用于半导体装置的尾线连接器的制造方法

用于半导体装置的尾线连接器的制造方法
【专利摘要】公开了一种存储装置以及制造该存储装置的方法。该存储装置通过将一个或多个半导体裸芯安装在衬底上并且将该裸芯引线键合到衬底而制造。封装该裸芯和引线键合。在分割步骤中切断引线键合，并且在其后，将切断的引线键合由在模塑料的一个或多个表面上的外部连接器连接到衬底。
【专利说明】用于半导体装置的尾线连接器

【背景技术】
[0001] 便携式消费类电子产品需求上的强劲增长推进了高容量存储装置的需求。非易失 性半导体存储装置，例如闪存卡，正广泛地用于满足数字信息存储和交换上不断增长的需 要。它们的便携性、多功能性和坚固设计以及它们的高可靠性和大容量，使这样的存储装置 理想地用于广泛种类的电子装置，例如包括数码相机、数字音乐播放器、视频游戏控制台、 PDA和移动电话。
[0002] 尽管已经知晓广泛种类的封装结构，但是闪存卡可通常制作为系统级封装（SiP) 或多裸芯模块（MCM)，其中多个裸芯以堆叠结构安装在衬底上。常规半导体封装体20(没有 模塑料）的边视图示出在现有技术的图1和2中。典型的封装体包括安装在衬底26上的 多个半导体裸芯22、24。已知的是以一定的偏移量彼此在顶部上层叠半导体裸芯（现有技 术图1)或者以堆叠结构层叠半导体裸芯。在堆叠结构中，裸芯22、24可由间隔层34分开 (现有技术图2)，或者由其中可埋设来自下裸芯的引线键合的膜层分开。尽管图1和2没 有示出，但是半导体裸芯形成有在裸芯上表面上的裸芯键合焊盘。衬底26可由夹设在上下 导电层之间的电绝缘芯形成。
[0003] 上和/或下导电层可被蚀刻以形成导电图案，包括电引线和指形焊点。引线键合 可连接在半导体裸芯22、24的裸芯键合焊盘和衬底26的指形焊点之间，以电连接半导体裸 芯到衬底。于是，衬底上的电引线在裸芯和主机装置之间提供了电路。一旦建立了裸芯和 衬底之间的电连接，则组件典型地被包封在模塑料（未示出）中以提供保护性封装。
[0004] 衬底26的长度以及因此形成的包封封装体20的整个长度大于裸芯22、24。这其 中的一个原因是裸芯和衬底上引线键合位置之间需要用于引线键合毛细管32的空间（图 2)以在衬底26和裸芯22、24之间形成引线键合。如果到衬底26的引线键合形成为太靠近 裸芯，毛细管32将在形成衬底上的连接前接触裸芯堆叠中的一个裸芯。裸芯堆叠越高，裸 芯和衬底上引线键合位置之间需要的空间越大。

【专利附图】

【附图说明】
[0005] 图1和2是省略模塑料的两个常规半导体体封装的现有技术的边视图。
[0006] 图3是本公开一个实施例的流程图。
[0007] 图4是在制造的第一阶段，安装且引线键合到衬底上的锚定焊盘的裸芯堆叠的侧 视图。
[0008] 图5A是图4所不的裸芯堆置和衬底的俯视图。
[0009] 图5B是图5A所示的替换实施例的俯视图。
[0010] 图6A、6B和6C是根据本公开实施例的存储装置在包封前的替换面板结构的俯视 图。
[0011] 图7是与图4 一样的侧视图，还包括模塑料。
[0012] 图8是图7所不裸芯堆置和衬底的俯视图。
[0013] 图9是与图7-样的侧视图，其中模塑料、引线键合和衬底的一部分已经从装置分 割掉。
[0014] 图10是图9所示半导体装置的俯视图。
[0015] 图11是图9所示半导体装置的端视图。
[0016] 图12是与图9 一样的侧视图，还示出了根据本公开实施例的模塑料的外部形成的 外部连接器。
[0017] 图13是图12所示半导体装置的俯视图。
[0018] 图14是图12所示的半导体装置的端视图。
[0019] 图15是图12所示的半导体装置的透视图。
[0020] 图16是为了形成外部连接器堆叠成阵列的多个半导体装置的透视图。
[0021] 图17是半导体装置的替换实施例的透视图，在半导体装置的至少两侧上包括外 部连接器。
[0022] 图18、19和20分别是根据本公开的替换实施例的半导体装置的侧视图、俯视图和 端视图。
