专利名称：用于单面制绒的太阳能电池硅片的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及晶体硅太阳能电池，尤其是一种用于单面制绒的太阳能电池硅 片。
背景技术：
传统的太阳能电池的制备工艺流程中第一步为清洗制绒，然后再进行后续的工 艺，制绒的目的是降低电池表面对光的反射率，从而提高光的吸收率。其传统的制绒方法包 括碱制绒、酸制绒，碱制绒和酸制绒方法为两面同时制绒，除此之外还有其他高效电池的特 殊制绒方法，例如RIE制绒，光刻制绒等，这些方法可以形成一面制绒，但成本相对较高。碱制绒、酸制绒、RIE制绒，光刻制绒原理如下碱制绒根据Si各个晶面腐蚀的速度不同，用碱溶液将硅片表面腐蚀出金字塔， 硅片正反两面都形成金字塔，对光的发射率低；酸制绒用硝酸、氢氟酸按照一定的配比配成的溶液来腐蚀硅片表面，形成的绒面 为不规则的凹坑，硅片两面同时形成这样的绒面，正面和反面的对光的反射率低；RIE制绒在硅片的受光面用反应离子体刻蚀，形成反射率低的绒面，这种方法可 以一面制绒，但成本高，后续去损伤层难度较大；光刻制绒先在硅片表面生长一层厚度约为lum左右的氧化膜，再使用光刻的方 法制绒，反射率低，成本高。
实用新型内容本实用新型要解决的技术问题是提供一种硅片用于太阳能电池的单面制绒生产。本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是一种用于单面制绒的太阳能电 池硅片，具有硅片，硅片的上表面为制绒层，硅片的下表面具有一层作为制绒阻挡层的氮化硅膜。氮化硅膜的厚度为5nm-200nm。本实用新型的有益效果是，使通过传统酸、碱制绒方法进行太阳能电池硅片的单 面制绒成为可能，相对于RIE制绒和光刻制绒，节约了成本。
以下结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的结构示意图。图中1.硅片，2.制绒层，3.氮化硅膜。
具体实施方式
如图1所示的用于单面制绒的太阳能电池硅片，具有硅片1，硅片1的上表面为制绒层2，硅片1的下表面具有一层作为制绒阻挡层的氮化硅膜3，氮化硅膜3的厚度为 5nm-200nmo将硅片1放入碱制溶液中，根据硅各个晶面腐蚀的速度不同，碱制溶液对硅片的 表面进行腐蚀，硅片1的上表面腐蚀出金字塔形，由于在硅片1的下表面具有氮化硅膜3作 为阻挡层，所以就形成了单面制绒的硅片。将硅片1放入酸制溶液中，用硝酸、氢氟酸按照一定的配比配成溶液对硅片1的表 面进行腐蚀，在硅片1的上表面形成不规则的凹坑，由于在硅片1的下表面具有氮化硅膜3 作为阻挡层，所以就形成了单面制绒的硅片。单面制绒后的硅片再经过常规扩散、去磷硅玻璃及刻边、印刷电极、烧结和电性能 测试等步骤就可以形成成品。
权利要求一种用于单面制绒的太阳能电池硅片，具有硅片(1)，其特征在于所述的硅片(1)的上表面为制绒层(2)，硅片(1)的下表面具有一层作为制绒阻挡层的氮化硅膜(3)。
2.根据权利要求1所述的用于单面制绒的太阳能电池硅片，其特征在于所述的氮化 硅膜(3)的厚度为5nm-200nm。
专利摘要本实用新型涉及一种用于单面制绒的太阳能电池硅片，具有硅片，硅片的上表面为制绒层，硅片的下表面具有一层作为制绒阻挡层的氮化硅膜。本实用新型使通过传统酸、碱制绒方法进行太阳能电池硅片的单面制绒成为可能，相对于RIE制绒和光刻制绒，节约了成本。
文档编号H01L31/18GK201717272SQ20102022324
公开日2011年1月19日 申请日期2010年6月10日 优先权日2010年6月10日
发明者刘亚锋, 邓伟伟 申请人:常州天合光能有限公司