专利名称：具有紧凑结构的基板表面处理系统及基板表面处理方法
技术领域：
本发明涉及一种基板表面处理系统及一种基板表面处理方法，更具体而言，涉及一种具有紧凑结构的基板表面处理系统及一种基板表面处理方法。
背景技术：
在用于形成有机发光显示元件或液晶显示元件的基板上形成有包括多个薄膜晶体管(thin-film transistor, TFT)的驱动兀件。为形成此种驱动元件，在基板上形成硅膜，例如多晶硅膜 。多晶硅膜是通过以结晶工艺(例如ELA)使非晶硅膜结晶而形成。多晶硅膜被图案化，以用作TFT的有源层(activelayer)。然而，在非晶硅膜及/或多晶硅膜的表面上天然地形成有氧化硅膜。氧化硅膜可不利地影响结晶工艺。此外，氧化硅膜可影响TFT的特性，并可在制造过程中成为污染源(例如微粒源)。因此，需要在结晶工艺之前及/或之后移除氧化硅膜。而且，由于在结晶工艺中形成的多晶硅膜具有高的表面粗糙度，因而需要改善多晶硅膜的表面均匀度。由于这些原因，需要通过对硅膜进行蚀刻来处理上面形成有硅膜的基板表面。日本专利特许公开案第2004-006618揭示一种用于在基板旋转的同时向基板喷射蚀刻剂的传统基板蚀刻装置。然而，尽管在基板旋转的同时向基板喷射蚀刻剂的方法适用于小型基板(例如第4代基板(730X460mm)或更小的基板)，然而难以将该方法用于大型基板(例如第5. 5代基板(1，300X 1，500mm)或更大的基板)。原因在于，难以使大的基板旋转，且即使可使大的基板旋转，旋转速度也会降低至600RPM或以下，因而在蚀刻之后，可能会在基板上形成污迹。此外，基板的中心部及边缘部会被不均匀地蚀刻，且由于蚀刻剂撞击蚀刻腔室的内壁并被弹回至基板上，会在基板上形成污迹。为解决上述问题，可将基板表面处理系统排列成直列式(inline)系统。然而，在此种情形中，基板表面处理系统可能会具有过大的长度。如此一来，便需要更大的空间来安装基板表面处理系统。韩国专利特许公报第2007-0048036号揭示一种具有双层式结构的系统，所述双层式结构包括上层及下层。在所揭示的系统中，将用于进行相同操作的两个层进行垂直叠置，以增大所要处理的基板的数量。然而，所揭示的系统提供对于单一工艺而言具有直线路径的直列式系统，因而基板表面处理系统的总体长度未得到减小。
发明内容
本发明提供一种在安装时无空间限制的具有紧凑结构的基板表面处理系统、以及一种基板表面处理方法。根据本发明的一个方面，提供一种基板表面处理系统，包括第一处理腔室，在第一端部处包括入口且沿平行于地面的方向延伸；第二处理腔室，沿垂直于地面的方向延伸，其中所述第一处理腔室的第二端部在所述第二处理腔室的第一端部处附接至所述第二处理腔室的上部；第三处理腔室，沿平行于地面的方向延伸，位于所述第一处理腔室的下方，并在第一端部处具有出口，其中位于所述第二处理腔室的所述第一端部处的所述第二处理腔室的下部在所述第三处理腔室的第二端部处附接至所述第三处理腔室；第一水平传送单元，安装于所述第一处理腔室中并沿第一方向朝所述第二处理腔室水平地传送基板；第二水平传送单元，安装于所述第二处理腔室中并水平地传送所述基板；垂直传送单元，安装于所述第二处理腔室中，与所述第二水平传送单元相组合，并沿垂直方向向上及向下移动所述第二水平传送单元；第三水平传送单元，安装于所述第三处理腔室中并沿与所述第一方向相对的第二方向水平地传送自所述第二处理腔室排出的所述基板；以及处理模块，安装于所述第一处理腔室至所述第三处理腔室至少其中之一中并处理所述基板的表面。
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所述基板表面处理系统可进一步包括预润湿单元，所述预润湿单元设置于所述第一处理腔室中并预润湿所述基板的表面。所述基板表面处理系统可进一步包括以下至少其中之一冲洗单元，设置于所述第三处理腔室中并冲洗所述基板的表面；以及干燥单元，设置于所述第三处理腔室中并干燥所述基板的表面。所述基板表面处理系统可进一步包括风扇过滤单元，所述风扇过滤单元安装于所述第一处理腔室至所述第三处理腔室至少其中之一中。所述处理模块可位于所述第三处理腔室中。所述基板表面处理系统可进一步包括倾斜驱动单元，所述倾斜驱动单元与所述第一水平传送单元至所述第三水平传送单元至少其中之一的至少一部分相组合，并使所述第一水平传送单元至所述第三水平传送单元的至少所述其中之一的至少所述部分倾斜。所述第一水平传送单元或所述第三水平传送单元可包括多个第一驱动辊及多个第二驱动辊，所述多个第一驱动辊可被定位成相较所述多个第二驱动辊更靠近所述入口或所述出口，且所述多个第一驱动辊的直径可大于所述多个第二驱动辊的直径。所述第二水平传送单元可包括多个驱动辊。所述处理模块可包括流体喷射模块及空气喷射模块，所述流体喷射模块及所述空气喷射模块被整合为单一单元，所述流体喷射模块可朝所述基板喷射至少一种类型的蚀刻齐U，所述至少一种类型的蚀刻剂能够蚀刻所述基板的所述表面上的硅膜，且所述空气喷射模块可向所述基板的所述表面喷射流体切割(fluid-cutting)空气。 所述流体喷射模块及所述空气喷射模块可被设置成同时工作。所述处理模块可包括多个喷嘴。所述基板及所述处理模块至少其中之一可被设置成沿所述基板的纵向线性地移动。根据本发明的另一方面，提供一种基板表面处理方法，包括第一水平传送，用于沿第一方向水平地传送基板；向下垂直传送，用于沿垂直方向降下所述基板；第二水平传送，用于沿与所述第一方向相对的第二方向水平地传送所述基板；以及表面处理，用于在所述第一水平传送、所述向下垂直传送、以及所述第二水平传送至少其中之一期间，或在所述第一水平传送、所述向下垂直传送、以及所述第二水平传送其中至少两者之间处理所述基板的表面。
所述第一水平传送可包括预润湿所述基板的表面。所述第二水平传送可包括冲洗所述基板的表面与干燥所述基板的表面中的至少一项。所述表面处理可在所述向下垂直传送与所述第二水平传送之间执行。所述第一水平传送、所述向下垂直传送、以及所述第二水平传送至少其中之一可包括使所述基板相对于地面倾斜。所述使所述基板倾斜可包括使所述基板倾斜成使所述基板的表面相对于与所述 第一方向或所述第二方向垂直的方向倾斜。所述表面处理可包括将至少一种类型的蚀刻剂与流体切割空气至少其中之一提供至所述基板的表面，所述至少一种类型的蚀刻剂能够蚀刻所述基板的表面上的硅膜。在所述表面处理期间可同时提供所述蚀刻剂及所述流体切割空气。
