封装基板，其制备方式及其应用的制作方法
【专利摘要】一种封装基板，包括聚合物薄膜基板，在所述聚合物薄膜基板一面设置第一阻挡层，聚合物薄膜基板的另一面设置第二阻挡层，所述第一阻挡层为交替层叠设置的无机化合物薄膜层和有机化合物薄膜层，且于所述第一阻挡层第一层和最后一层都为无机化合物薄膜层，所述聚合物薄膜基板的材料选自聚对苯二甲酸乙二醇酯，聚醚砜，聚萘二甲酸乙二醇酯及透明聚酰亚胺中至少一种。上述封装基板具有低水氧渗透率。本发明还提供上述封装基板的制备方法及其应用。
【专利说明】封装基板，其制备方式及其应用
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种封装基板、其制备方法，使用该基板的有机电致发光器件及其制 作方法。
【背景技术】
[0002] 有机电致发光器件（0LED)通常使用超薄玻璃，聚合物薄膜、金属薄片等作为柔性 衬底，比玻璃衬底的具有更轻薄、更耐冲击的优点，并且柔性器件的制备可以采用卷对卷方 式生产，从而大幅地降低制造成本。
[0003] 聚合物薄膜作为一种常用的封装基板，其来源广泛，价格低廉，挠曲性能好，被广 泛应用到各种器件的制备过程中。但是聚合物薄膜也存在一些缺点，如热稳定性能差，其对 水氧的渗透率较高。
【发明内容】
[0004] 基于此，有必要提供具有低水氧渗透率的封装基板、其制备方法，使用该基板的有 机电致发光器件及其制作方法。
[0005] -种封装基板，包括聚合物薄膜基板，在所述聚合物薄膜基板一面设置第一阻挡 层，聚合物薄膜基板的另一面设置第二阻挡层，所述第一阻挡层为交替层叠设置的无机化 合物薄膜层和有机化合物薄膜层，且于所述第一阻挡层第一层和最后一层都为无机化合 物薄膜层，所述聚合物薄膜基板的材料选自聚对苯二甲酸乙二醇酯，聚醚砜，聚萘二甲酸 乙二醇酯及透明聚酰亚胺中至少一种，所述无机化合物薄膜的材料选自一氧化硅或者三 氧化钨，所述有机化合物薄膜的材料选自Ν，Ν'-二苯基-N，Ν'-二（1-萘基）_1，Γ-联 苯-4, 4'-二胺，8-羟基喹啉铝，双（2-甲基-8-羟基喹啉-Ν1，08) - (1，Γ -联苯-4-羟基） 铝或4, 4'，4''-三（Ν-3-甲基苯基-Ν-苯基氨基）三苯胺中至少一种，所述第二阻挡层的 材料选自Si3N 4, Si02或八1203中至少一种。
[0006] 在其中一个实施例中，所述聚合物薄膜基板的厚度为0. 1mm?1mm。
[0007] 在其中一个实施例中，所述第一阻挡层中无机化合物薄膜层厚度为100nm? 500nm，所述有机化合物薄膜层厚度为100nm?300nm。
[0008] 在其中一个实施例中，所述第第二阻挡层的厚度为500nm?lOOOnm。
[0009] 在其中一个实施例中，所述第一阻挡层为交替层叠设置的无机化合物薄膜层和有 机化合物薄膜层中，无机化合物薄膜层的层数大于等于2，所述有机化合物薄膜层的层数大 于等于1。
[0010] 一种封装基板的制备方法，包括以下步骤：
[0011] 提供聚合物薄膜基板，将聚合物薄膜基板放入真空镀膜系统中，在所述聚合物薄 膜基板的一面蒸发制备第一阻挡层，其中，所述第一阻挡层为交替层叠设置的无机化合物 薄膜层和有机化合物薄膜层，且于所述第一阻挡层第一层和最后一层都为无机化合物薄膜 层，所述聚合物薄膜基板的材料选自聚对苯二甲酸乙二醇酯，聚醚砜，聚萘二甲酸乙二醇酯 及透明聚酰亚胺中至少一种，所述无机化合物薄膜的材料选自一氧化硅或者三氧化钨，所 述有机化合物薄膜的材料选自Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -联苯-4, 4' -二胺， 8-羟基喹啉铝，双（2-甲基-8-羟基喹啉-Ν1，08)-(1, Γ -联苯-4-羟基）铝或4, 4'，4'三 (N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺中至少一种，蒸镀无机化合物薄膜层在真空度为 l(T5Pa?l(T3Pa的镀膜系统中进行，蒸发速度为0. 5-5nm/s，蒸镀有机化合物薄膜层在真空 度为l(T5Pa?l(T3Pa的镀膜系统中进行，蒸发速度为0. 5-5nm/s ;及
