制绒太阳能电池硅片的制作方法

文档序号:6919406阅读:166来源:国知局
专利名称:制绒太阳能电池硅片的制作方法
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池,尤其是一种制绒太阳能电池硅片。
背景技术
普通的太阳能电池的制备工艺流程中第一步为清洗制绒,然后再进行后续的工艺,目的是降低电池表面对光的反射率,从而提高光的吸收率。其传统的制绒方法包括碱制绒、酸制绒,碱制绒和酸制绒方法为两面同时制绒,除此之外还有其他高效电池的特殊制绒方法,例如RIE制绒,光刻制绒等,这些方法可以形成一面制绒,但成本相对较高。
发明内容本实用新型要解决的技术问题是提供一种新型的制绒太阳能电池硅片。为了实现上述目的,本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是一种制绒太阳能电池硅片,包括硅片,所述的硅片是由上层的制绒层和下层的氮化硅膜复合而成。所述的氮化硅膜的厚度为5nm-200nm。本实用新型的有益效果是通过传统酸、碱制绒方法进行太阳能电池硅片的单面制绒效果更好,相对于RIE制绒和光刻制绒,成本更低。

图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
如图所示,制绒太阳能电池硅片,包括硅片1,所述的硅片1是由上层的制绒层2和下层的氮化硅膜3复合而成,所述的氮化硅膜3是氮化硅膜3,所述的氮化硅膜3的厚度为 5nm-200nmo实施例1 将硅片1放入碱制溶液中,根据硅各个晶面腐蚀的速度不同,碱制溶液对硅片的表面进行腐蚀,硅片1的上表面腐蚀出金字塔形,由于在硅片1的下表面具有氮化硅膜3作为阻挡层,所以就形成了单面硅片。实施例2将硅片1放入酸制溶液中,用硝酸、氢氟酸按照一定的配比配成溶液对硅片1的表面进行腐蚀,在硅片1的上表面形成不规则的凹坑,由于在硅片1的下表面具有氮化硅膜3 作为阻挡层,所以就形成了单面硅片。单面制绒后的硅片再经过常规扩散、去磷硅玻璃及刻边、印刷电极、烧结和电性能测试等步骤就可以形成成品。
权利要求1.制绒太阳能电池硅片,包括硅片(1),其特征在于所述的硅片(1)是由上层的制绒层( 和下层的氮化硅膜C3)复合而成。
2.根据权利要求1所述的制绒太阳能电池硅片,其特征在于所述的氮化硅膜(3)的厚度为 5nm-200nm。
专利摘要本实用新型公开了一种制绒太阳能电池硅片,包括硅片,所述的硅片是由上层的制绒层和下层的氮化硅膜复合而成。本实用新型的有益效果是通过传统酸、碱制绒方法进行太阳能电池硅片的单面制绒效果更好,相对于RIE制绒和光刻制绒,成本更低。
文档编号H01L31/0216GK202150462SQ201120288338
公开日2012年2月22日 申请日期2011年8月10日 优先权日2011年8月10日
发明者陈一鸣 申请人:温州索乐新能源科技有限公司
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