专利名称：半导体材料制造技术
半导体材料制造相关申请案交叉参考本专利申请案请求对在2009年2月4日提出申请的第12/365，734号美国申请案的优先权权益，所述美国申请案以引用方式并入本文中。
背景技术：
使用绝缘体上硅(SOI)技术可减少在硅微芯片的操作期间的功率消耗。使用SOI 技术不仅可产生较低的功率消耗，而且还由于杂散电容的减小而产生集成电路的增加的操作速度。对于SOI结构，可使用例如以下数种众所周知的技术制作绝缘体上硅的薄层通过植入氧的分离(SIMOX)、通过等离子植入氧的分离(SPIMOX)、蓝宝石上硅(SOS)、硅上经接合晶片工艺及硅接合于蓝宝石上。硅上的经接合晶片工艺涉及用以将单晶硅材料接合到半导体晶片上的技术及用以在绝缘体上形成半导体的氧化工艺。在这些技术中，通常通过抛光方法移除所述经接合晶片中的一者或两者的一部分。用以移除经接合晶片的大的部分的另一工艺使用“智能切割”技术。“智能切割”技术通常指其中将材料植入到硅衬底中到特定深度且最终用以裂化所述衬底的工艺。
图1展示根据本发明的各种实施例用于使用电磁辐射在晶片上形成膜的方法的特征。图2展示根据本发明的各种实施例用于使用微波在硅晶片上形成硅层的方法的特征。图3到4图解说明根据本发明的各种实施例如(举例来说)关于图1到2所论述在将产品晶片与施主晶片接合在一起之前的产品晶片及施主晶片。图5到6图解说明根据本发明的各种实施例如(举例来说)关于图1到2所论述通过施加到产品晶片与施主晶片的组合的电磁辐射接合在一起的产品晶片及施主晶片。图7到8图解说明根据本发明的各种实施例如(举例来说)关于图1到2所论述使接合在一起的产品晶片与施主晶片分裂之后的产品晶片及施主晶片。图9展示根据本发明的各种实施例用于加强半导体层到晶片的接合的方法的特征。图10展示根据本发明的各种实施例用于加强硅层到硅晶片的接合的方法的特征。图11到12图解说明根据本发明的各种实施例的其上接合有半导体层的产品晶片，所述产品晶片经受电磁辐射以加强所述半导体层到所述产品晶片的接合。图13图解说明根据本发明的各种实施例的已完成晶片700。图14展示根据本发明的各种实施例的电子系统的各种特征的框图。
具体实施例方式以下详细说明参照以图解说明方式展示本发明的各种实施例的随附图式。这些实施例经足够详细地描述以使所属领域的技术人员能够实践这些及其它实施例。也可利用其它实施例且可在结构上、逻辑上及电气上对这些实施例作出改变。各种实施例未必相互排斥，因为一些实施例可与一个或一个以上其它实施例组合以形成新实施例。因此，不应将以下详细说明视为具有限制意义。在各种实施例中，制作工艺包括将两个晶片接合在一起且然后使所述两个晶片分裂，从而使一个晶片的一部分接合到另一晶片，其中暴露于电磁辐射用于促进所述分离。通过使接合在一起的两个实体A与B分裂，意指实体A与B在分裂区域处不再接合在一起，也就是说，接合在一起的晶格A与B中共价键断裂。分裂也可称为去接合。在分裂之后，所述两个经去接合的实体之间的弱吸引力可能仍起作用或可能不再起作用。所述一个晶片的保持与所述另一晶片接合的部分可为半导体层或半导体层在电介质层上的组合。暴露于电磁辐射可包括基于所述晶片中的改性剂将所述电磁辐射调谐到一频率。也可基于所述晶片中的改性剂将所述电磁辐射调谐到一功率电平。材料结构(例如晶片)中的改性剂为所述材料结构中其组成不同于形成所述材料结构体的材料的材料。举例来说，锗晶片中的改性剂可为不同于锗且也非所述锗晶片的晶格的部分的元素。材料结构(例如晶片)中的改性剂可为所述材料结构的杂质，使得所述改性剂为不同于所述材料结构的体材料的原子物质。在各种实施例中，改性剂可为被引入到所述材料结构中用作掺杂剂的材料。在本文中，掺杂剂为不同于材料结构中的体材料的材料，其中所述掺杂剂一旦被激活，即提供所述体材料的特性的增强。举例来说，掺杂剂可提供半导体材料基质中的载子浓度的增加。在各种实施例中，改性剂可为经激活掺杂剂。在各种实施例中，制作工艺包括将晶片暴露于电磁辐射以激活作为所述晶片中的掺杂剂的改性剂，其中所述晶片包括由另一晶片施予的一部分材料。掺杂剂的激活包含将所述掺杂剂从材料结构中的间隙位置转移到所述材料结构的晶格位点中。由另一晶片施予的所述部分材料可为半导体层或半导体层在电介质层上的组合。暴露于电磁辐射可包括基于所述晶片中的掺杂剂将所述电磁辐射调谐到一频率。也可基于所述晶片中的掺杂剂将所述电磁辐射调谐到一功率电平。图1展示根据各种实施例用于使用电磁辐射在晶片上形成膜的方法的特征。