[0012] 在所述聚合物薄膜基板的另一面蒸镀制备第二阻挡层，所述第二阻挡层的材料选 自Si3N 4, Si02或A1A中至少一种，蒸镀第二阻挡层在真空度为l(T5Pa?l(T3Pa的镀膜系统 中进行，蒸发速度为〇. 5-5nm/s。
[0013] 在其中一个实施例中，所述第一阻挡层中无机化合物薄膜层厚度为100nm? 500nm，所述有机化合物薄膜层厚度为100nm?300nm。
[0014] 一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件包括依次层叠的基板，阳极，空穴传 输层，电子传输层，电子注入层，阴极及封装基板，所述封装基板包括聚合物薄膜基板，在 所述聚合物薄膜基板一面设置第一阻挡层，聚合物薄膜的另一面设置第二阻挡层，所述第 一阻挡层为交替层叠设置的无机化合物薄膜层和有机化合物薄膜层，且于所述第一阻挡 层第一层和最后一层都为无机化合物薄膜层，所述聚合物薄膜基板的材料选自聚对苯二 甲酸乙二醇酯，聚醚砜，聚萘二甲酸乙二醇酯及透明聚酰亚胺中至少一种，所述无机化合 物薄膜的材料选自一氧化硅或者三氧化钨，所述有机化合物薄膜的材料选自Ν，Ν' -二苯 基-Ν，Ν'-二（1-萘基）-1，Γ-联苯-4, 4'-二胺，8-羟基喹啉铝，双（2-甲基-8-羟基喹 啉-附，08)-(1，1'-联苯-4-羟基）铝或4,4'，4''-三（^3-甲基苯基4-苯基氨基）三 苯胺中至少一种，所述第二阻挡层的材料选自Si 3N4, Si02或Α1203中至少一种。
[0015] 在其中一个实施例中，所述聚合物薄膜基板的厚度为〇· 1mm?1mm，所述第一阻 挡层中无机化合物薄膜层厚度为l〇〇nm?500nm，所述有机化合物薄膜层厚度为100nm? 300nm，所述第第二阻挡层的厚度为500nm?lOOOnrn。
[0016] 在其中一个实施例中，所述第一阻挡层为交替层叠设置的无机化合物薄膜层和有 机化合物薄膜层中，无机化合物薄膜层的层数大于等于2，所述有机化合物薄膜层的层数大 于等于1。
[0017] 上述封装基板，在聚合物薄膜基板一面设置第一阻挡层，聚合物薄膜基板的另一 面设置第二阻挡层，该封装基板能够起到阻挡氧和水渗透，使水渗透下降到1〇_ 2?l〇_3g/ m2/day量级，在聚合物薄膜基板中交替层叠无机化合物薄膜层和有机化合物薄膜层，采用 两种不同性质的薄膜重叠设置在一起使水氧分子在多个薄膜之间的渗透路径延长，进一步 降低水氧的渗透效果，从而提高有机电致发光器件的使用寿命并且该制备方法工艺简单， 材料来源广泛。
【专利附图】
【附图说明】
[0018] 图1为一实施方式的封装基板的结构示意图；
[0019] 图2 -实施方式的第一阻挡层101的结构示意图；
[0020] 图3为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图。
【具体实施方式】
[0021] 下面结合附图和具体实施例对封装基板及其制备方法进一步阐明。
[0022] 请参阅图1，一实施方式的封装基板100包括聚合物薄膜基板102,在聚合物薄 膜基板102-面设置第一阻挡层101，在聚合物薄膜基板102相对第一阻挡层101的相 对另一面设置第二阻挡层103,所述聚合物薄膜基板的材料选自聚对苯二甲酸乙二醇酯， 聚醚砜，聚萘二甲酸乙二醇酯及透明聚酰亚胺中至少一种，所述无机化合物薄膜的材料 选自一氧化硅（SiO)或者三氧化钨（W0 3)，所述有机化合物薄膜的材料选自Ν，Ν' -二苯 基-Ν，Ν'-二（1-萘基）-1，Γ -联苯-4, 4'-二胺，8-羟基喹啉铝，双（2-甲基-8-羟基喹 啉-附，08)-(1，1'-联苯-4-羟基）铝或4,4'，4''-三（^3-甲基苯基4-苯基氨基）三 苯胺中至少一种，所述第二阻挡层的材料选自Si 3N4，Si02*Al203中至少一种。聚合物薄膜 基板102的厚度为0· 1mm?1mm。
