光电子半导体器件的制作方法

专利名称：光电子半导体器件的制作方法
技术领域：
说明一种光电子半导体器件。

发明内容
要解决的任务在于，说明一种显现为黑色的光电子半导体器件。根据光电子半导体器件的至少一个实施方式，该光电子半导体器件包括载体，所述载体具有上侧和与上侧相对的下侧。该载体可以是印刷电路板或金属载体框(引线框)。同样可以设想，该载体是柔性的并且例如构造为薄膜。该载体可以利用例如金属的导电材料和/或例如热固性和/或热塑性材料和/或陶瓷材料的电绝缘材料构成。在上侧和下侧处分别构造通过载体的外面的一部分构成的面。下侧处的面是载体外面的在载体的安装状态下朝向接触载体(例如印刷电路板)的部分。例如，载体下侧处的面是可以用于安装光电子半导体器件的安装面。根据至少一个实施方式，光电子半导体器件包括至少一个布置在上侧处的发射辐射的半导体部件，其具有辐射出射面，其中在该半导体部件运行中所产生的电磁辐射的至少一部分通过所述辐射出射面离开该半导体部件。发射辐射的半导体部件可以是发射辐射的半导体芯片。例如，半导体芯片是荧光二极管芯片。荧光二极管芯片可以是发光二极管芯片或激光二极管芯片。根据至少一个实施方式，光电子半导体器件包括吸收辐射的层，所述吸收辐射的层被设立用于这样吸收射到器件上的环境光，使得器件的背离载体的外面至少局部地显现为黑色。例如为此如诸如炭黑颗粒或其它吸收辐射的颗粒之类的吸收辐射的粒子或纤维被引入到吸收辐射的层中。例如，器件的背离载体的外面至少局部地通过吸收辐射的层本身构成。根据至少一个实施方式，吸收辐射的层在横向方向上完全包围发射辐射的半导体部件并且至少局部地与发射辐射的半导体部件的侧面直接接触。在“横向方向”上在此情况下意味着平行于载体的主延伸方向的方向。例如，在对半导体器件的外面的俯视图中，外面直至辐射出射面为止显现为黑色。根据至少一个实施方式，辐射出射面无吸收辐射的层。“无(Frei)”也就是说，辐射出射面既不被吸收辐射的面覆盖，吸收辐射的层例如也不沿着发射辐射的半导体部件的辐射出射路径布置在半导体部件之后。至多可能的是，由制造决定地仍有吸收辐射的层的材料剩余部分位于辐射出射面上，但是所述材料剩余部分覆盖辐射出射面至多10%，优选地至多5%。根据至少一个实施方式，光电子半导体器件包括载体，所述载体具有上侧和与上侧相对的下侧。在上侧处布置至少一个发射辐射的半导体部件，其具有辐射出射面，其中在该半导体部件运行中所产生的电磁辐射的至少一部分通过所述辐射出射面离开该半导体部件。另外，光电子半导体器件还包括吸收辐射的层，所述吸收辐射的层被设立用于这样吸收射到器件上的环境光，使得器件的背离载体的外面至少局部地显现为黑色。吸收辐射的层在横向方向上完全包围发射辐射的半导体部件并且至少局部地与发射辐射的半导体部件的侧面直接接触。另外，辐射出射面无吸收辐射的层。这里所述的光电子半导体器件的特征在于在辐射出射面和器件的外面的剩余部分之间的高视亮度对比度并且从而适用于例如在显示设备中使用。此外，可以避免例如在器件中所安装的光学系统的电磁辐射返回到器件的发射辐射的半导体部件的方向上的干扰性反向反射。根据至少一个实施方式，半导体器件的外面至少局部地通过吸收辐射的层的外面构成。吸收辐射的层向外限制半导体器件并且尤其是不布置在外壳的腔中和尤其是本身构成外壳的一部分。在此，吸收辐射的层的侧面可以与载体的层面齐平地端接，其中吸收辐射的层也可以构成半导体器件的背离载体的表面。根据至少一个实施方式，吸收辐射的层是浇注件，所述浇注件至少局部地形状配合地包裹半导体器件的侧面。