专利名称：具有纳米结构的磊晶基板及发光二极管的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种磊晶基板及发光二极管的制作方法，特别是涉及ー种具有纳米结构的磊晶基板及含有该磊晶基板的发光二极管的制作方法。
背景技术：
參阅图1，现有发光二极管(以下简称LED)结构具有ー磊晶基板11、一形成于该磊晶基板11的发光单元12，及一可配合提供电能至该发光単元12的电极单元13，当外界经由该电极单元13配合提供电能至该发光単元12时，该发光単元12则会向外发光。以近年来深获重视的III族氮化物(III-Nitride) LED，例如GaN LED为例说明，该发光单兀12是将GaN以嘉晶(Epitaxial)方式成长在以监宝石构成的嘉晶基板11上而制得；但是因为GaN与该监宝石嘉晶基板11之间的晶格常数(Lattice Constant)及热膨胀系数(Coefficient of Thermo Expansion ；CTE)差异性极大,所以，该发光单元12于磊晶过程会产生高密度线差排(Thread Dislocation)，而此种高密度线差排则会限制该发光单元12的发光效率；此外，由于该发光单元12是由具有高折射系数(High RefractiveIndex)的半导体材料所构成(GaN，折射率为2. 5)，因此，自该发光単元12发出的光在到达该发光单元12与周围空气(空气折射率为I)的界面时，容易会产生内全反射(TotalInternal Reflection),使得光会被局限(Trapped)于该发光单元12中，而令该LED的光取出率(Light Extraction Efficiency)降低,进而降低其发光效率。因此，为了降低蓝宝石基板与氮化镓晶格的错位密度，达到增加辐射结合，提升内部量子效率，并降低光线因被局限于该发光単元12中，所造成的光取出率(即外部量子效率)不佳的问题，「图案化磊晶基板」，已是近年来解决前述问题的常用技术手段。且由相关文献记载(J. J. Chen et al. , IEEE Photonics Technology Letters, Vol. 20,pp. 1193-1195, 2008)可知，具有纳米级图案的嘉晶基板的光萃取效率会闻于具有微米图案的磊晶基板，即，在同样的磊晶基板面积条件下，减小图案尺寸可增加图案数目及光脱离的机会，而可有效提升嘉晶基板的光萃取效率，因此，如何制作具有纳米结构的嘉晶基板已为目前业者积极开发的方向。 目前制作纳米结构嘉晶基板的方式主要有步进快闪式压印蚀刻(M.Colburn etal，Proc. SPIE，Vol. 3676，pp. 379-389，1999)、Si02_米球蚀刻(J. Bang et al. ,Thin SolidFilms, Vol. 516, pp. 7744-7747, 2008)、纳米压印蚀刻(S. J. Chang et al.，Superlatticesand Microstructures, Vol. 48, pp. 358-364, 2010),或金属(Ni)自组合蚀刻(H. Gao etal.，Physica Status Solids, Vol. 205, pp. 1719-1723，2008)，其中，纳米压印与金属自组合蚀刻方式都必须执行金属蒸镀，这表示会増加制作成本，且纳米压印尚有均匀性不佳的问题需要克服；而利用步进快闪式压印及SiO2纳米球蚀刻方式虽不需要执行金属蒸镀，但是步进快闪式压印需配合反应式离子蚀刻系统辅助，且步进快闪式压印机台价格相当昂贵，而SiO2纳米球价格昂贵，再加上对于要控制SiO2纳米球大小也相对地困难，因此，以降低量产成本角度而言也并不适合。