通过参照附图详细说明本发明的实例性实施例，本发明的上述及其他特征及优点将变得更加一目了然。附图中图I是根据本发明一实施例的基板表面处理系统的示意图。图2A及图2B分别是显示第一驱动辊及第二驱动辊的图。图3是图I所示干燥单元的平面图。图4是显示安装于第一处理腔室中的第一水平传送单元及垂直传送单元的图。图5是图4所示第一水平传送单元及工作流体排放单元的横向剖视图。图6至图10是显示根据本发明其他实施例的具有处理模块的基板表面处理系统的示意图。图11显示根据本发明一实施例的处理模块。图12显示根据本发明另一实施例的处理模块。图13至图17是根据本发明其他实施例的基板表面处理系统的示意图。图18显示根据本发明另一实施例的基板表面处理系统。图19显示根据本发明另一实施例的基板表面处理系统。图20A及图20B是显示基板的倾斜的图。图21是显示根据本发明另一实施例的第二水平传送单元的图。符号的说明10 :基板11 :基底基板12 :娃膜13 :氧化硅膜35:第一贮存器36:第一开启/关闭阀45 :第二贮存器55 :第三贮存器56:第三开启/关闭阀
56a:第三开启/关闭阀56b:第三开启/关闭阀65 :空气罐66:第四开启/关闭阀70 :控制单元100 :基板表面处理系统110:第一处理腔室111:入口114:第一风扇过滤单元120 :第二处理腔室121:基板入口122 :基板出口123 :侧壁124 :第二风扇过滤单元·
130 :第三处理腔室131:出口134 :第三风扇过滤单元141 :第一水平传送单元142 :第二水平传送单元143 :第三水平传送单元144 :第一驱动辊145 :第二驱动辊146 :框架146a :第一框架146b :第二框架146c :第三框架146d:第四框架147 :支撑杆148 :支撑滚轮149a :齿轮149b :斜齿轮150 :垂直传送单元150a :第一垂直传送单兀150b :第二垂直传送单元151 :加载区152 :预润湿区153 :表面处理区154 :冲洗区155 :干燥区
156 :卸载区161 :第一等离子体供应单元162 :第二等离子体供应单元163 :预润湿单元164 :第一冲洗单元165 :第二冲洗单元166 :水喷射单元167 :干燥单元 167a:喷嘴单元171 :位置调整单元172 :销180 :处理模块180a:流体喷射模块180b :空气喷射模块181 :第一处理模块182 :第二处理模块183:第三处理模块184:流体喷射孔185:流体供应管186:空气喷射孔187:空气供应管188:组合托架190 :工作流体排放单元191:排放连接器192 :排放管193 :滚轮194:导管201 :第一供应管202:第二供应管203 :第一区块204:第二区块206:第三供应管207:第四供应管210 :喷嘴300 :喷嘴301 :第一喷嘴302 :第二喷嘴303 :第三喷嘴Cl1 :直径
d2 :直径Pl :第一位置P2 :第二位置Xl :第一方向X2:第二方向
具体实施例方式以下，将通过参照附图解释本发明的优选实施例来详细说明本发明。图I是根据本发明一实施例的基板表面处理系统100的不意图。·
如图I所示，基板表面处理系统100包括第一处理腔室110、第二处理腔室120及第三处理腔室130。第一处理腔室110附接至第二处理腔室120的侧壁123的上部，并被形成为沿平行于地面的方向延伸。第一处理腔室110的第一端部处形成有入口 111，且基板10是由单独的传送机器人(图中未显示)经由入口 111而引入至第一处理腔室110中。第二处理腔室120沿垂直于地面的方向延伸，且第二处理腔室120的第一端部附接至第一处理腔室110的第二端部。第二处理腔室120的侧壁123中形成有基板入口 121及基板出口 122。此处，基板入口 121形成于基板出口 122的上方。基板入口 121及基板出口 122设置于沿垂直于地面的方向延伸的线上并沿平行于地面的方向延伸，且分别用于将基板10载送至第二处理腔室120中及将基板10载送出第二处理腔室120。可省略侧壁123、基板入口 121、及基板出口 122，并可仅设置侧壁123的一部分。第三处理腔室130沿平行于地面的方向延伸并设置于第一处理腔室110的下方。第三处理腔室130的第一端部处形成有出口 131，且第三处理腔室130的第二端部附接至第二处理腔室120的第一端部。第三处理腔室130与基板出口 122连通。在第三处理腔室130的出口 131外，设置有用于在表面处理之后将基板10载送出基板表面处理系统100的传送机器人(图中未显不)。在第一处理腔室110中设置有用于沿第一方向Xl朝第二处理腔室120水平地传送基板10的第一水平传送单元141。在第三处理腔室130中设置有用于沿第二方向X2(即，与第一方向Xl相对的方向)水平地传送基板10的第三水平传送单元143。在第二处理腔室120中设置有用于沿第一方向Xl及第二方向X2水平地传送基板10的第二水平传送单元142，其中垂直传送单元150与第二水平传送单元142相组合，以沿垂直方向向上及向下移动第二水平传送单元142。当第二水平传送单元142向上移动至对应于基板入口 121的位置时，第二水平传送单元142沿第一方向Xl (其在图I中为自左向右的方向)水平地移动基板10，且当第二水平传送单元142向下移动至对应于基板出口 122的位置时，第二水平传送单元142沿第二方向X2(其在图I中为自右向左的方向)移动基板10。第一水平传送单元141包括多个第一驱动辊144及多个第二驱动辊145。第一驱动辊144被定位成相较第二驱动辊145更靠近入口 111。如图2A及图2B所示，第一驱动辊144的直径Cl1大于第二驱动辊145的直径d2。由于第一驱动辊144被设置成相对靠近入口 111，因而可相对迅速地经由入口 111载送基板10，因此，可迅速地将基板10载送至第一处理腔室110中。由于第二驱动辊145是在正在对基板10执行特定处理的同时传送基板10，因此，为精确地控制基板10的传送速度，第二驱动辊145可被形成为小于第一驱动辊144。第三水平传送单元143可包括所述多个第一驱动辊144及所述多个第二驱动辊145。如上所述，第一驱动辊144的直径Cl1大于第二驱动辊145的直径d2。由于第一驱动辊144被设置成相对靠近出口 131，因而可相对迅速地经由出口 131载送出基板10，因此，可迅速地将基板10载送出第三处理腔室130。如上所述，由于第二驱动辊145是在正在对基板10执行特定处理的同时传送基板10，因此，为精确地控制基板10的传送速度，第二驱动辊145可被形成为小于第一驱动辊 144。