“形状配合地”就此而言意味着，在吸收辐射的层和半导体部件的侧面之间既不形成空隙也不形成中断。优选地，吸收辐射的层和侧面相互直接接触。例如，吸收辐射的层借助于半导体部件的浇注和接着的硬化被施加到载体上。“至少局部地”在此可以意味着，吸收辐射的层形状配合地包裹半导体部件的侧面仅直至一定的填充高度。由此可能的是，半导体部件本身在其侧面处被吸收辐射的层完全遮盖。也即半导体部件的侧面完全地或直至可预先确定的高度部分地被吸收辐射的层覆盖。根据至少一个实施方式，吸收辐射的层在垂直方向上不超出所述半导体部件。“在垂直方向上”表不垂直于横向方向的方向。例如，吸收福射的层在横向方向上与所述半导体部件的辐射出射面齐平地端接。于是例如半导体部件的外面通过吸收辐射的层的背离载体的外面和半导体部件的辐射出射面构成。例如，发射辐射的半导体部件利用发射辐射的半导体芯片和在其主辐射方向上布置在该半导体芯片之后的转换元件构成。所述转换元件可以用于至少部分地将由发射辐射的半导体芯片发射的电磁辐射转换成其它波长范围的电磁辐射。在该情况下，辐射出射面可以通过转换元件的背离载体的外面构成。根据至少一个实施方式，在垂直方向上在载体和吸收辐射的层之间布置反射辐射的层，所述反射辐射的层局部地覆盖半导体部件的侧面。“反射辐射的”尤其是意指，反射辐射的层对于射到该反射辐射的层上的光至少80%、优选超过90%是反射性的。例如，反射辐射的层对于反射辐射的层的外部观察者而言显现为白色。为此例如在反射辐射的层中引入反射福射的颗粒，所述反射福射的颗粒例如利用材料Ti02、BaSo4、ZnO或者AlxOy中的至少一种构成或者包含上述材料中的至少一种。优选地，在对半导体器件的外面的俯视图中，反射层完全被吸收辐射的层遮盖。换句话说，对于外部观察者而言，反射辐射的层在对半导体器件的外面的俯视图中不再可识别和/或可察觉。有利地，在半导体部件内产生的和经由侧面射出的电磁辐射至少部分地通过反射辐射的层被反射回半导体部件中并且例如向辐射出射面的方向偏转。因此在半导体部件内产生的电磁辐射的尽可能大的分量被反射到辐射出射面的方向上并且然后可以从半导体器件中经由半导体部件的辐射出射面耦合输出。换句话说，在半导体器件中反射辐射的层的反射特性与吸收辐射的层的对比度产生特性相组合，以便一方面能够从该器件中耦合输出尽可能多的电磁辐射，而另一方面提高对比度。根据至少一个实施方式，总共由半导体部件发射的电磁辐射的至少20%通过侧面从半导体部件射出并且至少部分地通过反射辐射的层反射。该半导体部件因此是所谓的体积发射器，其中由所述体积发射器所产生的电磁辐射不仅经由其背离载体的主面而且附加地至少部分地经由其侧面从所述体积发射器射出。已经令人惊讶地表明，尽管半导体部件同样经由其侧面发射电磁辐射，但是借助用这里所述的反射辐射的层可以特别有效地提高辐射耦合输出效率。“辐射耦合输出效率”在此是从半导体器件中经由其辐射出射面耦合输出的发光能量与初始在半导体部件中所产生的发光能量的比例。根据至少一个实施方式，至少局部地将辐射可穿透的层施加到吸收辐射的层的背离载体的外面上和/或施加到辐射出射面上。“辐射可穿透的”就此而言意指，该层对于射到该层上的电磁辐射来说至少80%、优选超过90%是可穿透的。在该情况下，半导体器件的外面可以至少局部地通过辐射可穿透的层的背离载体的外面构成。在对半导体器件的外面的俯视图情况下，从外面例如仅可识别出吸收辐射的层和/或半导体部件的辐射出射面。换句话说，辐射可穿透的层的外面对于外部观察者而言由于位于其下的吸收辐射的层而至少局部地显现为黑色。