[0023] 图21、22和23分别是图18-20的半导体装置分割且去除模塑料、焊线和衬底一部 分后的侧视图、俯视图和端视图。
[0024] 图24是与图23 -样的端视图，其进一步示出了外部连接器。
[0025] 图25和26是分割的半导体装置的俯视图和端视图，该分割的半导体装置包括暴 露在模塑料的外表面上的焊线。
[0026] 图27是与图26 -样的端视图，还示出了连接模塑料的外表面上的暴露焊线到衬 底的外部连接器。
[0027] 图28是示出图27所示替换的外部连接器结构的端视图。
[0028] 图29是根据进一步实施例的半导体装置的透视图，示出了从模塑料的一个表面 到另一个表面延伸的外部连接器。

【具体实施方式】
[0029] 现在，将参考图3至图29描述实施例，其涉及包括小长度和/或宽度的半导体装 置。在示例中，小长度和/或宽度可通过在裸芯堆叠中的半导体裸芯和衬底上的锚定焊盘 之间形成焊线而实现。在包封后，半导体装置可以以这样的方式分割，去除锚定焊盘且沿着 它们的长度切断焊线以实现总体上的小长度和/或宽度。切断的焊线暴露于模塑料的表 面，并且然后可通过模塑料的表面上形成的外部连接器电连接到衬底上的接触焊盘。
[0030] 应理解，本发明可以以不同的形式实施，而不应解释为限于这里阐述的实施例。相 反，提供这些实施例是为了本公开的透彻和完整，并且向本领域的技术人员充分传达本发 明。实际上，本发明旨在覆盖这些实施例的替换方案、修改和等同物，其包括在如所附权利 要求限定的本发明的范围和精神内。此外，在本发明的下述详细描述中，为了提供对本发明 的透彻理解给出了众多具体细节。然而，本领域的普通技术人员应该清楚的是本发明可在 没有这些具体细节的情况下实施。
[0031] 这里可能采用的术语"顶（顶部）"、"底（底部）"、"上（上部）"、"下（下部）"、 "垂直"和/或"水平"仅为了方便和示例的目的，而无意于将本发明限制于引用项能在位置 上的交换。
[0032] 图3是用于形成小足迹存储装置的实施例的流程图。首先参见图4和5A，半导体 装置150包括衬底152,其上安装了具有半导体裸芯154、156、158和160的裸芯堆叠153。 尽管图中所示的裸芯堆叠153包括四个存储器裸芯和一个控制器裸芯，但是裸芯堆叠在进 一步实施例中可包括更多或更少的裸芯。而且，尽管图4和5A(和其它图）显示出单个的 半导体装置150,但是可理解装置150可与衬底面板176上的多个其它装置150-起成批加 工（图6A)，如下面所说明的，以实现规模经济。衬底面板176上的装置150的行数和列数 可变化。
[0033] 衬底面板176开始于多个衬底152 (再次，一个这样的衬底不出在图4和5A中）。 衬底152可为不同种类的裸芯载体介质，包括印刷电路板（PCB)、引线框或卷带式自动接合 带（TAB)。如果衬底152为PCB，则衬底可由具有顶部导电层和底部导电层的核形成。核 可由各种电介质材料形成，例如，聚酰亚胺叠层、包括FR4和FR5的环氧树脂和双马来酰亚 胺三嗪（BT)等。尽管对于本发明而言不很严格，但是核具有的厚度可在40微米（μ m)至 200 μ m之间，尽管核的厚度可在替换实施例中在该范围之外变化。在替换实施例中核可为 陶瓷或有机的。
[0034] 围绕核的导电层可由铜、铜合金、镀过的铜或镀过的铜合金、铜镀钢或其它金属以 及已知的用于衬底面板的材料。导电层可具有约l〇ym至25μπι的厚度，尽管这些层的厚 度可在替换实施例中在该范围之外变化。
[0035] 在步骤220中，衬底152被钻孔以在衬底152中限定通孔过孔（未示出）。衬底 152可由多个导电层形成，并且该过孔可以从一层到另一层交流电信号。接下来，在步骤 222中，导电图案形成在一个或多个导电层上。导电图案（一个或多个）可包括电痕线（未 示出）、接触焊盘162和一个或多个锚定焊盘164 (图中仅编号了某些焊盘162、164)。所示 接触焊盘162和锚定焊盘164的数量仅为示例，并且衬底152可包括比图中所示更多的接 触焊盘和/或锚定焊盘，它们可在与图中所示不同的位置。衬底152的顶表面和/或底表 面上的导电图案可通过各种已知的工艺形成，例如，包括各种光刻工艺。
