专利名称：晶片清洗设备的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及晶片清洗，尤其是涉及一种晶片清洗设备、特别是用于太阳能硅片的清洗设备。
背景技术：
传统的硅片清洗机在清洗晶片时，晶片在清洗室内经过第一阶段去离子水冲洗一清洗液洗涤一第二阶段去离子水冲洗后，送入干燥装置进行热气流烘干或者通过甩干机进行甩干。传统的硅片清洗机在清洗过程中每一个去离子水冲洗单元都需要大量的去离子水，而这些水没有被重复利用而是直接排放，因而导致了晶片生产成本高、且造成了水资源的浪费、同时对环境带来了污染。
实用新型内容有鉴于此，需要提供一种晶片清洗设备，该晶片清洗设备可以在保证清洗效果的同时大幅降低去离子水的用量。根据本实用新型的实施例的晶片清洗设备，包括清洗室；干燥装置，所述干燥装置与所述清洗室相邻设置，用于对清洗后的晶片进行干燥；以及传输部，所述传输部贯穿所述清洗室而设置，用于将待清洗的晶片传输至所述清洗室并在清洗室内传输晶片。其中， 所述清洗室包括分别设置于所述清洗室两端的、用于运入和运出所述待清洗晶片的进料口和出料口 ；第一去离子水冲洗区，所述第一去离子水冲洗区设置于所述进料口附近且具有第一进水管路以及第一出水管路，用于对刚被输送进所述清洗室的晶片进行第一阶段冲洗，且具有进水管路以及出水管路；清洗液洗涤区，所述清洗液洗涤区位于所述第一去离子水冲洗区的下游并与其相邻设置且具有进液管路以及出液管路，用于对晶片进行清洗液洗涤；以及第二去离子水冲洗区，所述第二去离子水冲洗区设置于所述出料口附近且具有第二进水管路以及第二出水管路，用于对晶片进行第二阶段冲洗，其中所述第二出水管路与所述第一进水管路之间通过管路连接，从而将所述第二去离子水冲洗区的冲洗后液(冲洗后的液体，在本实用新型中将其称作“冲洗后液”)回收并用于所述第一去离子水冲洗区进行所述第一阶段冲洗。根据本实用新型的晶片清洗设备，设备结构简单。在经过第一阶段冲洗和清洗液洗涤后，晶片表面的大部分杂物和污渍已经被去除，因此第二去离子水冲洗区所产生的冲洗后的液体已经较为干净，通过管路将其回收并用于第一去离子水冲洗区，能够在保证清洗效果的同时大幅降低去离子水的用量，并且能降低环境污染，降低晶片的生产成本。另外，本实用新型的上述晶片清洗设备还可以具有如下附加特征根据本实用新型的一个实施例，所述第一去离子水冲洗区还具有依次设置的1 3个去离子水冲洗单元，所述清洗液洗涤区还具有依次设置的1 4个清洗液洗涤单元，所述第二去离子水冲洗区还具有依次设置的1 4个去离子水冲洗单元。[0009]根据本实用新型的一个实施例，在所述第一去离子水冲洗区中，下游的去离子水冲洗单元和与其相邻的上游的去离子水冲洗单元液路连接，以将下游的去离子水冲洗单元产生的冲洗后液回收并用于其相邻的上游的去离子水冲洗单元中进行冲洗。具体而言，本实用新型的一个示例中，所述下游的去离子水冲洗单元出水口和与其相邻的所述上游的去离子水冲洗单元的进水口之间通过管路连接。在本实用新型的另一个示例中，所述下游的去离子水冲洗单元的出水口设置在高于与其相邻的所述上游的去离子水冲洗单元的液位的位置处，以将下游的去离子水冲洗单元产生的冲洗后液溢出至与其相邻的上游的去离子水冲洗单元中。根据本实用新型的一个实施例，在所述第二去离子水冲洗区中，下游的去离子水冲洗单元和与其相邻的上游去离子水冲洗单元之间液路连接，以将下游的去离子水冲洗单元产生的冲洗后液回收并用于其相邻的上游的去离子水冲洗单元中进行冲洗。具体而言，在本实用新型的一个示例中，所述下游的去离子水冲洗单元出水口和与其相邻的所述上游去离子水冲洗单元的进水口之间通过管路连接。