由前述说明可知，要在磊晶基板表面形成纳米级几何图案的制程方式仍有许多需要改善的空间，因此，如何提供易于制备井能达到纳米结构的制作方式，制作具有纳米结构的磊晶基板，以提升发光二极管的光取出率一直是业者努力发展的方向。
发明内容
本发明的目的在于提供一种制程简便且容易控制的具有纳米结构的磊晶基板制作方法。此外，本发明的另ー目的在于提供ー种发光二极管的制作方法。本发明具有纳米结构的磊晶基板制作方法，包含一阻挡层形成步骤、ー蚀刻步骤，及一移除步骤；其中该阻挡层形成步骤包括一第一次步骤，将ー磊晶基板浸入一具有锌氨错离子的第一溶液，一第二次步骤，将该磊晶基板自该第一溶液取出，并再将其浸入温度不高于35°C的水中，令该锌氨错离子水解析出的氢氧化锌沉积于该磊晶基板的表面，及一第 三次步骤，将该表面形成氢氧化锌的磊晶基板浸入一含有水，且温度不小于80°C的第二溶液中，令该氢氧化锌脱水，而于该磊晶基板的表面形成一由多个氧化锌纳米颗粒构成的阻挡层；该蚀刻步骤是以该阻挡层为蚀刻屏蔽，利用干式蚀刻方式蚀刻该磊晶基板未被该阻挡层遮蔽的区域，于该磊晶基板形成具有与该阻挡层的氧化锌纳米颗粒所形成的图案对应的纳米结构；该移除步骤则是将该阻挡层自该磊晶基板表面移除，即可完成该具有纳米结构的磊晶基板制作。本发明具有纳米结构的磊晶基板制作方法，其中该第一溶液的pH值不大于10，且锌氨错离子的浓度不小于0. 1M。本发明具有纳米结构的磊晶基板制作方法，其中该第一溶液的锌氨错离子浓度介于 0. I 0. 2M。本发明具有纳米结构的磊晶基板制作方法，其中该第二溶液还具有こニ醇，且こニ醇和水的体积比介于I : I I : 4。本发明具有纳米结构的磊晶基板制作方法，其中该第二溶液的温度不小于90°C。本发明具有纳米结构的磊晶基板制作方法，其中该磊晶基板具有ー以氧化铝、碳化娃、娃,或氮化招为构成材料的基材，及一形成于该基材表面，以氧化娃、氮氧化娃、氮化硅、或氟化镁为构成材料的蚀刻层，该阻挡层是形成于该蚀刻层上，该蚀刻步骤是蚀刻该蚀刻层未被该阻挡层遮蔽的区域，令该蚀刻层形成与该阻挡层的图案对应的纳米结构。本发明具有纳米结构的磊晶基板制作方法，其中所述氧化锌纳米颗粒的平均粒径介于100 500nm,且所述氧化锌纳米颗粒之间的平均间隙介于100 500nm。此外，本发明发光二极管的制作方法，包含(a)准备一具有纳米结构的磊晶基板，该磊晶基板是经由一阻挡层形成步骤、ー蚀刻步骤，及一移除步骤而制得，该阻挡层形成步骤是将ー磊晶基板浸入一具有锌氨错离子的第一溶液，接着将该磊晶基板自该第一溶液取出，并再将其浸入温度不高于35°C的水中，令经由该锌氨错离子水解析出的氢氧化锌沉积于该磊晶基板的表面，接着将该表面形成氢氧化锌的磊晶基板浸入一含有水，且温度不小于80°C的第二溶液中，令该氢氧化锌脱水,而于该磊晶基板的表面形成一由多个氧化锌纳米颗粒构成的阻挡层，该蚀刻步骤是以该阻挡层为蚀刻屏蔽，以干式蚀刻方式蚀刻该磊晶基板未被该阻挡层遮蔽的区域，于该磊晶基板形成具有与该阻挡层的氧化锌纳米颗粒所形成的图案对应的纳米结构，该移除步骤是将该阻挡层自该磊晶基板表面移除，即可得到该具有纳米结构的磊晶基板。(b)于该磊晶基板具有纳米结构的表面磊晶形成一于接收电能时可发光的半导体发光单元。(C)形成一可配合提供电能至该半导体发光单元的电极单元，即可完成该发光二极管的制作。本发明发光二极管的制作方法，其中该第一溶液的pH值不大于10，且锌氨错离子 的浓度不小于0. 1M。本发明发光二极管的制作方法，其中该第一溶液的锌氨错离子浓度介于0. I 0. 2M。本发明发光二极管的制作方法，其中该第二溶液还具有こニ醇，且こニ醇和水的体积比介于I : I I : 4。本发明发光二极管的制作方法，其中该第二溶液的温度不小于90°C。