专利名称：半导体器件的制造方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体器件的制造方法，特别涉及一种包括在布线基板表面上装载半导体芯片的工序的半导体器件的制造方法的有效技术。
背景技术：
例如，日本特开平10-41337号公报(专利文献1)中公开了以下安装基板的制造方法，即，事先在高温干燥环境下对玻璃环氧树脂基板进行预烧，并在用耐湿性树脂进行涂层之后，再在玻璃环氧树脂的切割面、孔壁等处也用耐湿性树脂进行涂层。在上述预烧中， 通过例如将玻璃环氧树脂基板放置在180°C的干燥氮气环境下1个小时，以除去玻璃环氧树脂基板内部的水分。专利文献1 日本特开平10-41337号公报
发明内容
对球栅阵列(BGA=Ball Grid Array)或焊盘栅阵列(LGA =LandGrid Array)而言， 在制造工序中，会产生因构成布线基板的材料成分的一部分气化而引起的质量恶化、生产力下降等问题。可以说明质量恶化现象例如有以下三种(1)在将芯片接合薄膜贴到布线基板的表面上时，从布线基板产生的气体会变为气泡侵入并残留在芯片接合薄膜的内部。之后，水分滞留在所述气泡内，例如如果在用焊锡将半导体器件安装在安装基板上时，对芯片接合薄膜施加260°C左右的热，就会发生水蒸气爆炸。( 如果半导体芯片的表面被布线基板产生的气体污染，则在线焊工序中，焊线将不能与排列在半导体芯片表面上的电极垫连接而脱落。( 如果半导体芯片的表面被布线基板产生的气体污染，则在注塑工序中，半导体芯片和封装半导体芯片的树脂封装体间的附着性会下降。可以说明生产力下降的现象例如有因粘片机、焊线机被污染而使这些设备的清扫
频度增多等。针对所列出的质量恶化现象O)，在线焊工序之前追加等离子体清洗工序；针对上述质量恶化现象(3)，在注塑工序之前追加等离子体清洗工序，通过采取如前所述的措施，能够将污染成分除去。但是，需要追加两道等离子体清洗工序，这将导致半导体器件的生产力下降。本发明的目的在于提供一种能够防止因构成布线基板的材料成分的一部分气化而引起的半导体器件的可靠性恶化的技术。本发明的所述内容及所述内容以外的目的和新特征在本说明书的描述及附图说
明中写明。下面简要说明关于本专利申请书中所公开的发明中具有代表性的实施方式的概要。本实施方式是一种半导体器件的制造方法，包括以下工序。准备玻璃环氧树脂基板、布线层以及布线基板的工序，其中，所述布线层分别形成于玻璃环氧树脂的表面及背面并构成电路图案，所述布线基板以露出布线层的一部分的方式覆盖布线层的阻焊膜；经由薄膜状粘结层将半导体芯片贴在布线基板上表面一侧的工序；通过导电性构件将电极垫和焊接引线电连接的工序，其中，所述电极垫设置在半导体芯片的表面，所述焊接引线由布线层的一部分构成，并从阻焊膜上形成的开口部露出；以及形成树脂封装体的工序，其中，所述树脂封装体对半导体芯片、导电性构件以及薄膜状粘结层进行封装。对于所准备的布线基板，在形成阻焊膜之后，并在为脱湿而进行的100°C以上150°C以下的热处理之前，进行 160°C以上230°C以下的热处理，以使构成布线基板的材料中所具有的有机溶剂气化后排出ο下面简要说明关于本专利申请书所公开的发明中根据具有代表性的实施方式所得到的效果。能够防止因构成布线基板的材料成分的一部分气化而引起的半导体器件的可靠性恶化。
图1所示的是说明本发明的一实施方式所涉及的半导体器件的制造方法的工序图。图2所示的是说明本发明的一实施方式所涉及的半导体器件的制造方法的半导体器件主要部分剖面图。图3所示的是接着图2的半导体器件制造工序中的半导体器件主要部分剖面图。图4所示的是接着图3的半导体器件制造工序中的半导体器件主要部分剖面图。图5所示的是接着图4的半导体器件制造工序中的半导体器件主要部分剖面图。图6所示的是接着图5的半导体器件制造工序中的半导体器件主要部分剖面图。图7所示的是接着图6的半导体器件制造工序中的半导体器件主要部分剖面图。图8所示的是接着图7的半导体器件制造工序中的半导体器件主要部分剖面图。图9所示的是接着图8的半导体器件制造工序中的半导体器件主要部分剖面图。图10所示的是接着图9的半导体器件制造工序中的半导体器件主要部分剖面图。图11所示的是接着图10的半导体器件制造工序中的半导体器件主要部分剖面图。图12所示的是接着图11的半导体器件制造工序中的半导体器件主要部分剖面图。图13所示的是接着图12的半导体器件制造工序中的半导体器件主要部分剖面图。图14所示的是接着图13的半导体器件制造工序中的半导体器件主要部分剖面图。图15所示的是接着图14的半导体器件制造工序中的半导体器件主要部分剖面图。图16所示的是接着图15的半导体器件制造工序中的半导体器件主要部分剖面图。
