专利名称：具绝缘层的通孔结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种具绝缘层的通孔结构，尤指一种可使本实用新型运用于半导 体制程，而达到易于制作以及提高组件可靠度功效的结构。
技术背景一般已知的半导体制程中，通常需于相关载板上设置数个通孔，并于通孔内填入 导电材料，藉以使载板的两表面进行导通，而一般已知的作法是以工具在载板上钻设有数 个通孔，之后再于各通孔的内壁面上以印刷、涂布、喷墨、化学汽相沉积(DVD)、物理汽相沉 积(PVD)、溅镀、电镀或非电镀方式形成有绝缘层，藉以可利用绝缘层防止载板产生短路，之 后再于通孔中内填入导电材料，进而达到导通载板两表面的功效。但是，由于已知的制程必须于载板钻孔后设置绝缘层，最后再填入导电材料，如 此，不但制造过程较为复杂，且制成后的良率较低，而导致组件信赖度较差；因此，以已知的 制程而言，较无法符合实际运用时所需
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足，提供一种具绝缘 层的通孔结构，可使其运用于半导体制程，而达到易于制作以及提高组件可靠度的功效。为了解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案是一种具绝缘层的通孔 结构，包括有载板、及导电介质，其特点是还包括高温穿孔单元，该载板与该高温穿孔单元 对应，而该载板以高温穿孔单元产生数个通孔，并于通孔内缘形成绝缘层；所述导电介质分 别设于各通孔中。如此，可使其运用于半导体制程，而达到易于制作以及提高组件可靠度的功效。
图1是本实用新型的结构示意图。图2是本实用新型的载板的剖面状态示意图。标号说明高温穿孔单元1载板2通孔21绝缘层22导电介质具体实施方式
请参阅图1、及图2所示，分别为本实用新型的结构示意图、及本实用新型的载板 的剖面状态示意图。如图所示本实用新型为一种具绝缘层的通孔结构，其至少由一高温穿 孔单元1、一载板2以及导电介质3所构成。上述所提的高温穿孔单元1可为激光或为高温热束。[0015]该载板2可为硅(Si)、硅掺杂例如硅掺杂硼(Boron)、磷(Phosphorus)、砷 (Arsenic)、或锑(Antimony)等元素而形成的N型材质或P型材质，且该载板2与高温穿孔 单元1对应，并以高温穿孔单元1于载板2上产生数个通孔21，且各通孔21产生时于其内 缘分别形成绝缘层22。各导电介质3分别设于各通孔21中，而各导电介质3可为银胶。如是，藉由上述 结构构成一全新的具绝缘层的通孔结构。其运用时，可使用于半导体制程中，如内存制程或是CMOS制程，而动作时是将载 板2的一面与高温穿孔单元1对应，并以该高温穿孔单元1于氧环境中对载板2进行钻孔 作业，使载板2上产生数个通孔21，而当高温穿孔单元1于载板2上产生各通孔21时，同时 以高温穿孔单元1的高温于其内缘分别自然形成为二氧化硅的绝缘层22，之后再于各通孔 21内填入导电介质3，藉以将载板2的两面进行导通，以利后续制程的进行，进而达到易于 制作以及提高组件可靠度的功效。综上所述，本实用新型的具绝缘层的通孔结构可有效改善现有技术的种种缺点， 可使其运用于半导体制程，而达到易于制作以及提高组件可靠度的功效，进而能产生更进 步、更实用、更符合消费者使用时所需，确已符合实用新型专利申请的要件，依法提出专利 申请°
权利要求一种具绝缘层的通孔结构，包括有载板、及导电介质，其特征在于还包括高温穿孔单元，该载板与该高温穿孔单元对应，而该载板以高温穿孔单元产生数个通孔，并于通孔内缘形成绝缘层；所述导电介质分别设于各通孔中。
2.如权利要求1所述的具绝缘层的通孔结构，其特征在于所述高温穿孔单元为激光。
3.如权利要求1所述的具绝缘层的通孔结构，其特征在于所述载板由硅制成。
4.如权利要求1所述的具绝缘层的通孔结构，其特征在于所述各绝缘层为二氧化硅。
5.如权利要求1所述的具绝缘层的通孔结构，其特征在于所述各导电介质为银胶。
专利摘要一种具绝缘层的通孔结构，其包含高温穿孔单元；与高温穿孔单元对应的载板，该载板是于氧环境中以高温穿孔单元产生数个通孔，且各通孔产生时以高温穿孔单元的高温于其内缘分别形成绝缘层；以及分别设于各通孔中的导电介质。藉此，可运用于半导体制程，而达到易于制作以及提高组件可靠度的功效。
文档编号H01L23/52GK201655788SQ20102030162
公开日2010年11月24日 申请日期2010年1月27日 优先权日2010年1月27日
发明者璩泽明 申请人:茂邦电子有限公司