[0023] 请参阅图2,一实施方式的第一阻挡层101的结构示意图，由图可以看出，第一阻 挡层101包括无机化合物薄膜层1011及有机化合物薄膜层1012,无机化合物薄膜层1011 和有机化合物薄膜层1012交替层叠设置，并且第一阻挡层101的两末端都为无机化合物薄 膜层1011，无机化合物薄膜层1011的层数大于等于2,所述有机化合物薄膜层1012的层数 大于等于1。在本实施例中，无机化合物薄膜层的层数为2层，有机化合物薄膜层1012的 层数为1层，以此类推，在其他实施例中无机化合物薄膜层1011的层数为3层时有机化合 物薄膜层1012的层数为2层，无机化合物薄膜层1011的层数为4层时有机化合物薄膜层 1012的层数为3层，无机化合物薄膜层1011的层数为5层时有机化合物薄膜层1012的层 数为4层，无机化合物薄膜层1011的层数为6层时有机化合物薄膜层1012的层数为5层， 等等。
[0024] 第一阻挡层101中无机化合物薄膜层1011厚度为100nm?500nm,
[0025] 有机化合物薄膜层1012厚度为100nm?300nm。
[0026] 第二阻挡层103的厚度为500nm?lOOOnrn。
[0027] 上述封装基板100,在聚合物薄膜基板一面设置第一阻挡层，聚合物薄膜基板的另 一面设置第二阻挡层，该封装基板能够起到阻挡氧和水渗透，使水渗透下降到1〇_ 2?l〇_3g/ m2/day量级，在聚合物薄膜基板中交替层叠无机化合物薄膜层和有机化合物薄膜层，采用 两种不同性质的薄膜重叠设置在一起使水氧分子在多个薄膜之间的渗透路径延长，进一步 降低水氧的渗透效果，从而提高有机电致发光器件的使用寿命并且该制备方法工艺简单， 材料来源广泛。
[0028] 封装基板的制备方法，包括以下步骤：
[0029] S10,提供聚合物薄膜基板，将聚合物薄膜基板放入真空镀膜系统中，在真空度为 l(T5Pa?l(T3Pa的条件下，在所述聚合物薄膜基板的一面蒸发制备第一阻挡层，所述第一阻 挡层为交替层叠设置的无机化合物薄膜层和有机化合物薄膜层，且于所述第一阻挡层第一 层和最后一层都为无机化合物薄膜层。
[0030] 所述聚合物薄膜基板的材料选自聚对苯二甲酸乙二醇酯，聚醚砜，聚萘二甲酸 乙二醇酯及透明聚酰亚胺中至少一种，所述无机化合物薄膜的材料选自一氧化硅（SiO) 或者三氧化钨（W0 3)，所述有机化合物薄膜的材料选自Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘 基）-1，1'-联苯-4, 4'-二胺，8-羟基喹啉铝，双（2-甲基-8-羟基喹啉-Ν1，08) - (1，Γ -联 苯-4-羟基）铝或4, 4'，4' ' -三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺中至少一种。
[0031] 蒸镀无机化合物薄膜层在真空度为l〇_5Pa?l(T3Pa的镀膜系统中进行，蒸发速度 为 0· 5_5nm/s〇
[0032] 蒸镀有机化合物薄膜层在真空度为l(T5Pa?l(T3Pa的镀膜系统中进行，蒸发速度 为 0· 5_5nm/s〇
[0033] S20,在所述聚合物薄膜基板的另一面蒸镀制备第二阻挡层，第二阻挡层的材料选 自Si3N4, Si02或六1203中至少一种。
[0034] 蒸镀第二阻挡层的条件在真空度为10_5Pa?l(T3Pa的镀膜系统中进行，蒸发速度 为 0· 5_5nm/s〇
