蚀刻剂组合物及使用其制造薄膜晶体管的方法
【专利摘要】本发明提供蚀刻剂组合物及使用其制造薄膜晶体管的方法。所述蚀刻剂组合物包括过硫酸铵((NH4)2S2O8)、基于唑的化合物、水溶性的胺化合物、含磺酸基团的化合物、含硝酸根的化合物、含磷酸根的化合物、含氯化物的化合物和剩余的水。
【专利说明】蚀刻剂组合物及使用其制造薄膜晶体管的方法
【技术领域】
[0001]本公开内容涉及蚀刻剂组合物及使用其制造薄膜晶体管的方法。
【背景技术】
[0002]近来，随着可要求平板显示器工业实施高清晰度、大面积和3D显示，存在确保更高的响应速度的需要。特别地，可要求在TFT结构的沟道部分处电子的移动速度的增加。因此，已使用低电阻材料例如铜以形成线路，且已研究使用氧化物半导体以增加在半导体层中电子的移动速度的方法。
[0003]使用氧化物半导体的TFT受到广泛的关注，因为该TFT由于简单的结构和工艺而对于确保优异的特性和大规模生产是有益的。在TFT-1XD的情况下，可通过使用与已知的S1:H TFT相比具有快速的迁移率的氧化物TFT而实施高速运行面板。
[0004]因此，可需要用于控制优异的锥形蚀刻轮廓以将氧化物施加至TFT的沟道部分和蚀刻所述沟道部分的技术，和将半导体层选择性地蚀刻以形成氧化物薄膜晶体管的沟道部分可为必须的。
【发明内容】
[0005]本发明的示例 性实施方式提供共同地(collectively)蚀刻或选择性地蚀刻低电阻线路和由氧化物半导体形成的半导体层的蚀刻剂组合物，和使用其制造薄膜晶体管的方法。
[0006]根据本发明的示例性实施方式的蚀刻剂组合物包括过硫酸铵((NH4)2S2O8)、基于唑(azole)的化合物、水溶性的胺化合物、含磺酸基团的化合物、含硝酸根的化合物、含磷酸根的化合物、含氯化物的化合物(含氯的化合物)和剩余的水。
[0007]所述蚀刻剂组合物可进一步包括辅助氧化剂。
[0008]所述辅助氧化剂的含量可为约0.1重量％_约2重量％。
[0009]所述辅助氧化剂可包括选自如下的辅助氧化剂:磷酸(H3PO4)、硝酸(HNO3)、乙酸(CH3COOH)、高氯酸(HClO4)和过氧化氢(H2O2)。
[0010]所述过硫酸铵含量可为约0.1重量％-约20重量％,所述基于唑的化合物含量可为约0.01重量％-约2重量％，所述水溶性的胺化合物含量可为约0.1重量％-约5重量％，所述含磺酸基团的化合物含量可为约0.1重量％-约10重量％，和所述含硝酸根的化合物含量可为约0.1重量％-约10重量％。
[0011 ] 所述含磷酸根的化合物含量可为约0.1重量％-约5重量％。
[0012]所述含氯化物的化合物含量可为约0.001重量％_约I重量％。
[0013]所述基于唑的化合物可包括选自如下的基于唑的化合物:苯并三唑、氨基四唑、咪唑和吡唑。
[0014]所述水溶性的胺化合物可包括选自如下的水溶性的胺化合物:甘氨酸、亚氨基二
乙酸、赖氨酸、苏氨酸、丝氨酸、天冬氨酸、对羟基苯基甘氨酸、二羟基乙基甘氨酸、丙氨酸、邻氨基苯甲酸、色氨酸、氨基磺酸、环己基氨基磺酸、脂族胺磺酸、牛磺酸、脂族胺亚磺酸和氨基乙烷亚磺酸。
[0015]所述含磺酸基团的化合物可包括选自如下的含磺酸基团的化合物:甲磺酸(CH3SO3H)、苯磺酸(C6H5SO3H)和对甲苯磺酸(C7H7SO3H)。
[0016]所述含硝酸根的化合物可包括选自如下的含硝酸根的化合物:硝酸铵(NH4NO3)、硝酸钙(Ca (NO3) 2)、硝酸锌(Zn (NO3) 2)、硝酸钠(NaNO3)、硝酸铝(Al (NO3) 3)、硝酸钡(Ba (NO3) 2)、硝酸铈(Ce (NO3) 3)、硝酸铜(Cu (NO3) 2)、硝酸铁(Fe (NO3) 3)、硝酸锂(LiNO3)、硝酸镁(Mg(NO3)2)、硝酸锰(Mn(NO3)2)、硝酸银(AgNO3)和硝酸钾(KNO3)。