例如，辐射可穿透的层利用硅树脂构成，所述硅树脂至少部分地被氧化(也称为玻璃化)。例如辐射可穿透的层的外面至少部分地被氧化。有利地，可以通过对辐射可穿透的层至少部分地进行氧化来减小辐射可穿透的层的外面的粘性。如此例如可以避免不希望的外部颗粒(例如灰尘颗粒)保持粘附和/或粘接在辐射可穿透的层的外面处。根据至少一个实施方式，光电子半导体器件的载体具有至少一个连接部位。例如，该连接部位局部地构成载体的上侧处的面。根据至少一个实施方式，光电子半导体器件包括布置在载体的连接部位的至少一个上方的至少一个层开口，所述层开口完全穿过吸收辐射的层并且从吸收辐射的层的背离载体的上侧朝着载体的下侧的方向延伸。例如，层开口具有至少一个侧面。开口的该至少一个侧面至少局部地通过吸收辐射的层构成。“在…上方”就此而言意指，连接部位和层开口在垂直方向上至少局部地重叠。在连接部位与层开口重叠的部位处，连接部位至少局部地无吸收辐射的层的材料。例如，连接部位可以经由吸收辐射的层中的层开口从外部被电接触。根据至少一个实施方式，层开口在横向方向上与半导体部件相间隔地布置。也就是说，层开口布置在半导体部件的侧向上并且例如垂直于或基本上垂直于横向方向地伸展。根据至少一个实施方式，在层开口中至少局部地布置导电材料。该导电材料例如利用金属或能导电的粘合剂构成。例如，该导电材料完全填充层开口。根据至少一个实施方式，所述导电材料至少局部地布置在器件的背离载体的外面上。如果例如吸收辐射的层本身的背离载体的外面至少局部地构成器件的外面，则该导电材料可以至少局部地布置在吸收辐射的层的外面上并且与该外面在这些部位处直接接触。相应地适用于以下情况:辐射可穿透的层的背离载体的外面至少局部地构成器件的外面。根据至少一个实施方式，所述导电材料将连接部位与半导体部件导电地连接。也就是说，该导电材料将半导体部件与层开口连接并且在此在横向方向上在半导体部件和层开口之间至少局部地在器件的外面上伸展。
根据至少一个实施方式，借助于贯通接触部利用在载体的与上侧相对的下侧处的接触面建立在连接部位与载体的上侧处的另一连接部位之间的至少一个导电连接。在此，贯通接触部贯穿载体地延伸并且在侧向上被载体包围。借助于在载体的下侧处的接触面，光电子半导体器件例如可以借助于表面安装技术(也称为SMT)安装。根据至少一个实施方式，层开口附加地完全穿过反射辐射的层和/或辐射可穿透的层。在该情况下，层开口的所述至少一个侧面附加地局部地通过吸收辐射的层或反射辐射的层构成。根据至少一个实施方式，光电子半导体器件包括至少两个在载体的上侧处在横向方向上并排布置的发射辐射的半导体部件，其中发射辐射的半导体部件中的至少两个发射不同颜色的光。例如，光电子半导体器件包括发射蓝色光的发射辐射的半导体部件和发射黄色光的发射辐射的半导体部件。同样，根据对光电子半导体器件所提出的照明要求也可设想发射辐射的半导体器件的、可以发射不同颜色光的任意其它组合。有利地，发射不同颜色的半导体器件可以以可变的布置彼此节省空间地和紧凑地布置在一个共同的载体上。根据至少一个实施方式，半导体部件的接合线接触部至少局部地由吸收辐射的层覆盖。接合线接触部将连接部位与半导体部件例如借助于接合线电连接。例如，接合线接触部完全地由吸收辐射的层覆盖。换句话说，于是接合线接触部完全地在吸收辐射的层内伸展。在该情况下，接合线接触部的接合线不伸出半导体部件。根据至少一个实施方式，光电子半导体器件包括至少一个布置在载体的上侧处并且完全地由吸收辐射的层覆盖的电子部件。