本发明发光二极管的制作方法，其中该磊晶基板具有ー以氧化铝、碳化硅、硅或氮化招为构成材料的基材，及一形成于该基材表面，以氧化娃、氮氧化娃、氮化娃或氟化镁为构成材料的蚀刻层，该阻挡层是形成于该蚀刻层上，该蚀刻步骤是蚀刻该蚀刻层未被该阻挡层遮蔽的区域，并令该蚀刻层形成与该阻挡层的图案对应的纳米结构。本发明发光二极管的制作方法，其中所述氧化锌纳米颗粒的平均粒径介于100 500nm,且所述氧化锌纳米颗粒之间的平均间隙介于100 500nm。本发明的有益效果在于利用离子吸附与反应制程直接于该磊晶基板的表面形成由氧化锌纳米颗粒构成的阻挡层，并以该阻挡层为蚀刻屏蔽，即可于该磊晶基板形成纳米结构，制程简单且可有效降低制程成本，且由该具有纳米结构的磊晶基板所制得的发光二极管可有效提升光取出率。
图I是ー种以往发光二极管的结构示意图；图2是本发明较佳实施例所制得的发光二极管结构示意图；图3是一方块图，说明本发明发光二极管的制作方法的较佳实施例；图4是ー个流程示意图，辅助说明图3 ；图5是ー个电子扫描显微镜图谱，说明该较佳实施例于锌氨错离子浓度为0. 166M时制得的阻挡层；图6是ー个扫描式电子显微镜图谱，说明该较佳实施例于锌氨错离子浓度为0. 15M时制得的阻挡层；图7是ー个扫描式电子显微镜图谱，说明该较佳实施例于锌氨错离子浓度为0. 133M时制得的阻挡层；图8是ー个扫描式电子显微镜图谱，说明该较佳实施例于锌氨错离子浓度为0. 118M时制得的阻挡层。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明进行详细说明。參阅图2，本发明发光二极管制作方法的一较佳实施例，是用以制得如图2所示的发光二极管，该发光二极管包含一嘉晶基板2、一半导体发光单兀3,及ー电极单兀4。该嘉晶基板2,具有一基材21,及一自该基材21的表面211向上突起的纳米结构22。适用于本较佳实施例的基材21的构成材料选自硅、氧化铝、碳化硅，及氮化铝等，该纳米结构22是选自氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、氟化镁等材料构成。该半导体发光单元3具有一与该基材21的表面211及该纳米结构22的表面连接的第一型半导体层31、一形成在该第一型半导体层31部分表面的发光层32，及一形成于该发光层32表面且电性与该第一型半导体层31相反的第二型半导体层33。
该电极单元4具有一形成于该第一型半导体层31上的底电极41，及一形成于该第ニ型半导体层33上的顶电极42，由于该发光単元3及该电极単元4的相关材料选择为本技术领域技术人员所周知，且非为本发明之重点，因此不再多加赘述。当外界经由该底电极41及顶电极42配合提供电能至该半导体发光单元3吋，该发光层32即会以光电效应向外发光，而自该发光层32发出朝向该磊晶基板2方向行进的光，在接触到该纳米结构22后会进行反射，令光线改变行进方向，实质朝向外界发出，而提升发光二极管的光取出率；此外，借由该纳米结构22与该基材21的折射率差，还可让自该发光单元3发出的光线于接触到该纳米结构22时，进行二次折射及反射而提升光取出率，可更有效提升该发光二极管的发光效率。參阅图3，图3为本发明发光二极管制作方法的该较佳实施例，包含步骤51 53三个步骤。首先进行该步骤51，准备一具有纳米结构22的磊晶基板2。详细地说，该步骤51的磊晶基板2的制作方法包括一阻挡层形成步骤、一蚀刻步骤，及一移除步骤。配合參阅图4，首先进行该阻挡层形成步骤，该阻挡层形成步骤具有一第一次步骤(a)、一第二次步骤(b)，及一第三次步骤(C)。该第一次步骤(a)是将ー磊晶基板2浸入一具有锌氨错离子且pH值不大于10的第一溶液中，该第一溶液是将氯化锌(ZnCl2)溶于氨水溶液中，令锌离子与氨形成锌氨错离子(Zn (NH3) 42+)，而锌氨错离子(Zn(NH3)42+)会在该磊晶基板2浸入该第一溶液时吸附在该嘉晶基板2的表面。