液处理装置、液处理方法和存储介质的制作方法

专利名称：液处理装置、液处理方法和存储介质的制作方法
技术领域：
本发明涉及从喷嘴向例如半导体晶片等基板供给处理液并一面使基板旋转一面 进行液处理的技术领域。
背景技术：
在半导体制造工序中，存在向基板供给处理液并一面使基板旋转一面进行液处理 的工序。具体而言，例如能够列举下述工序通过旋转涂布来向基板供给抗蚀剂液的工序； 在基板表面形成抗蚀剂膜后，为除去基板周缘部的抗蚀剂而供给溶剂的工序；在基板的显 影处理后利用清洗液清洗基板的工序；和例如为了除去微粒而对基板的表面进行清洗的工 序等。另外，在清洗工序时清洗液就成为处理液。这些处理，例如图17所示，包括吸附保持晶片W的旋转卡盘11 ；使该旋转卡盘11 旋转的旋转驱动部12 ；用于对晶片W供给处理液的处理液喷嘴13 ；和杯体20，其包围上述 旋转卡盘11的周围，下部与废液路14、排气管15连接。另外，在杯体20的上方设置有风机 过滤器单元(FFU) 16，来自该FFU16的气体的供给与来自排气管15的吸引排气共同作用，在 杯体20内形成下降气流。上述排气管15与工场排气连接，能够对杯体20内的气氛进行排气，但为了环境方 面的考虑，希望尽可能抑制排气量。不过，在杯体20内的排气量不充分的情况下，杯体20 内的下降气流会逆流，存在处理液的雾附着在晶片W的表面成为微粒的问题。另外，晶片W存在大口径化的趋势，晶片W的周速度会随之变大，所以杯体20内的 逆流变得容易发生。另一方面，在专利文献1和2中记载了下述装置在杯体的内壁面设置有排出清洗 液的排出口，使清洗液沿着该内壁面流动，对杯体内进行清洗。不过，这些装置对希望杯体 的排气量的降低这一课题并没有提及。另外，因为在对基板实施液处理后进行清洗，在清洗 的期间不能够对下一晶片实施液处理，所以对晶片的制造效率的提高没有什么贡献。专利文献1 日本特开平4-200673号公报专利文献2 日本特开平5-251327号公报

发明内容
本发明在上述问题的前提下完成，其目的在于提供液处理装置和液处理方法，能 够在一面使基板旋转一面对基板进行液处理时，抑制杯体内的排气量，同时抑制雾从杯体 反弹，降低雾向基板的附着。本发明的液处理装置，从喷嘴向由基板保持部水平地保持的基板供给处理液来进 行处理，该液处理装置的特征在于，包括使上述基板保持部绕铅垂轴旋转的旋转机构；包 围由上述基板保持部保持的基板的杯体；用于从上述杯体的下方侧将该杯体内的气氛吸引 排气的吸引排气部；和雾捕捉液的供给口，其沿着上述杯体的周方向设置，用于从与上述基 板相同高度或比该基板更高的位置向上述杯体的内周面供给雾捕捉液，该雾捕捉液用于在上述基板旋转而处理液从该基板甩开时，捕捉该处理液的雾。另外，上述液处理装置也可以采用以下结构。1.上述雾捕捉液的供给口的雾捕捉液的排出的方向与基板的旋转方向相同。2.包括供给量调整部，其用于调整来自上述雾捕捉液的供给口的雾捕捉液的供给量；存储部，其存储按照上述基板的转速设定捕捉液的供给量的数据；和控制部，其从上述数据读出与基板的转速相应的供给量，控制上述供给量调整部， 供给该供给量。3.上述雾捕捉液是用于清洗基板的清洗液。4.包括:回收部，其设置在上述供给口的下方侧，用于回收上述雾捕捉液；和循环部，其使由该回收部回收的上述雾捕捉液循环回上述供给口。另外，本发明的液处理方法，向由基板保持部水平地保持的基板供给处理液，进行 处理，该液处理方法的特征在于，包括使基板水平地保持在基板保持部上的工序；接着使 基板保持部绕铅垂轴旋转并从喷嘴向该基板供给处理液的工序；和在与上述基板相同高度 或比该基板更高的位置，从沿着上述杯体的周方向设置的供给口向上述杯体的内周面供给 雾捕捉液，捕捉处理液的雾的工序，其中，该雾捕捉液用于在上述基板旋转而处理液从该基 板甩开时，捕捉该处理液的雾。