专利名称：用于晶体硅太阳能电池的背面电极结构的制作方法
技术领域：
本实用新型专利涉及一种电极结构，尤其涉及一种用于晶体硅太阳能电池的背面电极结构。
背景技术：
目前现有技术中的背面电极图形所占面积较大，单片消耗背面银导电浆料用量较大。现有的背面电极图形的可观赏性欠佳。中国专利CN20102(^8M48. X，公开是一种太阳能电池的图样化背面铝胶电极结构，设置在一太阳能电池的一基板的背面，所述图样化背面铝胶电极结构包括多个汇流电极及金属层。此结构采用传统整条式背极图形，提高了生产成本，美观性差。发明内容本实用新型主要是解决现有技术中存在的不足，提供一种结构简单，而且使用效果出色的用于晶体硅太阳能电池的背面电极结构。本实用新型的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的—种用于晶体硅太阳能电池的背面电极结构，包括硅片，所述的硅片的背面设有三行二列独立分布的背极图。将现有的整条式背电极图形重新设计为分段式背电极图形，每条分为三段。将三段式背电极均勻分布于太阳能电池背表面，相互独立，排列整齐。在保证太阳能电池及其组件电性能和焊接可操作性的同时，减少了太阳能电池背面导电银浆的单片耗量，每片电池背面银导电浆料消耗量降低了 35%左右，节约了大量的生产成本。在一定程度上增加了太阳能电池片背面的美观性。作为优选，所述的背极图的边缘均勻分布有向外延伸的触角。作为优选，所述的触角的宽度为0. 4mm，触角间的间距为0. 6mm。因此，本实用新型的用于晶体硅太阳能电池的背面电极结构，结构简单，降低生产成本，增加美观性。
图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
下面通过实施例，并结合附图，对本实用新型的技术方案作进一步具体的说明。实施例1 如图1所示，一种用于晶体硅太阳能电池的背面电极结构，包括硅片1， 所述的硅片1的背面设有三行二列独立分布的背极图2，所述的背极图2的边缘均勻分布有向外延伸的触角3，所述的触角3的宽度为0. 4mm，触角3间的间距为0. 6mm。
权利要求1.一种用于晶体硅太阳能电池的背面电极结构，其特征在于包括硅片(1)，所述的硅片(1)的背面设有三行二列独立分布的背极图(2)。
2.根据权利要求1所述的用于晶体硅太阳能电池的背面电极结构，其特征在于所述的背极图(2)的边缘均勻分布有向外延伸的触角(3)。
3.根据权利要求2所述的用于晶体硅太阳能电池的背面电极结构，其特征在于所述的触角(3)的宽度为0. 4mm，触角(3)间的间距为0. 6mm。
专利摘要本实用新型专利涉及一种背面电极结构，尤其涉及一种用于晶体硅太阳能电池的背面电极结构。包括硅片，所述的硅片的背面设有三行二列独立分布的背极图。用于晶体硅太阳能电池的背面电极结构结构简单，降低生产成本，增加美观性。
文档编号H01L31/0224GK202189799SQ20112030375
公开日2012年4月11日 申请日期2011年8月19日 优先权日2011年8月19日
发明者冯志强 申请人:浙江舒奇蒙光伏科技有限公司