具体的说，该磊晶基板2具有一基材21及一形成在该基材21的表面的蚀刻层22a，该基材21可由蓝宝石、硅、氧化铝、碳化硅，或氮化铝等材料构成，该蚀刻层22a可由ニ氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、氟化镁或氮化铝等材料构成，于本实施例中该基材21是由蓝宝石构成，该蚀刻层22a是由氧化硅构成。当该磊晶基板21浸入该第一溶液时，锌氨错离子(Zn(NH3)42+)会吸附于该蚀刻层22a表面，形成一离子吸附层。该第二次步骤(b)是将该磊晶基板2自该第一溶液取出，并浸入温度不高于35°C的水中，令经由锌氨错离子水解析出的氢氧化锌沉积于该磊晶基板2的表面。具体的说，该第二次步骤(b)是利用吸附于该磊晶基板2的锌氨错离子于水中会水解形成不溶性的氢氧化锌(Zn(OH)2)的特性，而于该蚀刻层22a的表面形成不溶性氢氧化锌(Zn(OH)2)固体。
该第三次步骤(C)是将该表面形成氢氧化锌的磊晶基板2浸入一含有水，且温度不小于80°C的第二溶液中，令该氢氧化锌脱水，而于该磊晶基板2的表面形成一由多个纳米级氧化锌颗粒构成的阻挡层100。要说明的是，当前述该磊晶基板2不具有该蚀刻层22a时，该第一次步骤(a)的锌氨错离子(Zn(NH3)42+)则会直接吸附于该基材21表面，因此，经由该第二次步骤(b)、第三次步骤(c)形成的阻挡层100则会直接形成于该基材21上，如此，后续的蚀刻制程则可直接对该基材21进行。具体的说，该第三次步骤(C)是利用氢氧化锌于高温时会脱水形成氧化锌的特性，而于该蚀刻层22a的表面形成一由多个氧化锌纳米颗粒构成的阻挡层100，现将所述氧化锌颗粒的形成机制简示如下。Zn2++4NH40H— [Zn (NH3) 4] 2++4H20[Zn (NH3) 4] 2++4H20 — Zn2++4NH4.+40HZn2++20r — Zn (OH) 2 (s)Zn (OH) 2 — ZnO (s) +H2O较佳地，该第三次步骤(c)的反应温度不小于90°C，更佳地，该第三次步骤(C)的反应温度不小于95 °C。要说明的是，所述氧化锌的颗粒粒径及颗粒疏密程度可借由该锌氨错离子的浓度控制，而控制所形成的氧化锌颗粒的粒径大小，较佳地，该锌氨错离子的浓度不小于0. 1M，更佳地，该锌氨错离子的浓度介于0. I 0. 2M ;此外，由于所述氧化锌纳米颗粒需用以当成后续蚀刻制程的屏蔽，因此，当所述氧化锌纳米颗粒的粒径过小，或是所述氧化锌纳米颗粒之间的间隙过于紧密时，会无法充分达成屏蔽的效果而无法得到预期的纳米结构，而当氧化锌纳米颗粒的粒径过大，或是氧化锌纳米颗粒之间的间隙过于松散时，则会有氧化锌纳米颗粒形成的制程时间过长且形成的纳米结构粗化程度不足的缺点，较佳地，所述氧化锌颗粒的平均粒径介于100 500nm,且所述氧化锌纳米颗粒之间的平均间隙介于100 500nmo要再说明的是，该第三次步骤(C)的第二溶液可更包含こニ醇，借由加入具有高沸点的こニ醇不仅可提升该第三次步骤(C)的脱水反应温度，此外，由于こニ醇对氧化锌纳米颗粒具有较佳的分散性，因此还可利用こニ醇进一歩控制该氧化锌纳米颗粒的粒径，较佳地，该こニ醇与水的体积比介于I : I I : 4。 值得ー提的是，为了得到粒径较大且均匀的氧化锌纳米颗粒，可重复执行该第一次步骤(a)至第三次步骤(C)，直到得到预定的氧化锌颗粒粒径。參阅图5至图8，图5至图8是在该锌氨错离子的浓度分别为0. 166M、0. 15M、0. 133M，及0. 118M的条件下，且该第三次步骤(c)的こニ醇与水的体积比为I : 1，并重复执行该第一次步骤(a)至第三次步骤(C)6次后所得到的该阻挡层100的氧化锌纳米颗粒的扫描式电子显微镜(SEM)图谱，由图5 8的结果可知，利用锌氨错离子的浓度控制，可有效的控制所述氧化锌纳米颗粒的粒径。接着进行该蚀刻步骤，利用该阻挡层100为蚀刻屏蔽，并以电感耦合电浆蚀刻机(ICP)、活性离子蚀刻(RIE)等方式对该蚀刻层22a未被该阻挡层100遮蔽的表面执行干蚀亥IJ，而令该蚀刻层22a转变成具有与该阻挡层100对应的纳米结构22。
