。
图2是图解根据现有技术的OELD的示意性剖面图。
参照图2，OELDl包括彼此面对的第一和第二基板3和31。第一和第二基板3和 31通过第一和第二基板3和31的外围部分之间的密封图案40彼此连接。
在第一基板3上，在每个像素区域中形成有驱动薄膜晶体管DTr和与驱动薄膜晶 体管DTr连接的第一电极12。在第一电极12上形成有有机发光层14。有机发光层14在 各个像素区域中包括红色(R)，绿色(G)和蓝色⑶有机发光图案14a，14b和14c。在有机 发光层14上形成有第二电极16。第一和第二电极12和16用于给有机发光层14施加电 场。第一和第二电极12和16以及有机发光层14在像素区域中构成有机发光二极管。
第二基板31用作封装基板并与第二电极16隔开。
如上所述，在各个像素区域中形成有发射红色、绿色和蓝色光的有机发光层。有机 发光层根据其材料特性而寿命不同。具体地说，蓝色有机发光层具有最短的寿命。因此，当3蓝色有机发光层的寿命终结时，OELD的寿命也就终结了。换句话说，OELD的寿命取决于蓝 色有机发光材料的寿命。
此外，有机发光层根据其材料特性发射具有确定波长的光，并穿过多个层来确定 发射光的强度和颜色。这是从发光二极管进行光发射的机理。因为在光路上形成多个层的 多个介质具有各自预定的折射率，所以光反射率和透射率被确定。由此，可使光色度和强度 最佳。然而，现有技术的OELD不具有最佳的构造，光效率相对较低。发明内容
因此，本发明旨在提供一种基本上克服了由于现有技术的限制和缺点而导致的一 个或多个问题的有机电致发光设备。
本发明的一个优点是提供一种能改善寿命、光效率和亮度的有机电致发光设备。
在下面的描述中将列出本发明的其它的特点和优点，这些特点和优点的一部分从 所述描述将是显而易见的，或者可从本发明的实施领会到。通过书面说明书、权利要求以及 附图中具体指出的结构可实现和获得本发明的这些和其它优点。
为了获得这些和其它的优点并根据本发明的用途，如这里具体表示和广泛描述 的，一种电致发光设备包括第一到第三像素区域；在所述第一到第三像素区域的每一个 中的第一电极，其中所述第三像素区域中的第一电极具有第一厚度，所述第一像素区域中 的第一电极具有小于所述第一厚度的第二厚度，所述第二像素区域中的第一电极具有小于 所述第二厚度的第三厚度；在所述第一到第三像素区域的每一个中的第二电极；在所述第 一到第三像素区域的每一个中且设置在所述第一电极与所述第二电极之间的至少两个电 致发光单元，其中所述至少两个电致发光单元中的一个电致发光单元包括蓝色发光层，所 述至少两个电致发光单元中的其它电致发光单元包括红色/绿色发光层；和设置在所述至 少两个电致发光单元之间的电荷产生层。
应当理解，本发明前面的概括性描述和下面的详细描述都是例示性的和解释性 的，意在对要求保护的本发明提供进一步的解释。
附图包含在本申请中构成本申请的一部分，用以提供对本发明的进一步理解。附 解了本发明的实施方式并与说明书一起用于解释本发明的原理。
在附图中
图1是图解根据现有技术的有源矩阵型OELD的示意性电路图2是图解根据现有技术的OELD的示意性剖面图3是图解根据本发明一个实施方式的OELD的三个像素区域的剖面图；以及
图4A到4D是图解制造根据本发明实施方式的OELD的方法的剖面图。
具体实施方式
现在将详细参照在附图中示出的本发明的实施方式进行描述。
图3是图解根据本发明一个实施方式的OELD的三个像素区域的剖面图。为了便 于解释，在三个像素区域Pl到P3中的一个像素区域Pl中显示了驱动薄膜晶体管DTr。此外，在每个像素区域中形成有驱动薄膜晶体管DTr的区域称作驱动区域DA，在每个像素区 域中形成有开关薄膜晶体管(没有示出)的区域称作开关区域(没有示出)。
