专利名称：阵列基板的制造方法及阵列基板、显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板的制造方法及阵列基板、显示装置。
背景技术：
液晶显示器是目前常用的平板显示器，其中薄膜晶体管液晶显示器(Thin FilmTransistor Liquid Crystal Display,简称TFT-IXD)是液晶显示器中的主流产品。基于高级超维场转换技术(ADvancedSuper Dimension Switch, AD-SDS,简称ADS)的TFT-LCD凭借其低功耗、宽视角等特点，应用越来越广泛。ADS技术主要是通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了 液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。由于ADS型TFT-IXD中，公共电极也是制作在阵列基板上，因此在ADS型TFT-IXD的阵列基板制作工艺中需要额外增加一次形成公共电极的构图工艺。目前，ADS型TFT-IXD阵列基板的制造过程中通常需要多次构图工艺，而每一次构图工艺中又分别包括成膜、曝光、显影、刻蚀和剥离等工艺。因此，减少构图工艺的次数就意味着能够降低制造成本。现有技术中公开有通过六次构图工艺制造ADS型TFT-IXD阵列基板(如图I所示)的方法，该方法包括步骤I、沉积第一金属薄膜，通过第一次构图工艺形成栅线、栅电极11及公共电极线12。步骤2、沉积第一绝缘薄膜，半导体薄膜、掺杂半导体薄膜，通过第二次构图工艺形成栅绝缘层13、半导体有源层14 (由半导体层和掺杂半导体层构成)。步骤3、沉积第一透明导电薄膜，通过第三次构图工艺形成板状的像素电极14’。步骤4、沉积第二金属薄膜，通过第四次构图工艺形成源电极16、漏电极17和数据线。步骤5、沉积第二绝缘薄膜形成钝化层18，通过第五次构图工艺形成贯穿钝化层18和栅绝缘层13的过孔，露出公共电极线12。步骤6、沉积第二透明导电薄膜，通过第六次构图工艺形成具有狭缝的公共电极19，该公共电极19通过步骤5形成的过孔，与公共电极线12实现电连接。这种方法需要6次构图工艺，制造成本仍然较高。为了增强市场竞争力，提高市场占有率，需要进一步减小阵列基板制造过程中构图工艺的次数
发明内容
本发明的实施例提供一种阵列基板的制造方法及阵列基板、显示装置，用以减少阵列基板制造过程中构图工艺的次数，降低生产成本。为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案一方面，提供一种阵列基板的制造方法，包括薄膜晶体管、第一透明电极和第二透明电极的制作过程；所述第一透明电极和第二透明电极产生多维电场；其特征在于，所述第一透明电极的制作过程包括形成金属氧化物薄膜，该金属氧化物薄膜呈半导体特性；
通过对部分所述金属氧化物薄膜进行金属化处理形成第一透明电极，未进行所述金属化处理的部分形成半导体有源层。一方面，提供一种由上述方法制得的阵列基板，包括薄膜晶体管、第一透明电极和第二透明电极；所述第一透明电极和第二透明电极产生多维电场；其特征在于，所述薄膜晶体管的半导体有源层和所述第一透明电极是由同一金属氧化薄膜通过一次构图工艺形成的，形成所述第一透明电极的金属氧化物薄膜通过金属化处理，所述半导体有源层上设置有刻蚀阻挡层。一方面，提供一种显示装置，包括由上述阵列基板。本发明实施例提供的阵列基板的制造方法及阵列基板、显示装置，通过对部分金属氧化物薄膜进行金属化处理呈现导体特性形成第一透明电极，未进行金属化处理的部分呈现半导体的特性形成半导体有源层。在具有导体特性和半导体特性的同一层金属氧化物薄膜中通过一次构图工艺形成半导体有源层和第一透明电极，省略了单独制备第一透明电极的步骤，降低生产制造成本。
