专利名称：半导体器件和制造半导体器件的方法
技术领域：
本文所述实施方案涉及半导体器件和制造所述半导体器件的方法。
背景技术：
在氮化物半导体中所包括的包括GaN、AIN、InN的材料和这些材料的混合晶体具有宽的带隙并用于高输出电子器件、短波长发光器件等。场效应晶体管(FET)，例如高电子迁移率晶体管(HEMT)用于高输出高效率的放大器或高功率的开关器件等。在包括具有AlGaN的电子供给层和具有GaN的电子传输层的HEMT中，由于AlGaN和GaN之间晶格常数的差异，所以在AlGaN中可产生应变并且可产生压电极化。由于通过压电极化产生高浓度二维电子气，所以可提供高输出器件。 在用于高输出高效率的放大器、高功率开关器件等中的HEMT中，可对其施加常闭，HEMT可具有高的击穿电压。为了实现常闭运行，将位于栅电极下的半导体层的一部分移除以形成栅极凹陷。在栅极凹陷结构中，阈值电压变为正的而没有增加电极之间的电阻。为了获得高的漏极击穿电压和高的栅极击穿电压，在具有横向结构的FET或HEMT中，使用包括栅极绝缘膜的金属绝缘体半导体(MIS)结构。栅极凹陷结构和MIS结构可应用于包括GaN基半导体材料的HEMT中。例如，日本专利公开号2002-359256、2007-19309和2009-76845公开了相关内容。在具有栅极凹陷结构和MIS结构的半导体器件中，通过例如蚀刻移除通过外延生长等形成的半导体层的一部分，并且在该经蚀刻的部分上可形成绝缘膜。因此，蚀刻可使半导体器件受损。此外，制造工艺可变得复杂，所以制造的半导体的成本可增加。
发明内容
根据实施方案的一个方面，一种半导体器件包括在衬底上设置的半导体层；通过氧化半导体层的一部分形成的绝缘膜；和在绝缘膜上设置的电极，其中所述绝缘膜包括氧化镓、或氧化镓和氧化铟。上述半导体器件的制造工艺得到简化，使得以低的成本提供半导体器件。本发明的附加优势和新的特征将在后续的描述中得到部分地阐述，并且本领域技术人员在研究了下述内容或在通过实施本发明来获悉时将部分地变得更加明了。
图I示出一个示例性的半导体器件；图2A至21示出一种制造半导体器件的示例性的方法；图3示出示例性的超临界水的特性；图4示出一个示例性的半导体器件；图5示出示例性的分立封装的半导体器件；图6示出一个示例性的电源装置；和
图7示出一个示例性的高频放大器。
具体实施例方式在实施方案中，利用相同的附图标记指定基本相同的构件等，并且可省略或减少对那些构件的描述。图I示出一个示例性的半导体器件。图I示出的半导体器件可包括称作HEMT的晶体管。该半导体器件包括包括电子传输层21、间隔物层22、电子供给层23和盖层24的半导体层，所述半导体层设置在缓冲层20 上，缓冲层20形成在与半导体等对应的衬底10上。所述半导体层通过外延生长例如金属有机气相外延(MOVPE)形成。提供与电子供给层23相连的源电极42和漏电极43。在电子传输层21的其中形成栅电极41的区域上提供相当于栅极绝缘膜的绝缘膜30。在绝缘膜30上提供栅电极41。源电极42和漏电极43可与电子传输层21相连。可提供包括绝缘体的保护膜以覆盖盖层24。衬底10可为Si衬底、SiC衬底、蓝宝石(Al2O3)衬底等中的任一种。例如，当Si衬底用作衬底10时，可提供缓冲层20。当使用除了硅之外的材料作为衬底10时，可不提供缓冲层20。电子传输层21可由i-GaN构成。间隔物层22可为i_AlGaN。电子供给层23可由n-AlGaN构成。盖层24可为n_GaN。在电子传输层21的电子供给层23侧上产生二维电子气(2DEG)21a。栅电极41、源电极42和漏电极43可包括金属材料。相当于栅极绝缘膜的绝缘膜30通过氧化间隔物层22、电子供给层23和盖层24形成。例如，通过氧化对应于间隔物层22的i-AlGaN、对应于电子供给层23的n-AlGaN和对应于盖层24的n_GaN，形成Ga2O3和Al2O3。Ga2O3和Al2O3可对应于绝缘膜30。或者，可氧化电子供给层23和盖层24。或者，可仅仅氧化盖层24。半导体层可包括GaN和AlGaN。或者，半导体层可包括氮化物半导体例如InAlN或InGaAIN。相当于栅极绝缘膜的绝缘膜30可为通过氧化InAlN和InGaAlN形成的Ga203、In2O3> Al2O3 等。图2A至21示出一种制造半导体器件的示例性的方法。