在 110处，将离子引入到施主晶片中靠近所述施主晶片的一区域。所述区域包括或将包括为不同于所述施主晶片的体材料的材料的改性剂。所述区域位于距所述施主晶片的表面的一距离处。术语“施主晶片”表示所述晶片的至少一部分将被另一实体(例如其中形成有装置的另一晶片或衬底)使用。在各种实施例中，半导体晶片可用作施主晶片。所述半导体晶片可实现为实质上单晶晶片。依据应用，所述施主晶片可呈实质多晶或非晶半导体晶片的形式，其中所述半导体晶片包括为单晶体且布置为跨越所述半导体晶片的顶部层的半导体材料。或者，所述施主晶片可构造为包括半导体层的实质非半导体晶片，所述半导体层可配置为布置为跨越所述非半导体晶片的顶部层的单晶。在120处，在施主晶片及产品晶片的表面处将所述产品晶片与所述施主晶片接合在一起。术语“产品晶片”表示所述晶片或所述晶片的至少一部分将用作最终产品或在最终产品中。完成的产品晶片可提供为布置有多个段的晶片，其中每一段包括用以执行电子任务的电路。每一段可呈个别裸片的形式。另外，个别段可来自完成的晶片且可封装为集成电路(IC)供用于电子设备中。可使用多个个别工艺或工艺的组合将产品晶片与施主晶片接合在一起。可通过将产品晶片接合到施主晶片来进行所述工艺。也可通过将施主晶片接合到产品晶片来进行所述工艺。可将产品晶片与施主晶片接合在一起，其中产品晶片安置于施主晶片上或其中施主晶片安置于产品晶片上。产品晶片在接合到施主晶片之前可已经历某处理。所述处理可包括各种类型的处理。产品晶片可含有在接合到施主晶片之前形成于产品晶片内的装置及 /或互连件。或者，可在产品晶片接合到施主晶片之前产品晶片内未形成装置及/或互连件的情况下将产品晶片接合到施主晶片。另外，施主晶片在与产品晶片接合之前可已经历某处理。所述处理可包括各种类型的处理。施主晶片可含有在与产品晶片接合之前形成于施主晶片内的装置及/或互连件，其中所述装置及/或互连件在施主晶片的将作为材料施予产品晶片的区域中。或者，可在施主晶片与产品晶片接合之前施主晶片内未形成装置及 /或互连件的情况下将施主晶片与产品晶片接合。在各种实施例中，产品晶片可包括跨越产品晶片的表面安置的电介质层，使得产品晶片与施主晶片在所述电介质层处接合在一起。产品晶片的所述电介质层(在接合期间施主晶片接触产品层之处)可以各种形式实现。举例来说，所述电介质层可形成为氧化物层、下伏产品晶片的原生氧化物层、绝缘氮化物层、绝缘氧氮化物层、高-κ电介质层、 低-κ电介质层或其组合。参照分别高于或低于二氧化硅的介电常数的介电常数来界定高-K电介质及低-K电介质，二氧化硅的介电常数大约为3. 9。对施主晶片所接合到的电介质材料的选择可依据产品晶片可用于的应用。在各种实施例中，产品晶片的所述电介质层为产品晶片的顶部层，其中产品晶片包括在产品晶片与施主晶片接合在一起之前在此电介质顶部层下方嵌入于产品晶片中的装置。在各种实施例中，施主晶片可包括跨越施主晶片的表面安置的电介质层，使得施主晶片与产品晶片在所述电介质层处接合在一起。施主晶片的所述电介质层(在接合期间产品晶片接触施主层之处)可以各种形式实现。举例来说，所述电介质层可形成为氧化物层、下伏产品晶片的原生氧化物层、绝缘氮化物层、绝缘氧氮化物层、高-κ电介质层、 低-κ电介质层或其组合。对产品晶片所接合到的电介质材料的选择可依据产品晶片可用于的应用。在电介质材料形成为跨越施主晶片的顶部表面的层的情况下，引入到施主晶片中的离子靠近施主晶片的距所述电介质层的底部表面某距离的区域。所述电介质层的底部表面为与施主晶片的顶部相对的表面，其中所述电介质层的顶部表面与底部表面由所述电介质层的厚度间隔开。在此些实施例中，施主晶片用于施予包括半导体层及电介质层的材料， 其中所述电介质层跨越所述半导体层的表面安置。任选地，在接合之前，此材料组合的半导体层可已经历某类型的处理。在各种实施例中，此处理可包括形成装置及/或互连件。在130处，用电磁辐射照射改性剂以使施主晶片的体区域与产品晶片分裂而产品晶片仍接合到来自施主晶片的膜。来自施主晶片的所述膜可为接合到产品晶片的半导体层。来自施主晶片的所述膜可为接合到产品晶片的电介质层的半导体层。来自施主晶片的所述膜可为半导体层在电介质层上的组合，其中所述组合的所述电介质层接合到产品晶片。