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图I为现有技术中阵列基板的结构示意图；图2为本发明实施例提供的阵列基板的制造方法的流程图；图3为本发实施例二提供的阵列基板的第一示意图；图4为本发实施例二提供的阵列基板的第二示意图；图5为本发实施例二提供的阵列基板的第三示意图；图6为本发实施例二提供的阵列基板的第四示意图；图7为本发实施例二提供的阵列基板的第五示意图；图8为本发实施例二提供的阵列基板的第六示意图；图9为本发实施例二提供的阵列基板的第七示意图；图10为本发实施例二提供的阵列基板的第八示意图；图11为本发实施例二提供的阵列基板的第九示意图；图12为本发实施例二提供的阵列基板的剖面结构示意图；图13为本发实施例三提供的阵列基板的第一示意图14为本发实施例三提供的阵列基板的剖面结构示意图；图15为本发实施例四提供的阵列基板的第一示意图；图16为本发实施例四提供的阵列基板的剖面结构示意图。附图标记说明1_栅线；2_数据线；10_基板，11-栅电极；12_公共电极线；13_栅绝缘层，131-第二过孔；141_半导体有源层；142_源连接电极，143-漏连接电极，14-第一透明电极，140-金属氧化物薄膜；15_刻蚀阻挡层，150-刻蚀阻挡层薄膜；16_源电极；17-漏电极；18_钝化层，181-第一过孔，182-第三过孔；19_第二透明电极；20_第一光刻胶、21-第二光刻胶；22_第三光刻胶。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。实施例一本发明实施例提供的阵列基板的制造方法，包括薄膜晶体管、第一透明电极和第二透明电极的制作过程。该第一透明电极和第二透明电极产生多维电场。其中，该第一透明电极的制作过程包括步骤一形成金属氧化物薄膜，该金属氧化物薄膜呈半导体特性。步骤二 通过对部分该金属氧化物薄膜进行金属化处理形成第一透明电极，未进行所述金属化处理的部分形成半导体有源层。进一步地，步骤二中“通过对部分该金属氧化物薄膜进行金属化处理形成第一透明电极”，具体可以包括通过等离子工艺或退火工艺等对部分该金属氧化物薄膜进行金属化处理形成第一透明电极。进一步地，在本实施例中，所述第一透明电极为像素电极；或者，所述第一透明电极为公共电极。本发明实施例提供的阵列基板的制造方法及阵列基板、显示装置，通过对部分金属氧化物薄膜进行金属化处理呈现导体特性形成第一透明电极，未进行金属化处理的部分呈现半导体的特性形成半导体有源层。在具有导体特性和半导体特性的同一层金属氧化物薄膜中通过一次构图工艺形成半导体有源层和第一透明电极，省略了单独制备第一透明电极的步骤，降低生产制造成本。实施例二本发明实施例提供的阵列基板的制造方法，如图2所示，该方法具体包括S201、在基板上制作栅线、薄膜晶体管的栅电极和栅绝缘层。示例性的，参照图3，首先采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)、磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法，在基板10(如玻璃基板或石英基板)上形成第一金属薄膜。其中，该第一金属薄膜可以是钥、铝、铝铷合金、钨、铬、铜等金属形成的单层薄膜，也可以是以上金属多层沉积形成的多层薄膜。