在本实用新型的另一个示例中，所述下游的去离子水冲洗单元的出水口设置在高于与其相邻的所述上游的去离子水冲洗单元的液位的位置处，以将下游的去离子水冲洗单元产生的冲洗后液溢出至与其相邻的上游的去离子水冲洗单元中。根据本实用新型的一个实施例，在所述清洗液洗涤区中，下游的清洗液洗涤单元和与其相邻的上游的清洗液洗涤单元之间液路连接，以将下游的清洗液洗涤单元产生的清洗后液(清洗后的液体，在本实用新型中将其称作“清洗后液”)回收并用于其相邻的上游的清洗液洗涤单元中进行洗涤。具体而言，在本实用新型的一个示例中，所述下游的清洗液洗涤单元的出液口和与其相邻的所述上游的清洗液洗涤单元的进液口之间通过管路连接。在本实用新型的另一个示例中，所述下游的清洗液洗涤单元的出液口设置于高于与其相邻的所述上游的清洗液洗涤单元的液位的位置处，以下游的清洗液洗涤单元产生的清洗后液溢出至其相邻的上游的清洗液洗涤单元中。本实用新型附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。
本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从
以下结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中图1为根据本实用新型实施例的晶片清洗设备的内部示意图；图2为根据本实用新型的第一实施方式的一个示例的晶片清洗设备的结构示意图；图3为根据本实用新型的第一实施方式的另一个示例的晶片清洗设备的结构示意图；图4为根据本实用新型的第二实施方式的一个实施例的晶片清洗设备的结构示意图。
具体实施方式
下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能解释为对本实用新型的限制。在本实用新型的描述中，术语“内”、“外”、“上”、“下”、“上游”、“下游”等指示的方
位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型而不是要求本实用新型必须以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。在本实用新型的描述中，术语“横向”指的是垂直于图纸面的方向，“纵向”指的是沿传输部的传输方向，而“竖向”指的是图中上下方向。另外，附图中的箭头表示气体流向。下面将参考图1-图4来说明根据本实用新型的晶片清洗设备。如图1所示，根据本实用新型实施例的晶片清洗设备，包括清洗室1、与清洗室1相邻设置的干燥装置2和传输部(图中未示出)。其中，传输部贯穿设置于清洗室1内，用于将待清洗的晶片8传输至清洗室1并在清洗室1内传输晶片。清洗室1包括分别设置于所述清洗室两端的、用于运入和运出待清洗晶片8的进料口 11和出料口 12，设置在进料口 11附近的第一去离子水冲洗区130，相邻设置于第一去离子水冲洗区130下游的清洗液洗涤区140，设置于出料口 12附近的第二去离子水冲洗区 150。在清洗晶片时，晶片8放在晶片承载器7上，而晶片承载器7放在清洗框6中，该清洗框6被传输部3运输至清洗室1内，晶片8在依次经过第一去离子水冲洗区130中实施的第一阶段冲洗、清洗液洗涤区140中实施的清洗液洗涤、以及第二去离子水冲洗区150中实施的第二阶段冲洗后，通过干燥装置2干燥继而出料。