[0036] 在图5Α所示的实施例中，可有相同数量的接触焊盘162和锚定焊盘164。接触焊 盘162可在第一行上彼此对齐，并且锚定焊盘164可在第二行上彼此对齐。每个接触焊盘 162可具有对应的锚定焊盘164。在进一步实施例中，接触焊盘162的数量可与锚定焊盘 164的数量不同。作为图5Β中所示的一个示例，可有多样的接触焊盘162,但是单一的锚定 焊盘164具有图5Α所示的几个锚定焊盘164 -起的长度。
[0037] 再一次参见图2的流程图，衬底152可接下来在步骤224的自动光学检测系统 (Α0Ι)中进行检查。一旦检查后，可在步骤226中将阻焊模（S/Μ)施加到衬底，留下暴露的 接触焊盘162和锚定焊盘164。在施加阻焊模后，接触焊盘162、锚定焊盘164和导电图案上 的任何其它焊接区域可在步骤230中以已知的电镀方法或薄膜沉积工艺电镀有Ni/Au等。
[0038] 已知衬底上的电镀接触焊盘在接触焊盘和与其焊接的焊线之间提供更好的电连 接。然而，如下所述，不必在焊线和锚定焊盘164之间提供最佳的电连接，并且焊线不焊接 到接触焊盘162。因此，在进一步实施例中可省略电镀接触焊盘162和/或锚定焊盘164。 作为选择，可电镀接触焊盘162和/或锚定焊盘164,但是用Ni/Au之外的材料。
[0039] 接下来可在步骤240将无源元件（未示出）固定到衬底152的顶表面。通过已知 表面安装和回流工艺，一个或多个无源元件可被安装到衬底152上并且通过连接到接触焊 盘电连接或电耦合到导电图案。无源元件例如可包括一个或多个电容器、电阻器和/或电 感器，但也可设想其它元件。
[0040] 例如如图4所示以及如上所述，接下来可在步骤244中，将一个或多个半导体裸芯 固定到衬底152的顶表面。图5的实施例包括四个闪存裸芯154、156、158和160的裸芯堆 叠153以及控制器裸芯161。存储器裸芯154-160例如可为闪存芯片（N0R/NAND)，尽管也 可设想其它类型的存储器裸芯。控制器裸芯161例如可为ASIC。控制器裸芯161和自其而 来的引线键合为了清楚起见从其它附图上省略。
[0041] 裸芯堆叠153中的裸芯可堆叠为总体上彼此对齐且由膜层166(图4中被编号的 一层分隔以允许在衬底的裸芯键合焊盘到裸芯堆叠153中的每个裸芯形成引线键合，如下 所述。在进一步实施例中，尽管可放大半导体装置的足迹，但是裸芯可堆叠成交错的台阶结 构，并且可省略膜层166。
[0042] 在裸芯堆叠153中的裸芯已经安装在衬底上后（或者在裸芯堆叠中的每个裸芯已 经安装后），可在步骤250中将焊线170连接在每个裸芯上的裸芯键合焊盘168和一个或 多个锚定焊盘164之间。一个或多个锚定焊盘164可与裸芯堆叠153分隔一个最小距离， 以便所有引线键合可形成有引线键合毛细管（未示出）而没有与裸芯堆叠中裸芯接触的风 险。该距离根据包括裸芯堆叠153中裸芯数目的因素而变化。在进一步实施例中，一个或 多个锚定焊盘164可与裸芯堆叠153以大于该最小距离的距离间隔。
[0043] 尽管没有引线键合到接触焊盘162,但是，在一个示例中，焊线可在裸芯键合焊盘 和锚定焊盘之间的接触焊盘之上直接通过。就是说，如图5A的俯视图可见，在一个示例中， 裸芯键合焊盘168、接触焊盘162和锚定焊盘164可彼此对齐，从而接触焊盘162和对应的 锚定焊盘164可以用最短长度的焊线170连接。该焊线170可在接触焊盘162之上直接通 过。如下所述，裸芯键合焊盘168可不与由焊线170连接的锚定焊盘对齐。
[0044] 不必使锚定焊盘164与每个裸芯上的各焊线170彼此电隔离。因此，例如如图5B 的实施例所示，几个裸芯键合焊盘168可通过多条焊线170连接到单个锚定焊盘164。