本发明在使上述基板旋转而处理液从该基板甩开时，向杯体的内周面供给雾捕捉 液，用该捕捉液捕捉处理液的雾，所以能够抑制从基板飞散而撞到杯体内壁的雾的反射。即 使雾在杯体内壁发生反射，只要增大杯体内的气氛的吸引排气量就能够抑制从杯体内逆流 的雾量，但根据本发明，能够在抑制杯体内的气氛的吸引排气量的同时减少雾向杯体外飞 散。像这样，因为能够减小杯体内的气氛的吸引排气量，所以具有以下效果，即，能够应对在 工场内对处理装置的排气容量的分配较小的情况。


图1是本发明的实施方式中的抗蚀剂涂布装置的纵剖面图。图2是说明上述抗蚀剂涂布装置的外侧杯体与晶片的位置关系的说明图。图3是上述抗蚀剂涂布装置的外侧杯体的立体图。图4是表示流路形成部件与外侧杯体的关系的立体图。图5是表示清洗液排出口的正视图和立体图。图6是示意地表示清洗液循环部的结构的示意图。图7是表示控制上述抗蚀剂涂布装置的控制部的结构的结构图。图8是表示晶片的涂布方案与清洗液的排出量的对应关系的图表。图9是表示晶片的转速与清洗液的排出量的关系的表。图10说明清洗液从清洗液排出口排出的状态的说明图。图11是说明由晶片甩开的抗蚀剂雾被清洗液捕捉的状态的说明图。图12是说明由晶片甩开的冲洗液被清洗液捕捉的状态的说明图。图13是表示雾的飞散量与清洗液的排出量的相关关系的相关图。
图14是示意地表示其它实施方式中的抗蚀剂涂布装置的清洗液排出口的示意 图。图15是示意地表示其它实施方式中的抗蚀剂涂布装置的清洗液排出口的示意 图。图16是示意地表示清洗液从上述清洗液排出口排出的状态的示意图。图17是现有的抗蚀剂涂布装置的纵剖面图。附图标记说明W曰t±" 日日/T
31旋转卡盘
32旋转驱动部
35排气管
40杯体
41内侧杯体
42外侧杯体
42a圆筒部
42b倾斜壁
44环状流路
50流路形成部件
51贯通孔
53流槽部
62泵
90控制部
93存储部
具体实施例方式对将本发明的液处理装置应用于抗蚀剂涂布装置的实施方式进行说明。图1所示 的抗蚀剂涂布装置具有通过真空吸附来水平地保持晶片W的旋转卡盘31。该旋转卡盘31 能够通过从下方连接的旋转驱动部32升降，能够绕铅垂轴转动。以包围上述旋转卡盘31 的周围的方式设置有杯体40，该杯体40由内侧杯体41、外侧杯体42构成。上述内侧杯体41位于由旋转卡盘31保持的晶片W的下方，由环状的引导部41a和 水平的圆板部41b构成，该引导部41a从与晶片W的背面侧周边部接近地相对的位置向外 侧下方倾斜，该圆板部41b与该引导部41a的内周边相连，中央部被旋转卡盘31贯通。上 述导引部41a具有引导(导引)从晶片W洒落的抗蚀剂液流落的作用。上述外侧杯体42 以包围内侧杯体41的外侧的方式设置，包括圆筒部4 和从该圆筒部4 的上缘向内侧上 方倾斜地延伸的倾斜壁42b，其中，圆筒部4 其上缘设定在与由旋转卡盘31保持的晶片W 相同或大致稍低的位置。上述内侧杯体41的外壁面和外侧杯体42的内壁面所包围的环状空间形成为环状 流路44。该环状流路44成为在杯体40的内部流动的下降气流、被旋转的晶片W甩开的抗 蚀剂、清洗液流动的流路。