[0035] 请参阅图3, 一实施方式的有机电致发光器件200,在封装基板100的第二金属铝 层103表面依次层叠阳极201，空穴传输层202,电子传输层203,电子注入层204,阴极205 及封装层206,封装基板100包括聚合物薄膜基板102,在聚合物薄膜基板102 -面设置第 一阻挡层101，在聚合物薄膜基板102相对第一阻挡层101的相对另一面设置第二阻挡层 103,所述聚合物薄膜基板的材料选自聚对苯二甲酸乙二醇酯，聚醚砜，聚萘二甲酸乙二醇 酯及透明聚酰亚胺中至少一种，所述无机化合物薄膜的材料选自一氧化硅（SiO)或者三氧 化钨（W0 3)，所述有机化合物薄膜的材料选自N，N'_二苯基-N，N'_二（1-萘基）-1，Γ-联 苯-4, 4'-二胺，8-羟基喹啉铝，双（2-甲基-8-羟基喹啉-N1，08) - (1，Γ -联苯-4-羟基） 铝或4,4'，4''_三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺中至少一种，所述第二阻挡层的 材料选自Si 3N4, Si02或八1203中至少一种。
[0036] 聚合物薄膜基板102的厚度为0. 1mm?1mm，第一阻挡层101中无机化合物薄膜层 1011厚度为l〇〇nm?500nm，有机化合物薄膜层1012厚度为100nm?300nm。
[0037] 第二阻挡层103的厚度为500nm?lOOOnrn。
[0038] 阳极201的材料为ΙΤ0,厚度为70?200nm，空穴传输层的材料为Ν，Ν' -二苯 基-Ν，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -联苯-4, 4' -二胺（ΝΡΒ)，厚度为20?60nm，电子传输层材 料为8-羟基喹啉铝（Alq3)，厚度为20?60nm，并且该电子传输层同时作为发光层，电子注 入层材料为氟化锂（LiF)，厚度为0· 2?2nm，阴极材料为银（Ag)，厚度为70?200nm，封装 层材料为Si3N4，厚度为300nm。其中，封装基板100结构如上所述如图1所示。
[0039] 以下结合具体实施例对本发明提供的封装基板、其制备方法，使用该基板的有机 电致发光器件及其制作方法进行详细说明。
[0040] 本发明实施例及对比例所用到的制备与测试仪器为：制备设备为高真空镀膜 系统(沈阳科学仪器研制中心有限公司），测试设备为美国海洋光学Ocean Optics的 USB4000光纤光谱仪测试电致发光光谱，美国吉时利公司的Keithley2400测试电学 性能，日本柯尼卡美能达公司的CS-100A色度计测试亮度和色度，美国M0C0N(膜康） PERMATRAN- W? M〇del700透湿仪测试水渗透率。
[0041] 实施例1
[0042] 封装基板的制作步骤包括以下：
[0043] 步骤1 :提供聚合物薄膜基板PET薄膜，厚度为0. 1_，并清洗干净；
[0044] 步骤2 :在真空度为1 X l(T4Pa的真空镀膜系统中，在聚合物薄膜基板PET薄膜一 表面上，蒸发制备第一阻挡层，第一阻挡层为交替层叠设置的无机化合物薄膜层和有机化 合物薄膜层，其中，无机化合物薄膜层的材料为SiO,层数为5层，每层的厚度为200nm，有机 化合物薄膜层的材料为NPB，层数为4层，每层的厚度为lOOnm，蒸发速度为0. 5nm/s ;
[0045] 步骤3 :在真空度为IX 10_4Pa的真空镀膜系统中，在步骤2的基础上在聚合物薄 膜基板PET薄膜另一表面上，蒸发制备第二阻挡层，第二阻挡层的材料为Si0 2，第二阻挡层 厚度为500nm，蒸发速度为0. 5nm/s ;得到该封装基板。