参照图3，OELD100包括彼此面对的第一和第二基板110和181。在第一基板110 上的每个像素区域中形成有开关薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管DTr和有机发光二极管。在 第二基板181上形成有在各个像素区域Pl到P3中包括红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)滤色 器图案185a，185b和185c的滤色器层185。
在第一基板110上每个像素区域的驱动区域DA和开关区域的每一个中都形成有 由多晶硅形成的半导体层113。半导体层113包括用作沟道且由本征多晶硅形成的第一区 域113a、和位于第一区域113a两侧的每一侧处并由非本征多晶硅形成的第二区域11 。例 如，第二区域11 掺杂有高浓度的离子。
在半导体层113上形成栅极绝缘层116，并且栅极绝缘层116覆盖半导体层113。 栅极绝缘层113可由无机绝缘材料形成。
在栅极绝缘层113上，在驱动区域DA和开关区域的每一个中都形成有栅极121。 栅极121对应于第一区域113a。可在与形成栅极121的工序相同的工序中形成与栅极121 连接的栅极线(没有示出)。
在栅极121上形成有绝缘中间层123。在绝缘中间层123和栅极绝缘层116中形 成有暴露两个第二区域IHb每一个的半导体接触孔125。
在绝缘中间层123上形成有源极和漏极133和136，且它们彼此隔开。源极和漏极 133和136的每个都通过相应的半导体接触孔125与相应的第二区域11 接触。
栅极121、栅极绝缘层116、半导体层113以及源极和漏极113和136形成每个驱动薄膜晶体管DTr和开关薄膜晶体管。
数据线130位于绝缘中间层123上，与栅极线交叉以限定像素区域并与开关晶体 管的源极连接。数据线130可以在与形成源极和漏极133和136的工序相同的工序中形成。 此外，可在第一基板110上形成与数据线130隔开并平行的电源线。
在源极和漏极133和136上形成有钝化层140。钝化层140可由无机绝缘材料，例 如二氧化硅(SiO2)形成。钝化层140包括暴露驱动薄膜晶体管DTr的漏极136的漏极接 触孔143。
在每个像素区域中的钝化层140上形成有反射图案145。反射图案145通过漏极 接触孔143与驱动薄膜晶体管DTr的漏极136接触。反射图案145可由具有高反射特性的 金属材料，如铝(Al)或银(Ag)形成。
在反射图案145上形成有第一电极147。第一电极147用作阳极并由具有相对较 高功函数的透明导电材料，如氧化铟锡(ITO)，氧化铟锌(IZO)或氧化铟锡锌(ITZO)形成。 第一到第三像素区域Pl到P3的第一电极147厚度不同，目的在于考虑到发射红色、绿色 和蓝色光的有机发光材料的反射和折射特性，通过实现微腔效果来使色再现和光发射效率 最大化。微腔效果是指，通过使光穿过的材料层的厚度不同，从有机发光层发射的光在第 二电极175与反射图案145之间重复选择性的反射，因而最终发射具有期望波长的光。因 此，第三像素区域P3的第一电极147c构造成具有大约550 A到大约650 A的第一厚度tl， 以提高蓝色有机发光材料的色再现和光发射效率；第一像素区域Pl的第一电极147a构造 成具有大约420人到大约520人的第二厚度t2，以提高红色有机发光材料的色再现和光发射效率；第二像素区域P2的第一电极147b构造成具有大约50 A到大约150人的第三厚度 t3，以提高绿色有机发光材料的色再现和光发射效率。
提层(bank) 150形成在第一电极147上并在相邻像素区域Pl到P3之间。提层 150可形成为围绕每个像素区域并与第一电极147的外围部分重叠。因此，不被提层150覆 盖的第一电极147通过提层150的开口而敞开。
在第一电极147上顺序形成有第一辅助层158、蓝色发光层159、第二辅助层161、 电荷产生层(CGL) 163、第三辅助层168、红色/绿色发光层169和第四辅助层174。红色/ 绿色发光层169包括红色磷光材料和绿色磷光材料，因而同时发射红色光和绿色光。第二 电极175形成在第四辅助层174上并用作阴极，其由具有相对较低功函数的金属材料形成。