在第一金属薄膜上涂覆光刻胶层后，通过掩模板进行曝光、显影、刻蚀和剥离等构图工艺处理，形成如图3所示的栅电极11和图3中未表示的栅线图案。随后，通过化学气相沉积方或蒸镀等方法在基板10、栅线和栅电极11上形成栅绝缘层13。S202、在形成有栅线、栅电极和栅绝缘层的基板上依次形成金属氧化物薄膜和刻蚀阻挡层薄膜。示例性的，如图4所示，在形成有栅线、栅电极11和栅绝缘层13的基板10上依次形成金属氧化物薄膜140和刻蚀阻挡层薄膜150。具体可以采用磁控溅射、热蒸发或化学气相沉积等方法形成金属氧化物薄膜140和刻蚀阻挡层薄膜150。具体的，金属氧化物薄膜140可以采用呈半导体特性的透明金属氧化物材料，具体的可以是InGaZnO、InGaO, ΙΤΖ0、AlZnO等透明金属氧化物材料；刻蚀阻挡层薄膜150可以是致密的氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等材料。S203、通过构图工艺对所述刻蚀阻挡层薄膜进行处理以形成覆盖TFT沟道区域的刻蚀阻挡层的图形。示例性的，参照图5，在刻蚀阻挡层薄膜150上涂覆第一光刻胶层后，通过掩模板 进行曝光、显影处理后，得到如图5所示的保留在TFT沟道区域上的第一光刻胶20，其他区域则无光刻胶。之后，如图6所示，通过刻蚀工艺对没有第一光刻胶20覆盖的刻蚀阻挡层薄膜进行刻蚀，处理后仅保留第一光刻胶20覆盖区域(即TFT沟道区域)的刻蚀阻挡层薄膜，形成覆盖TFT沟道区域的刻蚀阻挡层15的图案，露出刻蚀阻挡层15图案以外的金属氧化物薄膜140。S204、对外露的金属氧化物薄膜进行金属化处理，形成具有导体特性的金属氧化物薄膜；所述刻蚀阻挡层下未进行所述金属化处理的部分形成半导体有源层。示例性的，如图7所示，可以通过等离子工艺或退火工艺等对外露的金属氧化物薄膜140进行金属化处理。该步骤可以通过以下三种方式实现。方式一将具有图6所示结构的基板置于真空腔室中加热到一定温度，并保持一定时间后在空气中冷却。优选的，该一定温度值可以为200 300°C，保持的一定时间可以为20 40分钟。方式二 将具有图6所示结构的基板置于还原性气氛中在200 400°C进行热处理。方式三将具有图6所示结构的基板置于真空腔室中，采用等离子体处理的方法，一般功率为1500 2500W，压力为1000 2000mtorr，有氢气(H2)等离子体和氧气(O2)等离子体处理两种方法，使用氢气等离子体或氧气等离子体处理时，氢气或氧气的气体流量一般为 5000 15000sccm。通过上述三种方式，可以使被金属化处理的金属氧化物薄膜140的载流子浓度提高，呈现导体特性，可以取代现有的像素电极材料。而刻蚀阻挡层15下未进行金属化处理的金属氧化物薄膜的载流子浓度较低，呈现半导体特性，即为半导体有源层141。S205、通过构图工艺对所述具有导体特性的金属氧化物薄膜进行处理以形成第一透明电极，和与所述半导体有源层连接的源连接电极、漏连接电极。示例性的，剥离图7所示的覆盖刻蚀阻挡层15的第一光刻胶20后，再在该基板10上涂覆第二光刻胶层，通过掩模板进行曝光、显影处理后，如图8所示，得到保留在刻蚀阻挡层15之上及其两侧的第二光刻胶21，和保留在具有导体特性的金属氧化物薄膜140上对应第一透明电极区域的第三光刻胶22，其他区域则无光刻胶。之后，如图9所示，通过刻蚀工艺对露出的具有导体特性的金属氧化物薄膜进行刻蚀，形成第一透明电极14，和与所述半导体有源层141连接的源连接电极142、漏连接电极143，最后剥离掉图9中所示的第二光刻胶21、第三光刻胶22。S206、在形成有半导体有源层、刻蚀阻挡层和第一透明电极的基板上依次形成源电极、漏电极、数据线、钝化层和第二透明电极的图形。