专利名称：防静电tft基板的制作方法
技术领域：
本发明涉及TFT基板领域，特别是涉及一种防静电TFT基板的制作方法。
背景技术：
目前,防静电TFT (Thin Film Transistor,薄膜场效应晶体管)基板的制作方法为:采用真空磁控溅射镀膜法在TFT基板上镀一层防静电的ITO (Indium Tin Oxides，纳米铟锡金属氧化物)膜层，从而将生产过程中产生的静电迅速的从基板表面流出，以防止静电的聚集，防止ESD (静电释放)对TFT基板的损坏。但是，真空磁控溅射镀膜法存在以下缺点:1、镀膜时的真空度要求较难控制，TFT基板破裂的风险较大；2、真空磁控溅射设备较复杂，投入的成本较大；3、溅射时产生的电子辐射对人体影响较大。
发明内容
基于此，有必要提供一种对人体影响较小、TFT基板破裂风险较小的防静电TFT基板的制作方法。一种防静电TFT基板的制作方法，包括以下步骤:对TFT基板进行清洗并干燥；采用旋刮涂胶法将ITO溶合剂旋刮在所述TFT基板上，在所述TFT基板表面形成ITO涂层，其中，所述ITO溶合剂由以下质量百分比的组份组成:0.5 1%的In203、4.5 6%的Sn02、35 45%的H20、15 20%的复合表面活性剂及35 40%的交联剂；及将所述ITO涂层进行烘烤，后自然晾干，在所述TFT基板表面形成ITO膜层，得到防静电TFT基板。在其中一个实施例中，对TFT基板进行清洗并干燥的步骤包括:对TFT基板依次用纯水、碱液、二流体喷淋、超纯水喷淋、高压喷淋进行清洗，后依次用冷风、热风干燥。在其中一个实施例中，所述ITO溶合剂的粘度为20 25CP。在其中一个实施例中，所述复合表面活性剂为聚乙二醇。在其中一个实施例中，所述交联剂为过氧化二异丙苯。在其中一个实施例中，所述ITO膜层的厚度为40 50 μ m。在其中一个实施例中，采用旋刮涂胶法将ITO溶合剂旋刮在所述TFT基板上，在所述TFT基板表面形成ITO涂层的步骤中，旋刮速度为1000 1500转/min，旋刮时间为10 15s，环境温度为19 25°C，环境湿度为40 60%。在其中一个实施例中，烘烤温度为57 63°C，烘烤时间为25 35min。上述防静电TFT基板的制作方法，由于旋刮涂胶法的设备较真空磁控溅射设备成本较低，降低了生产成本；同时，旋刮涂胶法不会产生电子辐射，对人体影响较小；另外，旋刮涂胶法在常压下进行，减少了真空度对TFT基板破裂风险的影响。
图1为一实施方式的防静电TFT基板的制作方法的流程图。
具体实施例方式为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面对本发明的具体实施方式
做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。一实施方式的防静电TFT基板的制作方法，包括以下步骤:步骤S100、对TFT基板进行清洗并干燥。具体的，使用清洗机对TFT基板依次用纯水、碱液、BJ (二流体)喷淋、DI (超纯水)喷淋、高压喷淋进行清洗，后依次用冷风、热风干燥，最后检验TFT基板表面的清洁质量，准备进行旋刮涂胶。步骤S200、采用旋刮涂胶法将ITO溶合剂旋刮在TFT基板上，在TFT基板表面形成ITO涂层，其中，ITO溶合剂由以下质量百分比的组份组成:0.5 1%的In203、4.5 6%的SnO2,35 45%的H20、15 20%的复合表面活性剂及35 40%的交联剂。具体的，通过机械手将TFT基板放置在自动刀刮旋涂胶机工作台面上，并进行自动定位，然后将ITO溶合剂旋刮在TFT基板上，形成一层ITO涂层，旋刮速度为1000 1500转/min，旋刮时间为10 15s，均匀性控制在±5%以内。作业环境为无尘空间(百级)，温度为19 25°C，湿度为40 60%。其中，ITO溶合剂的粘度为20 25CP。复合表面活性剂为邢台盛达助剂有限责任公司生产的聚乙二醇(PEG) 400。交联剂具体为过氧化二异丙苯。步骤S300、将ITO涂层进行烘烤，后自然晾干，在TFT基板表面形成ITO膜层，得到防静电TFT基板。将ITO涂层在作业环境下自然风干3 5min后送进无尘烤箱中进行烘烤，烘烤温度为57 63°C，烘烤时间为25 35min。烘烤温度较低，防止温度因素影响ITO膜层的附着力及膜硬度。将具有ITO涂层的TFT基板进行烘烤，可以使ITO涂层与TFT基板的附着力增强，并形成透明、均匀的ITO膜层。其中，ITO膜层的厚度为40 50 μ m。上述防静电TFT基板的制作方法，由于旋刮涂胶法的设备较真空磁控溅射设备成本较低，降低了生产成本；同时，旋刮涂胶法不会产生电子辐射，对人体影响较小；另外，旋刮涂胶法在常压下进行，减少了真空度对TFT基板破裂风险的影响。下面结合具体实施例，对本发明作进一步的阐述。实施例1一种防静电TFT基板的制作方法，包括以下步骤:1、对TFT基板进行清洗并干燥。使用清洗机对TFT基板依次用纯水、碱液、BJ喷淋、DI喷淋、高压喷淋进行清洗，后依次用冷风、热风干燥。2、采用旋刮涂胶法将ITO溶合剂旋刮在TFT基板上，在TFT基板表面形成ITO涂层，其中，ITO溶合剂由以下质量百分比的组份组成:0.5%的In203、4.5%的Sn02、40%的H20、15%的PEG400及40%的过氧化二异丙苯。