专利名称：半导体封装制程及其封装结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体封装制程及其封装结构，尤其涉及一种以共形涂层(Conformal coating)的方式形成突光层的半导体封装制程及其封装结构。
背景技术：
LED产业是近几年最受瞩目的产业之一，发展至今，LED产品已具有节能、省电、高效率、反应时间快、寿命周期时间长、且不含汞、具有环保效益等优点。然而由于LED结构的封装制程会直接影响到其使用性能与寿命，例如在光学控制方面，可以藉由封装制程提高出光效率以及优化光束分布。目前在LED芯片上以点胶方式设置掺混有荧光粉的封胶，虽然所述胶体与所述荧光粉是具有提高LED发光效率作用，但是由于所述的点胶方式较难控制所述封胶的形状及厚度，将会导致LED出光的色彩不一致，出现偏蓝光或者偏黄光。有关所述封胶的形状及厚度难以控制的问题，可通过以模造的方式解决，但是这样会增加制程以及成本。此外，所述荧光粉封胶直接涂布于LED芯片上，由于存在有光散射的问题会使出光效率较低。所以如何从半导体的封装制程中使出光的颜色更加均匀，需要持续进行研究改善。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种共形涂层的半导体封装制程及其封装结构。一种半导体封装制程，其包括以下的步骤；
提供一个基板，在所述基板上设置一个凹槽以及至少二个穿孔，
设置一个电路结构在所述凹槽内，所述电路结构包括一个第一电极以及一个第二电极，并通过所述穿孔在所述基板底面形成一个第一外部电极以及一个第二外部电极，
形成一个第一透明层在所述凹槽内，通过可移除的一个阻挡层在所述第一透明层形成一个凹部，并使所述凹部位于所述第一、二电极之间，
设置一个LED芯片在所述凹部，使所述LED芯片与所述电路结构达成电性连接，及形成一个封装层，所述封装层包括一个荧光层以及一个第二透明层，所述荧光层覆盖所述LED芯片，所述第二透明层覆盖所述荧光层。上述的半导体封装制程中，由于所述第一透明层的所述凹部形成在所述基板凹槽内的第一、二电极之间，所述LED芯片可以在所述凹部与所述电路结构达成电性连接，而且覆盖所述LED芯片的所述荧光层在所述凹部内设置，使所述荧光层具有共形涂层的结构，藉由共形涂层的所述荧光层结构使所述半导体封装元件出光颜色更加的均匀。
图1是本发明半导体封装制程的步骤流程图。图2是对应图1提供一个基板步骤的剖视图。图3是对应图1设置一个电路结构步骤的剖视图。
图4是对应图1形成一个第一透明层步骤的剖视图。图5是对应图1设置一个LED芯片步骤的剖视图。图6是对应图1形成一个封装层步骤的半导体封装结构的剖视图。主要元件符号说明
权利要求
1.一种半导体封装制程，其包括以下的步骤: 提供一个基板，在所述基板上设置一个凹槽以及至少二个穿孔， 设置一个电路结构在所述凹槽内，所述电路结构包括一个第一电极以及一个第二电极，并通过所述穿孔在所述基板底面形成一个第一外部电极以及一个第二外部电极， 形成一个第一透明层在所述凹槽内，通过可移除的一个阻挡层在所述透明层形成一个凹部，并使所述凹部位于所述第一、二电极之间， 设置一个LED芯片在所述凹部，使所述LED芯片与所述电路结构达成电性连接，及 形成一个封装层，所述封装层包括一个荧光层以及一个第二透明层，所述荧光层覆盖所述LED芯片，所述第二透明层覆盖所述荧光层。
2.如权利要求1所述的半导体封装制程，其特征在于:所述提供一个基板步骤中，所述基板包括一个顶面以及一个底面，所述凹槽设置在所述基板的顶面上，所述穿孔自所述凹槽内贯穿所述基板至所述底面。
3.如权利要求2所述的半导体封装制程，其特征在于:所述基板材料可以是陶瓷(Ceramic)材料或是娃(Si)材料。