第一辅助层158包括在从底部到顶部的方向上顺序设置的第一空穴注入层155和 第一空穴传输层157这两个层。第三辅助层168包括在从底部到顶部的方向上顺序设置的 第二空穴注入层165和第二空穴传输层167这两个层。第四辅助层174包括在从底部到顶 部的方向上顺序设置的电子传输层171和第二电子注入层173这两个层。第二辅助层161 可由作为第一电子注入层161的单层组成。
优选第一辅助层158的厚度为大约550 A到大约700 A，第二和第三辅助层161 和168的总厚度为大约1000人到大约1100人，第四辅助层174的厚度为大约350A到大约 400 A0
优选第一空穴注入层155与第一空穴传输层157的厚度比率为大约1 10。换句 话说，第一空穴传输层157具有大约十倍于第一空穴注入层155厚度的厚度。
优选第二空穴注入层165与第二空穴传输层167的厚度比率为大约1 3. 5到大 约1 3.7。换句话说，第二空穴传输层167具有大约3. 5到大约3. 7倍于第二空穴注入层 165厚度的厚度。
优选CGL163和第二空穴注入层173均具有大约5 A到10 A的厚度。
优选蓝色发光层159具有大约150人到大约250人的厚度，红色/绿色发光层 169具有大约150 A到大约250 A的厚度。
因此，蓝色发光层159距第一电极147的顶表面大约550 A到大约800 A，红色/ 绿色发光层169距第一电极147的顶表面大约1800 A到大约2050 A。
如上所述，根据第一电极147a到147c的厚度调节，可在各个像素区域Pl到P3中 调节蓝色发光层159和红色/绿色发光层169的高度。
可选择地，可通过使第一电极147a到147c具有相同厚度并以不同厚度在第一电 极147a到147c下面形成缓冲图案(没有示出)来实现根据像素区域Pl到P3的蓝色发 光层159和红色/绿色发光层169的高度调节。例如，当第一电极147a到147c具有大约 5 0人的相同厚度时，形成在第三像素区域P3中的缓冲图案具有大约500A到大约600人的 厚度，以使蓝色光发射效率最大化；形成在第一像素区域Pl中的缓冲图案具有大约420人 到大约520人的厚度，以使红色光发射效率最大化；且形成在第二像素区域P2中的缓冲图 案具有大约0人到大约100人的厚度，以使绿色光发射效率最大化。在这种情况下，缓冲图案 可形成在反射图案145上。这种选择性的构造可具有与上述构造基本上相同的技术效果。 优选缓冲图案由折射率为大约2. 02的氮化硅(SiNx)形成。6
优选蓝色发光层159由低电压和高效率的荧光材料形成。优选红色/绿色发光层 169由发射红色光的磷光材料和发射绿色光的磷光材料组成，即，具有称作“一种主材料/ 两种掺杂剂”的组合物。
如上所述，蓝色发光层159构造在第一和第二辅助层158和161之间，以基本形成 第一叠层Sl的第一有机二极管；红色/绿色发光层169构造在第三和第四辅助层168和 174之间，以基本形成第二叠层S2的第二有机二极管，其在第一有机二极管上且在这两个 有机二极管之间具有CGL 163。因此，形成了在垂直方向上包括两个叠层Sl和S2的有机发 光二极管，因而可使色再现和光发射效率最大化。该有机发光二极管可至少包括第一和第 二叠层Sl和S2，第一和第二叠层Sl和S2可分别称作第一和第二有机电致发光单元。
换句话说，在本实施方式的0ELD100中，适当调节第一电极147a到147c (或缓冲 图案)的厚度和第一到第四辅助层158，161，168和174的厚度，从而在从反射图案145反 射离开的光或从反射图案145反射离开然后从第二电极175反射离开的光与从发光层159 和169发射到第一基板110的光之间产生积极性的和破坏性的干涉。因此，可根据发射各 个颜色的发光材料的特性使光路最佳化，由此可改善色再现和亮度。