图17所示的是接着图16的半导体器件制造工序中的半导体器件主要部分剖面图。图18所示的是接着图17的半导体器件制造工序中的半导体器件主要部分立体图。图19所示的是接着图18的半导体器件制造工序中的半导体器件主要部分立体图。符号说明
1玻璃环氧树脂基板(基材)
IA布线基板
2铜箔
3通孔
4种子层
5铜膜
6抗蚀膜
7布线层
7a焊接引线(电极垫)
7b凸起焊盘(电极垫)
8阻焊膜
9镀膜
10粘结层(粘片材料)
11半导体芯片
12电极垫
13导电性构件
14树脂封装体(封装体)
15锡球
16切割刀
17切割线
20半导体器件
具体实施例方式在以下实施方式中，为了方便，在必要时将几个部分或将实施方式分割以说明，除了需要特别说明的以外，这些都不是彼此独立且无关系的，而是与其它一部分或者全部的变形例、详细内容及补充说明等相互关联的。另外，在以下实施方式中提及要素数等(包括个数、数值、量、范围等)时，除了特别说明及原理上经明确限定了特定的数量等除外，所述的特定数并非指固定的数量，而是可大于等于所述特定数或可小于等于所述特定数。而且，在以下实施方式中，除了特别说明及原理上经明确了是必要时除外，所述的构成要素(包括要素步骤等)也并非是必须的要素。同样地，在以下实施方式中提及的构成要素等的形状、位置关系等时，除了特别说明时及原理上经明确了并非如此时，实质上包括与前述形状等相近或者类似的。同理，前述的数值及范围也同样包括与其相近的。为了说明实施方式的所有图中，原则上对具有同一功能的构件采用同一符号，省略掉重复的说明。以下根据附图详细说明本发明的实施方式。通过图1 图19按工序顺序对本实施方式所涉及的半导体器件的制造方法进行说明。图1所示的是说明本实施方式所涉及的半导体器件的制造方法的工序图，图2 图 17所示的是说明本实施方式所涉及的半导体器件的制造方法的半导体器件主要部分剖面图；图18及图19所示的是说明本实施方式所涉及的半导体器件的制造方法的半导体器件主要部分立体图。通过图2 图12说明布线基板的制造工序。首先，如图2所示，准备玻璃环氧树脂基板(基材)1。玻璃环氧树脂基板1是将细玻璃纤维编织成片状，再用含有有机溶剂的环氧树脂将其层叠多层而制成的板状绝缘体。 接着，将铜箔2分别压接在玻璃环氧树脂基板1的表面及背面上(图1所示的工序Pl)。铜箔2的厚度例如在12 μ m左右。接着，如图3所示，利用例如钻孔加工形成多个从玻璃环氧树脂基板1的表面贯通到背面的通孔3 (图1所示的工序P2)。接着，如图4所示，在分别形成于玻璃环氧树脂基板1的表面及背面的铜箔2上以及通孔3的内壁上形成铜种子层4。之后，如图5所示，利用电镀法，在分别形成于玻璃环氧树脂基板1的表面及背面的铜箔2以及通孔3的内壁上形成铜膜5 (图1所示的工序P3)。 铜膜5的厚度例如在5 20 μ m左右。接着，如图6所示，在分别形成于玻璃环氧树脂基板1的表面及背面的铜膜5上涂布抗蚀膜6 (图1所示的工序P4)。之后，如图7所示，通过对抗蚀膜6进行曝光处理和显像处理，将抗蚀膜6图案化(图1所示的工序P5)。接下来，如图8所示，以所述经过图案化的抗蚀膜6为掩模，对铜膜5及铜箔2进行蚀刻，将未被抗蚀膜6覆盖的铜膜5及铜箔2除去 (图1所示的工序P6)。由此在玻璃环氧树脂基板1的表面及背面分别形成布线层7，所述布线层7由铜膜5及铜箔2形成，且构成电路图案。之后，如图9所示，除去抗蚀膜6(图1 所示的工序P7)。接着，如图10所示，形成覆盖分别形成于玻璃环氧树脂基板1的表面及背面的布线层7的阻焊膜8 (图1所示的工序P8)。阻焊膜8是一种以例如含有有机溶剂的绝缘树脂为主要成分，且在用无铅锡将部件焊接到完成的布线基板上时能够承受施加给布线基板的温度(例如220 ^KTC左右)的绝缘膜。