照射改性剂可提供对施主晶片的局部化加热，使得泡在作为离子植入的材料处生长，从而致使施主晶片的体区域与产品晶片分裂而产品晶片仍接合到来自施主晶片的膜。 可将电磁辐射调谐到与所述改性剂的吸收相关的频率。调谐到一频率包括产生具有由所述改性剂吸收的峰值频率的电磁辐射。可使对所述改性剂的吸收的频率的选择与在其中安置改性剂的材料相关，以便可将由所述改性剂吸收的能量耦合到作为离子植入于施主晶片中的材料。可基于应用调整电磁辐射的功率电平。频率及功率电平可经选择以使得照射致使泡生长，以便跨越经接合结构聚合，以提供所要的分裂。可将这些泡视为孔隙或小板。—旦使施主晶片的体区域与产品晶片分裂，即可依据在处理期间所述晶片的相对位置将所述两个晶片中的一者与另一者分离，即使来自施主晶片的膜仍保持接合到产品晶片。可通过提升工艺来执行所述分离。可使用真空或其它可控制装置实质上在不在所述经去接合晶片相互接触的位置处施加任何实质能量或力的情况下实现从一个晶片提升另一
曰曰/Τ。在以与改性剂的吸收相关的频率提供电磁辐射的情况下，可通过电磁辐射照射施主晶片与产品晶片的组合，以便可控制能量的吸收。可施加电磁辐射使得材料的激发局部化于其中植入有离子的区域处或附近。以适当频率，可将吸收实质引导到位于施主晶片中的离子植入区域处或充分接近所述离子植入区域的改性剂，使得由所述改性剂吸收的能量耦合到所述离子植入区域中。将所述能量耦合到所述离子植入区域中允许施主晶片的局部化加热。通常在介于从500°C到800°C或更高的范围内的等温温度下执行使用作为离子植入的材料对来自施主晶片的膜的常规处理。在各种实施例中，依据工艺中所使用的材料，可将产品晶片与施主晶片的组合加热到低于或约等于350°C的等温温度。局部化加热允许比传统上在类似工艺中所使用的处理温度低的处理温度。此外，调谐所照射的电磁辐射允许控制所赋予的能量的量，以将局部化加热维持在所要的加热区域处。在调谐到选定频率及功率电平时，可在针对施主晶片的特定材料组成综合选择用于分裂工艺的频率及功率时计及将用于分裂的改性剂的浓度。调谐电磁辐射可包括产生处于激活作为施主晶片中的掺杂剂的被照射改性剂的功率电平下的电磁辐射。掺杂剂的激活包含将所述掺杂剂从材料结构中的间隙位置转移到所述材料结构的晶格位点中。使用暴露于电磁辐射(其提供用于分裂的能量的耦合)来激活接近作为离子植入的材料的区域中的掺杂剂允许在不以传统上与激活掺杂剂相关联的高温来处理晶片结构的情况下激活这些掺杂剂。所述辐射还可愈合因植入而造成的晶格损坏。用电磁辐射照射掺杂剂可包括限制电磁辐射对施主晶片的暴露。可通过将电磁辐射引导到施主晶片的表面来提供电磁辐射暴露，所述表面与施主晶片在其处接合到产品晶片的施主晶片表面相对。也可通过将电磁辐射引导到施主晶片的一侧来提供电磁辐射暴露，所述侧与施主晶片的接合到产品晶片的表面成角度。调谐电磁辐射可与以下因素相关施主晶片的基本组成、所要的局部化加热区域中的改性剂的选择、这些改性剂的浓度的选择、作为离子植入的材料与所述区域中的改性剂的混合物及影响所要区域处的局部化吸收及耦合的其它因素。此些因素给施主晶片提供特性特征，使得将来自暴露于电磁辐射的能量优先耦合到所要区域。所选择的频率可基于不被施主晶片的基本组成实质吸收但被改性剂及/或改性剂与作为离子植入的材料的混合物显著吸收以用于分裂工艺的频率。在各种实施例中，施主晶片的基本组成的吸收量及改性剂及/或改性剂与作为离子植入的材料的混合物的吸收量可基于各种因素，包括但不限于所要的局部化加热的空间量及对于特定应用可接受的对产品晶片与施主晶片的组合的加热量。将通过将改性剂暴露于电磁能量所提供的能量耦合到被植入离子的区域允许泡在所述被植入离子处生长。在泡生长而使得所述泡跨越施主晶片聚合的情况下，施主晶片的体区域与产品晶片分裂，其中施主晶片的膜保持接合到产品晶片。在产品晶片(其具有来自施主晶片的经接合膜)已与施主晶片分裂的情况下，可将产品晶片与施主晶片分离。 举例来说，可提升在施主晶片上的产品晶片。或者，在产品晶片(其具有来自施主晶片的经接合膜)已与施主晶片分裂的情况下，可将施主晶片与产品晶片分离。举例来说，可提升在产品晶片上的施主晶片。在将施主晶片与产品晶片分离之后，可任选地处理产品晶片及施主晶片的表面以补偿由于所述分离工艺而造成的残留损坏。在施主晶片与产品晶片分离之后，可将产品晶片提供为最终产品，所述最终产品用作用于进一步处理的输入材料，或可将产品晶片处理为含有多个经处理裸片的最终产品或处理为多个经处理裸片。在将施主晶片与产品晶片分离之后，施主晶片可用于施予膜以产生其它产品晶片。图2展示根据各种实施例用于使用微波在硅晶片上形成硅层的方法的特征。在 210处，将氢离子及/或氦离子植入到硅施主晶片中靠近具有改性剂或稍后将在处理中引入改性剂的一区域。