从有机层发射的光由于其特性而波长不同，且反射图案145与第二电极175之间 的材料层折射率不同。因此，当满足全反射条件时，对于以确定角度入射的光产生全反射。 因此，产生的光在反射图案145与第二电极175之间再循环，因而可使亮度最大化。
黑矩阵183形成在第二基板181上的相邻像素区域Pl到P3之间。滤色器图案 185a到185c对应于各个像素区域Pl到P3并与黑矩阵183重叠。
如上所述，在每个像素区域中形成有红色/绿色发光层169和蓝色发光层159，因 而每个像素区域中的有机发光二极管发射白色光。因此，在各个像素区域Pl到P3中形成 红色、绿色和蓝色滤色器图案18 到185c，以发射各个颜色的光。因为光发射效率和亮度 在各个像素区域Pl到P3的每一个中被最大化，所以可改善分别穿过红色、绿色和蓝色滤色 器图案18 到185c的光的色再现。
图4A到4D是图解制造根据本发明实施方式的OELD的方法的剖面图。
参照图4A，在第一基板110上形成非晶硅层。通过在非晶硅上照射激光束或者对 非晶硅进行热处理将非晶硅层结晶为多晶硅层。所述硅可为本征硅。
然后，进行包括光刻胶沉积步骤、使用光学掩模的曝光步骤、对于曝光的光刻胶的 显影步骤、蚀刻步骤和剥离步骤的掩模工序。通过该掩模工序，将多晶硅层图案化，以在开 关区域(没有示出)和驱动区域DA中形成半导体图案。
然后，在具有半导体图案的基板110上形成栅极绝缘层116。栅极绝缘层116可由 包括二氧化硅(SiO2)和氮化硅(SiNx)的无机绝缘材料形成，但并不限于此。
在栅极绝缘层116上形成第一金属层，并用掩模工序图案化第一金属层，以形成 与半导体图案的中心部分对应的栅极121。以相同的工序，沿栅极绝缘层116上的第一方向 形成与栅极121连接的栅极线(没有示出)。第一金属可包括铝(Al)，铝合金(例如AlNd)， 铜(Cu)和铜合金，但并不限于此。
使用栅极121作为阻挡掩模对半导体图案进行离子掺杂工序，以在半导体图案的 没有被栅极121覆盖的两侧部分处均形成掺杂有离子的第二区域113b。半导体图案的被栅 极121覆盖的中心部分的第一区域113a未被掺杂离子。该半导体图案称作半导体层113。在掺杂工序中使用的离子可以是η+或ρ+离子。
然后，在具有栅极121的基板110上形成绝缘中间层123。绝缘中间层123可由包 括二氧化硅(SiO2)和氮化硅(SiNx)的无机绝缘材料形成，但并不限于此。在掩模工序中将 绝缘中间层123和栅极绝缘层116图案化，以形成暴露半导体层113的第二区域11 的半 导体接触孔125。
然后，在绝缘中间层123上形成第二金属层，并在掩模工序中图案化第二金属层， 以形成彼此隔开的源极和漏极133和136。源极和漏极133和136的每一个都通过半导体 接触孔125与第二区域11 接触。第二金属可包括铝(Al)，铝合金(例如AlNd)J|f (Cu), 铜合金，铬(Cr)和钼(Mo)，但并不限于此。半导体层113、栅极绝缘层116、栅极121以及源 极和漏极133和136形成了每个开关薄膜晶体管(没有示出)和驱动薄膜晶体管DTr。以 与形成源极和漏极133和136的工序相同的工序，形成与开关薄膜晶体管的源极连接并与 栅极线交叉以限定像素区域P1，P2或P3的数据线130。此外，可形成与数据线130隔开并 平行于数据线130的电源线。
然后，在具有源极和漏极133和136的基板110上形成钝化层140。将钝化层140 图案化，以形成暴露驱动薄膜晶体管DTr的漏极136的漏极接触孔143。钝化层140可由包 括二氧化硅(SiO2)和氮化硅(SiNx)的无机绝缘材料形成，但并不限于此。