[0046] 步骤4 :在真空度为1 X l(T4Pa的真空镀膜系统中，在聚合物薄膜基板PET薄膜表 面上溅射制备厚度为lOOnm的ΙΤ0薄膜作为阳极，溅射速度为0. 5nm/s，然后在阳极上蒸发 厚度50nm的Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -联苯-4, 4' -二胺（NPB)作为空穴 传输层，蒸发速度为〇. 5nm/s，在空穴传输层上蒸发厚度30nm的8-羟基喹啉铝（Alq3)作为 发光层兼电子传输层，蒸发速度为〇. 5nm/s，在电子传输层上蒸发lnm的氟化锂（LiF)作为 电子注入层，蒸发速度为0. lnm/s，在电子传输层上蒸发厚度为70nm的金属银膜（Ag)作为 透明阴极，蒸发速度为〇. 5nm/s。在上述器件的阴极表面，将步骤3中制备的封装基板作为 封装层，并且衬底的薄膜基板与封装层的模板基板通过光固化聚丙烯酸粘合剂进行粘结。
[0047] 对比例1与实施例1不同之处仅在于该有机电致发光器件的封装层中不具有第一 阻挡层其他各层阳极，空穴传输层，电子传输层，电子注入层，阴极及封装层的材料及其厚 度都与实施例1中相同。
[0048] 经测试结果，在起始亮度为1000cd/m2时，亮度衰减到起始的70%时，实施例的使 用寿命达到4100小时左右，而对比例则只有2500小时。
[0049] 将实施例1制备的封装基板做水渗透率的测试，其渗透率为1. 5X l(T3g/m2/day， 而对比例1中的封装基板，其水渗透率为5. 8g/m2/day，在经过本发明实施方式的改进后的 封装层结构其水渗透率大幅降低。
[0050] 实施例2
[0051] 封装基板的制作步骤包括以下：
[0052] 步骤1 :提供聚合物薄膜基板PES薄膜，厚度为1mm，并清洗干净；
[0053] 步骤2 :在真空度为1 X l(T3Pa的真空镀膜系统中，在聚合物薄膜基板PES薄膜一 表面上，蒸发制备第一阻挡层，第一阻挡层为交替层叠设置的无机化合物薄膜层和有机化 合物薄膜层，其中，无机化合物薄膜层的材料为W0 3，层数为2层，每层的厚度为500nm，有机 化合物薄膜层的材料为Alq3，层数为1层，每层的厚度为300nm，蒸发速度为5nm/s ;
[0054] 步骤3 :在真空度为IX 10_3Pa的真空镀膜系统中，在步骤2的基础上在聚合物薄 膜基板PES薄膜另一表面上，蒸发制备第二阻挡层，第二阻挡层的材料为A1 203，第二阻挡层 厚度为l〇〇〇nm，蒸发速度为5nm/s ;得到该封装基板。
[0055] 步骤4 :在真空度为1 X l(T3Pa的真空镀膜系统中，在聚合物薄膜基板PES薄膜表 面上溅射制备厚度为lOOnm的ΙΤ0薄膜作为阳极，溅射速度为lnm/s，然后在阳极上蒸发厚 度20nm的Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -联苯-4, 4' -二胺（NPB)作为空穴传 输层，蒸发速度为〇. 5nm/s，在空穴传输层上蒸发厚度20nm的8-轻基喹啉错（Alq3)作为发 光层兼电子传输层，蒸发速度为〇. 5nm/s，在电子传输层上蒸发2nm的氟化锂（LiF)作为电 子注入层，蒸发速度为0. lnm/s，在电子传输层上蒸发厚度为200nm的金属银膜（Ag)作为透 明阴极，蒸发速度为〇. 5nm/s。在上述器件的阴极表面，将步骤3中制备的封装基板作为封 装层，并且衬底的薄膜基板与封装层的模板基板通过光固化聚丙烯酸粘合剂进行粘结。
[0056] 对比例2与实施例2不同之处仅在于该有机电致发光器件的封装层中不具有第一 阻挡层其他各层阳极，空穴传输层，电子传输层，电子注入层，阴极及封装层的材料及其厚 度都与实施例2中相同。
[0057] 经测试结果，在起始亮度为1000cd/m2时，亮度衰减到起始的70%时，实施例的使 用寿命达到3500小时左右，而对比例为2200小时。