[0017]所述含磷酸根的化合物可包括选自如下的含磷酸根的化合物:磷酸二氢钠(NaH2PO4)、磷酸二钠(Na2HPO4)、磷酸三钠(Na3PO4)、磷酸二氢铵(NH4H2PO4)、磷酸二铵((NH4) 2ΗΡ04)、磷酸三铵((NH4) 3P04)、磷酸二氢钾(KH2PO4)、磷酸二钾(K2HPO4)、磷酸三钾(K3PO4)、磷酸二氢钙(Ca(H2PO4)2)、磷酸二钙(CaHPO4)和磷酸三钙(Ca3 (PO4) 2)。
[0018]所述含氯化物的化合物可包括选自如下的含氯化物的化合物:氢氯酸(HCl)、氯化铵(NH4Cl)、氯化钾(KCl)、氯化铁(FeCl3)、氯化钠(NaCl)、高氯酸铵(NH4ClO4)、高氯酸钾(KClO4)、高氯酸钠(NaClO4)和氯化锌(ZnCl2)。
[0019]根据本发明的示例性实施方式的薄膜晶体管的制造方法包括:在基底上形成栅电极，在所述栅电极上形成栅极绝缘层、半导体材料层、阻挡材料层和金属线路材料层，通过使所述金属线路材料层、所述阻挡材料层和所述半导体材料层图案化而形成覆盖所述栅电极和所述栅电极的周围区域的金属线路图案部分、阻挡图案部分和半导体层，以及通过使所述金属线路图案部分和所述阻挡图案部分图案化而使布置在与所述栅电极的重叠部分上的所述半导体层暴露。形成金属线路图案部分、阻挡图案部分和半导体层包括一个使用第一蚀刻剂蚀刻的步骤，和使所述半导体层暴露包括一个使用第二蚀刻剂蚀刻的步骤。所述第一蚀刻剂和所述第二蚀刻剂具有不同的组成，且所述第二蚀刻剂包括含氯化物的化合物。
[0020]所述半导体层可由氧化物半导体形成。
[0021]所述金属线路材料层可包括第一金属层和布置在所述第一金属层上的第二金属层，所述第一金属层可包括铜，和所述第二金属层可包括铜锰合金。
[0022]所述半导体层可包括氧化铟镓锌(IGZO)。
[0023]所述阻挡材料层可包括氧化镓锌(GZO)。
[0024]所述第一蚀刻剂可包括过硫酸铵((NH4)2S2O8)、基于唑的化合物、水溶性的胺化合物、含磺酸基团的化合物、含硝酸根的化合物、含氟的化合物和剩余的水。
[0025]所述第二蚀刻剂可包括过硫酸铵((NH4)2S2O8)、基于唑的化合物、水溶性的胺化合物、含磺酸基团的化合物、辅助氧化剂、含硝酸根的化合物、含磷酸根的化合物、含氯化物的化合物和剩余的水。
[0026]在所述第二蚀刻剂中，所述过硫酸铵含量可为约0.1重量％_约20重量％,所述基于唑的化合物含量可为约0.01重量％-约2重量％，所述水溶性的胺化合物含量可为约0.1重量％_约5重量％,所述含磺酸基团的化合物含量可为约0.1重量％-约10重量％,所述辅助氧化剂含量可为约0.1重量％-约2重量，和所述含硝酸根的化合物含量可为约0.1重
量％-约10重量％。[0027]所述含磷酸根的化合物含量可为约0.1重量％_约5重量％，和所述含氯化物的化合物含量可为约0.001重量％-约I重量％。
[0028]使布置在与所述栅电极的重叠部分上的所述半导体层暴露可包括形成相对于所述栅电极彼此面对的源电极和漏电极。
[0029]如上所述，根据本发明的示例性实施方式的蚀刻剂组合物可选择性地蚀刻金属层和形成半导体层的氧化物半导体层以形成微小图案。
【专利附图】
【附图说明】
[0030]由结合附图进行的以下详细描述可更详细地理解本发明的示例性实施方式，其中:
[0031]图1-图4是说明当通过使用根据本发明的示例性实施方式的蚀刻剂组合物蚀刻金属层和半导体层时的扫描电子显微镜照片。
[0032]图5-图8是说明当通过使用根据对比例的蚀刻剂组合物蚀刻金属层和半导体层时的扫描电子显微镜照片。
[0033]图9显示说明根据当根据本发明的实施例1的蚀刻剂组合物在低温下储存时的持续时间的通过蚀刻金属层制造的金属图案的侧面部分的扫描电子显微镜(SEM)照片。
[0034]图10显示说明当根据本发明的实施例1的蚀刻剂组合物被铜(Cu)离子污染时的通过蚀刻金属层制造的金属图案的侧面部分的扫描电子显微镜照片。
[0035]图11-图14为说明根据本发明的示例性实施方式的制造薄膜晶体管的方法的横截面图。
【具体实施方式】
[0036]下文中，将参照附图详细描述本发明的示例性实施方式。如本领域技术人员将了解的，所述实施方式可以多种不同的方式改变，都不脱离本发明的精神或范围。
[0037]在附图中，为了清楚，可放大层、膜、面板、区域等的厚度。将理解，当一个层称作“在”另外的层或基底“上”时，其可直接在所述另外的层上或也可存在一个或多个中间层。在说明书中，相同的附图标记始终是指相同的元件。
[0038]如本文中使用的单数形式“一个(种)(a，an)”和“该(the) ”也意图包括复数形式，除非上下文清楚地另外说明。
[0039]根据本发明的示例性实施方式的蚀刻剂组合物包括例如过硫酸铵((NH4)2S2O8)、基于唑的化合物、水溶性的胺化合物、含磺酸基团的化合物、辅助氧化剂、含硝酸根的化合物、含磷酸根的化合物、含氯化物的化合物和剩余的水。
[0040]过硫酸铵是作为氧化剂蚀刻线路层的主要组分，和通过经由例如由下式I表示的反应蚀刻所述线路层形成稳定的化合物。在本示例性实施方式中，所述线路层可由低电阻材料(包括例如铜)制成。
[0041]S2082>2Cu — 2CuS04 式 I
[0042]在其中基于所述蚀刻剂组合物的总重量，过硫酸铵的含量小于例如约0.1重量％的情况下，用所述蚀刻剂蚀刻所述线路层是非常困难的。在其中过硫酸铵的含量超过例如约20重量％的情况下，由于所述蚀刻剂过度且快速地蚀刻所述线路层，因此难以控制蚀刻时间。因此，在本示例性实施方式中，基于所述蚀刻剂组合物的总重量，过硫酸铵的含量为例如约0.1重量％-约20重量％是有益的。[0043]所述基于唑的化合物包括氮原子，且为其中在环中包括至少一个非碳原子的五元(pentanary)杂环。所述基于唑的化合物可通过抑制在所述线路层上的铜的蚀刻而控制在铜层的上部和下部的层材料之间的蚀刻速率比。所述基于唑的化合物可降低所述金属线路的切口尺寸(cut dimension,⑶)歪斜(skew),由此容易地形成金属配线。
[0044]例如，作为所述基于唑的化合物，可有苯并三唑、氨基四唑、咪唑和吡唑。
[0045]在其中基于所述蚀刻剂组合物的总重量，所述基于唑的化合物的含量小于约
0.01重量％的情况下，不可控制所述铜层和下部层之间的蚀刻速率比，和金属图案的直的(straight)性质大大降低。在其中所述基于唑的化合物的含量超过约2重量％的情况下，所述蚀刻剂的蚀刻能力被所述基于唑的化合物降低。因此，基于所述蚀刻剂组合物的总重量，所述基于唑的化合物的含量为约0.01重量％-约2重量％是有益的。
[0046]如果在根据本发明的示例性实施方式的蚀刻剂组合物中不包括所述基于唑的化合物，不可控制对于铜的蚀刻速度，CD歪斜大大增加，和配线的直的性质恶化，由此产生当应用所述配线时的重大困难。