第二水平传送单元142可包括所述多个第二驱动辊145，所述多个第二驱动辊145具有相对小的直径，使得第二水平传送单元142可在第二处理腔室120中精确地移动基板10。在上述实施例中，设置于第一水平传送单元141至第三水平传送单元143中的第二驱动辊145可具有相同的直径。然而，本发明并非仅限于此，而且第一水平传送单元141至第三水平传送单元143可包括具有不同直径的第二驱动辊。在第一处理腔室110中，可将加载区151及预润湿区152以所述次序设置于入口111与第二处理腔室120之间。在第一水平传送单元141中，第一驱动辊144位于加载区151中，而第二驱动辊145则位于预润湿区152中。在加载区151中设置有第一等离子体供应单元161，以用于对经由入口 111而载送的基板10的表面执行等离子体处理。还可在预润湿区152中设置第二等离子体供应单元162，因此，基板10的表面在第二处理腔室120中处理之前将被充分地活化。并非必需同时设置第一等离子体供应单元161及第二等离子体供应单元162两者，而是也可仅设置第一等离子体供应单元161或第二等离子体供应单元162。在预润湿区152中设置有预润湿单兀163,以用于通过将去离子(deionizedwater, DI)水喷射至基板10的表面上来预润湿基板10的表面。为使第三处理腔室130接收到基板10，第二处理腔室120使自第一处理腔室110接收到的基板10的移动方向反向。因此，第二处理腔室120用作方向转换区。此外，在第二处理腔室120中设置有表面处理区153。在第三处理腔室130中，冲洗区154、干燥区155、以及卸载区156以所述次序设置于第二处理腔室120与出口 131之间。在第三水平传送单元143中，第一驱动辊144位于卸载区156中，而第二驱动辊145则设置于冲洗区154及干燥区155中。在冲洗区154中，依序设置有第一冲洗单元164及第二冲洗单元165。第一冲洗单元164及第二冲洗单元165将去离子水喷射至被载送出表面处理区153的基板10的表面上，使得基板10的表面上不残留蚀刻剂。在第一冲洗单元164与第二冲洗单元165之间还设置有水喷射单元166，以经由高压水注来清洁基板10的表面。并非必需设置第一冲洗单元164、第二冲洗单元165、及水喷射单元166中的全部，而是第一冲洗单元164、第二冲洗单元165、及水喷射单元166至少其中之一便足够。如图I所示，第一冲洗单元164、第二冲洗单元165、及水喷射单元166可设置于基板10的上方及下方。因此，可通过同时将去离子水提供至基板10的顶面及底面来清洁基板10。干燥单元167可设置于干燥区155中。如图3所示，干燥单元167包括具有线型形状并喷射空气的喷嘴单元167a，其中喷嘴单元167a可被设置成相对于基板10的水平移动方向倾斜。因此，喷嘴单元167a自基板10的一端部沿对角线方向将空气喷射至基板10的相对端部。当喷嘴单元167a自基板 10的端部开始喷射空气并在基板10的对角线方向上的相对端部结束喷射空气时，可更有效地自基板10的表面移除水分。如图I所示，干燥单元167可设置于基板10的上方及下方。虽然在上述实施例中，干燥单元167的喷嘴单元167a是固定的且基板10沿水平方向移动，但本发明并非仅限于此，而是喷嘴单元167a也可沿基板10的水平移动方向移动。第一处理腔室110上设置有第一风扇过滤单元114。第一风扇过滤单元114排出第一处理腔室110内的空气，以使第一处理腔室110的内部保持清洁并防止微粒附着至基板10的表面。第二处理腔室120上设置有第二风扇过滤单元124，且第三处理腔室130上设置有第三风扇过滤单元134。第二风扇过滤单元124移除第二处理腔室120内的微粒，而第三风扇过滤单元134则移除第三处理腔室130内的微粒。同时，如图4所示，第二处理腔室120中的第二水平传送单元142包括框架146。框架146包括沿第一方向Xl延伸且相互平行的第一框架146a及第二框架146b、以及沿与第一方向Xl垂直的方向Y延伸且相互平行的第三框架146c及第四框架146d。第一框架146a至第四框架146d组合形成矩形形状。位于第一方向Xl的一端处的第三框架146c被定位成低于其他各框架，以易于载入基板。如图4及图5所示，多个支撑杆147以相等间距设置于第一框架146a及第二框架146b上。所述多个第二驱动辊145以预定间距设置于每一支撑杆147上。每一支撑杆147的两个相对端部分别嵌入于第一框架146a及第二框架146b中。每一支撑杆147的两个相对端部处设置有齿轮149a。在第一框架146a及第二框架146b中设置有斜齿轮(helicalgear) 149b，其中斜齿轮149b是由一单独的驱动单元(图中未显示)带动旋转。虽然图5显示在第一框架146a及第二框架146b两者中均设置有斜齿轮14%，但本发明并非仅限于此，也可仅于第一框架146a及第二框架146b其中之一中设置斜齿轮149b。当驱动单元带动斜齿轮14%旋转时，所述多个支撑杆147会接收到旋转力并旋转，因此，所述多个第二驱动辊145将同时旋转。如图4所示，垂直传送单元150附接至框架146的底面。垂直传送单元150包括用于沿垂直方向向上及向下移动框架146的单元(例如，气缸单元)。如图4所示,在框架146下方设置有位置调整单元171。位置调整单元171包括向上突出的多个销172，并可通过单独的垂直驱动单元(图中未显示)而沿垂直方向向上及向下移动。
例如，如果移动至第二水平传送单元142上方位置的基板10未水平对齐，则位置调整单元171可向上移动，以使销172直接向上推动基板10并支撑基板10。如此一来，便可使基板10水平对齐。此处，销172可向上移动以穿过各支撑杆147之间的空间并向上推动基板10。同时，工作流体(work fluid，或冷却水)自上方倾注至斜齿轮149b，以冷却斜齿轮149b并移除由于磨损而产生的微粒。如图5所示，工作流体排放单元190设置于第一框架146a及第二框架146b的底面处。工作流体排放单元190包括排放连接器191、排放管192、及导管(guide) 194。排放连接器191连接至形成于第一框架146a中的孔,并包括通孔(viahole),工作流体可经由所述通孔而流至排放管192中。排放连接器191可被构造成当排放管192旋转 时，排放连接器191将围绕附接至第一框架146a及第二框架146b的部分而旋转。