通过形成阻焊膜8，能够防止在将部件焊接到完成的布线基板上时焊锡附着在不必要的部分上，而且能够保护布线层7免受尘埃、热或湿气等外部环境的影响。另外，阻焊膜8还具有保护由布线层7构成的电路图案，以维持电路图案的绝缘性的功能。作为阻焊膜8中所具有的有机溶剂有二乙二醇乙醚醋酸酯(Diethylene Glycol Monoethyl Ether Acetate)(沸点 217 °C )、二丙二醇单甲醚(Dipropylene Glycol Monomethyl Ether)(沸点 190 °C )、3_ 甲氧基-3-甲基醋酸丁酯 (3-Methoxy-3-methylbutyl acetate)(沸点 188°C)等，其中任意一个都具有 150°C 以上的高沸点。在阻焊膜8上形成有图案。例如通过将阻焊膜8涂布在玻璃环氧树脂基板1的整个表面一侧后，再对阻焊膜8进行曝光处理和显像处理，能够在玻璃环氧树脂基板1的表面一侧形成阻焊膜8的图案。同样地，通过将阻焊膜8涂布在玻璃环氧树脂基板1的整个背面一侧后，再对阻焊膜8进行曝光处理和显像处理，能够在玻璃环氧树脂基板1的背面一侧形成阻焊膜8的图案。由形成于玻璃环氧树脂基板1的表面上的布线层7的一部分构成的多条焊接引线(电极垫)7a从阻焊膜8的开口部露出；由形成于玻璃环氧树脂基板1的背面上的布线层7的一部分构成的多个凸起焊盘(电极垫)7b从阻焊膜8的开口部露出。接着，为了使玻璃环氧树脂基板1及阻焊膜8中所具有的有机溶剂气化，并使所述气化的有机溶剂从玻璃环氧树脂基板1及阻焊膜8的内部向外部排出，而在惰性气体环境下对被阻焊膜8覆盖的玻璃环氧树脂基板1进行热处理(第二热处理)(图1所示的工序 P9)。所述热处理在玻璃环氧树脂基板1及阻焊膜8中含有的有机溶剂的沸点以上的温度下进行。一般认为，热处理温度例如在160°C以上230°C以下为适当范围(当然根据其它条件的不同，也可在所述范围之外)，最适宜的温度是以200°C为中心值的附近范围。而且，热处理时间例如最好在1小时以下。上述热处理条件例如为氮气环境下、200°C、30分钟。根据本申请发明者的研究探讨，假设例如在进行了 150°C的热处理后的光聚合引发剂中含有的气体残留量为100%时，则在进行了 170°C的热处理后的光聚合引发剂中含有的气体残留量为45%，在进行了 200°C的热处理后的光聚合引发剂中含有的气体残留量为12%。因此，与通常为了脱湿而仅进行热处理时的高温(150°C )热处理相比，通过实施本发明申请所涉及的上述热处理(第二热处理)之一例，即在氮气环境下进行温度为200°C、 时间为30分钟的热处理，就能够使气体残留量减少80%以上。接着，如图11所示，对玻璃环氧树脂基板1的表面一侧及背面一侧进行清洗后，在从阻焊膜8的开口部露出的多条焊接引线7a的表面及多个凸起焊盘7b的表面上形成镀膜 9(图1所示的工序P10)。镀膜9例如由金膜或镍与金的叠层膜构成。之后进行外观检查 (图1所示的工序Pll)。接着，为了脱湿，而在大气环境下对被阻焊膜8覆盖的玻璃环氧树脂基板1实施热处理(第一热处理)(图1所示的工序Pu)。所述热处理在水的沸点以上的温度下进行。 一般认为，热处理温度例如在120°c以上150°C以下为适当范围(当然根据其它条件的不同，也可在所述范围之外)。而且，热处理时间例如最好在3小时以上5小时以下。所述热处理条件例如为大气环境下、温度为125°C、时间为4小时。根据上述制造工序即可制成布线基板1A。接着，通过图12 图19对在布线基板IA上表面上装载半导体芯片的半导体器件的制造工序进行说明。在图12 图17中仅示出了一个半导体芯片的装载区域。首先，如图12所示，准备通过上述制造工序形成的布线基板1A。例如，布线基板 IA是以一个半导体芯片的装载区域(芯片装载区域、单位框)为单位并以矩阵状划分形成有多个芯片装载区域的基板。接着，如图13所示，将粘结层(粘片材料)10放置在布线基板IA上表面(第一面、表面)一侧的阻焊膜8上。之后，通过实施如160 M0°C的热处理，将粘结层10贴在布线基板IA上表面一侧的阻焊膜8上。