需要说明的是在本实施例中，是以第一透明电极14作为像素电极即其与漏电极电连接为例进行说明的，但本实施例并不限第一透明电极14必须为像素电极，该第一透明电极14也可以是公共电极。本步骤中源、漏电极、数据线、钝化层和第二透明电极可以分别通过三次构图工艺形成。具体的，参见图10，采用现有的成膜方法如磁控溅射或热蒸发等方法在基板10上形成金属薄膜，并通过构图工艺形成与源连接电极142电连接的源电极16，和与漏连接电 极143电连接的漏电极17以及数据线(图10中未显示出)的图案。在此，形成源、漏电极和数据线的金属薄膜可以是钥、铝、铝铷合金、钨、铬、铜等金属形成的单层薄膜，也可以是以上金属多层沉积形成的多层薄膜。接着，如图11所示，再在基板10上通过化学气相沉积或热蒸发等方法制备绝缘薄膜形成钝化层18。其中，该绝缘薄膜可以采用氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的单层薄膜，也可以采用上述材料的多层沉积形成的多层薄膜。最后，如图12所示，通过磁控溅射或热蒸发等方法形成透明导电薄膜，并通过构图工艺形成具有狭缝的第二透明电极19。第一透明电极14与第二透明电极19之间可以形成多维电场。其中，第二透明电极19的材料可以是IT0、Zn0、InGaZnO、InZnO、InGaO等透明导电材料。本发明实施例提供的阵列基板的制造方法，通过对部分金属氧化物薄膜进行金属化处理呈现导体特性形成第一透明电极，未进行金属化处理的部分呈现半导体的特性形成半导体有源层。在具有导体特性和半导体特性的同一层金属氧化物薄膜中通过一次构图工艺形成半导体有源层和第一透明电极，省略了单独制备第一透明电极的步骤，降低生产制造成本。此外，由于金属氧化物半导体材料很容易在水中或空气中被氧化，因而在后续工艺中TFT沟道区域的金属氧化物半导体材料极易在湿法刻蚀时受到破坏，导致TFT特性低下。本发明中对应TFT沟道区域覆盖有刻蚀阻挡层，TFT沟道区域的金属氧化物半导体材料可以在刻蚀阻挡层的保护下避免刻蚀时的破坏，从而能够保证TFT特性，进而确保产品的显示品质。实施例三本发明实施例提供的阵列基板的制造方法，基本过程与实施例二类似，可以参照
实施例二。本实施例与实施例二的不同在于，相对实施例二的S201，本实施例的S20广包括如图13所示，在基板10上形成栅线(图13中未表示)、栅电极11的同时，还形成公共电极线12，之后，再在基板10上形成栅绝缘层13。进一步的，公共电极线12与栅电极11和栅线可以通过一次构图工艺形成。
形成栅线、栅电极及公共电极线之后的步骤与实施例二的步骤S202-S205相同，不再赘述。在形成有半导体有源层、刻蚀阻挡层和第一透明电极的基板上形成源电极、漏电极、数据线、钝化层和第二透明电极的图形，相对实施例二的S206，本实施例的S206'包括参照图14，在形成有半导体有源层141、刻蚀阻挡层15和第一透明电极14的基板上依次形成源电极16、与第一透明电极14电连接的漏电极17和数据线。然后再在形成有数据线、源电极16和漏电极17的基板上形成包含第一过孔181的钝化层18，该第一过孔181贯穿钝化层18和栅绝缘层13，露出公共电极线12。接着，再在钝化层18上制作第二透明电极19，该第二透明电极19通过第一过孔181与公共电极线12电连接，该第二透明电极19为具有狭缝的透明电极，第一透明电极14和具有狭缝的第二透明电极19形成多维电场。因此，在本实施例中，第一透明电极14为像素电极，与漏电极17直接接触实现电连接；第二透明电极19为公共电极，通过第一过孔181与公共电极线12电连接。