排放连接器191所附接至的第一框架146a及第二框架146b可被设计成高于排放连接器191，以使工作流体可流至排放连接器191中。排放管192具有管状形状，工作流体可向下流入至排放管192中。排放管192的第一端部(顶端)连接至排放连接器191，而排放管192的第二端部(底端)位于导管194处。排放管192的底端可沿导管194移动并将工作流体排出至导管194。为实现排放管192底端的平滑移动，可在排放管192的底端处设置滚轮193。如图4及图5所示，在工作流体排放单元190中，当垂直传送单元150向上及向下移动框架146时，排放管192的底端会沿导管194向左及向右移动，因此，第一框架146a及第二框架146b中的工作流体可流经排放管192，随后被排出至导管194，并被存储于单独的工作流体贮存器(图中未显示)中。因此，可防止工作流体溢流至第一框架146a及第二框架146b外，因而可防止第二处理腔室120的内部被工作流体污染。此外，可通过即时地排放第一框架146a及第二框架146b内的工作流体来防止第一框架146a及第二框架146b中的工作流体增加，因此可防止工作流体被引入至用于驱动斜齿轮149b的驱动单元中。通过经由排放管192及导管194来排放工作流体，可将工作流体顺利地排出第二处理腔室120。虽然图5显示工作流体排放单元190连接至第一框架146a及第二框架146b两者，但本发明并非仅限于此。如果斜齿轮149b仅安装于第一框架146a与第二框架146b其中之一中，则工作流体排放单元190可连接至第一框架146a与第二框架146b中的对应者。此外，如图5所示，如果工作流体排放单元190连接至第一框架146a及第二框架146b两者，则需要以互不干涉的方式设置两个排放管192。因此，在此种情形中，需要在排放管192下方分别设置两个导管194。接下来，将阐述安装于表面处理区153中的基板表面处理装置。如图6所示，安装于表面处理区153中的基板表面处理装置包括处理模块180、控制单元70、第一贮存器35至第三贮存器55。
在根据本发明进行处理之前，基板10可为特别适用于显示装置的各种类型基板中的任一种，并可包括基底基板(base substrate) 11、娃膜12、及氧化娃膜13。基底基板11可为玻璃基板、塑料基板、或金属基板。虽然图中未显不，但基底基板11的表面上还可设置有包含有机材料及/或无机材料的绝缘膜。可通过在基底基板11的表面上形成非晶硅膜来获得硅膜12。随后，硅膜12可经由结晶工艺而变成多晶硅膜。所述结晶工艺可为激光结晶工艺(例如ELA)。然而，本发明并非仅限于此，而是可采用各种结晶工艺中的任一种。例如，可使用通过使硅膜12结晶而得到的多晶硅膜作为显示装置的TFT的有源层。此外，非晶硅膜在被图案化及掺杂之后可用作TFT的有源层。氧化娃膜13形成于娃膜12的表面上。氧化娃膜13是当娃膜12的表面与空气中的氧气或氮气复合时所自然形成的氧化膜，且其通常被形成为具有约5 A至约1000 A的厚 度。基板10并非仅限于上述其中硅膜12形成于基底基板11上的基板，而是可为各种类型基板中的任一种(例如，包括硅膜的硅晶圆)。处理模块180被设置成选择性地将第一流体至第三流体提供至基板10的表面，更具体而言，用于选择性地将第一流体至第三流体提供至形成于硅膜12的表面上的氧化硅膜13的表面。第一流体存储于第一贮存器35中，并可包括用于蚀刻形成于硅膜12表面上的氧化硅膜13的溶液。根据本发明的实施例，第一流体可为包含臭氧溶液的流体。由于第一流体与下文所述的第二流体相比对氧化硅膜13的蚀刻速率较低，因此第一流体可用作用于清除基板10表面上的有机材料的洗涤剂。因此，第一流体可为中性洗涤剂或碱性洗涤剂。第二流体存储于第二贮存器45中，可蚀刻形成于硅膜12表面上的氧化硅膜13，具有与第一流体不同的成分，并包含与第一流体相比对氧化硅膜的蚀刻速率较高的溶液。根据本发明的实施例，第二流体可包含氢氟酸或氟化铵(ammonium fluoride)溶液。第三流体存储于第三贮存器55中，并可在基板10的表面上稀释第一流体与第二流体至少其中之一。根据本发明的实施例，第三流体可包含水(例如,去离子(DI)水)。第三流体可用作缓冲流体，以用于停止作为蚀刻剂的第一流体及第二流体对基板10表面的作用。处理模块180包括流体喷射单元，以用于将第一流体至第三流体均匀地散布在基板10上。为实现此目的，处理模块180被设置成沿平行于基板10的纵向的直线来回地移动并将第一流体至第三流体提供至基板10的表面上。处理模块180可被设计成具有选择性地将第一流体至第三流体提供至处理模块180的附加功能。为实现此目的，可设置单独的抽吸单元(图中未显示)以用于将第一流体至第三流体排出至基板10。可在第一贮存器35至第三贮存器55与处理模块180之间夹置第一开启/关闭阀36至第三开启/关闭阀56。第一开启/关闭阀36至第三开启/关闭阀56可为电子阀，其连接至控制单元70且由控制单元70控制开启及关闭。同时，尽管图6显示设置有第一贮存器35至第三贮存器55中的全部，然而本发明并非仅限于此。尽管图中未显示，然而可仅设置第一贮存器35及第二贮存器45，且第一贮存器35及第二贮存器45可如下文所述在不同时刻将第一流体及第二流体提供至基板10的表面。如此一来，可移除氧化硅膜13并可使基板10的表面平坦化。可按第一流体、第三流体、及第二流体的次序将第一流体至第三流体提供至基板
10。在其中处理模块180来回移动的情形中，可按第一流体、第三流体、及第二流体、第三流体、及第一流体的次序来提供第一流体至第三流体。提供第一流体至第三流体的顺序可根据工艺条件而异。例如，可按第二流体、第三流体、及第一流体的次序、按第一流体及第三流体的次序、或按第二流体及第三流体的次序来提供第一流体至第三流体。如上所述，在其中处理模块180来回移动的情形中，可按相反次序来进一步提供第一流体至第三流体。此外，可按所述次序提供第一流体及第二流体，而不提供第三流体。如上所述，在其中处理模块180来回移动的情形中，可按相反的次序进一步提供第一流体及第二流体。
