专利名称：发光二极管装置及其制造方法
技术领域：
本发明涉及发光二极管装置及其制造方法、详细而言，涉及发光二极管元件被封装树脂层封装的发光二极管装置及其制造方法。
背景技术：
已知发光二极管装置是通过利用封装树脂层封装发光二极管元件(LED)而得到的。例如提出了以下的方法(例如参照日本特开2011-228525号公报。)。S卩，提出了如下的方法:在安装有光半导体元件的基板上以被覆光半导体元件的方式形成封装材料，其后，将它们在真空压制装置中，在减压下用压制板夹持，并且边真空压制边进行加热，使封装材料固化，利用该封装材料封装光半导体元件，从而得到光半导体
>J-U ρ α装直。在日本特开2011-228525号公报的方法中，通过利用真空压制的加压，会减少封装材料中孔隙(气泡)的产生。
发明内容
_6] 发明要解决的问题
但是，日本特开2011-228525号公报记载的方法中，由于用压制板夹持封装材料并进行加压及加热，因此，压力高、且加热时间长时会存在以下问题:容易对装置施加载荷、或封装材料(片)容易产生变形.应变、或容易碎裂。进而，真空压制中，压力高时，对光半导体元件施加的挤压力容易变得不均匀，这种情况下，有时光半导体元件会损伤、或在封装树脂层中残留孔隙(void)。本发明的目的在于，提供能够边抑制发光二极管元件的损伤及封装树脂层中的孔隙的产生并抑制对设备施加载荷、边制造发光二极管装置的发光二极管装置的制造方法及由该制造方法得到的发光二极管装置。本发明的发光二极管装置的制造方法的特征在于，其为制造发光二极管元件被封装树脂层封装的发光二极管装置的方法，所述方法包括如下工序:准备封装树脂层的工序；将发光二极管元件埋设在前述封装树脂层中的工序；以及边利用气体对埋设有前述发光二极管元件的前述封装树脂层加压、边进行加热的工序。另外，在发光二极管装置的制造方法中，适宜的是，前述封装树脂层由B阶的热固化性树脂形成。另外，在发光二极管装置的制造方法中，适宜的是，前述封装树脂层在25°C下的压缩弹性模量为0.0riMPa0另外，在发光二极管装置的制造方法中，适宜的是，在边利用气体对前述封装树脂层加压、边进行加热的工序中，以2 20个大气压对前述封装树脂层加压。另外，在发光二极管装置的制造方法中，适宜的是，在边利用气体对前述封装树脂层加压、边进行加热的工序中，通过高压釜对前述封装树脂层边加压边加热。另外，发光二极管装置的特征在于，通过上述发光二极管装置的制造方法来制造。利用用于制造本发明的发光二极管装置的、本发明的发光二极管装置的制造方法，能够边利用气体对埋设有发光二极管元件的封装树脂层加压边进行加热。因此，即使压力高、且加热时间长，也能抑制施加于装置的载荷。另外，由于利用气体加压，因此，即使压力变高时，也能使施加于发光二极管元件的挤压力均一，因此，能够抑制发光二极管元件的损伤及封装树脂层中的孔隙的产生。
图1是说明本发明的发光二极管装置的制造方法的一个实施方式的工序图，(a)表示将封装片与基板相对配置的工序、(b)表示将发光二极管元件埋设在封装树脂层中的工序、(c)表示边利用气体对封装树脂层加压边加热的工序。图2是说明准备图1的(a)中所示的封装片的方法的工序图，(a)表示准备基材的工序、(b)表示将封装树脂层层叠于基材的工序。
具体实施方式
图1是表示说明本发明的发光二极管装置的制造方法的一个实施方式的工序图，图2是表示说明图1的(a)中所示的准备封装片的方法的工序图。该方法如图1所示，是制造发光二极管元件2被封装树脂层3封装的发光二极管装置I的方法，所述方法包括如下工序:准备封装树脂层3的工序(参照图1的(a));将发光二极管元件2埋设在封装树脂层3中的工序(埋设工序、参照图1的(b));以及边利用气体对埋设有发光二极管元件2的封装树脂层3加压边进行加热的工序(气体加压.加热工序、参照图1的(C))。准备封装树脂层3时，例如如图1的(a)所示，准备具备基材4、和形成于其背面的封装树脂层3的封装片5。准备图1的(a)所示的封装片5时，首先，如图2的(a)所示，准备基材4。基材4是被覆及保护封装树脂层3的表面(参照图2的(b))的保护片、封装树脂层3的涂覆基材。作为基材4，没有特别限定，可列举出:例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜等聚酯薄膜，例如聚碳酸酯薄膜，例如聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜等聚烯烃薄膜，例如聚苯乙烯薄膜，例如丙烯酸系薄膜，例如有机硅树脂薄膜，例如氟树脂薄膜等树脂薄膜等。进而，作为基材4，还可以列举出例如铜箔、不锈钢箔等金属箔。在这种基材4中，优选列举出树脂薄膜、更优选列举出聚酯薄膜。其中，在基材4的表面(要形成封装树脂层3侧的面)，为了提高自封装树脂层3的脱模性，会根据需要实施脱模处理。对基材4的厚度没有特别限定，例如，从操作性、成本的观点考虑，例如为10 200 μ m、优选为 20 100 μ m。