换句话说，在对半导体器件的外面的俯视图情况下，对于外部观察者而言该电子部件不再可识别。例如，该电子部件以与半导体部件相同的方式被电接触。也就是说，该电子部件可以同样经由接合线接触部和/或经由引入到吸收辐射的层中的层开口被接触，在所述层开口中至少局部地布置导电材料。例如，电子部件包含防止由静电充电引起的破坏的保护电路(也称为ESD保护电路)或者就是防止由静电充电引起的破坏的保护电路。根据至少一个实施方式，所述导电材料局部地直接邻接吸收辐射的层。例如，该导电材料在此局部地在吸收辐射的层的背离载体的外面处伸展并且在那里部分地对该外面进行覆盖。在此，尤其可能的是，该导电材料利用辐射可穿透的材料，例如TCO (透明导电氧化物(Transparent Conductive Oxide))构成。作为福射可穿透的材料在此尤其是考虑ITO或ΖΝ0。由于对于该导电材料使用辐射可穿透的材料，吸收辐射的层的吸收辐射的作用未被降低。根据至少一个实施方式，所述导电材料可以是辐射可穿透的，尤其是清澈的(klarsichtig)和透明的。


下面根据实施例和附图更详细地阐述这里所述的光电子半导体器件。图1A、1B、1C、1D、2A、2B、2C、2D、2E、3A、3B、3C、3D、4A 和 4B 以示意性视图示出这里所述的光电子半导体器件的不同实施例。在所述实施例中和在图中，相同的或作用相同的组成部分分别配备有相同的附图标记。所示的元件不应被看作是按比例的，更确切地各个元件为了更好的理解可以不同大小地示出。
具体实施方式
图1A在示意性剖面图中示出这里所述的光电子半导体器件100的实施例。半导体器件100的载体I具有上侧11以及与上侧11相对的下侧12。例如，载体I利用塑料材料和/或陶瓷材料构成。另外，载体I在其上侧11处具有连接部位13。以一排在横越方向(Querrichtung) LI (参见图1B和1C)中发射福射的半导体部件2的形式分别利用半导体部件2的两个分别相对的主面之一施加到载体I的在横向方向L上分别布置在连接部位13旁边的连接部位2A上。该横越方向LI在此与载体I的主延伸方向平行地以及与横向方向L成直角地伸展。每个发射辐射的半导体部件2借助于接合线接触部9与分配给发射辐射的半导体部件2的连接部位13电接触。另外，载体I在其下侧12处具有在横向方向L上并排布置的接触面14A和14B。在接触面14A、14B与载体I的上侧11处的连接部位13、2A之间的导电连接借助于贯通接触部15来建立。换句话说，贯通接触部15从载体I的上侧11出发连贯地向载体I的下侧12的方向延伸。在此，接触面14A用于电接触分别分配给其的连接部位13，而接触面14B用于电接触分别分配给其的连接部位2A。如果载体I利用其接触面14A、14B被施加在接触载体上，则光电子半导体器件100可以经由接触面14A、14B被电接触。于是光电子半导体器件100是可表面安装的。另外，每个发射辐射的半导体部件2均具有辐射出射面6，在发射辐射的半导体部件2运行中所产生的电子辐射的至少一部分通过所述辐射出射面离开半导体部件2。辐射出射面6是发射辐射的半导体部件2的背离载体I的主面。发射辐射的半导体部件2的侧面23将两个主面相互连接并且与两个主面成直角地或者基本上成直角地伸展。另外，光电子半导体器件100包括完全地和形状配合地覆盖半导体部件2的侧面23的吸收辐射的层3。当前，吸收辐射的层3是浇注件，其例如借助于对半导体部件2的浇注而被施加到载体I的上侧11处的面IlA上。