根据本发明，通过在不同时刻将第一流体及第二流体(其为具有不同蚀刻速率的蚀刻剂)提供至基板10，可清洁基板10的表面，并可同时有效地控制对氧化硅膜13的蚀亥IJ。此外，可改善被移除氧化硅膜13后的硅膜12的表面的平坦性。此外，通过将第三流体提供至基板10，残留于基板10的表面上的第一流体及/或第二流体可被第三流体清除，由此可防止由于残留于基板10的表面上的第一流体与第二流体混合而产生不期望的蚀刻速率。因此，可精确地管理蚀刻速率，并可在大规模生产中改善基板10的表面的均匀度。所述第一流体至第三流体的提供并非仅限于单次来回扫描，而是包括经由至少两次来回扫描而选择性地提供第一流体至第三流体中的至少两种。尽管图6显示其中由所述一个处理模块180选择性地提供第一流体至第三流体的实施例，然而本发明并非仅限于此。例如，在如图7所示根据本发明另一实施例的基板表面处理装置中，处理模块180包括第一处理模块181至第三处理模块183。第一处理模块181至第三处理模块183均被设置成流体喷射模块。第一处理模块181至第三处理模块183分别连接至第一贮存器35至第三贮存器55，且第一开启/关闭阀36至第三开启/关闭阀56分别设置于第一贮存器35至第三贮存器55与第一处理模块181至第三处理模块183之间。此处，第一处理模块181至第三处理模块183可被设置成互不干涉彼此的移动。在此种情形中，可如参照图6所述以各种次序中的任一次序来排出第一流体至第
二流体。同时，第一处理模块181至第三处理模块183可相互组合并一体地工作。图8显不根据本发明另一实施例的处理模块180,其中处理模块180包括第一处理模块181及第二处理模块182。第一处理模块181及第二处理模块182中的每一者均连接至第一贮存器35至第三贮存器55中的两者的不同组合。在图8所示的实施例中，第一处理模块181连接至第一贮存器35及第三贮存器55，而第二处理模块182则连接至第二贮存器45及第三贮存器55。因此，第三开启/关闭阀56a及56b分别安装于第三贮存器55与第一处理模块181之间及第三贮存器55与第二处理模块182之间。
在此种情形中，第一流体至第三流体可如图6所示按各种顺序中的任意顺序喷出。此外，第一处理模块181及第二处理模块182可相互组合并一体地工作。图9显示根据本发明另一实施例的基板表面处理装置的配置，其中处理模块180包括流体喷射模块180a及空气喷射模块180b。流体喷射模块180a及空气喷射模块180b 二者均连接至控制单元70，且流体喷射模块180a可为图6至图8所示的处理模块180。空气喷射模块180b被设置成向基板10的表面提供流体切割空气，并可在与流体喷射模块180a相同的方向上移动。流体喷射模块180a及空气喷射模块180b可被设置成分别由单独的线性驱动单元在水平方向上驱动。空气喷射模块180b连接至空气罐65。可在空气喷射模块180b的内部或外部设置空气泵(图中未显示)。此外，空气喷射模块180b连接至控制单元70，以使控制单元70控制流体切割空气的喷射。 在空气喷射模块180b与空气罐65之间进一步设置有第四开启/关闭阀66，其中第四开启/关闭阀66可连接至控制单元70，以使控制单元70可控制第四开启/关闭阀66的开启及关闭。空气喷射模块180b被设置成适用于喷射流体切割空气的喷射喷嘴，并可为能够喷射流体切割空气帘(fluid cutting air curtain)的喷嘴。流体切割空气在一操作中被提供至基板10，并通过借助空气压力将第一流体至第三流体至少其中之一推离基板10的表面而移除残留于基板10的表面上的所述第一流体至第三流体中的所述至少其中之一。如此一来，第一流体至第三流体便不会在基板10的表面上混合，并因而可防止第一流体及第二流体的浓度在基板10的表面上变成不期望的浓度。因此，通过使用流体切割空气，可精确地控制第一流体及第二流体的蚀刻速度，并可容易地控制第三流体的缓冲作用。尽管图9仅显示一个空气喷射模块180b，然而本发明并非仅限于此。根据设计条件，可设置不同数量的空气喷射模块180b中的任意数量来防止第一流体至第三流体中的至少两者相混合。例如，如图10所示，可围绕流体喷射模块180a设置两个空气喷射模块180b。流体切割空气可被喷射成与第一流体至第三流体至少其中之一重叠。此处，“被喷射成与.· ·重叠”这一表达是指流体切割空气是在第一流体至第三流体至少其中之一被喷射于基板10并作用于基板10的同时喷射至基板10。根据本发明的实施例，空气喷射模块180b是与流体喷射模块180a同时进行操作，以在喷射第一流体至第三流体至少其中之一的同时喷射流体切割空气。图11显示根据本发明一实施例的处理模块180。在图11所示实施例中，第一处理模块181及第二处理模块182相组合而形成单一流体喷射模块180a，且两个空气喷射模块180b围绕流体喷射模块180a设置。流体喷射模块180a包括第一处理模块181及第二处理模块182，其中第一处理模块181及第二处理模块182中的每一者均被形成为两个面板状构件的组合，在其中形成有流体喷射孔184，并具有与其连接的流体供应管185。流体供应管185可连接至外部贮存器(图中未显示)。
第一流体及第三流体可由第一处理模块181选择性地喷射，而第二流体可由第二处理模块182喷射。然而，本发明并非仅限于此。例如，第二流体及第三流体可由第一处理模块181选择性地喷射，而第一流体可由第二处理模块182喷射。另一选择为，第一流体及第二流体可由第一处理模块181选择性地喷射，而第三流体可由第二处理模块182喷射。空气喷射模块180b也被形成为两个面板状构件的组合，其中空气喷射模块180b具有空气喷射孔186，且空气供应管187连接至这些面板状构件。空气供应管187可连接至外部空气罐(图中未显示)。流体喷射模块180a及空气喷射模块180b具有在基板10的宽度方向上沿直线延伸的结构，并通过组合托架188进行固定。组合托架188被形成为能够调整空气喷射模块180b组合至组合托架188的角度，并因而可调整经过空气喷射模块180b喷射流体切割空气的角度。由于如上所述的处理模块180可喷射蚀刻剂、洗涤剂及流体并可作为单一模块而喷射切割空气，因而设备的总体结构(更具体而言，第二处理腔室120的结构)可变 得紧凑。其原因在于，用于使处理模块180来回移动的线性电动机机构(linear motor mechanism)的尺寸显著减小，并可简化包括泵及阀在内的组件。图12显示根据本发明另一实施例的处理模块180，其中处理模块180可尤其用作流体喷射模块。根据图12所示实施例的处理模块180包括第一供应管201及第二供应管202，第二供应管202的两个相对端部与第一供应管201的两个相对端部互连。第一区块203连接至第一供应管201的所述两个相对端部。此外，第二供应管202被设置成具有与第一供应管201的长度相对应的长度，其中第二区块204连接至第二供应管202的所述两个相对端部。