也可使用其它轻质元素的离子作为被植入离子。含有改性剂的区域位于距施主晶片的表面的一距离处。所述改性剂可包括但不限于例如磷、砷、硼等元素、可用作掺杂剂的其它元素及此些掺杂剂的组合。在220处，将硅产品晶片与硅施主晶片接合在一起，使得硅产品晶片的氧化物层接合到硅施主晶片的表面。可通过将产品晶片接合到施主晶片来执行所述工艺。也可通过将施主晶片接合到产品晶片来执行所述工艺。可将产品晶片与施主晶片接合在一起，其中产品晶片安置于施主晶片上或其中施主晶片安置于产品晶片上。所述氧化物层可形成为硅的氧化物，所述硅的氧化物可形成为原生氧化硅。或者，可使用除氧化物层以外的电介质层。此电介质层可形成为绝缘氮化物层、绝缘氧氮化物层、高-κ电介质层、低-κ电介质层或其组合。对硅施主晶片所接合到的电介质层的选择可依据硅产品晶片可用于的应用。 在各种实施例中，硅产品晶片的氧化物层或其它电介质层包含硅产品晶片的顶部层，硅产品晶片包括在硅产品晶片与硅施主晶片接合在一起之前嵌入于硅产品晶片的体硅中的装置。或者，可将不具有表面氧化物层或表面电介质层的硅产品晶片与施主晶片接合在一起， 以便获得无间隙材料的硅对硅直接接合。在230处，将改性剂暴露于微波以分裂硅施主晶片的体区域，从而将施主晶片与产品晶片分离且使施主晶片的一部分接合到产品晶片的氧化物表面。可将微波调谐到与所述改性剂的吸收相关的频率。以此方式，可在植入有氢离子及/或氦离子的区域处通过微波局部地加热硅施主晶片，使得所述氢及/或氦处的泡生长到导致分裂的程度。可基于应用调整微波的功率电平。可将微波调谐到介于从1. 4千兆赫到高达80或100千兆赫的范围内的峰值频率。在各种实施例中，使用从2. 4到8. 5千兆赫的范围。在各种实施例中，使用从5. 7GHz到6. OGHz的范围。在各种实施例中，将微波调谐到约5. SGHz0可控制微波所赋予的功率以调节加热的局部化。可在所述晶片处于低于350°C的一般等温晶片温度的情况下进行暴露于微波。可将所述等温晶片温度视为晶片的参考温度，其并非为电磁辐射被吸收且能量被转移的所关心区域中的局部温度。调谐微波可包括提供处于激活作为硅施主晶片中的掺杂剂的改性剂的功率电平
下的微波。可控制微波的功率电平以调节硅产品晶片与硅施主晶片的组合的温度，使得可
在不以传统上与激活掺杂剂相关联的高温处理硅产品晶片/硅施主结构的情况下执行这
些掺杂剂的激活。微波的调谐可与通过选择用于分裂的掺杂剂及这些掺杂剂的浓度来调整
硅施主晶片的材料组成相关。举例来说，硅掺杂剂晶片中的掺杂剂的浓度可在从约IO13CnT3
到约IO16CnT3的范围内。将基于这些掺杂剂的改变引入到硅施主晶片的区域允许来自微波
的频率调谐的优先吸收且允许将能量从所述微波吸收耦合到被植入离子的区域以用于分 m农。图3到4图解说明在各种实施例中在如(举例来说)关于图1到2所论述将产品晶片与施主晶片接合在一起之前的产品晶片及施主晶片。图3展示产品晶片320及施主晶片310。产品晶片320可任选地具有电介质层3M作为体区域322上的顶部层，其中可将电介质层324与施主晶片310接合。另外，产品晶片320可任选地在接合到施主晶片310之前使装置及/或互连件323-1. . . 323-N形成于产品晶片320中。施主晶片310包括其中植入有离子的区域316。区域316将施主晶片310的体区域312与层318分离。在于产品晶片320上且实质上跨越产品晶片320形成薄层的工艺结束时，来自施主晶片310的层318 将给产品晶片320提供相对薄的膜层。图4展示在接合之前产品晶片340及施主晶片330的配置。产品晶片340可任选地在接合到施主晶片330之前使装置及/或互连件343-1. . . 343-N形成于产品晶片340中。 在此配置中，施主晶片330包括电介质层334，而不是如图3中所示的实施例在产品晶片上配置电介质层。电介质层334通过层338与区域336(其中植入有离子)分离。区域336 将层338与电介质层334的组合与体区域332分离。通过电介质层334到产品晶片340的接合，施主晶片330将接合到产品晶片340。或者，产品晶片340及施主晶片330两者可各自包括产品晶片340与施主晶片330在其处接合在一起的电介质层。此些电介质层可由相同元素成分组成或所述电介质层可由具有不同元素的电介质组成形成。图5到6图解说明在各种实施例中如(举例来说)关于图1到2所论述通过施加到产品晶片与施主晶片的组合的电磁辐射接合在一起的产品晶片及施主晶片。