本发明实施例提供的阵列基板的制造方法，通过对部分金属氧化物薄膜进行金属化处理呈现导体特性形成第一透明电极，未进行金属化处理的部分呈现半导体的特性形成半导体有源层。在具有导体特性和半导体特性的同一层金属氧化物薄膜中通过一次构图工艺形成半导体有源层和第一透明电极，省略了单独制备第一透明电极的步骤，降低生产制造成本。同时，将公共电极与公共电极线电连接，可大幅降低公共电极的电阻，随着面板尺寸的增大，公共电极的电阻可导致画面延迟或显示异常等问题，通过上述第一过孔公共电极与公共电极线直接实现电连接，可以彻底解决上述问题。此外，由于金属氧化物半导体材料很容易在水中或空气中被氧化，因而在后续工艺中TFT沟道区域的金属氧化物半导体材料极易在湿法刻蚀时受到破坏导致TFT特性低下。本发明中对应TFT沟道区域覆盖有刻蚀阻挡层，TFT沟道区域的金属氧化物半导体材料可以在刻蚀阻挡层的保护下避免刻蚀时的破坏，从而能够保证TFT特性，进而确保产品的显示品质。实施例四本发明实施例提供的阵列基板的制造方法，基本过程与实施例二类似，可以参照
实施例二。本实施例与实施例二的不同在于，相对实施例二的步骤S201，本实施例的S201"包括如图15所示，在基板10上形成栅线(图15中未表示)、栅电极11和公共电极线12、以及栅绝缘层13。之后，再在栅绝缘层13上形成第二过孔131，该第二过孔131露出公共电极线12，用以连接后续工艺形成的第一透明电极14和公共电极线12。之后的步骤与实施例二的步骤S202-S204类似，参照图16，本实施例中的第一透明电极14通过第二过孔131与公共电极线12连接。相对于实施例二的步骤S205，本实施例的步骤S205"包括参照图16，通过构图工艺对所述形成导体特性的金属氧化物薄膜进行处理以形成第一透明电极14，和与所述半导体有源层141连接的源连接电极142、漏连接电极143。其中，第一透明电极14通过第二过孔131和公共电极线12电连接。相对实施例二的步骤S206，本实施例的步骤S206"包括参照16，在形成有半导体有源层141、刻蚀阻挡层15和第一透明电极14’的基板10上依次形成源电极16、漏电极17、数据线(图16中未表示)后，再在其上形成含有第三过孔182的钝化层18，该第三过孔182贯穿所述钝化层18，露出漏电极17。接着，在形成有第三过孔182的钝化层18上制作第二透明电极19，该第二透明电极19通过第三过孔182与漏电极17电连接。因此，在本实施例中，第一透明电极14为公共电极，通过栅绝缘层13上的第二过孔131与公共电极线12电连接。第二透明电极19为像素电极，通过钝化层18上的第三过孔182与漏电极17电连接。本发明实施例提供的阵列基板的制造方法，通过对部分金属氧化物薄膜进行金属化处理呈现导体特性形成第一透明电极，未进行金属化处理的部分呈现半导体的特性形成半导体有源层。在具有导体特性和半导体特性的同一层金属氧化物薄膜中通过一次构图工艺形成半导体有源层和第一透明电极，省略了单独制备第一透明电极的步骤，降低生产制造成本。同时，将公共电极与公共电极线电连接，可大幅降低公共电极的电阻，随着面板尺寸的增大，公共电极的电阻可导致画面延迟或显示异常等问题，通过上述第一过孔公共电极与公共电极线直接实现电连接，可以彻底解决上述问题。