通过机械手将TFT基板放置在自动刀刮旋涂胶机工作台面上，并进行自动定位，然后将粘度为20CP的ITO溶合剂旋刮在TFT基板上，形成一层ITO涂层，旋刮速度为1000转/min，旋刮时间为10s。作业环境为无尘空间(百级)，温度为19°C，湿度为40%。3、将ITO涂层进行烘烤，后自然晾干，在TFT基板表面形成ITO膜层，得到防静电TFT基板。将ITO涂层送进无尘烤箱中进行烘烤，烘烤温度为60°C，烘烤时间为25min。ITO膜层的厚度为40 μ m。将上述制作方法制得的防静电TFT基板进行性能测试，测试结果为:防静电TFT基板的表面电阻为5 10Ω/ □，透过率比彡90%, ITO膜层的附着力为5B、膜硬度>6H，说明该防静电TFT基板达到生产要求，透过率较高，能够较好地应用于市场。实施例2一种防静电TFT基板的制作方法，包括以下步骤:1、对TFT基板进行清洗并干燥。使用清洗机对TFT基板依次用纯水、碱液、BJ喷淋、DI喷淋、高压喷淋进行清洗，后依次用冷风、热风干燥。
2、采用旋刮涂胶法将ITO溶合剂旋刮在TFT基板上，在TFT基板表面形成ITO涂层，其中，ITO溶合剂由以下质量百分比的组份组成:1%的In203、6%的Sn02、40%的H20、18%的PEG400及35%的过氧化二异丙苯。通过机械手将TFT基板放置在自动刀刮旋涂胶机工作台面上，并进行自动定位，然后将粘度为25CP的ITO溶合剂旋刮在TFT基板上，形成一层ITO涂层，旋刮速度为1500转/min，旋刮时间为15s。作业环境为无尘空间(百级)，温度为25°C，湿度为60%。3、将ITO涂层进行烘烤，后自然晾干，在TFT基板表面形成ITO膜层，得到防静电TFT基板。将ITO涂层送进无尘烤箱中进行烘烤，烘烤温度为63°C，烘烤时间为35min。ITO膜层的厚度为50 μ m。将上述制作方法制得的防静电TFT基板进行性能测试，测试结果为:防静电TFT基板的表面电阻为5 10Ω/ □，透过率比彡90%, ITO膜层的附着力为5B、膜硬度>6H，说明该防静电TFT基板达到生产要求，透过率较高，能够较好地应用于市场。以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
权利要求
1.一种防静电TFT基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤: 对TFT基板进行清洗并干燥； 采用旋刮涂胶法将ITO溶合剂旋刮在所述TFT基板上，在所述TFT基板表面形成ITO涂层，其中，所述ITO溶合剂由以下质量百分比的组份组成:0.5 1%的In203、4.5 6%的SnO2,35 45%的H20、15 20%的复合表面活性剂及35 40%的交联剂；及 将所述ITO涂层进行烘烤，后自然晾干，在所述TFT基板表面形成ITO膜层，得到防静电TFT基板。
2.根据权利要求1所述的防静电TFT基板的制作方法，其特征在于，对TFT基板进行清洗并干燥的步骤包括:对TFT基板依次用纯水、碱液、二流体喷淋、超纯水喷淋、高压喷淋进行清洗，后依次用冷风、热风干燥。
3.根据权利要求1所述的防静电TFT基板的制作方法，其特征在于，所述ITO溶合剂的粘度为20 25CP。
4.根据权利要求1所述的防静电TFT基板的制作方法，其特征在于，所述复合表面活性剂为聚乙二醇。
5.根据权利要求1所述的防静电TFT基板的制作方法，其特征在于，所述交联剂为过氧化二异丙苯。
6.根据权利要求1所述的防静电TFT基板的制作方法，其特征在于，所述ITO膜层的厚度为40 50 μ m。
7.根据权利要求1所述的防静电TFT基板的制作方法，其特征在于，采用旋刮涂胶法将ITO溶合剂旋刮在所述TFT基板上，在所述TFT基板表面形成ITO涂层的步骤中，旋刮速度为1000 1500转/min，旋刮时间为10 15s，环境温度为19 25°C，环境湿度为40 60%。
8.根据权利要求1所述的防静电TFT基板的制作方法，其特征在于，烘烤温度为57 63 °C，烘烤时间为25 35min。
全文摘要
本发明提供了一种防静电TFT基板的制作方法，包括以下步骤对TFT基板进行清洗并干燥；采用旋刮涂胶法将ITO溶合剂旋刮在所述TFT基板上，在所述TFT基板表面形成ITO涂层，其中，所述ITO溶合剂由以下质量百分比的组份组成0.5～1%的In2O3、4.5～6%的SnO2、35～45%的H2O、15～20%的复合表面活性剂及35～40%的交联剂；及将所述ITO涂层进行烘烤，后自然晾干，在所述TFT基板表面形成ITO膜层，得到防静电TFT基板。上述防静电TFT基板的制作方法，由于旋刮涂胶法的设备较真空磁控溅射设备成本较低，降低了生产成本；同时，旋刮涂胶法不会产生电子辐射，对人体影响较小；另外，旋刮涂胶法在常压下进行，减少了真空度对TFT基板破裂风险的影响。
文档编号H01L21/77GK103199061SQ20131011799
公开日2013年7月10日 申请日期2013年4月7日 优先权日2013年4月7日
发明者张迅, 张伯伦, 易伟华 申请人:江西沃格光电科技有限公司