如图2A所示，在衬底10上形成缓冲层20。通过外延生长例如MOVPE在缓冲层20上形成包括例如电子传输层21、间隔物层22、电子供给层23和盖层24的半导体层。在盖层24上形成用于形成掩模的氮化硅(SiN)膜61。衬底10可为由Si、SiC、蓝宝石(Al2O3)等构成的衬底。在衬底10上形成用于外延生长电子传输层21和其它层的缓冲层20。缓冲层20可为例如厚度为O. I μ m的未掺杂的i_AlN层。电子传输层21可为厚度为3 μ m的未掺杂的i_GaN层。间隔物层22可为厚度为5nm的未惨杂的i_AlGaN层。电子供给层23可为厚度为30nm的Ii-Ala25Gaa75N层。电子供给层23惨杂有浓度为5 X 10 cm的用作杂质兀素的Si。盖层24可为厚度为IOnm的n_GaN层。盖层24惨杂有浓度为5X 10 cm的用作杂质元素的Si。通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)，在盖层24上沉积厚度为200nm的氮化硅(SiN)膜61。如图2B所示，在氮化硅膜61上形成光刻胶图案62。例如，在氮化硅膜61上施加光刻胶。通过曝光设备使光刻胶曝光并然后显影以形成光刻胶图案62。光刻胶图案62在其中将形成相当于栅极绝缘膜的绝缘膜的区域中可具有开口。
如图2C所示，通过干蚀刻例如反应性离子蚀刻(RIE)移除其中不形成光刻胶图案62的区域中的氮化硅膜61。也可移除光刻胶图案62。形成掩模64，其包括具有开口 63的氮化硅膜61。使用氮化硅膜61作为掩模64的材料。或者，可使用不易于氧化的其它材料。如图2D所示，将在掩模64的开口 63中暴露出的间隔物层22、电子供给层23和盖层24氧化，以形成相当于栅极绝缘膜的绝缘膜30。例如，绝缘膜30可通过使用超临界水氧化间隔物层22、电子供给层23和盖层24形成。例如，将具有开口 63的氮化硅膜61置于填充有纯水的室中的预定位置。将室的内部设定为高温、高压状态，室中的纯水变为超临界水。由于超临界水具有强氧化能力，所以通过使用超临界水使得在高温下氧化的材料在较低温度下得到氧化。例如，GaN和AlGaN在1000°C或更高的温度下被热氧化。然而，外延生长的半导体层的晶体结构可因在这种高温下被加热而损害。在利用超临界水氧化中，使用在700°C或更低的温度下例如约380°C的超临界水，并因此在与超临界水接触的预定区域中的半导体层得到氧化。氮化物半导体被氧化而没有导致半导体层的晶体结构无序。相当于栅极绝缘膜的绝缘膜30通过氧化包括氮化物半导体的半导体层的一部分形成而没有使半导体器件的特性劣化。 图3示出示例性的超临界水的特性。术语“超临界水”指的是在温度为374°C或更高以及压力为218个大气压或更高的状态下的水，并且指的是例如其中气体和液体彼此无法区分的状态的水。超临界水的性能与常规的水的性能不同。超临界水的性能可加速化学反应。通过使用超临界水，在相对低温下使得在高温下氧化的GaN和AlGaN氧化。例如，通过氧化对应于i-AlGaN的间隔物层22、对应于η-AlGaN的电子供给层23或对应于n_GaN的盖层24，形成对应于Ga2O3和Al2O3的绝缘膜30。通过使用在700°C或更低例如550°C或更低的温度下的超临界水氧化间隔物层22、电子供给层23和盖层24，以形成绝缘膜30。处于稍微低于临界点的温度和压力的状态的亚临界水也具有强的氧化能力。在接近于亚临界水的状态的水的氧化能力也是相对强的。因此，通过使用在高于100°C的温度下处于液态的/K,如在超临界水的情况下一样，可在低温下氧化GaN和AlGaN。例如，可在等于或低于使源电极42和漏电极43彼此欧姆接触的温度的温度下，氧化包括氮化物半导体的半导体层。在通过氧化间隔物层22、电子供给层23和盖层24形成的氧化区域中形成凹陷，并且此外，在凹陷中形成绝缘膜。同时进行形成凹陷的工艺和形成绝缘膜的工艺，因此可使得制造工艺简化。类似地，在包括除了 GaN和AlGaN之外的氮化物半导体的半导体器件中，可形成相当于绝缘膜的氧化膜。例如，也在其中氮化物半导体例如InAlN或InGaAlN用作半导体层的半导体器件中，可通过使用超临界水等的氧化形成包括In203、Ga203和Al2O3的绝缘膜。如图2E所示，移除氮化硅膜61。例如，通过使用热磷酸的湿蚀刻移除氮化硅膜61。