在外侧杯体42的底部，设置有后述的流槽部53，与该流槽部53邻接地从下方连接 有废液路34。另外，在比上述废液路34靠近旋转卡盘31的位置，以插入的方式设置有二根 排气管35，能够利用排气管35的侧壁分离气体与液体。从上述流槽部53溢出的液体通过 废液路34废弃。上述排气管35各自在下游合流，通过未图示的挡板(damper)与例如工场 的排气管道连接。此处，对从外侧杯体42的倾斜壁42b到由旋转卡盘31保持的晶片W周缘部的水平 方向上的距离进行叙述。如图2(a)所示，令晶片W的半径为r(mm)，从旋转卡盘31的中心 点到水平延伸的直线上的与倾斜壁42b的交点的距离为R(mm)，晶片W的切线和在该切线与 倾斜壁42b的交点处所形成的切线所成的角度为θ，则角度θ能够表示为式θ =C0s-1O"/ R)。因为该角度θ越小，抗蚀剂越难以从外侧杯体42反射，由计算式来看，距离R优选接 近半径r，S卩，从角度的观点来看，从晶片W的周缘到倾斜壁42b的距离越近越好。不过，从 距离的观点来看，当该距离过近时，从晶片W飞散的抗蚀剂雾被外侧杯体42反弹，会附着在 晶片W上。于是，由旋转卡盘31保持的晶片W的表面的周缘到倾斜壁42b的水平方向的距 离，从角度的观点和距离的观点出发，设定为液体的反弹较少的距离，例如10 50mm。另外，如图2(b)所示，若令从晶片W飞散的抗蚀剂液的前进方向与倾斜壁42b在 垂直面上所成的角度为Φ，则在用矢量表示飞散的抗蚀剂液的运动的情况下，抗蚀剂液被 倾斜壁42b反弹，其矢量方向是沿水平方向以角度θ入射至倾斜壁42b的矢量的反射矢量 与沿垂直面以角度Φ入射至倾斜壁42b的矢量的反射矢量的合成矢量。即，抗蚀剂液倾斜 向下反弹。于是，为了抑制抗蚀剂液的反射，该实施方式中例如角度θ设定为38度，角度 Φ设定为30度。上述内侧杯体41、外侧杯体42由亲水性的材料例如不锈钢构成，或者在各个树脂 杯体41、42的表面利用亲水性材料形成膜。由此，飞散的抗蚀剂液难以附着在杯体41、42 的表面。在上述外侧杯体42的倾斜壁42b，如图4所示沿周方向形成有多个贯通孔51。在 倾斜壁42b的内侧的面(下方侧的面)，如图5所示按每个贯通孔51设置有从基端侧向前 端侧扩展的弯曲状的引导罩部51a，贯通孔51在引导罩部51a内的基端部开口。引导罩部 51a的前端侧的开口部相当于后述的清洗液的排出口 51b，该排出口 51b以与晶片W的旋转 方向相同的方向形成。另一方面，在倾斜壁42b的外表面，以沿着贯通孔51的排列覆盖该 贯通孔51的方式设置有流路形成部件50。在该流路形成部件50内，形成有在外侧杯体42 的周方向上延伸的环状的流路50a，上述贯通孔51在该流路50a中开口。于是，供给到流路 50a内的后述的清洗液通过贯通孔51向倾斜壁42b的内表面侧排出，并进一步被引导罩部 51a引导而沿横向排出。引导罩部51a的开口部51b向着与晶片W的旋转方向相同的方向 形成，利用该开口部51b流出清洗液的原因在于，从晶片W飞散的抗蚀剂雾的速度与清洗液 的排出速度的相对速度变小，容易用清洗液捕捉抗蚀剂雾。在上述流路形成部件50，如图4所示连接有用于供给清洗液的供给管52，该供给 管52向作为涂布装置主体的外装部的框体80的外部引出。图1中，为方便起见只表示了 供给管52与流路形成部件50在1处加以连接的结构，但也可以在例如外侧杯体42的直径 方向上相互相对的两处加以连接，也可以在三处以上加以连接。另外，如图1和图3所示，在外侧杯体42的底部的内壁，沿周方向设置有流槽部53，其接住从上方沿杯体40的壁面流下的清洗液用于回收。在流槽部53，从下方连接有回 收管M的一端，该回收管M的另一方面向框体80的外部引出，与缓冲罐65连接。回到供给管52的说明，该供给管52的上游侧通过切换阀61分支为分支管5 和 分支管66b。上述供给管52的切换阀61的下游侧中，从上游侧起依次设置有泵62、过滤器 63和气动阀64。上述泵62由后述的控制部控制，具有基于包含晶片W的转速的涂布方案 调整清洗液的流量的作用。上述过滤器63的一级侧，抽气用的配管66c与缓冲罐65的气 相部连接。