在此，辐射出射面6无吸收辐射的层3，其中吸收辐射的层3在横向方向L上完全地包围发射辐射的半导体部件2。吸收辐射的层3可以利用基质材料构成，吸收辐射的颗粒(例如炭黑颗粒)被引入到所述基质材料中。吸收辐射的层因此显现为黑色。例如，该基质材料是硅树脂、环氧树脂或者硅树脂和环氧树脂的混合物。另外，吸收辐射的层3在垂直方向V上不超出半导体部件2。换句话说，吸收辐射的层3在横向方向L上与半导体部件2的辐射出射面6齐平地端接。辐射可穿透的层4被完全地施加在吸收辐射的层3的背离载体I的外面31上和施加到辐射出射面6上。例如，辐射可穿透的层4利用例如硅树脂、环氧树脂或硅树脂和环氧树脂的混合物的基质材料构成。光电子半导体器件100的外面101完全地通过辐射可穿透的层4的背离载体I的外面33构成。另外，从图1A可识别出，接合线接触部9完全地在吸收辐射的层3和辐射可穿透的层4内伸展。换句话说，接合线接触部9不伸出光电子半导体器件100。这种半导体器件100因此是特别紧凑的并且可被简单地操纵。图1B以对半导体器件100的外面101的示意性俯视图示出在图1A中所述的半导体器件100。可识别出三个发射辐射的半导体部件2，它们当前布置成一排。发射辐射的半导体部件2中的每一个发射不同颜色的光。例如，一个发射辐射的半导体部件2发射红光，一个发射辐射的半导体部件2发射绿光和另一发射辐射的半导体部件2发射蓝光。
图1C示出在图1A和IB中所述的半导体器件100的示意性电路图。可识别出各个发射辐射的半导体部件2可以分别被单独接触地和彼此分开地经由分配给它们的连接部位13操控。换句话说，可以向每个发射辐射的半导体部件2中与剩余的发射辐射的半导体部件2分开地注入分别具有可预先给定的大小的电流或/和运行电压。图1D以示意性透视视图示出在图1A至IC中所述的光电子半导体器件100。再次可识别出载体I和施加到载体I的上侧11处的面IlA上的吸收辐射的层3。另外，从图1D可以识别出辐射可穿透的层4，其完全地被施加到吸收辐射的层3的外面31上和半导体器件2的辐射出射面6上。图2A至2E以示意性视图示出这里所述的光电子半导体器件100的另一实施例。图2A以示意性剖面图的方式示出这里所述的光电子半导体器件100的另一实施例。在图2A至2E中所示的实施例情况下放弃如在图1A至ID中所示的接合线接触部9。代替地如下进行发射辐射的半导体部件2的接触:
在垂直方向V上在载体I的连接部位13上方分别布置层开口 32，所述层开口从辐射可穿透的层4的背离载体I的外面23朝着载体I的下侧12的方向完全地穿过辐射可穿透的层4以及穿过吸收辐射的层3延伸。在此，层开口 32分别在横向方向L上与分配给其的发射辐射的半导体部件2有间隔地布置。在层开口 32的每一个中布置导电材料7，所述导电材料完全填充层开口 32。在此，导电材料7从层开口 32出发在半导体器件100的外面101上朝着分别分配给半导体部件2的半导体部件2的方向伸展。导电材料7经由在垂直方向V上在半导体部件2的接触面2B上方引入到辐射可穿透的层4中的另外的层开口 32A电接触发射辐射的半导体部件