[0047]在本示例性实施方式中，水溶性的胺意指在可溶解在水中的包括胺基的化合物，且作为所述蚀刻剂中的蚀刻控制剂。在根据本示例性实施方式的蚀刻剂组合物中作为蚀刻控制剂的所述水溶性的胺可有助于形成优异的锥形蚀刻轮廓。
[0048]例如，所述水溶性的胺可具有包括磺酸基团、羧酸基团和亚磺酸基团的胺形式，并且可为选自如下的任一种:甘氨酸、亚氨基二乙酸、赖氨酸、苏氨酸、丝氨酸、天冬氨酸、对羟基苯基甘氨酸、二羟基乙基甘氨酸、丙氨酸、邻氨基苯甲酸、色氨酸、氨基磺酸、环己基氨基磺酸、脂族胺磺酸、牛磺酸、脂族胺亚磺酸和氨基乙烷亚磺酸。这些可单独使用或以两种或更多种的组合使用。
[0049]在其中基于所述蚀刻剂组合物的总重量，水溶性的胺的含量小于约0.1重量％的情况下，其可起不到蚀刻控制剂的作用，而在其中所述含量超过约5重量％的情况下，蚀刻速度恶化，使得当将所述化合物应用于大规模生产工艺时可导致困难。
[0050]因此，当基于所述蚀刻剂组合物的总重量，所述水溶性的胺的含量为约0.1重量％至约5重量％时，根据本示例性实施方式的蚀刻速度可被平稳地控制。在其中单独使用作为所述水溶性的胺的一种化合物的情况下，所述水溶性的胺的含量可为约0.1重量％-约5重量％。与此不同，在其中混合和使用作为所述水溶性的胺的至少两种化合物的情况下，所述水溶性的胺的含量可与所述化合物的含量之和基本上相同，且所述化合物的含量之和可为约0.1重量％至约5重量％。
[0051]例如，在示例性实施方式中，所述水溶性的胺可包括约0.05重量％_约I重量％的氨基磺酸和约0.05重量％-约4重量％的亚氨基二乙酸。因此，所述氨基磺酸和亚氨基二乙酸的含量之和的范围可与所述水溶性的胺的含量的范围基本上相同。
[0052]在本示例性实施方式中，作为包括-SO3H的化合物的所述含磺酸基团的化合物主要起到酸性保持剂的作用，用于补偿通过过硫酸铵的分解的酸性降低。在本示例性实施方式中使用的含磺酸基团的化合物的实例包括，但不限于，甲磺酸(ch3so3h)、苯磺酸(C6H5SO3H)和对甲苯磺酸(C7H7SO3H)。[0053]如果所述含磺酸基团的化合物的含量小于0.1重量％，所述含磺酸基团的化合物可起不到酸性保持剂的作用，而如果所述含磺酸基团的化合物的含量超过10重量％，蚀刻速度增加，使得过程控制是困难的。因此，所述含磺酸基团的化合物的含量为所述蚀刻剂组合物的总重量的约0.1重量％至约10重量％是有益的。
[0054]在本示例性实施方式中，所述含硝酸根的化合物为包含硝酸根离子(NO3-)的化合物，且在本组合物的本示例性实施方式的蚀刻剂中作为蚀刻控制剂形成优异的锥形蚀刻轮廓。作为其实例，有选自例如如下的组成:硝酸铵(ΝΗ4Ν03)、硝酸钙(Ca(NO3)2)、硝酸锌(Zn (NO3) 2)、硝酸钠(NaNO3)、硝酸铝(Al (NO3) 3)、硝酸钡(Ba (NO3) 2)、硝酸铈(Ce (NO3) 3)、硝酸铜(Cu(NO3)2)、硝酸铁(Fe(NO3)3)、硝酸锂(LiNO3)、硝酸镁(Mg(NO3)2)、硝酸锰(Mn(NO3)2)'硝酸银(AgNO3)和硝酸钾(KNO3)。
[0055]如果所述含硝酸根的化合物的含量小于约0.1重量％，所述化合物不能作为蚀刻控制剂，且在其中所述含量超过约10重量％的情况下，蚀刻速率恶化，使得当将所述化合物应用于大规模生产工艺时可导致困难。因此，所述含硝酸根的化合物的含量为所述蚀刻剂组合物的总重量的约0.1重量％至约10重量％是有益的。