粘结层10是薄膜状粘结剂，由于绝缘性的可靠性高，不产生气泡且厚度均勻，所以具有不会使半导体芯片发生倾斜等优点。接着，如图14所示，经由粘结层10将半导体芯片11放置在布线基板IA上表面一侧的阻焊膜8上。之后，通过实施如200 240°C的热处理，经由粘结层10将半导体芯片 11贴在布线基板IA上表面一侧的阻焊膜8上(图1所示的工序Si)。半导体芯片11并不受此限制，但作为半导体芯片的结构主要具有由硅形成的半导体衬底、形成于所述半导体衬底的主面上的多个半导体元件(包括内核电源电路的内部电路、输出输入电路)、在半导体衬底的主面上将绝缘层和布线层分别层叠多层后所形成的多层布线层、以及形成覆盖所述多层布线层的表面保护膜。上述绝缘层例如由氧化硅膜形成。上述布线层例如由铝、钨或铜等的金属膜形成。上述表面保护膜例如由将氧化硅膜或氮化硅膜等的无机绝缘膜和有机绝缘膜层叠多层后形成的多层膜形成。在半导体芯片11的表面上，与上述半导体元件电连接的多个电极垫12沿着半导体芯片11的各条边设置。图14中记载了多个电极垫12中的一部分电极垫12。所述电极垫12由半导体芯片11的多层布线层中的最上层布线构成，并从形成于半导体芯片11的表面保护膜上且对应于各个电极垫12而形成的开口部露出。此处，在将粘结层10贴在布线基板IA上表面一侧的阻焊膜8上的工序中，如上所述实施160 240°C的热处理；在经由粘结层10将半导体芯片11贴在布线基板IA上表面一侧的阻焊膜8上的工序中，如上所述实施200 240°C的热处理。但是，在玻璃环氧树脂基板1的表面一侧及背面一侧分别形成阻焊膜8后，就在例如160°C以上230°C以下的温度下实施了热处理，所以已经使构成布线基板IA的材料中所具有的有机溶剂气化，并使所述气化的有机溶剂从布线基板IA的内部向外部排出。因此，在粘帖粘结层10和半导体芯片 11的上述热处理中，不会发生从布线基板IA的内部排出气化的有机溶剂，所以在粘结层10 的内部不会侵入也不会残留气泡。由于气化的有机溶剂不会附着在半导体芯片11的表面、覆盖形成于布线基板IA 上表面上的多条焊接引线7a的镀膜9的表面、以及覆盖形成于布线基板IA下表面上的多个凸起焊盘7b的镀膜9的表面上，所以这些表面不会被气化的有机溶剂污染。而且，粘片机也不会被气化的有机溶剂污染，所以能够减少例如用等离子体清洗装置的清扫频度，从而能够提高生产力。接着，如图15所示，例如通过兼用了热压焊和超声波振动的钉头焊(球焊)法，用导电性构件13将设置在半导体芯片11的表面边缘的电极垫12和从布线基板IA上表面一侧露出并被镀膜9覆盖的焊接引线7a连接(图1所示的工序S2)。图15中示出了多个导电性构件13中的一部分导电性构件13。导电性构件13例如使用金线。如上所述，构成布线基板IA的材料中所具有的有机溶剂气化，气化的有机溶剂不会附着在镀膜9的表面上，所以所述表面就不会被污染，因此覆盖焊接引线7a的镀膜9和导电性构件13间的连接强度不会下降。而且，由于焊线机不会被气化的有机溶剂污染，所以能够使例如用等离子体清洗装置的清扫频度降低，从而能够提高生产力。其中，所述镀膜 9覆盖形成于布线基板IA上表面上的多条焊接引线7a。接着，如图16所示，将装载了多个半导体芯片11的布线基板IA安装在模具成型机上，压送由于温度升高而液化的封装树脂，并使所述封装树脂流入成型机，用封装树脂对布线基板IA上表面一侧进行封装，注塑成型成一个树脂封装体(封装体)14(图1所示的工序S3)。之后，如在170°C的温度下实施热处理。由此，半导体芯片11、导电性构件13及粘结层10等通过覆盖布线基板IA上表面一侧的树脂封装体14被封装。从谋求低应力的目的考虑，树脂封装体14例如由添加了酚类固化剂、硅胶、以及很多填料(例如二氧化硅) 等热固化性环氧树脂的绝缘树脂形成。如上所述，构成布线基板IA的材料中所具有的有机溶剂气化，气化的有机溶剂不会附着在半导体芯片11的表面上，所以所述表面就不会被污染，因此半导体芯片11和树脂封装体14间的连接强度不会下降。其中，所述半导体芯片11形成于布线基板IA上表面上。之后，例如利用激光在树脂封装体14的表面对每一个芯片装载区域进行产品名称以及追踪码等的打标。通过在将树脂封装体14切割成型之前进行打标，可提高打标工序的生产量。