第三供应管206分别互联于连接至第一供应管201的所述两个相对端部的第一区块203与连接至第二供应管202的所述两个相对端部的第二区块204之间，以使第一供应管201与第二供应管202相互连接。此外，第四供应管207连接至其中一个第二区块204，以供应流体。第四供应管207也可连接至其中一个第一区块203。第四供应管207可连接至外部贮存器(图中未显示)。通过将第一供应管201的所述两个相对端部连接至第二供应管202，可沿长度方向相对均匀地向第一供应管201供应流体，并因而可使喷嘴210喷射流体时的流量变化减小。根据图11及12所示实施例的处理模块180可应用于图6至图10所示的实施例。图13显示根据本发明另一实施例安装于表面处理区153中的基板表面处理装置。根据图13所示实施例的处理模块180包括流体喷射模块180a及空气喷射模块180b。处理模块180的流体喷射模块180a包括多个喷嘴300。喷嘴300沿基板10的长度方向设置，并被设置成一次向整个基板10喷射第一流体至第三流体中的一种流体。图12所示处理模块180的喷嘴300可排列成多个列。在上述结构中，流体喷射模块180a可以是固定的，且流体可一次喷射到整个基板10上。在此种情形中，需要向基板10选择性地喷射第一流体至第三流体。此外，空气喷射模块180b可沿基板10的表面移动并向基板10喷射流体切割空气。在喷嘴300固定的同时，基板10可来回移动。此处，基板10的移动距离可等于或大于各喷嘴300之间的间距，因此流体可均匀地喷射于基板10的表面上。尽管图13显示所有喷嘴300均通过第一开启/关闭阀36至第三开启/关闭阀56而连接至第一贮存器35至第三贮存器55，然而本发明并非仅限于此。如图14所示，第一贮存器35至第三贮存器55可分别连接至第一喷嘴301至第三喷嘴303。此处，第一喷嘴301至第三喷嘴303可交错排列。在此种情形中，基板10移动的距离可等于或大于第一喷嘴301与第二喷嘴302之间的间距或者第二喷嘴302与第三喷嘴303之间的间距。此外，尽管图中未显示，然而这些喷嘴300中的一部分可连接至第一贮存器35至第三贮存器55中的两个，而这些喷嘴300中的另一部分可连接至第一贮存器35至第三贮存器55中的剩余的一个。 此外，尽管在图13及图14所示的两个实施例中均设置空气喷射模块180b，然而本发明并非仅限于此。如图15所示，即使没有空气喷射模块180b，也可简单地通过使基板10倾斜一预定角度而移除在基板10的表面上残留的流体。此处，倾斜角度可为5°。尽管图15显示其中省略空气喷射模块180b的与图14所示结构相对应的结构，然而本发明并非仅限于此。尽管图中未显示，然而在图13所示实施例中也可省略空气喷射模块180b。以下，将对倾斜系统进行详细说明。尽管在图13所示实施例中将各喷嘴300设置成多个列，然而喷嘴300也可如图16所示设置成单个列。图12所示处理模块180的各喷嘴300可设置成单个列。在所述结构中，基板10来回移动的距离增大。例如，基板10可来回移动一等于或大于基板10的长度的距离，以使流体可充分地供应于基板10的表面上。然而，本发明并非仅限于此，且在此种情形中，喷嘴300可在基板10的长度方向上线性地来回移动。在图16所示实施例中，第一贮存器35至第三贮存器55通过第一开启/关闭阀36至第三开启/关闭阀56而连接至排列成单个列的喷嘴300。然而，本发明并非仅限于此。如图17所示，第一贮存器35至第三贮存器55可分别连接至排列成单个列的第一喷嘴301及第三喷嘴303。此处，第一喷嘴301至第三喷嘴303可交错排列。在图16及图17所示实施例中，可通过使基板10倾斜一预定角度而在无空气喷射模块的情况下移除残留于基板10的表面上的流体。然而，本发明并非仅限于此。如图13及图14所示的实施例中所示，空气喷射模块180b可向基板10的表面喷射流体切割空气。如图I所示的基板表面处理装置如下文所述执行表面处理。首先，由传送机器人(图中未显示)通过入口 111将基板10载送至第一处理腔室110中，基板10在被传送经过加载区151及预润湿区152时被预处理。加载区151的第一驱动辊144使基板10沿第一方向Xl (在图I中为向右的方向)水平移动。此处，可由设置于加载区151中的第一等离子体供应单元161对基板10的表面进行等离子体处理。接下来，由第一处理腔室110的第二驱动辊145使基板10在预润湿区152中水平移动。在预润湿区152中，由第二等离子体供应单元162对基板10进行等离子体处理，并由预润湿单元163润湿基板10的表面。
随着第二驱动辊145沿第一方向Xl进一步移动基板10，基板10经过基板入口 121并被载送至表面处理区153中，表面处理区153处于第二处理腔室120中。此处，在第二处理腔室120中，第二水平传送单元142被提升至对应于基板入口 121的位置，且基板10通过第二水平传送单元142的第二驱动辊145而沿第一方向Xl水平移动，并被设置于第二水平传送单元142上。接下来，由垂直传送单元150向下移动第二水平传送单元142。在表面处理区153中，由处理模块180处理基板10的表面。处理模块180选择性地提供第一流体至第三流体至基板10的表面。换句话说，处理模块180可向基板10的表面喷射第一流体及/或第二流体与第三流体的适宜组合，其中第一流体及/或第二流体用于蚀刻基板10的表面上的氧化硅膜及/或硅膜。第一流体至第三流体的组合如上文所述。此处，在提供第一流体至第三流体的选择性组合的同时，也可提供流体切割空气 至基板10。第一流体至第三流体与流体切割空气的选择性组合如上文所述。在完成表面处理区153中的处理之后，第二水平传送单元142沿与第一方向Xl相对的第二方向X2传送基板10，且基板10通过基板出口 122而被载送出第二处理腔室120并被载送至第三处理腔室130的冲洗区154中。当基板10被载送出第二处理腔室120时，基板10可经过由空气喷射模块180b所形成的空气帘，以移除残留于基板10的表面上的流体。在第三处理腔室130中，第三水平传送单元143沿第二方向X2进一步传送基板10。在冲洗区154中，将去离子水喷射于基板10的表面上，由此对基板10的表面进行清洁。详言之，第一冲洗单元164及第二冲洗单元165向被载送出第二处理腔室120的基板10的表面喷射去离子水，以便不会有蚀刻剂残留于基板10的表面上。设置于第一冲洗单元164与第二冲洗单元165之间的水喷射单元166通过以高压向基板10的表面喷射水来清洁基板10的表面。接下来，沿第二方向X2进一步移动基板10，以将基板10传送至干燥区155。