[0058] 将实施例2制备的封装基板做水渗透率的测试，其渗透率为5. OX l(T2g/m2/day， 而对比例1中的封装基板，其水渗透率为1. 5g/m2/day，在经过本发明实施方式的改进后的 封装层结构其水渗透率大幅降低。
[0059] 实施例3
[0060] 封装基板的制作步骤包括以下：
[0061] 步骤1 :提供聚合物薄膜基板PEN薄膜，厚度为0. 2_，并清洗干净；
[0062] 步骤2 :在真空度为1 X 10_4Pa的真空镀膜系统中，在聚合物薄膜基板PEN薄膜一 表面上，蒸发制备第一阻挡层，第一阻挡层为交替层叠设置的无机化合物薄膜层和有机化 合物薄膜层，其中，无机化合物薄膜层的材料为SiO,层数为3层，每层的厚度为300nm，有机 化合物薄膜层的材料为BAlq，层数为2层，每层的厚度为200nm，蒸发速度为2nm/s ;
[0063] 步骤3 :在真空度为IX 10_4Pa的真空镀膜系统中，在步骤2的基础上在聚合物薄 膜基板PEN薄膜另一表面上，蒸发制备第二阻挡层，第二阻挡层的材料为Si 3N4，第二阻挡层 厚度为800nm，蒸发速度为5nm/s ;得到该封装基板。
[0064] 步骤4 :在真空度为1 X 10_4Pa的真空镀膜系统中，在聚合物薄膜基板PEN薄膜表 面上溅射制备厚度为200nm的ΙΤ0薄膜作为阳极，溅射速度为2nm/s，然后在阳极上蒸发厚 度60nm的Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -联苯-4, 4' -二胺（NPB)作为空穴传 输层，蒸发速度为〇. 5nm/s，在空穴传输层上蒸发厚度60nm的8-轻基喹啉错（Alq3)作为发 光层兼电子传输层，蒸发速度为〇. 5nm/s，在电子传输层上蒸发lnm的氟化锂（LiF)作为电 子注入层，蒸发速度为0. lnm/s，在电子传输层上蒸发厚度为200nm的金属银膜（Ag)作为透 明阴极，蒸发速度为〇. 5nm/s。在上述器件的阴极表面，将步骤3中制备的封装基板作为封 装层，并且衬底的薄膜基板与封装层的模板基板通过光固化聚丙烯酸粘合剂进行粘结。 [0065] 对比例3与实施例3不同之处仅在于该有机电致发光器件的封装层中不具有第一 阻挡层其他各层阳极，空穴传输层，电子传输层，电子注入层，阴极及封装层的材料及其厚 度都与实施例3中相同。
[0066] 经测试结果，在起始亮度为1000cd/m2时，亮度衰减到起始的70%时，实施例的使 用寿命达到3700小时左右，而对比例为1900小时。
[0067] 将实施例3制备的封装基板做水渗透率的测试，其渗透率为3. 5X l(T3g/m2/day， 而对比例3中的封装基板，其水渗透率为15. 3g/m2/day，在经过本发明实施方式的改进后的 封装层结构其水渗透率大幅降低。
[0068] 实施例4
[0069] 封装基板的制作步骤包括以下：
[0070] 步骤1 :提供聚合物薄膜基板PI薄膜，厚度为1mm，并清洗干净；
[0071] 步骤2 :在真空度为IX l(T5Pa的真空镀膜系统中，在聚合物薄膜基板PI薄膜一表 面上，蒸发制备第一阻挡层，第一阻挡层为交替层叠设置的无机化合物薄膜层和有机化合 物薄膜层，其中，无机化合物薄膜层的材料为SiO,层数为4层，每层的厚度为300nm，有机化 合物薄膜层的材料为m-MTDATA，层数为3层，每层的厚度为lOOnm，蒸发速度为lnm/s ;
[0072] 步骤3 :在真空度为IX 10_5Pa的真空镀膜系统中，在步骤2的基础上在聚合物薄 膜基板PI薄膜另一表面上，蒸发制备第二阻挡层，第二阻挡层的材料为Si0 2，第二阻挡层厚 度为500nm，蒸发速度为0. 5nm/s ;得到该封装基板。