此外，由于金属氧化物半导体材料很容易在水中或空气中被氧化，因而在后续工艺中TFT沟道区域的金属氧化物半导体材料极易在湿法刻蚀时受到破坏导致TFT特性低下。本发明中对应TFT沟道区域覆盖有刻蚀阻挡层，TFT沟道区域的金属氧化物半导体材料可以在刻蚀阻挡层的保护下避免刻蚀时的破坏，从而能够保证TFT特性，进而确保产品的显示品质。实施例五本发明实施例提供的利用上述各个实施例说明的阵列基板的制造方法制得的阵列基板，包括薄膜晶体管、第一透明电极和第二透明电极；所述第一透明电极和第二透明电极产生多维电场；所述薄膜晶体管的半导体有源层和所述第一透明电极是由同一金属氧化薄膜通过一次构图工艺形成的，其中，所述第所述第一透明电极有所述金属氧化物薄膜通过金属化处理得到，所述半导体有源层由未被金属化处理的金属氧化物薄膜形成。需要说明的是，上述各个实施例中是以像素电极和公共电极异层设置的阵列基板为例进行的说明。可以理解的是，以上实施例中像素电极和公共电极同层设置在阵列基板上时，也可以通过构图工艺、金属化处理等在一层金属氧化物薄膜上形成有源层、像素电极和公共电极的图案。因此，本发明实施例提供的阵列基板通过适当的变形也可以适用于IPS (平面内开关)型和AD-SDS型的TFT阵列基板。本发明实施例提供的阵列基板，通过对部分金属氧化物薄膜进行金属化处理呈现导体特性形成第一透明电极，未进行金属化处理的部分呈现半导体的特性形成半导体有源层。在具有导体特性和半导体特性的同一层金属氧化物薄膜中通过一次构图工艺形成半导体有源层和第一透明电极，省略了单独制备第一透明电极的步骤，降低生产制造成本。实施例六本发明实施例提供的显示装置包括实施例五所述的阵列基板，该阵列基板由上述实施一至实施例四中任意一种阵列基板的制作方法制得。该阵列基板包括薄膜晶体管、第一透明电极和第二透明电极；所述第一透明电极和第二透明电极产生多维电场；所述薄膜晶体管的半导体有源层和所述第一透明电极是由同一金属氧化薄膜通过一次构图工艺形成的，其中，所述第一透明电极由该金属氧化物薄膜通过金属化处理得到，所述半导体有源层由未被金属化处理的金属氧化物薄膜形成。本发明实施例提供的显示装置，在其阵列基板上通过对部分金属氧化物薄膜进行金属化处理呈现导体特性形成第一透明电极，未进行金属化处理的部分呈现半导体的特性形成半导体有源层。在具有导体特性和半导体特性的同一层金属氧化物薄膜中通过一次构图工艺形成半导体有源层和第一透明电极，省略了单独制备第一透明电极的步骤，降低生产制造成本。需要说明的是本发明所提供的显示装置可以为液晶面板、电子纸、OLED面板、液晶电视、液晶显示器、数码相框、手机、平板电脑等具有任何显示功能的产品或部件。以上所述，仅为本发明 的具体实施方式
，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
权利要求
1.一种阵列基板的制造方法，包括薄膜晶体管、第一透明电极和第二透明电极的制作过程；所述第一透明电极和第二透明电极产生多维电场；其特征在于，所述第一透明电极的制作过程包括 形成金属氧化物薄膜，所述金属氧化物薄膜呈半导体特性； 通过对部分所述金属氧化物薄膜进行金属化处理形成第一透明电极，未进行所述金属化处理的部分金属氧化物薄膜形成半导体有源层。
2.根据权利要求I所述的方法，其特征在于，所述制造方法具体包括 在形成有栅线、栅电极和栅绝缘层的基板上依次形成金属氧化物薄膜和刻蚀阻挡层薄膜； 通过构图工艺对所述刻蚀阻挡层薄膜进行处理以形成覆盖TFT沟道区域的刻蚀阻挡层的图形； 对外露的金属氧化物薄膜进行金属化处理，形成具有导体特性的金属氧化物薄膜；所述刻蚀阻挡层下未进行所述金属化处理的部分形成半导体有源层； 通过构图工艺对所述具有导体特性的金属氧化物薄膜进行处理以形成第一透明电极，和与所述半导体有源层连接的源连接电极、漏连接电极； 在形成有所述半导体有源层、刻蚀阻挡层和第一透明电极的基板上形成源电极、漏电极、数据线、钝化层和第二透明电极的图形，其中，所述源电极与所述源连接电极电连接，所述漏电极与所述漏连接电极电连接。