参照图4B，在钝化层140上形成第三金属层，然后在第三金属层上形成透明导电 材料。第三金属可以是具有较高反射效率的材料，例如铝(Al)或银(Ag)。透明导电材料 可以是具有相对较高功函数的材料，例如氧化铟锡(ΙΤ0)，氧化铟锌(IZO)或氧化铟锡锌 (ITZO)。
透明导电材料可沉积为第三像素区域P3的第一电极147c，其具有厚度t3，第一电 极147c是在第一到第三像素区域Pl到P3的第一像素电极147a到147c中最厚的一个。例 如，透明导电材料的厚度可为大约550人到大约650人。
然后，在第一到第三像素区域Pl到P3中分别形成厚度不同的光刻胶图案(没有 示出)。例如，在第三像素区域P3中形成第一光刻胶图案，其是光刻胶图案中最厚的一个; 在第一像素区域Pl中形成第二光刻胶图案，其具有小于第一光刻胶图案厚度的厚度；并在 第二像素区域P2中形成第三光刻胶图案，其具有小于第二光刻胶图案厚度的厚度。
然后，使用第一到第三光刻胶图案将透明导电材料层和第三金属层图案化，以在 每个像素区域中形成反射图案145和第一电极图案。到此步骤为止，在第一到第三像素区 域Pl到P3中的第一电极图案具有大致相同的厚度。
然后，进行第一灰化工序，以移除最薄的第三光刻胶图案。因此，暴露出第二像素 区域P2中的第一电极图案。
对第二区域P2的暴露的第一电极图案进行第一蚀刻工序，从而第一次减小第二 像素区域P2的暴露的第一电极图案的厚度。
然后，进行第二灰化工序，以移除第二光刻胶图案。因此，第一像素区域Pl中的第 一电极图案也暴露出来。
然后，对第一和第二像素区域Pl和P2的暴露的第一电极图案进行第二蚀刻工序。 通过该第二蚀刻工序，第二次减小了第二像素区域P2的暴露的第一电极图案的厚度，并减 小了第一像素区域Pl的暴露的第一电极图案的厚度。
然后，通过剥离工序移除其余的第一光刻胶图案。
通过上述工序，分别在第一到第三像素区域Pl到P3中形成了具有不同厚度的第 一电极147a到147c。在上述工序中，需要适当调节第一和第二蚀刻工序，使得第三像素区 域P3的第一电极147c具有大约550人到大约650人的厚度tl，第一像素区域Pl的第一电 极147a具有大约420A到大约520A的厚度乜，并且第二像素区域P2的第一电极147b具 有大约50人到大约150A的厚度t3。
可选择地，可采用另一方法来在各个像素区域Pl到P3中形成厚度不同的第一电 极。例如，将第一透明导电材料沉积为具有大约50人到大约150人的厚度并进行第一图案化 工序，然后沉积第二透明导电材料并进行第二图案化工序，然后沉积第三透明导电材料并 进行第三图案化工序。通过这些工序，在各个像素区域Pl到P3中形成厚度不同的第一电 极 147a 到 147c。
参照图4C，在具有第一电极147a到147c的基板110上形成有机绝缘层并将其图 案化，以在相邻像素区域Pl到P3之间形成覆盖第一电极147a到147c的外围部分的提层 150。该有机绝缘材料可包括感光亚克力和苯并环丁烯(BCB)，但并不限于此。
然后，在第一基板110的整个显示区域上进行顺序沉积和/涂覆材料的工序，或者 使用掩模在由提层150围绕的区域上进行顺序沉积和/涂覆材料的工序。通过这些工序， 顺序形成第一空穴注入层155、第一空穴传输层157、蓝色发光层159、第一电子注入层161、 CGL 163、第二空穴注入层165、第二空穴传输层167、红色/绿色发光层169、电子传输层 171、第二电子注入层173和第二电极175。在参照图3的上述解释中已描述了这些层的厚 度。根据层的厚度，在第一到第三像素区域Pl到P3的每一个中，从第一电极147a，147b或 147c的表面到蓝色发光层159的距离为大约550人到大约800人，从第一电极147a，147b或 147c的表面到红色/绿色发光层169的距离为大约1800人到大约2050人。
通过上述工序，可制造第一基板110。