[0056]在本示例性实施方式中，所述含磷酸根的化合物为包括P043_的化合物，且在本组合物的蚀刻剂中作为蚀刻控制剂形成优异的锥形蚀刻轮廓。作为其实例，有选自例如如下的组成:磷酸二氢钠(NaH2PO4)、磷酸二钠(Na2HPO4)、磷酸三钠(Na3PO4)、磷酸二氢铵(NH4H2PO4)、磷酸二铵((NH4) 2ΗΡ04)、磷酸三铵((NH4) 3P04)、磷酸二氢钾(KH2PO4)、磷酸二钾(K2HPO4)、磷酸三钾(K3PO4)、磷酸二氢钙(Ca(H2PO4)2)、磷酸二钙(CaHPO4)和磷酸三钙(Ca3 (PO4) 2)0
[0057]在其中所述含磷酸根的化合物的含量小于约0.1重量％的情况下，其可起不到蚀刻控制剂的作用，而在其中所述含量超过约5重量％的情况下，蚀刻速度恶化，使得当将所述化合物应用于大规模生产工艺时可导致困难。
[0058]基于所述蚀刻剂组合物的总重量，所述含磷酸根的化合物的含量为约0.1重量％至约5重量％是有益的。
[0059]在本示例性实施方式中，所述含氯化物的化合物意指包括氯(Cl)的化合物，其防止金属层的太快腐蚀以引导所述金属层的均匀腐蚀。作为其实例，有选自例如如下的组成:氢氯酸(HCl)、氯化铵(NH4Cl)、氯化钾(KCl)、氯化铁(FeCl3)、氯化钠(NaCl)、高氯酸铵(NH4ClO4)、高氯酸钾(KClO4)、高氯酸钠(NaClO4)和氯化锌(ZnCl2)。
[0060]在其中基于所述蚀刻剂组合物的总重量，所述含氯化物的化合物的含量小于约
0.001重量％的情况下，可无法防止短路的金属图案，而在其中所述含量超过约I重量％的情况下，蚀刻速度的控制困难，使得当将所述化合物应用于大规模生产工艺时可导致困难。因此，基于所述蚀刻剂组合物的总重量，所述含氯化物的化合物的含量为约0.001重量％至约I重量％是有益的。
[0061]在本示例性实施方式中，作为无机酸的所述辅助氧化剂可选自例如磷酸(H3PO4)、硝酸(HNO3)、乙酸(CH3COOH)、高氯酸(HClO4)和过氧化氢(H2O2)。如果所述辅助氧化剂的含量小于约0.1重量％，所述辅助氧化剂可起不到所述辅助氧化剂的作用，而如果所述辅助氧化剂的含量超过约5重量％，蚀刻速度增加，使得过程控制是困难的。因此，所述辅助氧化剂的含量为所述蚀刻剂组合物的总重量的约0.1重量％至约5重量％是有益的。[0062]在本示例性实施方式中，即使没有明显地描述水，水的含量对应于通过从全部蚀刻剂的100%中减去除水外的其它组分的重量百分比得到的剩余含量。作为在根据示例性实施方式的蚀刻剂中使用的水，使用例如半导体水平的水或超纯水是有益的。
[0063]在如本示例性实施方式中描述的蚀刻剂或蚀刻剂组合物的范围中，在如上所述的重量比范围内包括蚀刻剂的各组分，和即使作为例子，组成在所述重量比范围外或存在上述一些组分的代替，如果所改变的构成与所述蚀刻剂组合物基本上相同的事实对于本领域技术人员来说是明晰的，该构成被包括在其中。
[0064][实验实施例]
[0065]根据本发明的示例性实施方式的蚀刻剂组合物可用于在通过如下形成包括沟道的半导体层的过程中的第二蚀刻:在其中沉积半导体层和源/漏电极的结构中第一蚀刻IGZ0/GZ0/Cu/CuMn四层后，选择性地第二蚀刻GZO/Cu/CuMn三层。当蚀刻所述源/漏电极两次后，配线的宽度可减小。因此，在第二蚀刻过程中使用的蚀刻剂应当具有小的CD歪斜。
[0066]对于根据本示例性实施方式的蚀刻剂组合物，通过如下表1中所述制造实施例1-实施例4和对比例1-对比例5的蚀刻剂而相互比较蚀刻特性。实施例1-实施例4和对比例1-对比例5的组成描述在下表1中，且所有数值为重量比(重量％)。
[0067][表 I]
[0068]
【权利要求】