4.如权利要求1所述的半导体封装制程，其特征在于:所述形成一个第一透明层在所述凹槽内步骤中，所述阻挡层为一个模具或是一个光阻层。
5.如权利要求1所述的半导体封装制程，其特征在于:所述形成一个第一透明层在所述凹槽内步骤中，所述第一透明层的高度小于或是等于所述阻挡层高度。
6.如权利要求1所述的半导体封装制程，其特征在于:所述形成一个第一透明层在所述凹槽内步骤中，所述第一透明层可以直接利用充压的方式形成所述凹部。
7.如权利要求1所述的半导体封装制程，其特征在于:所述设置一个LED芯片在所述凹部步骤中，所述LED芯片的电性连接以打线(Wire Bonding)、覆晶(Flip Chip)或是共晶(Eutectic)的方式达成。
8.如权利要求1所述的半导体封装制程，其特征在于:所述形成一个封装层步骤中，所述荧光层覆盖所述LED芯片的覆盖高度与所述第一透明层相同。
9.如权利要求1所述的半导体封装制程，其特征在于:所述形成一个封装层步骤中，所述第二透明层内可以再另外设置一个荧光层。
10.如权利要求1所述的半导体封装制程，其特征在于:所述形成一个封装层步骤中，所述第二透明层的折射率小于所述荧光层以及所述第一透明层的折射率。
11.一种半导体封装结构，包括一个基板、一个电路结构、一个第一透明层、一个LED芯片以及一个封装层，所述基板上具有一个凹槽以及至少二个穿孔，所述电路结构设置在所述凹槽内，所述电路结构包括一个第一电极以及一个第二电极，所述第一透明层设置在所述凹槽的底层，并在所述第一、二电极之间具有一个凹部，所述凹部内设置所述LED芯片，所述LED芯片与所述第一、二电极电性连接，所述封装层包括一个荧光层以及一个第二透明层，所述荧光层覆盖所述LED芯片，所述第二透明层覆盖所述荧光层。
12.如权利要求11所述的半导体封装结构，其特征在于:所述基板包括一个顶面以及一个底面，所述凹槽设置在所述基板的顶面上，所述穿孔自所述凹槽内贯穿所述基板至所述底面。
13.如权利要求11所述的 半导体封装结构，其特征在于:所述基板材料可以是陶瓷(Ceramic)材料或是娃(Si)材料。
14.如权利要求11所述的半导体封装结构，其特征在于:所述第一、二电极通过所述穿孔在所述基板底面形成一个第一外部电极以及一个第二外部电极。
15.如权利要求11所述的半导体封装结构，其特征在于:所述荧光层覆盖所述LED芯片的覆盖高度与所述第一透明层相同。
16.如权利要求11所述的半导体封装结构，其特征在于:所述第二透明层覆盖所述荧光层包含所述LED芯片以及 所述第一透明层。
全文摘要
本发明提供一种半导体封装制程及其封装结构，其包括以下的步骤；首先，提供一个基板，在所述基板上设置一个凹槽以及至少二个穿孔，接着，设置一个电路结构在所述凹槽内，所述电路结构包括一个第一电极以及一个第二电极，并通过所述穿孔在所述基板底面形成一个第一外部电极以及一个第二外部电极，然后，形成一个第一透明层在所述凹槽内，通过可移除的一个阻挡层在所述第一透明层形成一个凹部，并使所述凹部位于所述第一、二电极之间，然后，设置一个LED芯片在所述凹部，使所述LED芯片与所述电路结构达成电性连接，最后，形成一个封装层，所述封装层包括一个荧光层以及一个第二透明层，所述荧光层覆盖所述LED芯片，所述第二透明层覆盖所述荧光层。本发明并提供所述半导体封装结构。
文档编号H01L33/00GK103187489SQ20111045055
公开日2013年7月3日 申请日期2011年12月29日 优先权日2011年12月29日
发明者林厚德, 张超雄 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司