接着，如图17所示，例如通过印刷法在镀膜9的表面上形成锡膏，其中，所述镀膜 9覆盖从布线基板IA下表面(第二面、背面)一侧露出的多个凸起焊盘7b。接着，经由镀膜9及上述焊膏将锡球15分别设置在从布线基板IA下表面一侧露出的多个凸起焊盘7b 的表面上之后实施热处理(图1所示的工序S4)。锡球15使用实质上不含铅的无铅锡组分的焊锡凸块，例如组分为Sn-3(wt% )Ag-0.5(wt% )Cu的焊锡凸块。热处理的温度例如为 220 260°C。通过所述热处理，锡球15、上述焊膏及镀膜9熔融成一体，并形成与凸起焊盘 7b的表面电连接且机械连接的锡球15。锡球15成为用以在半导体器件和安装基板之间进行电信号输出输入的传导路径。如上所述，构成布线基板IA的材料中所具有的有机溶剂气化，气化的有机溶剂不会附着在镀膜9的表面上，所以所述表面就不会被污染，因此凸起焊盘7b和锡球15间的连接强度不会下降。其中，所述镀膜9覆盖形成于布线基板IA下表面上的多个凸起焊盘7b。接着，如图18所示，使切割刀16沿着切割线17在第一方向和与第一方向垂直的第二方向上运行，以将布线基板IA和树脂封装体14切断(图1所示的工序S5)。由此，如图19所示，切割成型为一个一个的半导体器件20，而形成多个半导体器件20 (图1所示的工序S6)。之后，按照产品标准对切割成型的半导体器件20进行挑选，并经最终外观检查后完成产品的制造。如上所述，根据本实施方式，在玻璃环氧树脂基板1的表面一侧及背面一侧分别形成保护布线层7的阻焊膜8的工序之后，在由布线层7的一部分构成的多条焊接引线7a 的表面及多个凸起焊盘7b的表面上形成镀膜9的工序之前，通过在惰性气体环境下，对被阻焊膜8覆盖的玻璃环氧树脂基板1实施160°C以上230°C以下的热处理，使构成布线基板 IA的材料中所具有的有机溶剂气化，并使所述气化的有机溶剂从布线基板IA的内部向外部排出。由此可获得以下效果(1)经由粘结层10将半导体芯片11贴在阻焊膜8上时，构成布线基板IA的材料中所具有的有机溶剂气化，而气化的有机溶剂不会变为气泡侵入以及残留在粘结层10的内部，所以水分就不会滞留在粘结层10的内部。因此，即使在之后的工序中，例如在用焊锡将半导体器件安装在安装基板上的工序中施加260°C左右的热度，也不会有水蒸气爆炸等危险性。( 由于半导体芯片11的表面不会被气化的有机溶剂污染， 所以能够防止导电性构件13和排列在半导体芯片11的表面上的电极垫12间的连接强度下降。(3)由于半导体芯片11的表面不会被气化的有机溶剂污染，所以能够防止半导体芯片11和封止樹脂体14间的附着性下降。(4)例如由于粘片机、焊线机不会被气化的有机溶剂污染，所以用等离子体清洗装置的清扫频度降低，从而能够提高生产力。(5)通过分开实施为了脱湿而进行的热处理和为了排出起因于有机溶剂的气体而进行的热处理，可以任意地设定热处理时间和温度，从而能够减少施加给布线基板的热历史所造成的损伤。换句话说，由于水比起因于有机溶剂的气体成分难蒸发，所以为了脱湿而进行的热处理选择为长时间和低温度。另一方面，虽然气体成分比水易蒸发，但沸点高，所以为了排出起因于有机溶剂的气体而进行的热处理则选择为短时间和高温度。以上按照实施方式具体地说明了本案发明人所作的发明，但是本发明并不受到所述实施方式的限定，在不超出其要旨的范围下能够进行种种变更，在此无需赘言。产业上的可利用件本发明可适用于如下的半导体器件的制造方法即在具有以有机溶剂的绝缘树脂为主要成分的绝缘膜保护的布线基板上装载电子部件的方法。
权利要求
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于， 包括工序a，准备布线基板，所述布线基板具有树脂基材、分别形成于所述基材的表面和背面并构成电路图案的布线层、以及露出所述布线层的一部分来覆盖所述布线层的绝缘膜； 工序b，经由薄膜状粘结层将半导体芯片贴在所述布线基板的第一面一侧上； 工序c，通过导电性构件将多个电极垫和多条焊接引线电连接，所述多个电极垫配置在所述半导体芯片的表面上，所述多条焊接引线由所述布线层的一部分构成并从形成在所述绝缘膜上的开口部露出；以及工序d，形成树脂封装体，所述树脂封装体对所述半导体芯片、所述导电性构件以及所述薄膜状粘结层进行封装，其中，对所述工序a中的所述布线基板预先实施了以下工序 在形成露出所述布线层的一部分来覆盖所述布线层的所述绝缘膜之后，在100°C以上 150°C以下的温度下进行第一处理时间的第一热处理的工序；和在所述第一热处理之前进行第二热处理的工序，该工序在比所述第一热处理的温度高的温度下进行比所述第一处理时间短的第二处理时间的第二热处理。