1.蚀刻剂组合物，包括: 过硫酸铵(((NH4) 2) S2O8)、基于唑的化合物、水溶性的胺化合物、含磺酸基团的化合物、含硝酸根的化合物、含磷酸根的化合物、含氯化物的化合物和剩余的水。
2.权利要求1的蚀刻剂组合物，进一步包括: 辅助氧化剂。
3.权利要求2的蚀刻剂组合物，其中 所述辅助氧化剂的含量为0.1重量％-2重量％。
4.权利要求3的蚀刻剂组合物，其中 所述辅助氧化剂包括选自如下的辅助氧化剂:磷酸(H3PO4)、硝酸(HNO3)、乙酸(CH3COOH)、高氯酸(HClO4)和过氧化氢(H2O2)。
5.权利要求1的蚀刻剂组合物，其中 所述过硫酸铵含量为0.1重量％-20重量％,所述基于唑的化合物含量为0.01重量％-2重量％，所述水溶性的胺化合物含量为0.1重量％-5重量％，所述含磺酸基团的化合物含量为0.1重量％-10重量％，和所述含硝酸根的化合物含量为0.1重量％-10重量％。
6.权利要求5的蚀刻剂组合物，其中 所述含磷酸根的化合物含量为0.1重量％-5重量％。
7.权利要求6的蚀刻剂组合物，其中 所述含氯化物的化合物含量为0.001重量％-1重量％。
8.权利要求1的蚀刻剂组合物，其中 所述基于唑的化合物包括选自如下的基于唑的化合物:苯并三唑、氨基四唑、咪唑和吡唑。
9.权利要求1的蚀刻剂组合物，其中 所述水溶性的胺化合物包括选自如下的水溶性的胺化合物:甘氨酸、亚氨基二乙酸、赖氨酸、苏氨酸、丝氨酸、天冬氨酸、对羟基苯基甘氨酸、二羟基乙基甘氨酸、丙氨酸、邻氨基苯甲酸、色氨酸、氨基磺酸、环己基氨基磺酸、脂族胺磺酸、牛磺酸、脂族胺亚磺酸和氨基乙烷亚磺酸。
10.权利要求1的蚀刻剂组合物，其中 所述含磺酸基团的化合物包括选自如下的含磺酸基团的化合物:甲磺酸(ch3so3h)、苯磺酸(C6H5SO3H)和对甲苯磺酸(C7H7SO3H)。
11.权利要求1的蚀刻剂组合物，其中 所述含硝酸根的化合物包括选自如下的含硝酸根的化合物:硝酸铵(ΝΗ4Ν03)、硝酸钙(Ca(NO3)2)、硝酸锌(Zn(NO3)2)、硝酸钠(NaNO3)、硝酸铝(Al (NO3)3)、硝酸钡(Ba(NO3)2)、硝酸铈(Ce(NO3)3)'硝酸铜(Cu(NO3)2)、硝酸铁(Fe (NO3) 3)、硝酸锂(LiNO3)、硝酸镁(Mg(NO3)2)、硝酸锰(Mn(NO3)2)、硝酸银(AgNO3)和硝酸钾(KNO3)。
12.权利要求1的蚀刻剂组合物，其中 所述含磷酸根的化合物包括选自如下的含磷酸根的化合物:磷酸二氢钠(NaH2PO4)、磷酸二钠(Na2HPO4)、磷酸三钠(Na3PO4)、磷酸二氢铵(NH4H2PO4)、磷酸二铵((NH4) 2ΗΡ04)、磷酸三铵((NH4)3PO4)、磷酸二氢钾(KH2PO4)、磷酸二钾(K2HPO4)、磷酸三钾(K3PO4)、磷酸二氢钙(Ca(H2PO4)2)、磷酸二钙(CaHPO4)和磷酸三钙(Ca3 (PO4) 2)。
13.权利要求1的蚀刻剂组合物，其中 所述含氯化物的化合物包括选自如下的含氯化物的化合物:氢氯酸(HCl)、氯化铵(NH4Cl)、氯化钾(KCl)、氯化铁(FeCl3)、氯化钠(NaCl)、高氯酸铵(NH4ClO4)、高氯酸钾(KClO4)、高氯酸钠(NaClO4)和氯化锌(ZnCl2)。
【文档编号】H01L21/77GK103571495SQ201310319674
【公开日】2014年2月12日 申请日期:2013年7月26日 优先权日:2012年8月3日
【发明者】金俸均, 朴弘植, 李旺宇, 文英慜, 尹升好, 崔永株, 金相佑, 李骐范, 李大雨, 曹三永 申请人:三星显示有限公司, 株式会社东进世美肯