[0073] 步骤4 :在真空度为1 X l(T5Pa的真空镀膜系统中，在聚合物薄膜基板PI薄膜表面 上溅射制备厚度为lOOnm的ΙΤ0薄膜作为阳极，溅射条件是什么，然后在阳极上蒸发厚度 50nm的Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -联苯-4, 4' -二胺（NPB)作为空穴传输 层，蒸发速度为〇. 5nm/s，在空穴传输层上蒸发厚度30nm的8-羟基喹啉铝（Alq3)作为发光 层兼电子传输层，蒸发速度为〇. 5nm/s，在电子传输层上蒸发lnm的氟化锂（LiF)作为电子 注入层，蒸发速度为0. lnm/s，在电子传输层上蒸发厚度为120nm的金属银膜（Ag)作为透明 阴极，蒸发速度为〇. 5nm/s。在上述器件的阴极表面，将步骤3中制备的封装基板作为封装 层，并且衬底的薄膜基板与封装层的模板基板通过光固化聚烯酸粘合剂进行粘结。
[0074] 对比例4与实施例4不同之处仅在于该有机电致发光器件的封装层中不具有第一 阻挡层其他各层阳极，空穴传输层，电子传输层，电子注入层，阴极及封装层的材料及其厚 度都与实施例4中相同。
[0075] 经测试结果，在起始亮度为1000cd/m2时，亮度衰减到起始的70%时，实施例的使 用寿命达到4000小时左右，而对比例则只有2300小时。
[0076] 将实施例4制备的封装基板做水渗透率的测试，其渗透率为2. 1 X l(T3g/m2/day， 而对比例4中的封装基板，其水渗透率为6. 5g/m2/day，在经过本发明实施方式的改进后的 封装层结构其水渗透率大幅降低。
[0077] 以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并 不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员 来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保 护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【权利要求】
1. 一种封装基板，其特征在于，包括聚合物薄膜基板，在所述聚合物薄膜基板一面设置 第一阻挡层，聚合物薄膜基板的另一面设置第二阻挡层，所述第一阻挡层为交替层叠设置 的无机化合物薄膜层和有机化合物薄膜层，且于所述第一阻挡层第一层和最后一层都为无 机化合物薄膜层，所述聚合物薄膜基板的材料选自聚对苯二甲酸乙二醇酯，聚醚砜，聚萘二 甲酸乙二醇酯及透明聚酰亚胺中至少一种，所述无机化合物薄膜的材料选自一氧化硅或者 三氧化钨，所述有机化合物薄膜的材料选自Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -联 苯-4, 4'-二胺，8-羟基喹啉铝，双（2-甲基-8-羟基喹啉-Ν1，08) - (1，Γ -联苯-4-羟基） 铝或4, 4'，4'三（Ν-3-甲基苯基-Ν-苯基氨基）三苯胺中至少一种，所述第二阻挡层的 材料选自Si3N 4, Si02或八1203中至少一种。
2. 根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，所述聚合物薄膜基板的厚度为 0. 1mm ?1mm η
3. 根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，所述第一阻挡层中无机化合物薄膜 层厚度为l〇〇nm?500nm，所述有机化合物薄膜层厚度为100nm?300nm。
4. 根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，所述第第二阻挡层的厚度为500nm? lOOOnm。
5. 根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，所述第一阻挡层为交替层叠设置的 无机化合物薄膜层和有机化合物薄膜层中，无机化合物薄膜层的层数大于等于2，所述有机 化合物薄膜层的层数大于等于1。