2。换句话说，导电材料7将连接部位13导电地与分配给其的半导体部件2连接。在此，导电材料7在横向方向L上在连接部位13和分配给这些连接部位的发射辐射的半导体部件2之间直接地和连贯地布置在外面101上。有利地，可以借助于半导体部件2的这里所述的接触实现在横向方向L上相邻地布置的半导体部件2的最小间距。这导致紧凑的和节省空间的光电子半导体器件100。在图2B中以对外面101的示意性俯视图示出在图2A中所述的半导体器件100。该半导体器件100总共包括四个发射辐射的半导体部件2。另外，从图2B可以得知，半导体部件2以2x2矩阵形式、也就是说因此以行和列的形式布置并且当前包括2个发射绿光的半导体部件2、一个发射红光的半导体部件2和一个发射蓝光的半导体部件。在此，两个发射绿光的半导体部件2以对角线相对(也即拜耳模式)。同样，半导体部件2的任意其它布置是可能的。可设想的线性布置或三角形布置(如果涉及三个半导体部件2)，如在图1A至ID中所示。同样在所有这里所述的实施方式中可以使用全部发射相同颜色的半导体部件2。图2C和2D示出在图2A和2B中所示的光电子半导体器件100的两个不同的示意性电路图。可以看出，半导体器件100包括一个唯一的接触面14B和分别分配给半导体部件2的、也即当前总共四个接触面14A。换句话说，该一个唯一的接触面14B对于所有发射辐射的半导体部件2构成第一电接触件，而四个接触面14A对于发射辐射的半导体部件2分别构成另外的电接触件。在此，在图2C中对接触面14B这样接线，使得所述接触面在外部电接触下构成共同的阴极，而在图2D中接触面14B在外部接触下构成所有发射辐射的半导体部件2的共同的阳极。也就是说，与在图1A至ID中所示的半导体器件100不同地，发射辐射的半导体部件2经由该一个共同的接触面14B (或者以阳极的形式或者以阴极的形式)全部共同地被电接触和可被操控。图2E以示意性透视俯视图示出在图2A至2D中所述的光电子半导体器件100。再次可以识别出矩阵式布置的光电子半导体部件2，它们分布经由导电材料7导电地接触。在图3A至3D中以示意性视图示出这里所述的光电子半导体器件100的另一实施例。图3A以示意性剖视图示出如何将光电子半导体部件2施加到载体I的上侧11处的面IlA上。当前，光电子半导体部件2利用发射辐射的半导体芯片26构成，其中转换元件25被施加到发射辐射的半导体芯片26的背离载体I的外面上。转换元件25用于至少部分地将由发射辐射的半导体芯片26发射的电磁辐射转换成另一波长范围的电磁辐射。发射辐射的半导体部件2的侧面23通过发射辐射的半导体芯片26的侧面和转换部件25的侧面构成。半导体部件2的辐射出射面6因此是转换元件25的背离载体I的外面。与在图1A至ID中所示的光电子半导体器件100不同地，放弃辐射可穿透的层4。换句话说，光电子半导体器件100的外面101完全通过吸收辐射的层3的外面31和辐射出射面6构成。吸收辐射的面3在垂直方向V上不超出半导体部件2并且在横向方向L上与半导体部件2的辐射出射面6齐平地端接。另外，接合线接触部9完全地在吸收辐射的层3内伸展并且由该吸收辐射的层3围绕。在图3B中以沿着横向方向L的另一示意性剖面图示出在图3A中所示的光电子半导体器件100。可以识别出，电子部件20被施加到上侧11处的面IlA上并且借助于另外的接合线接触部91与发射辐射的半导体芯片26例如反并联地电接线。在此，电子部件20以及所述另外的接合线接触部91完全地被吸收辐射的层3覆盖。换句话说，电子部件20从外不能再被识别出。图3C以对面12A的示意性仰视图示出在图3A和3B中所述的光电子半导体器件100及其接触面14A和14B。另外，在图3D中在对光电子半导体器件100的外面101的示意性俯视图中可以识别出，除了辐射出射面6之外外面101的剩余部分显现为黑色。换句话说，在该情况下，半导体器件100的外面101仅在转换元件25的位置处显现为彩色，因为转换元件25在被环境光照射时可以再发射彩色光。