图5展示通过所施加的电磁辐射315接合在一起的图3的产品晶片320及施主晶片310。图6展示通过所施加的电磁辐射335接合在一起的图4的产品晶片340及施主晶片330。图5及6展示分别在施主晶片310及330的表面处施加的电磁辐射315及335，所述表面与所述施主晶片的分别接合到产品晶片320及340的表面相对。或者，依据产品晶片320及340的体中的结构，可通过将辐射聚焦于经组合结构周围的层316附近或产品晶片320及340的与产品晶片320及340分别接合到施主晶片310及330的表面相对的表面处来施加辐射。图7到8图解说明在各种实施例中在如(举例来说)关于图1到2所论述使接合在一起的产品晶片与施主晶片分裂之后的产品晶片及施主晶片。图7展示在施主晶片311 与产品晶片321从如图5中所示的接合在一起的状态分裂之后从产品晶片321提升施主晶
9片311。施主晶片311为由向产品晶片320施予层的工艺修改的施主晶片310。施主晶片 311现在可供用于向另一产品晶片上施予另一膜。类似地，产品晶片321为由从施主晶片 310得到层的工艺修改的产品晶片320。产品晶片321现在可供用作最终产品晶片或用于进一步处理，所述进一步处理可包括产生多个经处理裸片。图8展示在施主晶片331与产品晶片341从如图6中所示的接合在一起的状态分裂之后从产品晶片341提升施主晶片331。施主晶片331为由向产品晶片340施予层的工艺修改的施主晶片330。施主晶片331现在可供用于向另一产品晶片上施予另一膜。类似地，产品晶片341为由从施主晶片330得到层的工艺修改的产品晶片340。产品晶片341 现在可供用作最终产品晶片或用于进一步处理，所述进一步处理可包括产生多个经处理裸片。图9展示根据各种实施例用于加强半导体层到晶片的接合的方法的特征。在410 处，将改性剂提供到产品晶片的界面区域，所述产品晶片具有接合到所述产品晶片的体区域上的半导体层，其中所述界面区域安置于所述经接合半导体层与所述体区域(产品晶片)之间。可能已使用各种工艺构造了具有接合于产品晶片的体区域上的半导体层的所述
女口曰JzIr 广PP[曰曰/fo举例来说，此产品晶片配置可通过从施主晶片产生所述半导体层来构造。所述半导体层的施予过程可包括在施主晶片的表面处将施主晶片接合到产品晶片，在距所述表面的一距离处将离子植入到施主晶片的区域中，及将能量赋予作为离子植入的材料以使施主晶片与产品晶片分裂，其中所述半导体层保持接合到产品晶片。可通过加热经接合产品晶片与施主晶片来提供在作为离子植入的材料处赋予的用以使经接合晶片组合分裂的能量。 也可通过以下步骤来提供在所述离子植入区域处赋予的用以使所述经接合产品晶片与施主晶片分裂的能量在所述被植入离子处施加力以沿大致平行于所述晶片的接合表面的方向产生跨越所述组合的破裂。可根据各种实施例通过(举例来说)如关于图1到8所论述的用电磁辐射照射靠近作为离子植入的材料的改性剂来提供在所述离子植入区域处赋予的用以使所述经接合产品晶片与施主晶片分裂的能量。能量可从对改性剂的照射耦合到所述离子植入区域。在电磁辐射所提供的照射被调谐到与施主晶片的材料基质中的改性剂的性质相关的频率及功率的情况下，电磁辐射所赋予的能量提供离子植入区域处的局部化加热。在其中经接合半导体层从施主晶片产生的各种实施例中，可在施主晶片接合到产品晶片之前在施主晶片中形成改性剂。或者，可在施主晶片与产品晶片接合在一起之后形成所述改性剂，此可在使施主晶片与产品晶片分裂之前或之后。用于促进半导体层到产品晶片的接合的加强的改性剂可与用于使施予半导体层的施主晶片与所施予的半导体层所接合到的产品晶片分裂的元素的组成相同。或者，用于促进半导体层到产品晶片的接合的加强的改性剂可与用于使施主晶片与所施予的半导体层所接合到的产品晶片分裂的元素的组成不同。对改性剂及改性剂浓度的选择可依据经接合半导体层的材料组成及产品晶片的体区域的材料组成。在各种实施例中，对改性剂及改性剂浓度的选择也可依据可安置于体区域与经接合半导体层之间的电介质区域的材料组成。在420处，通过用电磁辐射照射界面区域来加强半导体层到产品晶片的体区域的接合。可将所述电磁辐射调谐到与改性剂的吸收相关的频率。可基于应用调整电磁辐射的功率电平以将能量耦合到界面区域。对频率及功率电平的选择可与相对于经接合半导体层的材料组成及产品晶片的体区域的材料组成对改性剂及其浓度的选择相关。