参照图4D，在第二基板181上沉积铬(Cr)或氧化铬(CrOx)并将其图案化，以形成 黑矩阵183。黑矩阵183可对应于栅极线和数据线130中的至少之一。然后，在各个像素区 域Pl到P3中形成红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)滤色器图案185a，185b和185c。通过这 些工序，可制造第二基板181。
使用形成在显示区域外部的非显示区域的密封图案或烧结图案将第一和第二基 板110和181彼此附接。可在惰性气体条件或真空条件下进行附接工序。由此可制造 OELD100。
如上所述，在实施方式的OELD中，每个像素区域的有机发光二极管包括双叠层结 构的发射红色、绿色和蓝色光的材料层。因此，可防止OELD的寿命取决于发射特定颜色的 有机发光材料的寿命，因而可提高OELD的寿命。
此外，根据发射各个颜色的发光材料的特性将光路最佳化。因此，可改善色再现、 亮度和光发射效率。
在不脱离本发明的精神或范围的情况下，对本发明可进行各种修改和变化，这对 于所属领域技术人员来说是显而易见的。因而，本发明意在覆盖落入所附权利要求书范围 及其等效范围内的对本发明的所有修改和变化。
权利要求
1.一种有机电致发光设备，包括第一到第三像素区域；在所述第一到第三像素区域的每一个中的第一电极，其中所述第三像素区域中的第一 电极具有第一厚度，所述第一像素区域中的第一电极具有小于所述第一厚度的第二厚度， 所述第二像素区域中的第一电极具有小于所述第二厚度的第三厚度；在所述第一到第三像素区域的每一个中的第二电极；在所述第一到第三像素区域的每一个中且设置在所述第一电极与所述第二电极之间 的至少两个电致发光单元，其中所述至少两个电致发光单元中的一个电致发光单元包括蓝 色发光层，所述至少两个电致发光单元中的其它电致发光单元包括红色/绿色发光层；和设置在所述至少两个电致发光单元之间的电荷产生层。
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一厚度为大约550人到大约650人，所述第 二厚度为大约420A到大约650入，所述第三厚度为大约50入到大约150A。
3.根据权利要求2所述的设备，其中所述蓝色发光层距所述第一电极的表面大约 550人到大约800人，所述红色/绿色发光层距所述第一电极的表面大约1800人到大约 2050人。
4.根据权利要求1所述的设备，其中所述至少两个电致发光单元中的每一个电致发光 单元都包括空穴传输层和电子传输层。
5.根据权利要求1所述的设备，还包括第一基板和在所述第一基板上的第二基板；和在所述第二基板上且分别对应于所述第一到第三像素区域的红色、绿色和蓝色滤色器 图案。
6.根据权利要求1所述的设备，还包括与所述第一电极重叠并位于相邻像素区域之间 的提层。
7.根据权利要求1所述的设备，其中所述蓝色发光层包括发射蓝色光的荧光材料，所 述红色/绿色发光层包括分别发射红色光和绿色光的磷光材料。
8.根据权利要求7所述的设备，还包括在所述第一基板上的钝化层；和在所述第一到第三像素区域的每一个中的钝化层上的反射图案。
全文摘要
一种有机电致发光设备，包括第一到第三像素区域；在所述第一到第三像素区域的每一个中的第一电极，其中第三像素区域中的第一电极具有第一厚度，第一像素区域中的第一电极具有小于第一厚度的第二厚度，第二像素区域中的第一电极具有小于第二厚度的第三厚度；在第一到第三像素区域的每一个中的第二电极；在第一到第三像素区域每一个中且设置在第一电极与第二电极之间的至少两个电致发光单元，其中所述至少两个电致发光单元中的一个单元包括蓝色发光层，所述至少两个电致发光单元中的其它单元包括红色/绿色发光层；和设置在所述至少两个电致发光单元之间的电荷产生层。
文档编号H01L51/52GK102034850SQ201010247538
公开日2011年4月27日 申请日期2010年8月4日 优先权日2009年9月25日
发明者皮性勋, 金昌五, 金禾景 申请人:乐金显示有限公司