在图4A和4B中以示意性视图示出了这里所述的光电子半导体器件100的另一实施例。在此，从图4A中在对半导体器件100的外面101的这里所示的示意性俯视图中可以识别出，外面101通过吸收辐射的层3的外面31和发射辐射的半导体部件2的辐射出射面6构成。在此，辐射出射面6又通过转换元件25的背离载体I的外面构成。不过，与前示的实施例不同，代替接合线接触部9或分配给发射辐射的半导体部件2的唯一层开口 32，借助于两个引入到吸收辐射的层3中的另外的层开口 32A对发射辐射的半导体部件2进行电接触。为了电接触，发射辐射的半导体部件2具有两个接触面2B，两个另外的层开口 32A经由所述两个接触面2B被引入到转换元件25中。另外，借助于导电材料7分别在层开口32和分配给层开口 32的另外的层开口 32A之间建立导电连接。发射辐射的半导体部件2的接触部除了上面所述的不同之处之外以与在图2A至2E中所示的实施例情况下相同的方
式伸展。从图4B中在光电子半导体器件100的这里所示的示意性剖视图中可以识别出，在垂直方向V上在吸收辐射的层3和载体I之间设置反射辐射的层5。反射辐射的层5局部地覆盖半导体部件2的侧面23。侧面23的未被反射辐射的层5覆盖的部位被吸收辐射的层3覆盖。当前，总共由发射辐射的半导体部件2发射的电磁辐射的至少20%通过侧面23从发射辐射的半导体部件2射出并且通过反射辐射的层5至少部分地被反射回到半导体部件2中并且例如向辐射出射面6的方向偏转。换句话说，在图4A和4B中所示的半导体部件2是体积发射器。本发明不受到根据实施例的描述的限制。更确切地，本发明获得每个新的特征以及特征的每种组合，这尤其是包含权利要求中的特征的每种组合，即使该特征或者该组合本身未明显地在权利要求中或在实施例中予以说明。本专利申请要求德国专利申请10 2010 046 254.3的优先权，其公开内容通过回
引结合于此。
权利要求
1.一种光电子半导体器件(100)，包括: -载体(I )，所述载体具有上侧(11)和与上侧(11)相对的下侧(12); -至少一个布置在上侧(11)处的具有辐射出射面(6)的发射辐射的半导体部件(2)，在该半导体部件(2)运行中所产生的电磁辐射的至少一部分通过所述辐射出射面离开该半导体部件(2)，和 -吸收辐射的层(3)，所述吸收辐射的层被设立用于吸收射到器件(100)上的环境光，使得该器件(100)的背离载体(I)的外面(101)至少局部地显现为黑色，其中 -吸收辐射的层(3)在横向方向(L)上完全包围发射辐射的半导体部件(2)并且至少局部地与发射辐射的半导体部件(2)的侧面(23)直接接触，和 -辐射出射面(6)无吸收辐射的层(3)。
2.根据前述权利要求所述的光电子半导体器件(100)，其中该半导体器件的外面(101)至少局部地通过吸收辐射的层(3)的外面(31)构成。
3.根据前述权利要求之一所述的光电子半导体器件(100)，其中吸收辐射的层(3)是浇注件，所述浇注件至少局部地形状配合地包裹半导体部件(2)的侧面(23)。
4.根据前述权利要求之一所述的光电子半导体器件(100)，其中吸收辐射的层(3)在垂直方向(V)上不超出半导体部件(2)。
5.根据前述权利要求之一所述的光电子半导体器件(100)，其中在垂直方向(V)上在载体(I)和吸收辐射的层(3)之间布置反射辐射的层(5)，所述反射辐射的层局部地覆盖半导体部件(2)的侧面。