最后进行该移除步骤，将该阻挡层100移除，即可得到该具有纳米结构22的磊晶基板2。具体的说，该移除步骤是利用盐酸溶液将所述氧化锌颗粒溶解，即可将该阻挡层100自该嘉晶基板2移除。接着进行该步骤52，于该磊晶基板2具有纳米结构22的表面磊晶形成一半导体发光单元3。该步骤52是以有机金属化学气相沉积方式先于该基材21及该纳米结构22的表面形成该第一型半导体层31，再由该第一型半导体层31的部份表面形成该发光层32，接着，再于该发光层32表面形成该第二型半导体层33，然后自该第二型半导体层33的预定表面向下蚀刻移除该第二型半导体层33、该发光层32至使该第一型半导体层31露出，即可完成该半导体发光单元3。最后进行该步骤53，形成一可配合提供电能至该半导体发光单元3的电极单元4，完成该发光二极管的制作。具体的说，该步骤53是分别于该第一型半导体层31、第二型半导体层33表面沉积形成由导电性佳的金属、合金金属等材料构成的该底电极41及顶电极42，即可完成该发光ニ极管的制作。由于该步骤52及步骤53的相关材料选择及制程參数控制为本技术领域技术人员所知悉，且非为本发明的重点，因此不再多加赘述。综上所述，本发明利用离子吸附及反应方式，直接于该基材21表面形成由氧化锌纳米颗粒构成的阻挡层100，并借由该阻挡层100为蚀刻屏蔽进行蚀刻，即可得到该具有纳米结构的磊晶基板2，不仅方法简便且可有效节省制程成本。此外，还可进一歩利用先于该基材21表面形成一由氧化硅等折射率与该基材21不同的材料构成的蚀刻层22a，并将该阻挡层100形成于该蚀刻层22a上，利用该阻挡层100为蚀刻屏蔽对该蚀刻层22a进行蚀刻而得到具有纳米结构的磊晶基板2，由于不需直接对蓝宝石基材21进行蚀刻，因此，不仅制程更为简便且更容易控制，且利用该基材21与该纳米结构22之间的折射率差，可让自该发光単元3发出的光线于接触到该纳米结构22时，进行二次折射及反射，而更可有效提升发光二极管的光取出率，故确实能达成本发明的目的。
权利要求
1.一种具有纳米结构的磊晶基板制作方法，其特征在于该制作方法包含一个阻挡层形成步骤，一个蚀刻步骤，及一个移除步骤，该阻挡层形成步骤包括一个第一次步骤，将一个磊晶基板浸入一个具有锌氨错离子的第一溶液，一个第二次步骤，将该磊晶基板自该第一溶液取出，并再将其浸入温度不高于35 V的水中，令该锌氨错离子水解析出的氢氧化锌沉积于该磊晶基板的表面，及一个第三次步骤，将该表面形成氢氧化锌的磊晶基板浸入一个含有水，且温度不小于80°C的第二溶液中，令该氢氧化锌脱水，而于该磊晶基板的表面形成一个由多个氧化锌纳米颗粒构成的阻挡层；该蚀刻步骤是以该阻挡层为蚀刻屏蔽，利用干式蚀刻方式蚀刻该磊晶基板未被该阻挡层遮蔽的区域，于该磊晶基板形成具有与该阻挡层的氧化锌纳米颗粒所形成的图案对应的纳米结构；该移除步骤则是将该阻挡层自该磊晶基板表面移除，即可制作完成该具有纳米结构的磊晶基板。
2.根据权利要求I所述的具有纳米结构的磊晶基板制作方法，其特征在于该第一溶液的pH值不大于10，且锌氨错离子的浓度不小于O. 1M。
3.根据权利要求I所述的具有纳米结构的磊晶基板制作方法，其特征在于该第一溶液的锌氨错离子浓度介于O. I O. 2M。
4.根据权利要求I所述的具有纳米结构的磊晶基板制作方法，其特征在于该第二溶液还具有乙二醇，且乙二醇和水的体积比介于I : I I : 4。