第一去离子水冲洗区130具有第一进水管路131和第一出水管路132，清洗液洗涤区140具有进液管路141和出液管路142，第二去离子水冲洗区150具有第二进水管路151 和第二出水管路152，其中第二去离子水冲洗区150的第二出水管路152与第一去离子水冲洗区130的第一进水管路131通过管路16相连接，以将第二去离子水冲洗区150的冲洗后液回收并用于述第一去离子水冲洗区130进行第一阶段冲洗。因为晶片8是依次经过第一去离子水冲洗区130、清洗液洗涤区140、最后到达第二去离子水冲洗区150的，在经过第一阶段冲洗和清洗液洗涤到达第二去离子水冲洗区150时晶片表面的大部分杂物和污渍已经被去除，因此第二去离子水冲洗区150所产生的冲洗后液相对而言已经较为干净，通过管路16将其回收并用于第一去离子水冲洗区130能够在保证清洗效果基本不受影响的同时大幅地降低去离子水的使用量，一方面能够降低晶片的生产成本，同时也能够减少水资源浪费、降低环境污染。进一步，在所述管路16中还可以设置有滤网，以对第二去离子水冲洗区150所产生的冲洗后液进行过滤进而用于第一去离子水冲洗区130中进行冲洗。由此能够提高清洗效果。需要说明的是，虽然在图1中所述第一进水管路131和第一出水管路132之间、清洗进液管路141和出液管路142之间、第二进水管路151和第二出水管路152之间均被独立开设置，但是对于本领域普通技术人员来说不言而明，上述管路之间也可以将通过三通的阀门进行连接。[0032]如图2所示，在本实用新型的第一实施方式的一个示例中，在晶片8的传输方向上，第一去离子水冲洗区130包括依次设置的两个去离子水冲洗单元1301、第一进水管路 131'以及第一出水管路132'，且位于上游的去离子水冲洗单元1301具有进水口 1331'， 与其相邻的下游的去离子水冲洗单元1301具有出水口 1341'，其中进水口 1331'与出水口 1341'之间通过管路18进行液路连接，以将下游的去离子水冲洗单元产生的冲洗后液回收并用于其相邻的上游的去离子水冲洗单元中进行冲洗。与此类似，第二去离子水冲洗区包括依次设置的三个去离子水冲洗单元1501、第二进水管路151'以及第二出水管路152'，且位于上游的去离子水冲洗单元1501具有进水口 153Γ，与其相邻的下游的去离子水冲洗单元1501具有出水口 154Γ，其中进水口 1531'与出水口 1541'之间通过管路19进行液路连接，以将下游的去离子水冲洗单元产生的冲洗后液回收并用于其相邻的上游的去离子水冲洗单元中进行冲洗。当然，在所述管路18和/或管路19中同样地可以设置有滤网以对冲洗后液进行过滤后进行再利用。由此，能够在保证清洗效果基本不受影响的同时极大限度地降低去离子水的使用量，更进一步降低晶片的生产成本，同时也极大限度地减少水资源浪费、降低环境污染。进一步，在本实用新型的一些示例中，如图2以及图3所示，清洗液洗涤区140具有进液管路14Γ和出液管路142'，用于向清洗区提供清洗液和将清洗区产生的清洗后液排出。其中，在清洗液洗涤区140中，位于下游的清洗液洗涤单元1401的出液口 1421与其相邻的上游的清洗液洗涤单元1401的进液口 1411通过管路17连接，以将下游的清洗液洗涤单元1401产生的清洗后液回收并用于其相邻的上游的清洗液洗涤单元1401中进行洗涤。由此，相对于传统的硅片清洗机在清洗过程中清洗液洗涤区的每一个清洗液洗涤单元之间相对独立、清洗液不循环而言，能够降低清洗液的消耗、降低生产成本，而由于清洗液中含有大量的化学试剂对环境有一定的污染，因此还能达到降低环境污染的效果。同样地，在管路17中还可以设置有滤网，以对下游的清洗液洗涤单元1401产生的清洗后液进行简单的过滤后用于其相邻的上游的清洗液洗涤单元1401中进行洗涤。