[0045] 图6A示出了半导体装置150的面板176。在两个半导体装置150上示出了裸芯堆 叠153、接触焊盘162和锚定焊盘164。如图5A中个体半导体装置150以及图6A中装置的 面板176的视图中所见，对于每个半导体装置150,在衬底152上限定了禁用区域178。如下 所述，禁用区域178是衬底152上在从面板分割单体半导体装置150时可锯掉或者锯过的 区域。通常，衬底152上的禁用区域是无诸如接触焊盘的结构的区域。然而，根据本公开， 锚定焊盘164可形成在禁用区域178中，并且如下所述在分割期间被去除。在常规的设计 中，接受引线键合的接触焊盘不能设置在该禁用区域中，并且衬底的尺寸需要大于本技术 方案，从而在分割衬底时完整地留下接受引线键合的接触焊盘。
[0046] 图6A示出了两行半导体装置150,每一行包括具有锚定焊盘164的禁用区域178。 应理解，可具有一行半导体装置和包括锚定焊盘164的单一禁用区域。此外，面板176可具 有多于两行的半导体装置，每行包括具有锚定焊盘164的禁用区域。尽管没有示出，但是， 在相邻半导体装置150之间可具有成列的禁用区域178,从图6A的透视图垂直定向。这些 垂直禁用区域178也可或者作为选择包括给其附着焊线170的锚定焊盘。
[0047] 在图6A的实施例中，每行中的每个半导体装置150包括一个或多个锚定焊盘164。 图6B示出了根据替换实施例的面板176,其中整行的半导体装置150共享一个锚定焊盘， 其总体上延伸通过面板176的宽度。因此，在图6B包括两行半导体装置150的实施例中， 有两个锚定焊盘164。图6C示出了面板176的进一步实施例，其中顶行半导体装置沿着底 边线连接到衬底，并且底行半导体装置沿着顶边线连接到衬底。在这样的实施例中，顶行中 的所有半导体装置和底行中的半导体装置可共享行之间的单一锚定焊盘164,并且总体上 延伸面板176的长度。设想其它的结构，其中两个或更多个半导体装置150共享禁用区域 178中的公用锚定焊盘164。
[0048] 在实施例中，在焊线170形成在裸芯堆叠153中的裸芯和衬底152上的锚定焊盘 164之间后，可在步骤252中将衬底和裸芯包封在模塑料180中，如图7和8的侧视图和俯 视图所示。尽管对于本发明而言不很严格，但是模塑料180可为环氧树脂，例如采购于住友 公司（Sumito Corp.)或日东电工公司（Nitto Denko Corp·)，两公司的总部都在日本。也 可设想使用来自其它制造商的其它模塑料。模塑料可根据不同的工艺施加，包括转移模塑 或注射模塑技术。
[0049] 在进一步实施例中，包封工艺可通自由流动薄（FFT，Flow Free Thin)压制成型工 艺执行。这样的FFT压制成型工艺是已知的，并且例如在日本京都的Towa Corporation的 Matsutani，H.在 2009 年的Microelectronics and Packaging Conference(微电子与封装 会议）中发表的名称为"Compression Molding Solutions For Various High End Package And Cost Savings For Standard Package Applications"的出版物中进行了描述，该出版 物以引用方式整体并入本文。
[0050] 模塑料至少覆盖无源元件、堆叠153中的裸芯和焊线170 (这些部件在施加模塑料 180后从端视图和俯视图看不到，但是为了理解本公开，图中显示了它们）。
[0051] 在步骤252中已经包封面板176上的半导体装置150后，可在步骤256中从面板 分割各装置。特别是，面板176可在相邻半导体装置150之间的禁用区域178中纵向和横 向上切割。每个装置150可通过各种切割法的任何一种分割，包括锯切、水射流切割、激光 切割、水导激光切割、干介质切割和金刚石涂层线切割。虽然直线切口将限定大致矩形或方 形形状的装置150,但应理解，在本发明的其它实施例中，装置150可具有除了矩形和方形 之外的形状。