分支管66b的上游侧与作为清洗液供给源的清洗液罐60连接。清洗液供给源60 内的清洗液是用于清洗杯体20内的溶剂(稀释剂)，具备雾捕捉液的功能。即，在该例中， 雾捕捉液能够兼作清洗液。该清洗液供给源60通过设置有阀Vl的配管66a与加压气体供 给源67连接。在分支管52a的下游侧，连接有暂时储存清洗液的缓冲罐65。缓冲罐65通过设置 有阀V3的配管66d与废液部68连接，并与上述的回收管M连接。另外，在缓冲罐65内设 置有液面检测计65a。此处，切换阀61通过后述的控制部的控制进行流路的切换，在循环清洗液时切换 到缓冲罐65侧，而在液面检测计6 的液面检测水平低于设置水平时切换到清洗液供给源 60侧，向杯体40供给新的清洗液。回到图1，在内侧杯体41的引导部41a，嵌入地设置有斜面清洗喷嘴71，该斜面清 洗喷嘴71中，用于排出清洗液的排出口 71a以向着晶片W的背面周缘部的方式形成。斜面 清洗喷嘴71通过未图示的配管与冲洗液供给源连接。上述杯体40收纳在框体80中，在该框体80的侧壁设置有由闸门82开闭、用于通 过未图示的搬送臂来将晶片W搬入搬出的搬入搬出口 81。上述框体80内的上部设置有风 机过滤器单元(FFU) 83，该FFU83具有下述作用，即，通过从上方连接的配管84向框体80内 供给洁净气体例如洁净空气，形成下降气流。另外，在框体80的底部，设置有用于将该框体 80内的气氛吸引排气的排气路85。来自上述FFU83的下降气流，与上述的杯体40的排气 管35和排气管85所进行的吸引排气共同作用，在框体80内和杯体40内形成下降气流。在框体80内，在杯体40的上方设置有排出抗蚀剂的抗蚀剂喷嘴72和排出作为预 湿液的溶剂的溶剂喷嘴73。这些喷嘴分别构成为通过供给管72a、73a与抗蚀剂供给源74 和溶剂供给源75连接，并能够通过未图示的搬送臂在晶片W的上方的规定位置与杯体40 的外侧的待机位置之间移动。图7是示意地表示控制部90的图，控制部90例如由计算机构成，包括中央运算 处理装置(CPU)91、使抗蚀剂涂布装置动作的程序92、存储部93和数据总线94。该计算机 中，通过硬盘、光盘、磁光盘、存储卡等存储介质安装有用于进行本发明的实施方式中的液 处理装置的动作的程序。上述控制部90连接有旋转驱动部32、抗蚀剂供给系统95、清洗液 供给系统96等。清洗液供给系统96指的是图6所示的用于进行清洗液供给的设备组，例 如相当于泵62、切换阀61和液面检测计6 等。上述存储部93按每种涂布方案存储有晶 片W的转速数据、清洗液的排出数据、抗蚀剂液的排出数据。例如当程序92取得方案1的 数据时，能够随之取得晶片W的转速数据、清洗液的排出数据、抗蚀剂液的排出数据，基于 这些数据控制旋转驱动部32、抗蚀剂供给系统95、清洗液供给系统96。
接着，对上述实施方式的作用进行说明。图8是表示涂布方案的一例的图，图9是 表示晶片W的转速与清洗液的排出量的关系的一例的图。首先，使用未图示的搬送臂通过 搬入搬出口 81将晶片W搬入框体80内，例如利用与旋转驱动部32组合的未图示的升降部 使旋转卡盘31上升，使晶片W载置在该旋转卡盘31上，并进行真空吸附。之后，旋转卡盘 31下降，晶片W收容在杯体40的内部。另外，晶片W的旋转卡盘31的交接也可以通过未图 示的升降销来进行。这时，在杯体40内形成上述下降气流，该下降气流流经环状流路从排 气管35排气。接着，向外侧杯体42的内壁面进行清洗液的供给(图8的时刻t0)。具体而言， 当缓冲罐65中储存有清洗液，并处于设定的液面水平以上的状态时，切换阀61切换到缓冲 罐65侧，清洗液从缓冲罐65经由泵62以例如30CC/min的速度送往流路形成部件50内， 从在杯体40内的周方向上排列的贯通孔51向外侧杯体42的内壁面排出。