然后，在该方法中，如图2的(b)所示，将封装树脂层3层叠在基材4的表面。将封装树脂层3层叠在基材4的表面上时，首先，利用例如刮刀涂布机、凹版涂布机、喷泉式涂布机、流延、旋涂、辊涂等公知的涂布方法将以下详细叙述的封装树脂组合物涂布到基材4的整个表面。作为封装树脂组合物，可列举出:例如有机硅树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、酚醛树脂、脲醛树脂、三聚氰胺树脂、不饱和聚酯树脂等热固化性树脂；例如丙烯酸系树脂、氟树月旨、聚酯树脂等热塑性树脂等树脂。作为封装树脂组合物，优选列举出热固化性树脂、进一步优选列举出有机硅树脂。作为有机娃树脂,例如可列举出具有两个反应体系(固化反应中的反应体系)的热固化性有机硅树脂组合物。作为具有两个反应体系的热固化性有机硅树脂组合物，例如可列举出具有缩合反应和加成反应这两个反应体系的缩合.加成反应固化型有机娃树脂组合物。关于缩合.加成反应固化型有机硅树脂组合物，具体而言，可以通过加热进行缩合反应(娃醇缩合)，成为半固化状态(B阶),然后,可以通过进一步加热,进行加成反应(氢化硅烷化加成)，形成固化状态(完全固化状态)。作为缩合.加成反应固化型有机硅树脂组合物，可列举出:例如含有硅烷醇基两末端聚硅氧烷、含乙烯系不饱和烃基的硅化合物(以下称为乙烯系硅化合物。)、含环氧基的硅化合物及有机氢硅氧烷的第一热固化性有机硅树脂组合物；例如含有I分子中具有至少两个烯基甲硅烷基的第一有机聚硅氧烷、I分子中具有至少两个氢化硅烷基的第二有机聚硅氧烷、氢化硅烷化催化剂、及固化延迟剂的第二热固化性有机硅树脂组合物；例如含有I分子中兼具至少两个乙烯系不饱和烃基和至少两个氢化硅烷基的第一有机聚硅氧烷、不含乙烯系不饱和烃基而在I分子中具有至少两个氢化硅烷基的第二有机聚硅氧烷、氢化硅烷化催化剂、及氢化硅烷化 抑制剂的第三热固化性有机硅树脂组合物；例如含有在I分子中兼具至少两个乙烯系不饱和烃基和至少两个硅烷醇基的第一有机聚硅氧烷、不含乙烯系不饱和烃基而在I分子中具有至少两个氢化硅烷基的第二有机聚硅氧烷、及氢化硅烷化催化剂的第四热固化性有机硅树脂组合物等。作为缩合.加成反应固化型有机硅树脂组合物，优选列举出第一热固化性有机硅树脂组合物。在第一热固化性有机硅树脂组合物中，硅烷醇基两末端聚硅氧烷、乙烯系硅化合物及含环氧基硅化合物为缩合原料(供给于缩合反应的原料)，乙烯系硅化合物及有机氢硅氧烷为加成原料(供给于加成反应的原料)。娃烧醇基两末端聚娃氧烧为在分子的两末端含有娃烧醇基(SiOH基)的有机娃氧烷，具体而言用下述通式(I)表示。通式(I):
权利要求
1.一种发光二极管装置的制造方法，其特征在于， 其为制造发光二极管元件被封装树脂层封装的发光二极管装置的方法， 所述方法包括如下工序: 准备封装树脂层的工序； 将发光二极管元件埋设在所述封装树脂层中的工序；以及 边利用气体对埋设有所述发光二极管元件的所述封装树脂层加压、边进行加热的工序。
2.根据权利要求1所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，所述封装树脂层由B阶的热固化性树脂形成。
3.根据权利要求1所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，所述封装树脂层在25°C下的压缩弹性模量为0.0riMPa0
4.根据权利要求1所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，在边利用气体对所述封装树脂层加压、边进行加热的工序中，以2 20个大气压对所述封装树脂层进行加压。
5.根据权利要求1所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，在边利用气体对所述封装树脂层加压、边进行加热的工序中，通过高压釜对所述封装树脂层边加压边加热。
6.一种发光二极管装置，其特征在于， 其是发光二极管元件被封装树脂层封装的发光二极管装置，其通过包括如下工序的发光二极管装置的制造方法制造: 准备封装树脂层的工序； 将发光二极管元件埋设在所述封装树脂层中的工序；以及 边利用气体对埋设有所述发光二极管元件的所述封装树脂层加压、边进行加热的工序。
全文摘要
本发明提供发光二极管装置及其制造方法，该发光二极管装置的制造方法具备准备封装树脂层的工序；将发光二极管元件埋设在封装树脂层中的工序；以及边利用气体对埋设有发光二极管元件的封装树脂层加压、边进行加热的工序。
文档编号H01L33/00GK103227270SQ201310029669
公开日2013年7月31日 申请日期2013年1月25日 优先权日2012年1月27日
发明者片山博之, 大薮恭也, 佐藤慧 申请人:日东电工株式会社