[0052] 具有长度L的分割的半导体装置150分别示出在图9、10和11的侧视图、俯视图 和端视图中。如图所示，分割步骤可去除锚定焊盘164且通过模塑料180中埋设的焊线170 锯开。这留下缩短的焊线170,如图9和10可见。还沿着分割切口留下焊线170从模塑料 的表面182暴露的尾端，如图11所示。例如还如图9-11所见，分割切口还可切透接触焊盘 162的一部分，也留下从表面182暴露的尾端。
[0053] 在步骤256中的分割之后，可在步骤260中将外部连接器184施加到模塑料的外 表面，从而连接暴露的焊线170的尾端到它们适当的接触焊盘162以形成功能性的半导体 装置。外部连接器184分别示出在图12、13、14和15的侧视图、俯视图、端视图和透视图中。 外部连接器可由各种导电材料形成且可通过各种方法施加。作为材料的非限定性示例，夕卜 部连接器可由铜、焊料或Ni/Au镀材料形成。作为形成方法的非限定性示例，外部连接器可 通过光刻和其它印刷方法、电铸和其它金属化方法、诸如物理气相沉积和化学气相沉积的 薄膜沉积、以及焊接方法施加。也可设想是使用其它的导电材料和形成方法。
[0054] 如上所述，在一个实施例中，焊线170从裸芯堆叠153中的每个裸芯上垂直对齐的 裸芯键合焊盘168延伸到公用的锚定焊盘164。
[0055] 因此，在这样的实施例中，通过分割，来自一套垂直对齐的裸芯键合焊盘的焊线 170的尾端也可彼此垂直对齐，如图11所示。而且，在实施例中，这些垂直对齐的尾端也可 在衬底152上的接触焊盘162之上对齐。因此，在实施例中，各外部连接器184可用单一的、 直线的材料长度连接焊线170的合适的尾端，如图14和15所示。如下面更加详细说明，夕卜 部连接器可在进一步实施例中采用非直线材料连接一组引线键合尾端到接触焊盘。
[0056] 外部连接器184可同时施加到多个半导体装置的表面以实现规模经济和效率。如 图16的透视图所示，在分割后，半导体装置150的阵列可在多行和列的阵列中彼此对齐，其 中暴露表面182接受全部面向相同方向（例如向上）的外部连接器。然后，外部连接器可 同时施加到阵列中的所有半导体装置的暴露表面182。在一个示例中，一百个半导体装置可 提供在一个阵列中以一次接受所有的外部连接器，尽管在进一步示例中阵列中的半导体装 置的数量可更多或更少。
[0057] 在实施例中，外部连接器184的宽度可接近于焊线170的直径，如图所示。然而， 为了提供更大的公差，外部连接器184可具有大于焊线170的直径的宽度。外部连接器184 可提供有这样的宽度：允许所有合适的焊线170电连接到它们合适的接触焊盘162,而与其 它的外部连接器184电隔离，并且焊线不电连接到那个接触焊盘162。
[0058] 在实施例中，在形成外部连接器184之后，外部连接器可覆盖有保护层，其可为共 形涂层、墨水或粘合剂覆盖层，以隐藏且保护外部连接器。该保护层可在进一步实施例中省 略。
[0059] 采用上述步骤，可制造半导体装置，使其足印小于常规制造方法允许的足印。在常 规半导体装置的一个示例中，在裸芯堆叠的边缘（从其形成引线键合）和模塑料的相邻表 面之间的距离要求至少为600μπι。采用本技术方案，在裸芯堆叠的边缘（从其形成引线键 合）和模塑料的相邻表面182之间该距离可减小到100 μ m。常规装置和根据本技术方案的 装置的这些数量仅为示例。在本技术方案的进一步实施例中，裸芯堆叠从其形成引线键合 的边缘和模塑料的相邻表面182之间的距离可大于100 μ m，或者减小到小于100 μ m。