5.根据权利要求I所述的具有纳米结构的磊晶基板制作方法，其特征在于该第二溶液的温度不小于90°C。
6.根据权利要求I所述的具有纳米结构的磊晶基板制作方法，其特征在于该磊晶基板具有一个以氧化招、碳化娃、娃或氮化招为构成材料的基材，及一个形成于该基材表面，以氧化硅、氮氧化硅、氮化硅或氟化镁为构成材料的蚀刻层，该阻挡层是形成于该蚀刻层上，该蚀刻步骤是蚀刻该蚀刻层未被该阻挡层遮蔽的区域，令该蚀刻层形成与该阻挡层的图案对应的纳米结构。
7.根据权利要求I所述的具有纳米结构的磊晶基板制作方法，其特征在于所述氧化锌纳米颗粒的平均粒径介于100 500nm，且所述氧化锌纳米颗粒之间的平均间隙介于100 500nmo
8.一种发光二极管的制作方法，其特征在于该制作方法包含 (a)准备一个具有纳米结构的磊晶基板，该磊晶基板是经由一个阻挡层形成步骤、一个蚀刻步骤，及一个移除步骤而制得，该阻挡层形成步骤是将一个磊晶基板浸入一个具有锌氨错离子的第一溶液，接着将该磊晶基板自该第一溶液取出，并再将其浸入温度不高于35°C的水中，令经由该锌氨错离子水解析出的氢氧化锌沉积于该磊晶基板的表面，接着将该表面形成氢氧化锌的磊晶基板浸入一个含有水，且温度不小于80°C的第二溶液中，令该氢氧化锌脱水，而于该磊晶基板的表面形成一个由多个氧化锌纳米颗粒构成的阻挡层，该蚀刻步骤是以该阻挡层为蚀刻屏蔽，以干式蚀刻方式蚀刻该磊晶基板未被该阻挡层遮蔽的区域，于该磊晶基板形成具有与该阻挡层的氧化锌纳米颗粒所形成的图案对应的纳米结构，该移除步骤是将该阻挡层自该磊晶基板表面移除，即可得到该具有纳米结构的磊晶基板； (b)于该磊晶基板具有纳米结构的表面磊晶形成一个于接收电能时可发光的半导体发光单元；(C)形成一个可配合提供电能至该半导体发光单元的电极单元，即可完成该发光二极管的制作。
9.根据权利要求8所述的发光二极管的制作方法，其特征在于该第一溶液的pH值不大于10，且锌氨错离子的浓度不小于O. 1M。
10.根据权利要求9所述的发光二极管的制作方法，其特征在于该第一溶液的锌氨错离子浓度介于O. I O. 2M。
11.根据权利要求8所述的发光二极管的制作方法，其特征在于该第二溶液还具有乙二醇，且乙二醇和水的体积比介于I : I I : 4。
12.根据权利要求8所述的发光二极管的制作方法，其特征在于该第二溶液的温度不小于90。。。
13.根据权利要求8所述的发光二极管的制作方法，其特征在于该磊晶基板具有一个以氧化铝、碳化硅、硅，或氮化铝为构成材料的基材，及一个形成于该基材表面，以氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、或氟化镁为构成材料的蚀刻层，该阻挡层是形成于该蚀刻层上，该蚀刻步骤是蚀刻该蚀刻层未被该阻挡层遮蔽的区域，并令该蚀刻层形成与该阻挡层的图案对应的纳米结构。
14.根据权利要求8所述的发光二极管的制作方法，其特征在于所述氧化锌纳米颗粒的平均粒径介于100 500nm,且所述氧化锌纳米颗粒之间的平均间隙介于100 500nm。
全文摘要
一种具有纳米结构的磊晶基板制作方法，包含一阻挡层形成步骤，于该磊晶基板的表面形成一由多个氧化锌纳米颗粒构成的阻挡层，一蚀刻步骤，以该阻挡层为蚀刻屏蔽，利用干式蚀刻方式蚀刻该磊晶基板未被该阻挡层遮蔽的表面，于该磊晶基板形成具有与该阻挡层的氧化锌纳米颗粒所形成的图案对应的纳米结构，及一移除步骤，将该阻挡层自该磊晶基板表面移除，即可完成该具有纳米结构的磊晶基板制作。此外，本发明还提供一种发光二极管制作方法。
文档编号H01L33/00GK102856446SQ20111034956
公开日2013年1月2日 申请日期2011年11月8日 优先权日2011年6月28日
发明者罗信明, 许世昌 申请人:兆鑫光电科技股份有限公司