在各种实施例中，对频率及功率电平的选择也可与可安置于体区域与经接合半导体层之间的电介质区域的材料组成相关。图10展示根据各种实施例用于加强硅层到硅晶片的接合的方法的特征。在510 处，给硅产品晶片中的界面区域提供改性剂，所述硅产品晶片具有接合到所述硅产品晶片上的硅层，其中所述界面区域在体硅区域与所述经接合硅层之间安置于所述产品硅晶片中。可通过以下方式从硅施主晶片形成所述硅层在所述硅施主晶片的表面处将所述硅施主晶片接合到所述硅产品晶片，在距所述表面的一距离处将氢离子及/或氦离子植入到所述硅施主晶片的区域中，及将能量赋予被植入的氢及/或氦以使所述硅施主晶片与所述产品晶片分裂而所述硅层仍接合到所述硅产品晶片。可在所述硅施主晶片与所述硅产品晶片接合在一起之前，将氢离子及/或氦离子植入到所述硅施主晶片中。在各种实施例中，所述经接合硅层所附接到的氧化物层安置于所述硅产品晶片的体硅区域上，其中所述氧化物层接触所述界面区域。此外，所述硅产品晶片任选地可包括在形成所述经接合硅层之前于其中构造的装置。在各种实施例中，可通过以微波照射施主晶片内的改性剂来产生所赋予的用以使硅施主晶片与产品硅晶片分裂而所述硅层仍接合到产品晶片的能量。对微波的吸收将能量耦合到离子植入区域用以使晶片分裂。可以等效于将所述体结构加热到500°C或更高的方式提供所述经掺杂区域中的激活能量来使晶片分裂。所述界面区域中的改性剂可包括例如磷、砷、硼等元素、可用作硅中的掺杂剂的其它元素及此些掺杂剂的组合。所述界面区域中的掺杂剂的浓度可在从约IO13CnT3到约 IO16CnT3的范围内。可依据完成的产品晶片的所要掺杂曲线来使用其它掺杂剂浓度。在520处，通过以微波照射所述界面区域来加强所述硅层到硅产品晶片的接合。 可将微波调谐到与所述界面区域中的所述改性剂的吸收相关的频率。可基于应用调整微波的功率电平以将能量耦合到所述界面区域。可与硅产品晶片中的改性剂的元素组成相关地且与此些改性剂的浓度相关地调谐微波能量的频率及功率。另外，可用处于激活作为所述硅基质中的掺杂剂的改性剂的功率电平下的微波照射所述界面区域。可将通过微波耦合的能量的目标定为等效于800°C或更高的体温度的激活能量来加强硅到氧化物的接合。可将通过微波耦合的能量的目标定为等效于1000°C或更高的体温度的激活能量来加强直接的硅到硅接合。通过微波的耦合提供接合加强能量而不使所述产品硅晶片中的装置经受这些等效温度。可将所述硅结构中的界面区域暴露于具有在从5. 7GHz到6. OGHz的范围内的峰值频率的微波。图11到12图解说明根据各种实施例的其上接合有半导体层的产品晶片，所述产品晶片经受电磁辐射以加强所述半导体层到所述产品晶片的接合。图11展示产品晶片 620，其具有接合于产品晶片620的体区域622上的半导体层618。产品晶片620还包括半导体层618所接合到的电介质区域624。具有改性剂(其可经选择作为用于半导体层618 的材料的掺杂剂)的界面区域625安置为半导体层618的一部分。或者，改性剂可作为电介质区域624的一部分安置于界面区域625中。另外，产品晶片620可任选地具有形成于产品晶片620的体区域622中的装置及/或互连件623-1. . . 623-N。如图11中所图解说明的此产品晶片可根据各种实施例如(举例来说)关于图1到10所论述来制作。可将电磁辐射615引导到产品晶片620，其中可将电磁辐射615调谐到与界面区域625中的改性剂的吸收相关的频率。可基于应用调整电磁辐射615的功率电平。图12展示产品晶片640，其具有接合于产品晶片640的体区域642上的半导体层 638。与产品晶片620不同，产品晶片640不包括半导体层638所接合到的电介质区域。具有改性剂(其可经选择作为用于半导体层638的材料的掺杂剂)的界面区域645安置为半导体层638的部分。或者，改性剂可安置于半导体层638所接合到的体区域642的界面区域645中。另外，产品晶片640可任选地具有形成于产品晶片640的体区域642中的装置及/或互连件643-1. . . 643-N。如图6B中所图解说明的此产品晶片可根据各种实施例如 (举例来说)关于图1到10所论述来制作。可将电磁辐射635引导到产品晶片640，其中可将电磁辐射635调谐到与界面区域645中的改性剂的吸收相关的频率。可基于应用调整电磁辐射635的功率电平。图13图解说明根据各种实施例的已完成晶片700。晶片700可提供为可于其中制作多个裸片705的绝缘体上半导体晶片。