基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法
【专利摘要】本发明提供一种基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法。根据本发明的方法，先在第一衬底上依次外延生长一掺杂的超晶格结构的单晶薄膜、中间层、缓冲层以及顶层薄膜；随后，对形成了顶层薄膜的结构进行低剂量离子注入，使离子注入到所述掺杂的超晶格结构的单晶薄膜上表面之上或下表面之下；接着再将具有绝缘层的第二衬底与已进行离子注入的结构键合，并进行退火处理，使掺杂的超晶格结构的单晶薄膜处产生微裂纹来实现原子级的剥离。本发明采用增强吸附来实现键合片的有效剥离。剥离后的表面平整，粗糙度低，并且顶层薄膜晶体质量高。
【专利说明】基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体材料制备领域，特别是涉及一种基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法。
【背景技术】
[0002]绝缘体上硅(SOI)是一种在绝缘衬底上再形成一层单晶硅薄膜的结构或者是单晶硅薄膜被绝缘层(通常是SiO2)从支撑的硅衬底中分开所形成的结构，该种材料结构可使制造器件的薄膜材料与衬底材料完全隔离。
[0003]在众多SOI制备技术中，氧离子注入隔离(SMOX)技术、硅片直接键合与背面腐蚀(BESOI)技术是主导技术，采用SMOX技术的主要优点是硅层和埋层具有好的均匀性，这是因为氧离子注入是以晶片表面作为参考面，顶层硅膜与埋层(BOX)退火时均能得到很好的均匀性，但此技术中需要高功率(中和大束流)离子注入(注氧或氮)设备和长时间高温退火，价格比较昂贵。
[0004]智能剥离技术是近几年发展起来的一种新的SOI晶片制造技术，该技术建立在离子注入和键合两种技术相互结合的基础上，其独创性在于通过注H+并加热情况下形成气泡，使晶片在注入深度处发生劈裂。
[0005]例如，如图1a至Ic所示，对Si片11进行H+离子注入，随后Si片11和表面有SiO2层的Si片12低温键合；接着，键合片热处理，使Si片11在H原子分布的峰值处分离，其中一薄层单晶Si同Si片12键合形成SOI结构；最后，高温退火并抛光，可增强键合强度和回复顶层Si中由于H+离子注入引起的损伤，为改进表面均匀性，可用化学机械抛光。此夕卜，剥离的Si片11可再次使用。
[0006]然而，上述方式需要大剂量、高能量离子注入，由于离子注入剂量大，导致剥离后的表面均匀性差，需要进行化学机械抛光来改善表面均匀性。并且上述方法很难制备超薄绝缘体上材料。
【发明内容】
[0007]鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法。
[0008]为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法，其至少包括步骤:
[0009]a)在第一衬底上依次外延生长一掺杂的超晶格结构的单晶薄膜、中间层、缓冲层以及顶层薄膜；
[0010]b)对形成了顶层薄膜的结构进行低剂量离子注入，使离子注入到所述掺杂的超晶格结构的单晶薄膜上表面之上或下表面之下；
[0011]c)将具有绝缘层的第二衬底与已进行离子注入的结构键合，并进行退火处理，使掺杂的超晶格结构的单晶薄膜处产生微裂纹来实现原子级的剥离。[0012]优选地，掺杂用的材料包括C、B、P、Ga、In、As、Sb中的一种或多种。
[0013]优选地，超晶格结构是Si/SihGeJCKx ( I)、Si^GeySi^.Ge, (0<x, y < I)、Si/Ge、SiGe/Ge、Ge/GaAs、GaAs/AlGaAs、GaAs/InAs、AlN/GaN、GaN/InN 中的一种或多种混合，单晶薄膜的厚度在3nm至20nm之间。
[0014]优选地，所述中间层的材料为四族元素、三五族元素、二六族元素、及氮化物中的一种，厚度不小于50nm。
[0015]优选地，所述缓冲层的材料为四族元素、三五族元素、二六族元素、及氮化物中的一种，厚度不小于50nm。
[0016]优选地，所述顶层薄膜的材料为四族元素、三五族元素、二六族元素、及氮化物中的一种，厚度大于等于5nm。
[0017]优选地，离子注入剂量大于等于3E16/cm2。
[0018]优选地，所述步骤c)采用等离子强化键合法来进行键合
[0019]优选地，所述基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法还包括:d)制备超薄绝缘体上材料时需对剥离后的结构进行化学腐蚀，以去除所述中间层及缓冲层。
[0020]优选地，所述绝缘层为玻璃、氧化铝、二氧化钛、二氧化硅、氮化硅及氮化铝中的一种。
[0021]如上所述，本发明的基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法基于具有掺杂的超晶格结构的单晶薄膜对离子的强吸附力，在低剂量的离子注入后再与氧化片键合，使掺杂的超晶格结构的单晶薄膜处产生微裂纹，从而实现原子级的剥离，剥离表面平整，粗糙度低，并且顶层薄膜晶体质量高，无需化学机械抛光平整化处理。