在本实用新型的第一实施方式的另一个示例中，如图3所示，在晶片8的传输方向上，第一去离子水冲洗区130包括依次设置的三个去离子水冲洗单元1301，清洗液洗涤区 140包括依次设置的两个清洗液洗涤单元1401，第二去离子水冲洗区150包括依次设置的四个去离子水冲洗单元1501。在本实用新型的第二实施方式的一个示例中，如图4所示，下游的去离子水冲洗单元1301设置有高于与其相邻的上游的去离子水冲洗单元1301的液位的出水口 1341"， 以将下游的去离子水冲洗单元1301产生的冲洗后液溢出至与其相邻的上游的去离子水冲洗单元1301中。同样地，在第二去离子水冲洗区1501中也可以将可以设置有高于与其相邻的上游的去离子水冲洗单元1501的液位的出水口 1541"，以将下游的去离子水冲洗单元1501产生的冲洗后液溢出至与其相邻的上游的去离子水冲洗单元1501中。与此类似， 下游的清洗液洗涤单元1401设置有高于与其相邻的上游的清洗液洗涤单元1401液位的出水口 1441"，以将下游的清洗液洗涤单元1401产生的清洗后液溢出至与其相邻的上游的清洗液洗涤单元1401中用于对晶片8进行清洗。根据本示例的清洗设备，同样能达到上述实施例的在基本保证清洗效果的同时大幅地降低去离子水用量的效果。[0040]进一步，如图4所示，在本实用新型的其他示例中，在清洗液洗涤区140中，位于下游的清洗液洗涤单元1401设置有高于与其相邻的上游的清洗液洗涤单元1401的液位的出水口 1421'，以将下游的清洗液洗涤单元1401产生的清洗后液溢出至与其相邻的上游的清洗液洗涤单元中进行洗涤。根据本示例的清洗设备，同样能达到上述实施例的在基本保证清洗效果的同时大幅地降低清洗液用量的效果。此外，如图2-图3所示，根据本实用新型的晶片清洗设备还可以包括上料台4和下料台5。其中，上料台4相邻于清洗室1且位于清洗室1的上游，用于向清洗室1内供给待清洗晶片。而下料台5与干燥装置2相邻且位于干燥装置2的下游，用于输出已清洗及干燥的晶片8。需要说明的是，在附图中，为了理解方便，将进水口以及进液口标记于出水口以及出液口的上方，但是对于本领域的普通技术人员来说，即使出水口以及出液口设置于进水口 /进液口的上方或位于相同高度，只要通过一定的液压依然可以实现液体交换。根据本实用新型的晶片清洗设备，例如可用来清洗硅片。任何提及“ 一个实施例”、“实施例”、“示意性实施例，，等意指结合该实施例描述的具体构件、结构或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例中。在本说明书各处的该示意性表述不一定指的是相同的实施例。而且，当结合任何实施例描述具体构件、结构或者特点时，所主张的是，结合其他的实施例实现这样的构件、结构或者特点均落在本领域技术人员的范围之内。尽管参照本实用新型的多个示意性实施例对本实用新型的具体实施方式
进行了详细的描述，但是必须理解，本领域技术人员可以设计出多种其他的改进和实施例，这些改进和实施例将落在本实用新型原理的精神和范围之内。具体而言，在前述公开、附图以及权利要求的范围之内，可以在零部件和/或者从属组合布局的布置方面作出合理的变型和改进，而不会脱离本实用新型的精神。除了零部件和/或布局方面的变型和改进，其范围由所附权利要求及其等同物限定。