[0060] 本技术方案提供的益处不仅仅是半导体装置尺寸上的减小。例如，由于完成的焊 线短于常规的设计，它们可设置为比常规设计更加靠近在一起。这允许裸芯上裸芯键合焊 盘和衬底上接触焊盘上形成更加密集的结构。而且，本技术方案对于从裸芯到衬底路由电 信号提供更大的灵活性。如果常规的设计具有二维路由（仅在衬底的平面中），则本技术 方案能实现三维路由。路由可发生在衬底的平面中，但是也可沿着模塑料的壁（侧壁和顶 壁）。因此，电路设计者可设计比常规半导体装置设计具有更大灵活性和可能性的三维路由 方案。这类设计的非限定性示例如下所述。
[0061] 在上述的示例中，焊线170从裸芯堆叠153的单一边缘形成。然而，应理解，焊线 170可从裸芯堆叠153周围的两个相对边缘或相邻边缘、三个边缘、或所有四个边缘形成。 在这样的实施例中，可将焊线170制成为到禁用区域178中的锚定焊盘164,然后如上所述 在分割期间切去顶端。之后，可将外部连接器形成在包括切去顶端的焊线170的每个边缘 上。在图17所示的一个示例中，焊线170从两个相邻边缘形成。因此，在该实施例中，包括 外部连接器184的两个相邻边缘连接该焊线170的尾端到接触焊盘162。
[0062] 如上所述，在上述实施例中，引线键合垂直地形成在裸芯键合焊盘之间，裸芯键合 焊盘彼此垂直对齐并且与接触焊盘和锚定焊盘162、164对齐。然而，在进一步实施例中可 为另外的情况。例如，如图18、19和20的侧视图、俯视图和端视图所示，第一套焊线170a 形成在垂直对齐的裸芯键合焊盘168和锚定焊盘164之间，但是第二套焊线170b形成在裸 芯键合焊盘168之间，其与它们连接的锚定焊盘164不垂直对齐。
[0063] 作为倾斜焊线170b的结果，当半导体装置150包封且分割留下表面182中的引线 键合的尾端时，某些尾端在接触焊盘162之上不垂直对齐。该示例分别示出在图21、22和 23的侧视图、俯视图和端视图中。如图22和23所见，垂直对齐的焊线170a的尾端在它们 相关的接触焊盘162之上对齐，但是焊线170b的尾端在它们的相关接触焊盘162之上不垂 直对齐。
[0064] 因此，在该实施例中，非对齐的焊线170b可用外部连接器的不连续段连接到它们 的相关接触焊盘162。例如，图24示出了外部连接器的倾斜段184b。图21-24提供了一个 示例，并且应理解，在进一步实施例中，外部连接器184可具有广泛种类的其它结构的不连 续段。
[0065] 在另一个示例中，所有的焊线170可在裸芯堆叠内且与各锚定焊盘164垂直对齐， 从而导致焊线170的垂直对齐的尾端，如图25和26的俯视图和端视图所示。然而，可使电 路布置具有外部连接器，连接一列焊线170的尾端到与其对齐的那些之外的接触焊盘162。 两个这样的示例示出在图27和28的端视图中。在图27的示例中，两列焊线170由倾斜段 184a连接到非对齐的接触焊盘162。在图28的示例中，两列焊线170由水平段184a连接 到非对齐的接触焊盘162。外部连接器增加了常规设计中不具备的电路布置设计上的灵活 性。
[0066] 图29示出了进一步的灵活性，其中外部连接器184可用于连接引线键合的尾端， 而不只是到非对齐的接触焊盘，而是连接到半导体装置150的完全不同侧面上设置的非对 齐的接触焊盘。在所示的示例中，一个外部连接器段184b连接两列焊线到半导体装置150 的相邻侧中的裸芯键合焊盘168。此外，虽然它通常可为一列引线键合中的所有引线键合都 连接到相同的接触焊盘162时，但是在进一步的示例中，它可为另外的情况。图29示出了 一列引线键合中的第一组焊线170通过外部连接器184c连接到第一接触焊盘162a，并且 该列中的第二组通过半导体装置150的不同侧上的外部连接器184d连接到第二接触焊盘 162b。再次，如所见，外部连接器在电路布局的设计上增加了很大的灵活性，并且允许多尺 寸的电连接在宽泛的结构中形成为连接裸芯键合焊盘168到接触焊盘162。图29中的示例 示出了几个示例，但是非常多的其它结构也是可能的和可设想的。
[0067] 一旦通过外部连接器184形成了电连接，可在步骤264中，将半导体装置进行测 试，以确定是否封装在功能上是恰当的。如本领域所知，这样的测试可包括电实验、烧灼和 其它测试。