或者，晶片700可提供为以下绝缘体上半导体晶片其中多个裸片705结构已经处理用以提供电子功能性且正等待从晶片700切割及进行封装。可根据关于图1到12的实施例来制作晶片700。每一裸片705可包括晶片700的体中的装置及/或互连件连同待形成于接合到晶片700的体的半导体层中的其它装置。使用各种遮掩技术及处理技术，裸片705可经进一步处理以包括功能电路，使得每一裸片705制作为具有与晶片700上的其它裸片相同的功能性及经封装结构的集成电路。或者，使用各种遮掩技术及处理技术，各种裸片705组可经处理以包括功能电路，使得并非所有裸片705制作为具有与晶片700上的其它裸片相同的功能性及经封装结构的集成电路。本文中将其上集成有电路且提供电子能力的经封装裸片称作集成电路(IC)。可通过根据如本文中所描述的各种实施例增强用于绝缘体上半导体结构的制作工艺来改善此些基于半导体的电子装置的性能。图14展示根据各种实施例包括一个或一个以上IC的系统800的框图，所述IC经结构化使半导体层接合到衬底的体区域。所述半导体层及/或所述衬底的体区域含有形成用于IC的电路的装置及互连件。可根据本文中所论述的各种实施例从晶片提供所述衬底及半导体层。系统800包括控制器802及存储器803。在各种实施例中，系统800还包括电子设备807及外围装置809。控制器802、存储器803、电子设备807及外围装置809中的一者或一者以上可呈一个或一个以上IC的形式。总线806在系统800的各种组件之间及/或间提供导电性。在一实施例中，总线806包括各自经独立配置的地址总线、数据总线及控制总线。在替代实施例中，总线806使用共用导线来提供地址、数据或控制中的一者或一者以上，所述导线的使用通过控制器802来调节。控制器802可呈一个或一个以上处理器的形式。电子设备807可包括额外存储器。系统800中的存储器可构造为一个或一个以上类型的存储器，例如但不限于动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、 同步动态随机存取存储器(SDRAM)、同步图形随机存取存储器(SGRAM)、双倍数据速率动态随机存取存储器(DDI )、双倍数据速率SDRAM及基于磁性的存储器。外围装置809可包括显示器、成像装置、打印装置、无线装置、额外存储存储器及可结合控制器802操作的控制装置。在各种实施例中，系统800包括但不限于光纤系统或装置、电光系统或装置、光学系统或装置、成像系统或装置及例如无线系统或装置、电信系统或装置及计算机等信息处置系统或装置。 尽管本文中已图解说明及描述具体实施例，但所属领域的技术人员应了解，经计算以实现相同目的的任一布置可替代所示具体实施例。各种实施例使用本文中所描述的实施例的排列及/或组合。应理解，以上说明打算作为说明性的，而非限制性的，且本文中所采用的措词或术语旨在用于说明的目的。另外，在前述具体实施方式
中，出于简化本发明的目的，可见各种特征被一起集合在单个实施例中。不应将此揭示方法解释为反映以下意图 所主张的实施例要求比每一权利要求中所明确陈述的特征多的特征。因此，特此将以上权利要求书并入到具体实施方式
中，其中每一权利要求独立地作为单独实施例。
权利要求
1.一种方法，其包含将离子引入到施主晶片中靠近所述施主晶片的一区域，所述区域具有改性剂，所述改性剂不同于所述施主晶片的体材料，所述区域安置于距所述施主晶片的表面的一距离处；将产品晶片与所述施主晶片接合在一起；及用电磁辐射照射所述改性剂以使所述施主晶片的体区域与所述产品晶片分裂而所述产品晶片仍接合到来自所述施主晶片的膜，所述电磁辐射被调谐到与所述改性剂的吸收相关的频率。
2.根据权利要求1所述的方法，其中将所述产品晶片与所述施主晶片接合在一起包括在电介质层处接合所述施主晶片与所述产品晶片。
3.根据权利要求1所述的方法，其中接合所述产品晶片包括接合具有装置的所述产品晶片，所述装置包含在所述产品晶片中。
4.根据权利要求1所述的方法，其中用电磁辐射照射所述改性剂包括与来自植入离子的材料与所述区域中的所述改性剂的混合物相关地调谐所述电磁辐射。
5.根据权利要求1所述的方法，其中用电磁辐射照射所述改性剂包括限制所述电磁辐射到所述施主晶片的暴露。
6.一种方法，其包含将氢离子及/或氦离子植入到硅施主晶片中靠近具有改性剂的一区域，所述改性剂不同于硅，所述区域安置于距所述施主晶片的表面的一距离处；将硅产品晶片接合到所述硅施主晶片使得所述硅施主晶片的所述表面接合到所述硅产品晶片的氧化物层；及在所述氢及/或氦处将所述改性剂暴露于微波以使所述硅施主晶片的体区域与所述硅产品晶片分裂而所述硅产品晶片的所述氧化物层仍接合到来自所述硅施主晶片的硅膜， 所述微波被调谐到与所述改性剂的吸收相关的频率。