6.根据前述权利要求之一所述的光电子半导体器件(100)，其中总共由半导体部件(2)发射的电磁辐射的至少20%通过侧面(23)从半导体部件(2)射出并且至少部分地通过反射辐射的层(5)反射。
7.根据前述权利要求之一所述的光电子半导体器件(100)，其中至少局部地将辐射可穿透的层(4)施加到吸收辐射的层(3)的背离载体(I)的外面(31)上和/或辐射出射面(6)上。
8.根据前述权利要求之一所述的光电子半导体器件(100)，具有 -布置在载体(I)的至少一个连接部位(13)上方的至少一个层开口(32)，所述至少一个层开口完全穿过吸收辐射的层(3)并且从吸收辐射的层(3)的背离载体(I)的上侧(31)朝着载体(I)的下侧(12)的方向延伸，其中 -层开口(32)在横向方向(L)上与半导体部件(2)有间隔地布置， -在层开口(32)中至少局部地布置导电材料(7)， -导电材料(7 )至少局部地布置在器件(100 )的背离载体(I)的外面(101)上，和 -导电材料(7)将连接部位(13)与半导体部件(2)导电地连接。
9.根据前述权利要求之一所述的光电子半导体器件(100)，其中借助于贯通接触部(15)利用在载体(I)的与上侧(11)相对的下侧(12)处的接触面(14A，14B)建立在连接部位(13)与载体(I)的上侧处的另外的连接部位(2A)之间的至少一个导电连接。
10.根据前述权利要求之一所述的光电子半导体器件(100)，其中层开口(32)附加地完全穿过反射辐射的层(5)和/或辐射可穿透的层(4)。
11.根据前述权利要求之一所述的光电子半导体器件(100)，具有至少两个在载体(I)的上侧(11)处在横向方向(L)上并排布置的发射辐射的半导体部件(2)，其中至少两个所述发射辐射的半导体部件(2)发射不同颜色的光。
12.根据前述权利要求之一所述的光电子半导体器件(100)，其中半导体部件(2)的接合线接触部(9)至少部分地由吸收辐射的层(3)覆盖。
13.根据前述权利要求之一所述的光电子半导体器件(100)，具有至少一个布置在载体(I)的上侧(11)处并且完全被吸收辐射的层(3 )覆盖的电子部件(20 )。
14.根据前述权利要求之一所述的光电子半导体器件(100)，其中导电材料(7)局部地直接邻接吸收辐射的层(3 )。
15.根据前述权利要求之一所述的光电子半导体器件(100)，其中导电材料(7)是辐射可穿透的，尤其是清澈的和 透明的。
全文摘要
说明了一种光电子半导体器件(100)，包括-载体(1)，所述载体具有上侧(11)和与上侧(11)相对的下侧(12)；-至少一个布置在上侧(11)处的具有辐射出射面(6)的发射辐射的半导体部件(2)，在半导体部件(3)运行中所产生的电磁辐射的至少一部分通过所述辐射出射面离开该半导体部件(2)，和-吸收辐射的层(3)，所述吸收辐射的层被设立用于吸收射到器件(100)上的环境光，使得器件(100)的背离载体(1)的外面(101)至少局部地显现为黑色，其中-吸收辐射的层(3)在横向方向(L)上完全包围发射辐射的半导体部件(2)并且至少局部地与发射辐射的半导体部件(2)的侧面(23)直接接触，和-辐射出射面(6)无吸收辐射的层(3)。
文档编号H01L25/16GK103210510SQ201180056021
公开日2013年7月17日 申请日期2011年9月21日 优先权日2010年9月22日
发明者M.施奈德, J.拉姆亨, M.维特曼 申请人:奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司