【专利附图】
【附图说明】
[0022]图1a至Ic显示为现有技术中的绝艳体上硅的制备流程图。
[0023]图2a至2f显示为本发明的基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法的流程图。
[0024]元件标号说明
[0025]11、12 硅片
[0026]21硅衬底
[0027]22单晶薄膜
[0028]23Si 中间层
[0029]24SiGe 缓冲层
[0030] 25Si 顶层
[0031]31氧化片
【具体实施方式】
[0032]以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的【具体实施方式】加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
[0033]请参阅图2a至2f。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
[0034]如图所示，本发明提供的基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法至少包括以下步骤:
[0035]第一步:在第一衬底上外延生长一掺杂的超晶格结构的单晶薄膜。
[0036]其中，所掺杂元素包括但不限于:C、B、P、Ga、In、As、Sb中的一种或多种，所形成的超晶格结构可以是=SiZSihGex(0〈x ≤ I)、SI1^xGeysI1^yGey (0<x, y ≤ I)、Si/Ge、SiGe/Ge、Ge/GaAs、GaAs/AlGaAs、GaAs/InAs、AlN/GaN、GaN/InN 中的一种或多种等，单晶薄膜的厚度优选在3nm至20nm之间。
[0037]例如，在Si衬底21外延掺杂B的SVSihGexOKx ≤I)超晶格结构的单晶薄膜22，厚度为10nm，如图2a所示。
[0038]第二步:在单晶薄膜表面依次外延形成中间层、缓冲层及顶层薄膜。
[0039]其中，中间层的材料可以为四族元素，例如，S1、SiGe, Ge、Si1^xCx, Si1^yCxGey等，也可以为三五族元素，例如，A1P、AlAs, AlSb, GaP、GaAs, InP、InAs, AlGaAs等，还可以为二六族元素，例如， ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, HgTe等，还可以为氮化物，例如，AIN、GaN,InN等，其厚度不小于50nm;所述缓冲层的材料可以为四族元素，例如，Si JiG^GeJihC；、SifX-yCxGey 等，也可以为三五族兀素,例如,AlP、AlAs、Al Sb、GaP、GaAs、InP、InAs、AlGaAs等，还可以为二六族元素，例如，ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, HgTe等，还可以为氮化物，例如，AIN, GaN, InN等，其厚度不小于50nm ;所述顶层薄膜的材料可以为四族元素，例如，S1、SiGe, Ge、Si1^xCx, Si1^yCxGey 等，也可以为三五族元素，例如，A1P、AlAs, AlSb, GaP, GaAs,InP、InAs、AlGaAs 等，还可以为二六族元素，例如，ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、HgTe 等，还可以为氮化物，例如，AlN、GaN、InN等，其厚度大于5nm。
[0040]例如，在单晶薄膜22表面再外延Si中间层23，厚度为IOOnm ;接着再外延SiGe缓冲层24，厚度为160nm;随后再外延Si顶层25，厚度为20nm，如图2b所示。
[0041]第三步:对已形成顶层薄膜的结构进行低剂量离子注入，使离子注入到所述掺杂的超晶格结构的单晶薄膜上表面之上或下表面之下。
[0042]其中，离子注入可采用H离子或H与He离子，注入剂量≥3E16/cm2，注入深度可以在单晶薄膜上表面之上或下表面之下；实验证明，掺杂超晶格结构的单晶薄膜对H离子的吸附作用强；而且，注入深度至单晶薄膜下表面之下时的离子吸附能力比至单晶薄膜上表面之上时的离子吸附能力强。
[0043]例如，对图2b所示的结构进行H离子注入，注入剂量为3E16/cm2，注入深度在单晶薄膜22下表面40nm处,如图2c所示。
[0044]第四步:将具有绝缘层的第二衬底与已进行离子注入的结构键合，并进行退火处理，使掺杂的超晶格结构的单晶薄膜处产生微裂纹来实现原子级的剥离。