7.根据权利要求6所述的方法，其中将所述改性剂暴露于微波包括将所述改性剂暴露于具有约5. 8GHz的峰值频率的微波。
8.根据权利要求6所述的方法，其中所述方法包括在所述产品晶片处于低于350°C的等温温度的情况下在所述产品晶片上形成所述硅膜。
9.根据权利要求6所述的方法，其中所述方法包括给所述硅施主晶片提供选自磷、砷、 硼或其组合的改性剂。
10.根据权利要求6所述的方法，其中将所述改性剂暴露于微波包括激活所述硅施主晶片中的所述改性剂。
11.一种方法，其包含通过用电磁辐射照射界面区域来加强半导体层到产品晶片的体区域的接合，所述界面区域安置于所述经接合半导体层与所述体区域之间，所述界面区域具有改性剂，所述改性剂不同于所述产品晶片的体材料，所述电磁辐射被调谐到与所述改性剂的吸收相关的频率。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述方法包含将所述改性剂引入到施主晶片， 所述半导体层在将所述半导体层接合到所述产品晶片的过程中与所述施主晶片分开。
13.根据权利要求11所述的方法，其中所述方法包含通过以下步骤从施主晶片形成所述半导体层将所述施主晶片接合到所述产品晶片；在距所述表面的一距离处将材料作为离子植入到所述施主晶片的一区域中；及将能量赋予所述被植入材料以使所述施主晶片与所述产品晶片分裂而所述半导体层仍接合到所述产品晶片。
14.根据权利要求13所述的方法，其中将能量赋予所述被植入材料以使所述施主晶片与所述产品晶片分裂而所述半导体层仍接合到所述产品晶片包括将所述施主晶片中的改性剂暴露于电磁辐射，所述电磁辐射被调谐到与所述施主晶片中的所述改性剂的吸收相关的频率。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述方法包含将改性剂材料引入于所述施主材料中，所述改性剂材料与所述界面区域相同且用于使所述施主晶片与所述产品晶片分裂。
16.一种方法，其包含通过用微波照射界面区域来加强硅层到硅产品晶片的接合，所述界面区域安置于所述硅产品晶片的体硅区域与所述硅层之间，所述界面区域具有改性剂，所述改性剂为不同于硅的材料，所述微波被调谐到与所述改性剂的吸收相关的频率。
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述改性剂包括磷、砷、硼或其组合。
18.根据权利要求16所述的方法，其中所述方法包含以介于从约IO13CnT3到约IO16CnT3 的范围内的浓度在所述界面中形成改性剂。
19.根据权利要求16所述的方法，其中加强硅层到硅产品晶片的接合包含加强所述硅层到所述硅层所接合到的氧化物层的接合。
20.根据权利要求16所述的方法，其中用微波照射所述界面区域包括用处于激活作为所述硅产品晶片的掺杂剂的改性剂的功率电平下的微波照射所述界面区域。
21.根据权利要求16所述的方法，其中加强硅层到硅产品晶片的接合包含加强所述硅层到其中构造有装置的所述硅产品晶片的接合。
22.根据权利要求16所述的方法，其中用微波照射所述界面区域包括用具有在从约 5. 7GHz到约6. OGHz的范围内的峰值频率的微波照射所述界面区域。
23.一种设备，其包含衬底；半导体层，其在界面处接合到所述衬底；及掺杂剂区域，其位于所述衬底到所述半导体层的所述界面处，所述掺杂剂区域包括经激活掺杂剂，所述经激活掺杂剂为所述半导体层到所述衬底的所述接合的微波辐射加强的结果。
24.根据权利要求23所述的设备，其中所述衬底包括装置。
25.根据权利要求23所述的设备，其中所述衬底包括所述半导体层接合到所述衬底所接合到的电介质层。
26.根据权利要求23所述的设备，其中所述设备布置为绝缘体上硅晶片。
全文摘要
本发明揭示包括接合到晶片或衬底的体区域的半导体层的电子设备、系统及方法，其中可使用电磁辐射将所述半导体层接合到所述体区域。本发明还揭示额外设备、系统及方法。
文档编号H01L21/20GK102341890SQ201080010975
公开日2012年2月1日 申请日期2010年2月4日 优先权日2009年2月4日
发明者古尔特杰·S·桑胡, 尼尚特·辛哈, 约翰·斯迈思 申请人:美光科技公司