一种干式积层陶瓷电容器的制造方法
【专利摘要】本发明涉及一种干式积层陶瓷电容器的制造方法，包括准备晶片的第一阶段，内部电极图形与为了调节电介层的积层数指定积层次数的第二阶段，晶片蚀刻的第三阶段，形成内部电极图形的第四阶段，在内部电极图形的上部，以复数蒸镀方法进行电介层蒸镀的第五阶段，反复积层的第六阶段，晶片背面进行研磨的第七阶段，晶片以芯片形态切割的第八阶段，把切割完的芯片菱角进行研磨的第九阶段，芯片的外部形成外部电极的第十阶段。本发明是利用干式方法形成电极层和电介层，可省略使用液状原料的湿式工程中必要的高温烧结工程，此能够减少层间界面的不良，并且因使用原子层蒸镀方式，可形成精密厚度层间薄膜的效果，制造出高品质的电容器。
【专利说明】一种干式积层陶瓷电容器的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明属于电容器制造领域，尤其涉及一种在形成电介层的阶段中依靠转换腔室改变蒸镀方式，同时采用新的介电材料形成复合介电层的干式积层陶瓷电容器的制造方法。
【背景技术】
[0002]通常情况下电容器是两个导体板之间放入绝缘体或是电介体把电荷蓄电的蓄电器，积层陶瓷电容器的干式积层蒸镀电容器（Muliti-Layer Ceramics Capacitor) MLCC是为了静电容量增大和尺寸的小型化而把电介层和电极层面积通过小型薄膜多层化的芯片类型电容器。这样的MLCC是领先电感少因此高频率特性好，所以主要用在TV、VCR、PC、汽车电子、移动通信、数码AV机、电脑等电器中，起到直流，分流，交流等作用。另外，MLCC和成盒动向有密切关联反复发展当中，近年来移动通信器为主一套机器按照小型化以更快的速度在发展，随着电介体层薄层化和多层化，扩大有效面积，材料改善等原因静电容量也有所增加。
[0003]以往的湿式方式是通过MLCC的制造方法的实例如图I为参考，生成电介体覆盖的第一阶段（100)，电介体覆盖的上部通过列印的方式印刷内部电极膜板，印刷的内部电极薄膜积层压缩的第二阶段（200)与在高温下通过烧结工程制造MLCC的第三阶段（300)，类似的湿式方法是为了以浆化原料形态用一定的厚度在胶片上留下来而使用了修墨刀的方法。
[0004]修墨刀方法是以制造粉末开始，粉末是具有基本结构的原材料与蒸馏水混合后在特定温度下一定时间烧制而成。制造的粉末里为了增大成型性添加PVD等粘合剂做成液状后用陶瓷列印进行铸造，之后，镍，银，钯，钼等适合内部电极的薄片上列印后重叠压缩，一定温度(约400-50(TC )升温后经过烧结，再将芯片按一定大小的形态切断，然后重新按一定温度的高温烧结后，最终两面贴着外部电极形成MLCC。
[0005]按照如上述湿式方法中的高容量MLCC的制造，电介体薄片的薄膜化与积层化工程中会发生如下问题。
[0006]用修墨刀的方法形成的电介体薄层以多层构造，积层的烧结工程中会发生很多缺陷，另外一个缺点是很难得到一定厚度的电介层。MLCC的内部电极以印刷的电介体薄层积层压缩后形成MLCC的时候，在电介体薄片上印刷内部电极和没有印刷内部电极的地方形成厚度偏差。这样的偏差在电介体薄片多张积层时会更加明显，即内部电极印刷的部分因内部电极的厚度要比没有印刷内部电极的部分的厚度厚。另外，即使压缩积层的电介薄片，印刷的内部电极因内部电极的厚度形成凹凸形态。这样的凹凸形态的MLCC在电子机器上贴装是发生不良的主要原因。而且，关于上述修墨刀方式中流延成型（Tape Casting)时，厚度偏差严重，积层之后烧结的工程中发生破裂使内部电极出现缺陷的问题。