如图2F所不,形成光刻胶图案65。例如,在盖层24的表面上施加光刻胶。通过曝光设备使光刻胶曝光并然后显影以形成光刻胶图案65。光刻胶图案65在其中待形成源电极42和漏电极43的区域中具有开口。在光刻胶图案65形成之前，可形成元件隔离区(未示出)。形成在元件隔离区中具有开口的光刻胶图案(未示出)。在开口中进行使用氯基气体的干蚀刻或离子注入以形成元件隔离区。将用于形成元件隔离区的光刻胶图案(未示出)移除。如图2G所示，使用氯基气体进行干蚀刻例如RIE，以移除在光刻胶图案65的开口中的盖层24。光刻胶图案65也通过有机溶剂等移除。因此，将其中待形成源电极42和漏电极43的区域中的盖层24移除。如图2H所示，形成源电极42和漏电极43。例如，形成在其中待形成源电极42和漏电极43的区域中具有开口的光刻胶图案(未示出)。在其上形成有盖层24的表面上施加光刻胶。通过曝光设备使光刻胶曝光并然后显影以形成光刻胶图案。通过真空沉积等，在整个表面上形成金属膜，例如厚度为约20nm的Ta膜或厚度为约200nm的Al膜。然后使用有机溶剂通过剥离将光刻胶图案上沉积的金属膜移除。在其中不形成光刻胶图案的区域中的金属膜用作设置在电子供给层23上并且包括Ta/Al的源电极42和漏电极43。在400°C至700°C例如550°C的温度下，在氮气氛中，热处理包括Ta并且与盖层24接触的金属膜，由此在源电极42和漏电极43之间产生欧姆接触。在其中无需热处理即可产生欧姆接触的情况下，可不进行热处理。 如图21所示，形成栅电极41。例如，形成在其中待形成栅电极41的区域中具有开口的光刻胶图案(未示出)。在其上形成有盖层24的表面上施加光刻胶。通过曝光设备使光刻胶曝光并然后显影以形成光刻胶图案。通过真空沉积，在整个表面上形成金属膜，例如厚度为约40nm的Ni膜或厚度为约400nm的Au膜。然后使用有机溶剂通过剥离将光刻胶图案上沉积的金属膜移除。在其中不形成光刻胶图案的区域中的金属膜用作设置在绝缘膜30上并且包括Ni/Au的栅电极41。根据需要，可然后进行热处理等。图4示出一个示例性的半导体器件。如图4所示，可在其中暴露出盖层24的区域中形成保护膜50。例如，保护膜50可包括绝缘体。例如，保护膜50可经由等离子体原子层沉积(ALD)等通过沉积氧化铝膜或氮化硅膜形成。图5示出示例性的分立封装的半导体器件。可将图I或4中示出的半导体器件进行分立封装。图5示意性地示出分立封装的半导体器件的内部。因此，图5中示出的电极的布置等可与图I或4示出的结构不同。例如，通过划片等切割图I或4中示出的半导体器件，以形成包括GaN基半导体材料的HEMT的半导体芯片410。利用晶粒粘合剂430例如钎料，将半导体芯片410固定于引线框420上。利用接合线431，将栅电极441与栅极引线421相连。利用接合线432将源电极442与源极引线422相连。利用接合线433将漏电极443与漏极引线423相连。接合线431、432和433可包括金属材料例如Al。栅电极441可为栅电极垫，并且与例如栅电极41相连。源电极442可为源电极垫，并且与例如源电极42相连。漏电极443可为漏电极垫，并且与例如漏电极43相连。使用模制树脂440通过传递模塑方法进行树脂密封，由此制造其中将包括GaN基半导体材料的HEMT分立封装的半导体器件。图6示出一个示例性的电源装置。图6示出的电源装置460包括高压一次侧电路461、低压二次侧电路462、以及设置于一次侧电路461和二次侧电路462之间的变压器463。一次侧电路461包括AC电源464，例如桥式整流电路465，以及多个开关元件，例如四个开关元件466和一个开关元件467等。二次侧电路462包括多个开关元件，例如三个开关兀件468。图I或4中不出的半导体器件可用作一次侧电路461的开关兀件466和467。一次侧电路461的开关元件466和467可各自为常闭半导体器件。二次侧电路462的开关元件468可各自为包含硅的金属绝缘体半导体场效应晶体管(MISFET)。图7示出一个示例性的高频放大器。图7中示出的高频放大器470可应用于用于移动式电话的基站的功率放大器。高频放大器470包括数字预失真电路471、混频器472、功率放大器473和定向耦合器474。数字预失真电路471补偿输入信号中的非线性失真。混频器472中之一将其中非线性失真得到补偿的输入信号与交流电信号混合。功率放大器473将与交流电信号混合的输入信号放大。图7中示出的功率放大器473可包括图I或4示出的半导体器件。定向耦合器474进行例如输入信号和输出信号的监控。例如，基于开关的转换，输出信号混频器472可将输出信号与交流电信号混合，并将混合的信号传输至数字预失真电路471。由于在功率放大器473中使用图I或4示出的半导体器件，所以可以以低成本提供电源装置和放大器。