这时，在图10 的例子中，排出口 51b向着晶片W的旋转方向即右方向，所以清洗液沿着内壁面向右斜下方 流出。而且，随着清洗液向外侧杯体42的下方流动，与从邻接的排出口 51b排出的清洗液 合流，在外侧杯体42的整个周上形成清洗液的液膜。流动到外侧杯体42的底部的清洗液 由流槽部53接住，通过回收管M暂储存到杯体40的外部的缓冲罐65。另外，从流槽部53 溢出的清洗液通过废液管34排出到杯体40的外部。然后，利用旋转卡盘31使晶片W以例如3000rpm的转速旋转(图8的时刻tl)。 该旋转的晶片W产生气流，该气流流经形成在内侧杯体41与外侧杯体42之间的环状流路 44，经由排气管35排出到杯体40的外部。另外，通过未图示的移动机构，在晶片W开始旋 转前，从预先移动到晶片W的中心部上方的位置的溶剂喷嘴73向晶片W供给例如稀释剂， 进行使该晶片W湿润的预湿。之后，在使溶剂喷嘴73退回待机位置的同时，使抗蚀剂喷嘴 72移动到晶片W的中心部上方的位置。然后，利用抗蚀剂喷嘴72向晶片W的中央部进行抗蚀剂的排出。排出的抗蚀剂， 由于晶片W的旋转引起的离心力的作用而从中心部向边缘部伸展，并且，多余的抗蚀剂从 晶片W的表面甩开，由在外侧杯体42的内壁面上流动的清洗液捕捉，通过流槽部53排出到 杯体40的外部。另外，成为雾的抗蚀剂的一部分随着上述下降气流流经环状流路44，通过 排气管35排出到杯体42的外部，抗蚀剂雾的大部分如图11所示地与外侧杯体42碰撞。这 时，因为形成在外侧杯体42的排出口 51b向着与晶片W的旋转方向相同的方向形成，所以 清洗液在与晶片W的旋转方向相同的方向上流动。因此，清洗液与从晶片W飞散的抗蚀剂 雾的相对速度变小，抗蚀剂雾容易被清洗液捕捉。被清洗液捕捉的抗蚀剂雾与清洗液一起 沿着外侧杯体42的内壁面流动，通过流槽部53排出到杯体40的外部。捕捉了抗蚀剂雾的清洗液，如上所述地暂时储存在缓冲罐65内，依次流过切换阀 61、泵62，在过滤器63内除去微粒、气泡后，经由气动阀64通过流路形成部件50再次向外 侧杯体42的内壁面供给。即，清洗液在外侧杯体42的内壁面上捕捉抗蚀剂雾后被回收，在 微粒等被除去后再次捕捉抗蚀剂雾，因此反复向外侧杯体42的内壁面供给。在抗蚀剂涂布处理结束后，使抗蚀剂喷嘴73退回待机位置，并使晶片W的转速减 速至100rpm(图8的时刻t2)。这时因为晶片W的转速较低，所以能够确保晶片W的表面的 抗蚀剂的液膜的平坦性。这时虽然会产生抗蚀剂雾，但与晶片W的转速较高的状态相比，抗 蚀剂雾的产生较少，飞散的抗蚀剂雾的速度也缓慢，所以清洗液的排出量通过控制部设定为方案中所记载的排出量，例如lOOcc/min，进行该抗蚀剂雾的捕捉。接着，按照方案使晶片W的转速上升至IOOOrpm，将清洗液的排出量设定为200cc/ min(图8的时刻。在该状态下，以规定的时间例如20秒左右，对抗蚀剂膜厚进行调整 并使抗蚀剂干燥，形成抗蚀剂膜。清洗液的排出在抗蚀剂的排出停止后继续进行例如5秒 钟，在图8的时刻t3’停止清洗液的排出。之后，利用斜面清洗喷嘴71向晶片W的背面周缘部进行作为冲洗液的溶剂的排出 (图8的时刻t4)。该冲洗液的排出例如进行5秒钟，晶片W的背面周边部的抗蚀剂被清 洗。另外，如图12所示，冲洗液被旋转的晶片W甩开，但因为预先在冲洗液的排出前例如5 秒前(图8的时刻t4’)通过流路形成部件50向外侧杯体42的内壁面流出清洗液，形成清 洗液的液膜，所以冲洗液的雾如上所述地被清洗液的液膜捕捉。这时清洗液的排出量例如 为 200cc/mino接着，使晶片W的转速上升到2500rpm，利用晶片W进行冲洗液的甩开工序(图8 的时刻t5)。