[0068] 总之，本技术方案涉及一种存储装置，包括：衬底，包括多个接触焊盘；一个或多 个半导体裸芯，包括多个裸芯键合焊盘；模塑料，包封一个或多个半导体裸芯；以及电路， 电连接或电耦合多个接触焊盘的一接触焊盘与多个裸芯键合焊盘中的一裸芯键合焊盘，电 路的至少一部分形成在模塑料的至少一个外表面上。
[0069] 在另一个示例中，本技术方案涉及一种存储装置，包括：衬底，包括多个接触焊盘； 一个或多个半导体裸芯，包括多个裸芯键合焊盘；模塑料，包封一个或多个半导体裸芯；以 及外部连接，提供在模塑料的一个或多个表面上，用于通讯电连接多个接触焊盘中的一接 触焊盘与多个裸芯键合焊盘中的一裸芯键合焊盘。
[0070] 在进一步示例中，本技术方案涉及一种存储装置，包括：衬底，包括多个接触焊盘； 一个或多个半导体裸芯，包括多个裸芯键合焊盘；模塑料，包封一个或多个半导体裸芯，多 个接触焊盘的一接触焊盘具有在模塑料的表面上暴露的边缘。
[0071] 在进一步示例中，本技术方案涉及一种存储装置，包括：衬底，包括多个接触焊盘； 多个半导体裸芯，多个半导体裸芯中的每个裸芯包括多个裸芯键合焊盘；模塑料，包封一个 或多个半导体裸芯；多条焊线，每一条焊线具有电连接到多个裸芯键合焊盘中的一裸芯键 合焊盘的第一端，并且每一条焊线具有终止于模塑料的表面与第一端相对的第二尾端；以 及多个外部连接，提供在模塑料的一个或多个表面上，多个外部连接电连接多条焊线到衬 底上的多个接触焊盘。
[0072] 在另一个示例中，本技术方案涉及一种形成半导体装置的方法，包括：(a)在衬底 上安装一个或多个半导体裸芯；(b)引线键合该半导体裸芯到该衬底；（c)包封该一个或多 个半导体裸芯和焊线；（d)通过部分地切断所述步骤（b)中形成的引线键合分割所包封的 半导体裸芯；以及（e)电连接所切断的引线键合到该衬底。
[0073] 为了示例和描述的目的已经呈现了本发明的前述详细描述。这无意于穷举或限制 本发明到所公开的精确形式。根据上面的教导很多修改和变化是可能的。所描述的实施例 选择为最好地解释本发明的原理及其实际应用，因此使本领域的技术人员能最好地利用在 不同实施例中且具有各种修改的本发明为适合于所预期的特定用途。本发明的范围由所附 权利要求限定。
【权利要求】
1. 一种存储装置，包括： 衬底，包括多个接触焊盘； 一个或多个半导体裸芯，包括多个裸芯键合焊盘； 模塑料，包封该一个或多个半导体裸芯；以及 电路，电连接该多个接触焊盘中的一接触焊盘与该多个裸芯键合焊盘中的一裸芯键合 焊盘，该电路的至少一部分形成在该模塑料的至少一个外表面上。
2. 如权利要求1所述的装置，其中形成在该模塑料的至少一个外表面上的该电路的该 部分连接到终止于该模塑料的该外表面中的焊线。
3. 如权利要求2所述的装置，其中形成在该模塑料的外表面上的该电路的该部分连接 到终止于该模塑料的该外表面中的焊线的尾端。
4. 如权利要求3所述的装置，其中该焊线包括与该尾端相对的端部，其电连接到该多 个裸芯键合焊盘的一裸芯键合焊盘。
5. 如权利要求1所述的装置，其中形成在该模塑料的至少一个外表面上的该电路的该 部分形成在该模塑料的单一表面上。
6. 如权利要求1所述的装置，其中形成在该模塑料的至少一个外表面上的该电路的该 部分形成在该模塑料的至少两个表面上。
7. -种存储装置，包括： 衬底，包括多个接触焊盘； 一个或多个半导体裸芯，包括多个裸芯键合焊盘； 模塑料，包封该一个或多个半导体裸芯；以及 外部连接，提供在该模塑料的一个或多个表面上，用于通讯电连接该多个接触焊盘中 的一接触焊盘与该多个裸芯键合焊盘中的一裸芯键合焊盘。
8. 如权利要求7所述的装置，还包括一引线键合，其第一端电连接到该裸芯键合焊盘， 并且与该第一端相对的第二尾端终止于该模塑料的表面。
9. 如权利要求7所述的装置，其中该外部连接器终止于该半导体装置的第一表面上的 接触焊盘且开始于该相同的第一表面上。