现在根据上述优势已经描述了本发明的示例实施方案。应理解这些示例仅仅用于本发明的说明。许多变化和改变对于本领域技术人员将是明显的。
权利要求
1.一种半导体器件，包括 在衬底上设置的半导体层； 通过氧化所述半导体层的一部分形成的绝缘膜；和 在所述绝缘膜上设置的电极， 其中所述绝缘膜包括氧化镓、或者氧化镓和氧化铟。
2.根据权利要求I所述的半导体器件，其中所述绝缘膜还包括氧化铝。
3.根据权利要求I所述的半导体器件，其中所述半导体层包括氮化物半导体。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述半导体层包括选自Ga、Al和In中的至少一种元素的氮化物。
5.根据权利要求I所述的半导体器件，还包括 使所述半导体层的一部分与超临界水或者在高于100°c且700°C以下的温度下的水接触，以形成所述绝缘膜。
6.根据权利要求I所述的半导体器件，还包括设置为与包括于所述半导体层中的第一半导体层和第二半导体层中的至少之一接触的源电极和漏电极。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述第一半导体层包括GaN。
8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述第二半导体层包括AlGaN。
9.根据权利要求I所述的半导体器件，其中所述绝缘膜与所述第一半导体层接触。
10.根据权利要求I所述的半导体器件，还包括 包括绝缘体并设置于所述半导体层上的保护膜。
11.一种电子设备，包括 输入电路； 输出电路；和 设置于所述输入电路和所述输出电路之间的半导体器件，所述半导体器件包括 在衬底上设置的半导体层； 通过氧化所述半导体层的一部分形成的绝缘膜；和 在所述绝缘膜上设置的电极， 其中所述绝缘膜包括氧化镓、或者氧化镓和氧化铟。
12.根据权利要求11所述的电子设备，其中所述电子设备包括电源装置和放大器中的一种。
13.—种制造半导体器件的方法，包括 在衬底上形成半导体层； 在所述半导体层上形成在其中待形成绝缘膜的区域中具有开口的掩模； 通过氧化所述半导体层的在所述开口中的部分形成所述绝缘膜；和 在所述绝缘膜上形成电极， 其中所述半导体层包括氮化物半导体。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述半导体层包括选自Ga、Al和In中的至少一种元素的氮化物。
15.根据权利要求13所述的方法，还包括 使在所述掩模的所述开口中暴露出的所述半导体层与超临界水或在高于100°C的温度下的水接触。
16.根据权利要求13所述的方法，其中所述绝缘膜在700°C以下的温度下形成。
17.根据权利要求13所述的方法，还包括 在所述半导体层上形成氮化硅膜；和 在所述氮化硅膜中形成开口。
18.根据权利要求13所述的方法，还包括 形成第一半导体层； 在所述第一半导体层上形成第二半导体层；和 形成源电极和漏电极，以与包括于所述半导体层中的第一半导体层和第二半导体层中的至少之一接触。
19.根据权利要求18所述的方法，其中所述源电极和所述漏电极在形成所述绝缘膜之后形成。
20.根据权利要求18所述的方法，还包括 热处理所述源电极和所述漏电极以产生欧姆接触， 形成所述绝缘膜时的温度低于热处理所述源电极和所述漏电极时的温度。
全文摘要
一种半导体器件包括在衬底上设置的半导体层；通过氧化半导体层的一部分形成的绝缘膜；和在绝缘膜上设置的电极，其中所述绝缘膜包括氧化镓、或氧化镓和氧化铟。
文档编号H01L29/40GK102646581SQ20121000349
公开日2012年8月22日 申请日期2012年1月6日 优先权日2011年2月21日
发明者山田敦史 申请人:富士通株式会社