该甩开工序例如进行5秒钟，清洗液的排出量设定为例如300CC/min。并且， 使晶片W的转速为1000rpm(图8的t6)，将晶片W持续旋转规定的时间进行干燥。之后，停 止晶片W的旋转(图8的t7)，以与上述晶片W搬入时相反的顺序将晶片W交接到搬送臂 上，从抗蚀剂涂布装置搬出。清洗液的供给中，对通过流路形成部件50向外侧杯体42的内壁面供给的清洗液 加以再利用，但循环的清洗液随着时间的经过而挥发，在循环的清洗液的量减少时，具体来 说即液面检测计6 所检测出的液面水平低于设定的液面水平时，利用切换阀61使流路与 清洗液供给源60侧连接，从清洗液供给源进行新的清洗液的供给。另外，也可以替代仅在上述涂布方案中涂布涂布液的期间(包含涂布前后的短时 间)排出清洗液，而使上述方案中的清洗液的排出量与晶片的转速的关系如图9的表所示 地设定，在晶片W的转速为Orpm时，使清洗液以50CC/min的速度排出，但也可以停止清洗 液的排出。此处，图13是按晶片W的每种转速表示清洗液的量与雾的飞散量的关系的图。根 据该图13可知，晶片W的转速越大，用于抑制雾的飞散的清洗液的量越增加。另外可知，晶 片W的转速越大，清洗液的量较少的情况下雾的飞散量越增加。另外还可知，在每种转速下 增加清洗液的量都能够减少雾的飞散量。于是，考虑到这些特性，如上所述地调整清洗液的 排出量。另外，在处理液的使用时间较短的方案的情况下，也可以不必按照晶片W的转速调 整清洗液的排出量。根据上述实施方式，在使晶片W旋转而抗蚀剂液从该晶片甩开时，向杯体40的内 周面供给清洗液，用该清洗液捕捉抗蚀剂液的雾，所以能够抑制从晶片W飞散而撞到杯体 40内壁的雾的反射。即使雾在杯体40内壁发生反射，只要增大杯体40内的气氛的吸引排 气量就能够抑制从杯体40内逆流的雾量，但是，本发明能够在抑制杯体40内的气氛的吸引 排气量的同时减少雾向杯体40外飞散。像这样，因为能够减小杯体40内的气氛的吸引排气 量，所以具有以下效果，即，能够应对在工场内对处理装置的排气容量的分配较小的情况。另外，上述实施方式还具有以下优点。因为捕捉了抗蚀剂雾的清洗液被流槽部53回收而加以再利用，所以能够降低清 洗液的使用量。
另外，排出清洗液的泵62，其清洗液的排出量按照晶片W的转速控制，所以能够实 现泵62的省电化，并能够高效地进行飞散的抗蚀剂雾的捕捉。另外，因为能够同时进行晶 片W的液处理和杯体40的清洗处理，所以能够实现吞吐量的提高。在上述实施方式中，处理方案中记载有清洗液的排出量，通过由CPU读取方案来 设定与时刻对应(结果为与晶片W的转速对应)的清洗液的排出量，但也可以如上所述地 准备使晶片W的转速与清洗液的排出量相对应的表，使CPU从该表读出与晶片W的转速相 应的清洗液的排出量。雾捕捉液并不限于使用清洗液，但通过如上所述地兼用清洗液能够同时进行杯体 40内的清洗，因此较为优选。另外，本发明并不限定于抗蚀剂涂布装置，如背景技术中所述 的那样，也可以用于显影装置、清洗装置。以上内容中，本发明中“从与晶片W相同高度或比其高的位置向杯体40的内周面 供给雾捕捉液”这一点虽然必要，但是当使捕捉液的供给口 51b采用在比晶片W的表面低的 位置例如向斜上方侧排出捕捉液的结构，其结果捕捉液到达与晶片W的表面相同的高度或 比其高的位置的情况下，也包含在上述引号内的内容中，即包含在本发明的技术范围内。接着，对上述实施方式的变形例进行说明，在图14的例中，上述外侧杯体42的内 壁面形成为，峰的部分和谷的部分在纵方向上并行状延伸，由此在周方向上形成峰的部分 和谷的部分反复的波形状。在该内壁面的表面，清洗液排出口 111以其排出口打开的形式 设置。