[0045]在本实施例中，所述绝缘层为玻璃(glass)、氧化招(aluminum trioxide)、二氧化钦(titaniumdioxide)、二氧化娃(silicon oxide)、氮化娃(silicon nitride)、氮化招(aluminium nitride)中的一种，当然,所述绝缘层也可以是其它预期种类的绝缘材料,并不限于此处所列举的几种。[0046]例如，采用等离子强化键合法将进行了离子注入的结构与氧化片31键合，如图2d所示，接着再进行退火处理，退火条件为O2下300度120min，600度30min，使掺杂的超晶格结构的单晶薄膜处产生微裂纹，由此实现在原子层面的剥离，形成的绝缘体上材料结构如图2e所示，剥离后的结构表面平整，无需再进行化学机械抛光平整化处理。
[0047]优选地，根据需要，还可对剥离后的结构进行化学腐蚀，以去除所述中间层及缓冲层。
[0048]例如，对图2e所示的绝缘体上材料结构进行化学腐蚀及抛光处理，形成的绝缘体上材料结构如图2f所示。
[0049]综上所述，本发明的基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法在硅片上形成掺杂的超晶格结构的单晶薄膜，由此可大大增强离子的吸附力，并在低剂量的离子注入后与氧化片键合，可有效实现在原子层面的剥离，由于离子注入剂量低，故剥离后的表面很均匀，粗糙度低，并且顶层薄膜晶体质量高，无需化学机械抛光平整化处理。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
[0050]上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属【技术领域】中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
【权利要求】
1.一种基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法，其特征在于，所述基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法至少包括步骤: a)在第一衬底上依次外延生长一掺杂的超晶格结构的单晶薄膜、中间层、缓冲层以及顶层薄膜； b)对形成了顶层薄膜的结构进行低剂量离子注入，使离子注入到所述掺杂的超晶格结构的单晶薄膜上表面之上或下表面之下； c)将具有绝缘层的第二衬底与已进行离子注入的结构进行等离子加强键合，并进行退火处理，使掺杂的超晶格结构的单晶薄膜处产生微裂纹来实现原子级的剥离。
2.根据权利要求1所述的基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法，其特征在于:掺杂用的材料包括C、B、P、Ga、In、As、Sb中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法，其特征在于:超晶格结构是 Si/SihGeJCKx ( I) ,Si1_xGex/Si1_yGey(0<x,y ( I)、Si/Ge、SiGe/Ge、Ge/GaAs、GaAs/AlGaAs、GaAs/InAs、AlN/GaN、GaN/InN中的一种或多种混合，单晶薄膜的厚度在3nm至20nm之间。
4.根据权利要求1所述的基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法，其特征在于:所述中间层的材料为四族元素、三五族元素、二六族元素、及氮化物中的一种，厚度不小于50nmo
5.根据权利要求1所述的基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法，其特征在于:所述缓冲层的材料为四族元素、三五族元素、二六族元素、及氮化物中的一种，厚度不小于50nmo
6.根据权利要求1所述的基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法，其特征在于:所述顶层薄膜的材料为四族元素、三五族元素、二六族元素、及氮化物中的一种，厚度大于等于 5nm。
7.根据权利要求1所述的基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法，其特征在于:离子注入剂量大于等于3E16/cm2。
8.据权利要求1所述的基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法，其特征在于还包括步骤:d)对剥离后的结构进行化学腐蚀，以去除所述中间层及缓冲层。
9.根据权利要求1所述的基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法，其特征在于:所述绝缘层为玻璃、氧化铝、二氧化钛、二氧化硅、氮化硅及氮化铝中的一种。
【文档编号】H01L21/762GK103943547SQ201310024414
【公开日】2014年7月23日 申请日期:2013年1月23日 优先权日:2013年1月23日
【发明者】张苗, 陈达, 狄增峰, 薛忠营, 魏星, 王刚 申请人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所