6. -种封装基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供聚合物薄膜基板，将聚合物薄膜基板放入真空镀膜系统中，在所述聚合物薄膜基 板的一面蒸发制备第一阻挡层，其中，所述第一阻挡层为交替层叠设置的无机化合物薄膜 层和有机化合物薄膜层，且于所述第一阻挡层第一层和最后一层都为无机化合物薄膜层， 所述聚合物薄膜基板的材料选自聚对苯二甲酸乙二醇酯，聚醚砜，聚萘二甲酸乙二醇酯及 透明聚酰亚胺中至少一种，所述无机化合物薄膜的材料选自一氧化硅或者三氧化钨，所述 有机化合物薄膜的材料选自Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -联苯-4, 4' -二胺， 8-羟基喹啉铝，双（2-甲基-8-羟基喹啉-Ν1，08)-(1, Γ -联苯-4-羟基）铝或4, 4'，4' 三 (N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺中至少一种，蒸镀无机化合物薄膜层在真空度为 l(T5Pa?l(T3Pa的镀膜系统中进行，蒸发速度为0. 5-5nm/s，蒸镀有机化合物薄膜层在真空 度为l(T5Pa?l(T3Pa的镀膜系统中进行，蒸发速度为0. 5-5nm/s ;及 在所述聚合物薄膜基板的另一面蒸镀制备第二阻挡层，所述第二阻挡层的材料选自 Si3N4, Si02或A1203中至少一种，蒸镀第二阻挡层在真空度为l(T 5Pa?l(T3Pa的镀膜系统中 进行，蒸发速度为〇. 5-5nm/s。
7. 根据权利要求6所述的封装基板的制备方法，其特征在于，所述第一阻挡层中无机 化合物薄膜层厚度为l〇〇nm?500nm，所述有机化合物薄膜层厚度为100nm?300nm。
8. -种有机电致发光器件，该有机电致发光器件包括依次层叠的基板，阳极，空穴传 输层，电子传输层，电子注入层，阴极及封装基板，其特征在于，所述封装基板包括聚合物薄 膜基板，在所述聚合物薄膜基板一面设置第一阻挡层，聚合物薄膜基板的另一面设置第二 阻挡层，所述第一阻挡层为交替层叠设置的无机化合物薄膜层和有机化合物薄膜层，且于 所述第一阻挡层第一层和最后一层都为无机化合物薄膜层，所述聚合物薄膜基板的材料 选自聚对苯二甲酸乙二醇酯，聚醚砜，聚萘二甲酸乙二醇酯及透明聚酰亚胺中至少一种， 所述无机化合物薄膜的材料选自一氧化硅或者三氧化钨，所述有机化合物薄膜的材料选 自Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -联苯-4, 4' -二胺，8-羟基喹啉铝，双（2-甲 基-8-羟基喹啉-Ν1，08) - (1，Γ -联苯-4-羟基）铝或4, 4'，4'' -三（Ν-3-甲基苯基-Ν-苯 基氨基）三苯胺中至少一种，所述第二阻挡层的材料选自Si3N4，Si0 2*Al203中至少一种。
9. 根据权利要求8所述的有机电致发光器件，其特征在于：所述聚合物薄膜基板的厚 度为0. 1mm?1mm，所述第一阻挡层中无机化合物薄膜层厚度为100nm?500nm，所述有机 化合物薄膜层厚度为l〇〇nm?300nm，所述第第二阻挡层的厚度为500nm?lOOOnm。
10. 根据权利要求8所述的有机电致发光器件，其特征在于：所述第一阻挡层为交替层 叠设置的无机化合物薄膜层和有机化合物薄膜层中，无机化合物薄膜层的层数大于等于2， 所述有机化合物薄膜层的层数大于等于1。
【文档编号】H01L51/56GK104218181SQ201310211218
【公开日】2014年12月17日 申请日期:2013年5月30日 优先权日:2013年5月30日
【发明者】周明杰, 冯小明, 张振华, 王平 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司