在干燥区155中，通过干燥工艺来移除基板10的表面上的水分。详言之，干燥单元167的喷嘴单元移动并移除基板10的表面上的水分。接下来，基板10沿第二方向X2进一步移动，然后经过卸载区156，并通过出口 131被排出。当基板10被载送至系统100内时，第一处理腔室110上的第一风扇过滤单元114、第二处理腔室120上的第二风扇过滤单元124及第三处理腔室130上的第三风扇过滤单元134被同时地及/或依序地驱动，以使系统100的内部保持清洁并防止微粒附着至基板10的表面上。根据本发明的基板表面处理系统及基板表面处理方法，对基板10的表面进行的处理是总体上以U形进行的。因此，与直列式系统相比，根据本发明的基板表面处理系统可具有明显更紧凑的结构，因此可减小基板表面处理系统的安装所用的空间。图18显示根据本发明另一实施例的基板表面处理系统。根据图18所示实施例的基本配置相同于根据图I所示实施例的配置。然而，在本实施例中，表面处理区153不位于第二处理腔室120中，而是位于第三处理腔室130中。因此，第二处理腔室120仅用作方向转换区，且被载送出第二处理腔室120的基板10沿第二方向X2传送并依序经过表面处理区153、冲洗区154、干燥区155及卸载区156。图19显示根据本发明另一实施例的基板表面处理系统。根据图19所示实施例的基本配置相同于根据图I所示实施例的配置。然而，在本实施例中，设置于第二处理腔室120中的垂直传送单元150包括倾斜驱动单元。在图19中，基板10被载送至第二处理腔室120中。如 图20A所示，基板10沿第一方向Xl水平移动。此处，基板10处于第一位置Pl，在第一位置Pl上，基板10的表面平行于地面。接着，随着基板10垂直向下移动，倾斜驱动单元使基板10倾斜，以在基板10的表面与地面之间形成锐角Θ。此处，基板10倾斜成在基板10的表面与方向Y之间形成锐角Θ，其中方向Y是垂直于第一方向Xl的方向。在基板10如上所述倾斜的第二位置P2上，基板10沿第二方向X2水平移动并被载送出第二处理腔室120。图21显示安装于第二处理腔室120中的第二水平传送单元142及垂直传送单元150。如图21所示，如在图4所示实施例中一样，第二水平传送单元142包括框架146。然而，用于支撑基板10的侧面的支撑滚轮148安装于第一框架146a及第二框架146b的顶面上。此外，支撑滚轮148也安装于第四框架146d的顶面上。垂直传送单元150包括附接至第一框架146a的底部的第一垂直传送单元150a及附接至第二框架146b的底部的第二垂直传送单元150b。在如图19所示实施例中一样垂直传送单元150也用作倾斜驱动单元的情形中，垂直传送单元150可将基板10向下移动并同时使基板10倾斜，如图20A所示。换句话说，若当垂直传送单兀150使基板10向下移动时第一垂直传送单兀150a的收缩大于第二垂直传送单元150b，则基板10可自然地位于第二位置P2，如图20A所示。在此种情形中，由于第一框架146a的顶面上的支撑滚轮148，基板10不会进一步向下移动。在此种状态下，若第二驱动辊145旋转，则基板10沿第二方向X2水平运动，如图20A所示。如上所述用作倾斜驱动单元的垂直传送单元150可进一步形成于第三水平传送单元143的至少一部分中，如图19所示。换句话说，可在表面处理区153及冲洗区154中在第三水平传送单元143中安装也用作倾斜驱动单元的垂直传送单元。此外，也可在干燥区155中安装也用作倾斜驱动单元的垂直传送单元。在根据本发明另一实施例的基板表面处理系统中，在第一位置Pl处被载送至第二处理腔室120中的基板10向下移动并同时倾斜，其倾斜至第二位置P2，并被载送出第二处理腔室120。接下来，如图20B所示，在第三处理腔室130中使基板10向回倾斜至第一位置Pl。此处，如图19所示，位置调整单元171设置于第三处理腔室130的表面处理区153的底部附近，因而可调整基板10的位置。位置调整单元171包括向上突出的多个销172，并可通过单独的垂直传送单元(图中未显示)而沿垂直方向向上及向下移动。位置调整单元171可稳定地支撑基板10，这是因为当基板10在表面处理区153中向回倾斜至第一位置Pl时，销172直接支撑基板10的底部。此处，基板10可仅通过自第二位置P2倾斜至第一位置Pl而容置于销172上,而无需向上及向下移动位置调整单元171。当完成表面处理区153中的处理且基板10被传送至冲洗区154时，基板10向回倾斜至第二位置P2，然后被水平地传送至第二位置P2，并经过至少冲洗区154。基板10可在干燥区155中倾斜至第二位置P2。然而，本发明并非仅限于此，且基板10可向回倾斜至第一位置Pl并被水平地传送。基板10在卸载区156中倾斜至第一位置P1，并可通过出口 131被排出。若基板10是大型基板，则如上所述使基板10倾斜会非常有效。换句话说，若基板10是大型基板，则搬运基板10会颇为困难且流体可能会聚集于基板10的表面上。在基板10倾斜并被载送至表面处理区153中之后，当基板10向回倾斜 至第一位置Pl时，基板10被自然地容置于位置调整单元171的销上，因而可立即执行基板表面处理工艺而无需调整基板10的位置。如此一来，可缩短总的处理时间。此外，由于是在基板10倾斜至第二位置P2时对基板10执行例如冲洗工艺等工艺，因而洗涤剂会自然地流动至基板10的表面上，并因此可防止流体聚集于基板10的表面上。尽管在上述各实施例中基板10仅在第二处理腔室120及第三处理腔室130中的一部分区中倾斜，然而本发明并非仅限于此，且基板10可在第一处理腔室110至第三处理腔室130中一直保持第二位置P2。通过使基板保持倾斜，可减小设备在基板宽度方向上的尺寸，并由此可减小设备的安装空间。此外，通过调整倾斜角度Θ，可改善大型基板的搬运，且本发明可容易地应用于大型基板。根据本发明的上述各实施例，基板表面处理系统可被实施成具有双重堆叠结构，因此基板表面处理系统可变得相对紧凑并且在安装时的空间限制可减小。此外，所述基板表面处理系统可相对更适用于处理大型基板。此外，通过使用第一流体及第二流体，可在对多晶硅膜的表面进行清洁的同时对氧化硅膜进行蚀刻，且在蚀刻掉氧化硅膜之后，多晶硅膜的表面的平坦度可得到进一步提闻。此外，可通过在不同时刻提供第一流体及第二流体来控制由作为蚀刻剂的第一流体及第二流体所引起的蚀刻。此外，通过在作为不同类型蚀刻剂的第一流体与第二流体之间提供第三流体，可通过第三流体的缓冲功能而精确地控制蚀刻，因此可防止由于第一流体与第二流体混合而造成不期望的蚀刻速率以及因不期望的蚀刻速率而造成生产率降低。此外，通过提供流体切割空气而自基板表面移除第一流体至第三流体中的至少一者，可防止第一流体至第三流体中的至少两种流体在基板表面上混合，由此可获得最初所需的蚀刻精度。尽管上文已参照本发明的实例性实施例而具体显示及阐述了本发明，然而，所属领域的一般技术人员将理解，可在不背离由权利要求书所界定的本发明精神及范围的条件下对其作出形式及细节上的各种改动。