10. 如权利要求7所述的装置，其中该外部连接器终止于该半导体装置的第一表面上 的接触焊盘且开始于该半导体装置的与该第一表面不同的第二表面上。
11. 如权利要求7所述的装置，其中该连接器从始至终以直线方式延伸为与该接触焊 盘接触。
12. 如权利要求7所述的装置，其中该连接器包括从其始点延伸的第一部分和终止于 该接触焊盘的第二部分，该第一部分和该第二部分相对于彼此以不连续的角延伸。
13. 如权利要求7所述的装置，其中该一个或多个半导体裸芯包括至少两个堆叠的半 导体裸芯。
14. 如权利要求13所述的装置，还包括在该至少两个堆叠的半导体裸芯的每一个上从 裸芯键合焊盘延伸的电引线，该电引线终止于该模塑料的表面，该外部连接器电连接该电 引线到该多个接触焊盘的至少一个接触焊盘。
15. -种存储装置，包括： 衬底，包括多个接触焊盘； 一个或多个半导体裸芯，包括多个裸芯键合焊盘； 模塑料，包封该一个或多个半导体裸芯，该多个接触焊盘中的一接触焊盘具有在该模 塑料的表面暴露的边缘。
16. 如权利要求15所述的装置，还包括提供在该模塑料的一个或多个表面上的外部连 接，用于通讯电连接该接触焊盘与该多个裸芯键合焊盘中的一裸芯键合焊盘。
17. 如权利要求15所述的装置，还包括引线键合，具有电连接到该裸芯键合焊盘的第 一端和与该第一端相对的终止于该模塑料的表面的第二尾端。
18. -种存储装置，包括： 衬底，包括多个接触焊盘； 多个半导体裸芯，该多个半导体裸芯中的每个裸芯包括多个裸芯键合焊盘； 模塑料，包封该一个或多个半导体裸芯； 多个焊线，每一条焊线具有电连接到该多个裸芯键合焊盘中的一裸芯键合焊盘的第一 端，并且每一条焊线具有与该第一端相对的终止于该模塑料的表面的第二尾端；以及 多个外部连接，提供在该模塑料的一个或多个表面上，该多个外部连接电连接该多条 焊线到该衬底上的该多个接触焊盘。
19. 如权利要求18所述的装置，其中该多个裸芯键合焊盘包括裸芯键合焊盘组，由来 自于该多个裸芯中的每个裸芯中的一个键合焊盘构成，该裸芯键合焊盘组中的每个裸芯键 合焊盘由该多个外部连接器中的一外部连接器部分地电连接到该多个接触焊盘中的单一 接触焊盘。
20. 如权利要求19所述的装置，来自该裸芯键合焊盘组中每个裸芯键合焊盘的该引线 键合的第二尾端共同形成该模塑料的表面中的直线。
21. 如权利要求19所述的装置，该外部连接器连接来自该裸芯键合焊盘组的该引线键 合的第二尾端，并且该衬底上的该接触焊盘形成基本上的直线。
22. 如权利要求19所述的装置，该外部连接器连接来自该裸芯键合焊盘组的该引线键 合的第二尾端，并且该衬底上的该接触焊盘形成不连续线。
23. -种形成半导体装置的方法，包括： (a) 在衬底上安装一个或多个半导体裸芯； (b) 引线键合该半导体裸芯到该衬底； (c) 包封该一个或多个半导体裸芯和焊线； (d) 通过部分地切断在所述步骤（b)中形成的引线键合，分割所包封的半导体裸芯；以 及 (e) 电连接所切断的引线键合到该衬底。
24. 如权利要求23所述的方法，其中所述电连接所切断的引线键合到该衬底的步骤 (e)包括在该模塑料的表面上形成外部连接器的步骤，该外部连接器电连接该切断的引线 键合到该衬底上的接触焊盘。
25. 如权利要求23所述的方法，其中所述引线键合该半导体裸芯到该衬底的步骤（b) 包括引线键合该半导体裸芯到该衬底上的一个或多个焊盘的步骤，该一个或多个焊盘在所 述分割包封的半导体裸芯的步骤（d)中去除。
26. 如权利要求25所述的方法，其中所述电连接该切断的引线键合到该衬底的步骤 (e)包括连接该切断的引线键合到接触焊盘的步骤，该接触焊盘与所述步骤（d)中去除的 一个或多个焊盘分开。
【文档编号】H01L23/48GK104094401SQ201280068657
【公开日】2014年10月8日 申请日期:2012年10月22日 优先权日:2012年10月22日
【发明者】邱进添, 俞志明, H.塔基亚 申请人:晟碟信息科技（上海）有限公司