技术总结
本发明提供一种深沟槽填充结构及其制作方法，所述制作方法包括：提供衬底；形成依次位于所述衬底上的埋氧层和半导体层；在所述埋氧层和所述半导体层的侧壁上形成侧墙；以所述侧墙为掩模，沿所述衬底方向去除与所述埋氧层相接触的部分衬底材料，形成由剩余衬底、所述埋氧层以及所述侧墙围成的沟槽；在所述沟槽中形成本征半导体层；在形成有所述本征半导体层的所述沟槽中形成隔离结构。所述深沟槽填充结构包括：衬底；依次位于所述衬底上的埋氧层、半导体层；所述衬底的侧壁开设有延伸至所述半导体层下方的沟槽，所述沟槽内设置有本征半导体层。本发明可改善输出信号失真的问题。
技术研发人员：刘张李
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
文档号码：201310371227
技术研发日：2013.08.22
技术公布日：2017.04.12