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于， 所述第二热处理的温度在160°C以上230°C以下。
3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一热处理的所述第一处理时间在3小时以上5小时以下，所述第二热处理的所述第二处理时间在1小时以下。
4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述工序b在比所述第一热处理的温度高的温度下且在已将所述布线基板加热的状态下进行。
5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，对所述工序a中的所述布线基板实施形成镀膜的工序，所述镀膜形成于从所述绝缘膜上形成的开口部露出的所述布线层的表面上，进行所述第二热处理的工序在形成所述镀膜的工序之前实施，进行所述第一热处理的工序在形成所述镀膜的工序之后实施。
6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，对所述工序a中的所述布线基板实施进行外观检查的工序，所述外观检查在形成镀膜的工序之后实施，所述镀膜形成于从所述绝缘膜上形成的开口部露出的所述布线层的表面上，进行所述第二热处理的工序在形成所述镀膜的工序之前实施，进行所述第一热处理的工序在进行所述外观检查的工序之后实施。
7.一种半导体器件的制造方法，其特征在于， 包括工序a，准备布线基板，所述布线基板具有树脂基材、分别形成于所述基材的表面和背面并构成电路图案的布线层、以及露出所述布线层的一部分来覆盖所述布线层的绝缘膜， 且所述布线基板被划分形成有多个芯片装载区域；工序b，经由薄膜状粘结层将多个半导体芯片贴在所述布线基板的第一面一侧； 工序c，通过导电性构件将多个电极垫和多条焊接引线电连接，所述多个电极垫配置在所述半导体芯片的表面上，所述多条焊接引线由所述布线层的一部分构成并从形成在所述绝缘膜上的开口部露出；工序d，通过利用树脂将所述多个半导体芯片统一封装而在所述布线基板的第一面一侧上形成树脂封装体；以及工序e，通过按每个所述芯片装载区域切断所述树脂封装体和所述布线基板来形成切割成型的多个半导体器件，其中，对所述工序a中的所述布线基板预先实施了以下工序 在形成露出所述布线层的一部分来覆盖所述布线层的所述绝缘膜之后，在100°C以上 150°C以下的温度下进行第一处理时间的第一热处理的工序；和在所述第一热处理之前进行第二热处理的工序，该工序在比所述第一热处理的温度高的温度下进行比所述第一处理时间短的第二处理时间的第二热处理。
8.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于， 所述第二热处理的温度在160°C以上230°C以下。
9.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一热处理的所述第一处理时间在3小时以上5小时以下，所述第二热处理的所述第二处理时间在1小时以下。
10.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述工序b在比所述第一热处理的温度高的温度下且在已将所述布线基板加热的状态下进行。
11.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，对所述工序a中的所述布线基板实施形成镀膜的工序，所述镀膜形成于从所述绝缘膜上形成的开口部露出的所述布线层的表面上，进行所述第二热处理的工序在形成所述镀膜的工序之前实施，进行所述第一热处理的工序在形成所述镀膜的工序之后实施。