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于， 在形成有栅线、栅电极和栅绝缘层的基板上依次形成金属氧化物薄膜和刻蚀阻挡层薄膜之前，还包括在基板上形成栅线、栅电极、公共电极线；再在所述基板、所述栅线、所述栅电极、所述公共电极线上形成栅绝缘层； 在形成有半导体有源层、刻蚀阻挡层和第一透明电极的基板上形成源电极、漏电极、数据线、钝化层和第二透明电极的图形，包括在形成有半导体有源层、刻蚀阻挡层和第一透明电极的基板上形成数据线、源电极、和与所述第一透明电极电连接的漏电极；再在形成有所述数据线、所述源电极和所述漏电极的基板上形成含有第一过孔的钝化层，所述第一过孔贯穿所述钝化层和所述栅绝缘层，露出所述公共电极线；再在所述钝化层上形成第二透明电极，所述第二透明电极通过所述第一过孔和所述公共电极线电连接。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于， 在形成有栅线、栅电极和栅绝缘层的基板上依次形成金属氧化物薄膜和刻蚀阻挡层薄膜之前，还包括在基板上形成栅线、栅电极、公共电极线、以及栅绝缘层；所述栅绝缘层上形成有第二过孔，所述第二过孔用以连接所述第一透明电极与所述公共电极线； 在形成有半导体有源层、刻蚀阻挡层和第一透明电极的基板上形成源电极、漏电极、数据线、钝化层和第二透明电极的图形，包括在形成有所述半导体有源层、所述刻蚀阻挡层和所述第一透明电极的基板上形成源电极、漏电极和数据线；再在形成有所述数据线、所述源电极和所述漏电极的基板上形成含有第三过孔的钝化层，所述第三过孔贯穿所述钝化层，露出所述漏电极；在所述钝化层上形成第二透明电极，所述第二透明电极通过所述第三过孔和所述漏电极电连接。
5.根据权利要求I所述的方法，其特征在于，所述通过对部分所述金属氧化物薄膜进行金属化处理形成第一透明电极，具体包括 通过等离子工艺或退火工艺对部分所述金属氧化物薄膜进行金属化处理形成第一透明电极。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一透明电极为像素电极；或者，所述第一透明电极为公共电极。
7.根据权利要求I 6中任一项所述的方法，其特征在于，所述金属氧化物薄膜采用呈半导体特性的透明金属氧化物材料。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述金属氧化物薄膜为InGaZnO、InGaO,ΙΤΖ0、Α1Ζη0。
9.一种阵列基板,其特征在于，由上述权利要求I 8任一方法制得。
10.一种显示装置，所述显示装置包括上述权利要求9所述的阵列基板。
全文摘要
本发明实施例公开一种阵列基板的制造方法及阵列基板、显示装置，属于液晶显示技术领域，用于以降低生产成本；该阵列基板的制造方法，包括薄膜晶体管、第一透明电极和第二透明电极的制作过程；所述第一透明电极和第二透明电极产生多维电场；其中，所述第一透明电极的制作过程包括形成金属氧化物薄膜，所述金属氧化物薄膜呈半导体特性；通过对部分所述金属氧化物薄膜进行金属化处理形成第一透明电极，未进行所述金属化处理的部分形成半导体有源层。本发明实施例适用于液晶显示器的制造。
文档编号H01L21/77GK102790012SQ20121025473
公开日2012年11月21日 申请日期2012年7月20日 优先权日2012年7月20日
发明者刘聖烈, 宋泳锡, 崔承镇, 金熙哲 申请人:京东方科技集团股份有限公司