并且，从清洗液排出口 111排出的清洗液在峰的顶部与峰的顶部的间距S，即相互邻 接的波的高的部分的间距S内流动。于是，清洗液能够积极地流动，所以具有能够迅速地冲 走粘性较高的抗蚀剂的优点。图15的例子中，沿着外侧杯体42的内壁面的周方向形成槽部120，在像这样形成 为环状的槽部120内例如等间隔地设置有多个清洗液排出口 121。该清洗液排出口 121向 着晶片W的旋转方向例如右方向形成。于是，如图16所示，从清洗液排出口 121排出的清 洗液，一面在槽部120内被导向晶片W的旋转方向，一面溢出沿内壁面向下方流动。因此， 清洗液排出口 121的高度水平上已形成很宽的液膜，所以容易在整个内壁面形成液膜。
10
权利要求
1.一种液处理装置，从喷嘴向由基板保持部水平地保持的基板供给处理液来进行处 理，该液处理装置的特征在于，包括使所述基板保持部绕铅垂轴旋转的旋转机构； 包围由所述基板保持部保持的基板的杯体；用于从所述杯体的下方侧将该杯体内的气氛吸引排气的吸引排气部；和 雾捕捉液的供给口，其沿着所述杯体的周方向设置，用于从与所述基板相同高度或比 该基板更高的位置向所述杯体的内周面供给雾捕捉液，该雾捕捉液用于在所述基板旋转而 处理液从该基板甩开时，捕捉该处理液的雾。
2.如权利要求1所述的液处理装置，其特征在于所述雾捕捉液的供给口的雾捕捉液的排出的方向与基板的旋转方向相同。
3.如权利要求1或2所述的液处理装置，其特征在于，包括供给量调整部，其用于调整来自所述雾捕捉液的供给口的雾捕捉液的供给量； 存储部，其存储按照所述基板的转速设定捕捉液的供给量的数据；和 控制部，其从所述数据读出与基板的转速相应的供给量，控制所述供给量调整部，供给 该供给量。
4.如权利要求1至3中任一项所述的液处理装置，其特征在于 所述雾捕捉液是用于清洗基板的清洗液。
5.如权利要求1至4中任一项所述的液处理装置，其特征在于，包括 回收部，其设置在所述供给口的更下方侧，用于回收所述雾捕捉液；和 循环部，其使由该回收部回收的所述雾捕捉液循环回所述供给口。
6.一种液处理方法，向由基板保持部水平地保持的基板供给处理液来进行处理，该液 处理方法的特征在于，包括使基板水平地保持在基板保持部上的工序；接着使基板保持部绕铅垂轴旋转并从喷嘴向该基板供给处理液的工序； 对包围由所述基板保持部保持的基板的杯体内的气氛进行吸引排气的工序；和 在与所述基板相同高度或比该基板更高的位置，从沿着所述杯体的周方向设置的供给 口向所述杯体的内周面供给雾捕捉液，捕捉处理液的雾的工序，其中，该雾捕捉液用于在所 述基板旋转而处理液从该基板甩开时，捕捉该处理液的雾。
7.一种存储有液处理装置中所使用的计算机程序的存储介质，该液处理装置从喷嘴向 由基板保持部水平地保持的基板供给处理液来进行处理，该存储介质的特征在于所述计算机程序中，按照实施权利要求6所述的液处理方法的方式编入有步骤组。
全文摘要
液处理装置、液处理方法和存储介质。本发明提供液处理装置和液处理方法，能够在一面使基板旋转一面对基板进行液处理时，抑制杯体内的排气量，同时抑制雾从杯体反弹，降低雾向基板的附着。在向晶片(W)进行抗蚀剂的排出的期间，以从流路形成部件(50)沿外侧杯体(42)的内壁面的方式排出清洗液，在外侧杯体(42)的内壁形成清洗液的液膜。从晶片(W)甩开的抗蚀剂由清洗液的液膜捕捉。捕捉了抗蚀剂的清洗液被回收到设置于外侧杯体(42)的底部的流槽部(53)，再次从流路形成部件(50)向外侧杯体(42)的内壁面排出。
文档编号H01L21/00GK102078850SQ20101051725
公开日2011年6月1日 申请日期2010年10月15日 优先权日2009年10月16日
发明者坂本和生 申请人:东京毅力科创株式会社