12.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，对所述工序a中的所述布线基板实施进行外观检查的工序，所述外观检查在形成镀膜的工序之后实施，所述镀膜形成于从所述绝缘膜上形成的开口部露出的所述布线层的表面上，进行所述第二热处理的工序在形成所述镀膜的工序之前实施，进行所述第一热处理的工序在进行所述外观检查的工序之后实施。
13.一种半导体器件的制造方法，其特征在于， 包括工序a，准备树脂基材，并形成从所述基材的表面贯通至背面的通孔； 工序b，在所述基材的表面、背面以及所述通孔的内壁形成导电性构件； 工序c，对分别形成于所述基板的表面和背面的所述导电性构件进行加工来形成构成电路图案的布线层；工序d，形成露出所述布线层的一部分来覆盖所述布线层的绝缘膜；以及工序e，在所述工序d之后，在第一温度下进行第一处理时间的第一热处理， 在所述工序d之后且在所述工序e之前还包括工序f，在比所述第一热处理的第一温度高的第二温度下进行比所述第一处理时间短的第二处理时间的第二热处理。
14.如权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其特征在于， 所述工序e中的所述第一热处理的所述第一温度比水的沸点高。
15.如权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述工序e中的所述第一热处理的所述第一温度在100°C以上150°C以下。
16.如权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述工序f中的所述第二热处理的所述第二温度比所述基材和所述绝缘膜中包含的有机溶剂的沸点高。
17.如权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述工序f中的所述第二热处理的所述第二温度在160°C以上230°C以下。
18.如权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其特征在于， 所述基材是玻璃环氧树脂基板。
19.如权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其特征在于， 所述绝缘膜是阻焊膜。
20.如权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述工序e中的所述第一热处理的所述第一处理时间在3小时以上5小时以下，所述工序f中的所述第二热处理的所述第二处理时间在1小时以下。
21.如权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其特征在于， 在所述工序f之后且在所述工序e之前还包括 工序g，在从所述绝缘膜上形成的开口部露出的所述布线层的表面上形成镀膜。
22.如权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其特征在于， 在所述工序f之后且在所述工序e之前还包括工序g，在从所述绝缘膜上形成的开口部露出的所述布线层的表面上形成镀膜；和工序h，进行外观检查。
全文摘要
本发明公开了一种半导体器件的制造方法。提供一种可以防止因构成布线基板的材料成分的一部分气化而引起的半导体器件的可靠性恶化的技术。在玻璃环氧树脂基板(1)的表面及背面分别形成有构成电路图案的布线层(7)，并在以露出布线层(7)的一部分的方式形成覆盖布线层(7)的阻焊膜(8)之后，在为了脱湿而进行的100℃以上150℃以下的热处理(第一热处理)之前，对布线基板(1A)进行160℃以上230℃以下的热处理(第二热处理)，以使构成布线基板(1A)的材料中所具有的有机溶剂气化后排出。
文档编号H01L21/48GK102163557SQ20111003139
公开日2011年8月24日 申请日期2011年1月26日 优先权日2010年2月15日
发明者安永雅敏, 广永兼也, 松岛弘伦, 黑田壮司 申请人:瑞萨电子株式会社