权利要求
1.一种基板表面处理系统，包括 第一处理腔室，在第一端部处包括入口且沿平行于地面的方向延伸； 第二处理腔室，沿垂直于地面的方向延伸，其中所述第一处理腔室的第二端部在所述第二处理腔室的第一端部处附接至所述第二处理腔室的上部； 第三处理腔室，沿平行于地面的方向延伸，位于所述第一处理腔室的下方，第三处理腔室在其第一端部处具有出口，其中位于所述第二处理腔室的所述第一端部处的所述第二处理腔室的下部在所述第三处理腔室的第二端部处附接至所述第三处理腔室； 第一水平传送单元，安装于所述第一处理腔室中并沿第一方向朝所述第二处理腔室水平地传送基板； 第二水平传送单元，安装于所述第二处理腔室中并水平地传送所述基板； 垂直传送单元，安装于所述第二处理腔室中，与所述第二水平传送单元相组合，并沿垂直方向向上及向下移动所述第二水平传送单元； 第三水平传送单元，安装于所述第三处理腔室中并沿与所述第一方向相对的第二方向水平地传送自所述第二处理腔室排出的所述基板；以及 处理模块，安装于所述第一处理腔室至所述第三处理腔室至少其中之一中并处理所述基板的表面。
2.根据权利要求I所述的基板表面处理系统，其特征在于，还包括预润湿单元，所述预润湿单元设置于所述第一处理腔室中并预润湿所述基板的表面。
3.根据权利要求I所述的基板表面处理系统，其特征在于，还包括以下至少其中之一 冲洗单元，设置于所述第三处理腔室中并冲洗所述基板的表面；以及 干燥单元，设置于所述第三处理腔室中并干燥所述基板的表面。
4.根据权利要求I所述的基板表面处理系统，其特征在于，还包括风扇过滤单元，所述风扇过滤单元安装于所述第一处理腔室至所述第三处理腔室至少其中之一中。
5.根据权利要求I所述的基板表面处理系统，其特征在于，所述处理模块位于所述第三处理腔室中。
6.根据权利要求I至4中的任一项所述的基板表面处理系统，其特征在于，还包括倾斜驱动单元，所述倾斜驱动单元与所述第一水平传送单元至所述第三水平传送单元至少其中之一的至少一部分相组合，并使所述第一水平传送单元至所述第三水平传送单元的至少所述其中之一的至少所述部分倾斜。
7.根据权利要求I至4中的任一项所述的基板表面处理系统，其特征在于，所述第一水平传送单元或所述第三水平传送单元包括多个第一驱动辊及多个第二驱动辊， 所述多个第一驱动辊被定位成相较所述多个第二驱动辊更靠近所述入口或所述出口，以及 所述多个第一驱动辊的直径大于所述多个第二驱动辊的直径。
8.根据权利要求I至4中的任一项所述的基板表面处理系统，其特征在于，所述第二水平传送单元包括多个驱动辊。
9.根据权利要求I至4中的任一项所述的基板表面处理系统，其特征在于，所述处理模块包括流体喷射模块及空气喷射模块，所述流体喷射模块及所述空气喷射模块被整合为单一单元，所述流体喷射模块朝所述基板喷射至少一种类型的蚀刻剂，所述至少一种类型的蚀刻剂能够蚀刻所述基板的表面上的硅膜，以及 所述空气喷射模块向所述基板的表面喷射流体切割空气。
10.根据权利要求9所述的基板表面处理系统，其特征在于，所述流体喷射模块及所述空气喷射模块被设置成同时工作。
11.根据权利要求I至4中的任一项所述的基板表面处理系统，其特征在于，所述处理模块包括多个喷嘴。
12.根据权利要求I至4中的任一项所述的基板表面处理系统，其特征在于，所述基板及所述处理模块至少其中之一被设置成沿所述基板的纵向线性地移动。
13.—种基板表面处理方法,包括 第一水平传送，用于沿第一方向水平地传送基板； 向下垂直传送，用于沿垂直方向降下所述基板； 第二水平传送，用于沿与所述第一方向相对的第二方向水平地传送所述基板；以及 表面处理，用于在所述第一水平传送、所述向下垂直传送、以及所述第二水平传送至少其中之一期间，或在所述第一水平传送、所述向下垂直传送、以及所述第二水平传送其中至少两者之间处理所述基板的表面。
14.根据权利要求13所述的基板表面处理方法，其特征在于，所述第一水平传送包括预润湿所述基板的表面。
15.根据权利要求13所述的基板表面处理方法，其特征在于，所述第二水平传送包括冲洗所述基板的表面与干燥所述基板的表面中的至少一项。
16.根据权利要求13所述的基板表面处理方法，其特征在于，所述表面处理是在所述向下垂直传送与所述第二水平传送之间执行。
17.根据权利要求13至16中的任一项所述的基板表面处理方法，其特征在于，所述第一水平传送、所述向下垂直传送、以及所述第二水平传送至少其中之一包括使所述基板相对于地面倾斜。
18.根据权利要求17所述的基板表面处理方法，其特征在于，所述使所述基板倾斜包括使所述基板倾斜成使所述基板的表面相对于与所述第一方向或所述第二方向垂直的方向倾斜。
19.根据权利要求13至16中的任一项所述的基板表面处理方法，其特征在于，所述表面处理包括将至少一种类型的蚀刻剂与流体切割空气至少其中之一提供至所述基板的表面，所述至少一种类型的蚀刻剂能够蚀刻所述基板的表面上的硅膜。
20.根据权利要求19所述的基板表面处理方法，其特征在于，在所述表面处理期间同时提供所述蚀刻剂及所述流体切割空气。
全文摘要
本发明提供一种具有紧凑结构的基板表面处理系统及一种基板表面处理方法。基板表面处理系统包括第一处理腔室，在第一端部处包括入口且沿平行于地面的方向延伸；第二处理腔室，沿垂直于地面的方向延伸，其中第一处理腔室的第二端部在第二处理腔室的第一端部处附接至第二处理腔室的上部；第三处理腔室，沿平行于地面的方向延伸，位于第一处理腔室的下方，并在第一端部处具有出口，其中位于第二处理腔室的第一端部处的第二处理腔室的下部在第三处理腔室的第二端部处附接至第三处理腔室；第一水平传送单元；第二水平传送单元；垂直传送单元；第三水平传送单元；以及处理模块，安装于第一处理腔室至第三处理腔室至少其中之一中并处理基板的表面。
文档编号H01L21/67GK102915940SQ20121027735
公开日2013年2月6日 申请日期2012年8月6日 优先权日2011年8月5日
发明者安吉秀, 张承逸 申请人:株式会社Mm科技