权利要求1.一种晶片清洗设备，其特征在于，包括清洗室；干燥装置，所述干燥装置与所述清洗室相邻设置且位于所述清洗室的下游，用于对清洗后的晶片进行干燥；以及传输部，所述传输部贯穿设置于所述清洗室内，用于将待清洗的晶片传输至所述清洗室并在清洗室内传输晶片，其中所述清洗室包括分别设置于所述清洗室两端的、用于运入和运出所述待清洗晶片的进料口和出料口 ； 第一去离子水冲洗区，所述第一去离子水冲洗区设置于所述进料口附近且具有第一进水管路以及第一出水管路，用于对刚被输送进所述清洗室的晶片进行第一阶段冲洗；清洗液洗涤区，所述清洗液洗涤区位于所述第一去离子水冲洗区的下游并与其相邻设置且具有进液管路以及出液管路，用于对晶片进行清洗液洗涤；以及第二去离子水冲洗区，所述第二去离子水冲洗区设置于所述出料口附近且具有第二进水管路以及第二出水管路，用于对晶片进行第二阶段冲洗，其中所述第二出水管路与所述第一进水管路之间通过管路连接，从而将所述第二去离子水冲洗区的冲洗后液回收并用于所述第一去离子水冲洗区进行所述第一阶段冲洗。
2.根据权利要求1所述的晶片清洗设备，其特征在于，其中所述第一去离子水冲洗区还具有依次设置的1 3个去离子水冲洗单元； 所述清洗液洗涤区还具有依次设置的1 4个清洗液洗涤单元； 所述第二去离子水冲洗区还具有依次设置的1 4个去离子水冲洗单元。
3.根据权利要求2所述的晶片清洗设备，其特征在于，在所述第一去离子水冲洗区中， 下游的去离子水冲洗单元和与其相邻的上游的去离子水冲洗单元之间液路连接。
4.根据权利要求3所述的晶片清洗设备，其特征在于，所述下游的去离子水冲洗单元出水口和与其相邻的所述上游的去离子水冲洗单元的进水口之间通过管路连接。
5.根据权利要求3所述的晶片清洗设备，其特征在于，所述下游的去离子水冲洗单元的出水口设置于高于与其相邻的所述上游的去离子水冲洗单元的液位的位置处。
6.根据权利要求2所述的晶片清洗设备，其特征在于，在所述第二去离子水冲洗区中， 下游的去离子水冲洗单元和与其相邻的上游去离子水冲洗单元之间液路连接。
7.根据权利要求6所述的晶片清洗设备，其特征在于，所述下游的去离子水冲洗单元出水口和与其相邻的所述上游去离子水冲洗单元的进水口之间通过管路连接。
8.根据权利要求6所述的晶片清洗设备，其特征在于，所述下游的去离子水冲洗单元的出水口设置在高于与其相邻的所述上游的去离子水冲洗单元的液位的位置处。
9.根据权利要求2所述的晶片清洗设备，其特征在于，在所述清洗液洗涤区中，下游的清洗液洗涤单元和与其相邻的上游的清洗液洗涤单元之间液路连接。
10.根据权利要求9所述的晶片清洗设备，其特征在于，所述下游的清洗液洗涤单元的出液体口和与其相邻的所述上游的清洗液洗涤单元的进液口之间通过管路连接。
11.根据权利要求9所述的晶片清洗设备，其特征在于，所述下游的清洗液洗涤单元的出液口设置在高于与其相邻的所述上游的清洗液洗涤单元的液位的位置处。
专利摘要本实用新型公开了一种晶片清洗设备，包括清洗室；与清洗室相邻设置的干燥装置；以及贯穿清洗室设置的传输部，所述清洗室进一步包括分别位于所述清洗室两端的、用于运入和运出所述待清洗晶片的进料口和出料口；设置于进料口的第一去离子水冲洗区；相邻设置于第一去离子水冲洗区的清洗液洗涤区；以及设置于所述出料口附近的第二去离子水冲洗区，其中第二去离子水冲洗区的出水管路与第一去离子水冲洗区的进水管路通过管路连接，从而将所述第二去离子水冲洗区的冲洗后液回收并用于所述第一去离子水冲洗区进行所述第一阶段冲洗。根据本实用新型的晶片清洗设备，可以在保证清洗效果的同时大幅地降低去离子水的使用量，节约资源和成本。
文档编号H01L21/00GK201956323SQ201020541339
公开日2011年8月31日 申请日期2010年9月25日 优先权日2010年9月25日
发明者王敬, 翟志华 申请人:江西旭阳雷迪高科技股份有限公司, 王敬