[0007]利用上述方法制造的MLCC随着电子机器小型化，轻量化，大容量化，同时因为积层陶瓷电容器的容量有增大的趋势，所以蒸度的积层薄片的精密薄膜化和多层化是不可避免的。
[0008]另外，做高容量的电容器时，要把电极板的面积增加或是电极板之间要使用电介体的电介率高的材料。用同样的电介材料时，电解板之间的距离即电介膜的厚度要薄。但是，如上述因为产品的小型化电极面积会窄。在通常方法的使用浆化原料的湿式方式里原材料的浆化单位粒子大，因此达到高容量的电容器有一定界限。改善这样的问题的MLCC制造方法在韩国公开专利第2011-0072398号和韩国公开专利第2011-0065623号中提示出来。上述第一篇专利文献方法中的MLCC是主要使用电介率高的电介原料，但这样的原料也是浆化方式也需要烧结工程因此，膜的厚度不精密对于新的电介率材料的技术到了一个界限的状况。第二篇文献中提到的另外一种方法是增加电介层的积层数但是这样工程数会增加不仅原价会涨而且生产性也会大大减少。
【发明内容】
[0009]本发明设计了一种干式积层陶瓷电容器的制造方法，其目的在于通过把积层的MLCC的电介层以多个蒸镀室转换，形成不同的蒸镀方式，从而除去在湿式工程的高温烧结工程中发生的膜收缩和各层间界面不良问题的积层蒸镀陶瓷电容器的制造方法。
[0010]本发明的另一个目的在于提供一种通过更改的蒸镀方式形成电介薄膜，通过溅镀方式形成内部电极，从而可形成精细坚固的膜，在恶劣的外部环境下也保持高品质的MLCC积层蒸镀陶瓷电容器的制造方法。
[0011]本发明的另一个目的是在形成电介层时，使用原子层蒸镀，从而膜的单位粒子大小比使用浆料时小很多，因此可提供使用通过薄膜化制造的干式积层陶瓷电容器制造方法。
[0012]本发明还有一个目的是提供一种通过使用高阻抗的晶片基板，在硅晶片表面上一定部分进行蚀刻后，增加内部电极表面的高容量的MLCC干式积层陶瓷电容器制造方法。
[0013]为了实现上述目的，本发明采用了以下方案:
一种干式积层陶瓷电容器的制造方法，其特征在于包括如下阶段:
第一阶段:晶片准备阶段；
第二阶段:积层层数指定阶段；
第三阶段:晶片表面蚀刻阶段；
第四阶段:内部电极图形形成阶段；
第五阶段:转化蒸镀腔室进行复数的电介层蒸镀阶段；
第六阶段:反复积层阶段；
第七阶段:晶片背面研磨阶段；
第八阶段:以芯片形态切割阶段；
第九阶段:芯片倒角研磨阶段；
第十阶段:形成外部电极阶段。
[0014]第一阶段中所述的晶片为硅晶片或玻璃晶片或者石英晶片；为了防止漏电电流，所述的晶片为电阻值在IkQ以上的高阻抗晶片。
[0015]第二阶段所述的积层层数为3-60层。
[0016]第三阶段所述的晶片表面蚀刻是用湿式方法，若第一阶段采用硅晶片时使用氢氧化钾溶液作为蚀刻液，若第一阶段采用玻璃晶片或石英晶片时使用氟酸作为蚀刻液；所述蚀刻液的体积分数为15%-45%。
[0017]第四阶段所述的内部电极图形形成是用剥离的方法形成的；所述的剥离的方法是按照以下顺序进行的：以光刻胶涂布，形成逆境图形的光刻胶图形形成，正面电极金属膜蒸镀，根据湿式方法去除光刻胶和光刻胶上蒸镀的金属膜；所述的正面电极金属膜用铜或者铝在溅镀腔室中形成，所述的金属膜的厚度为800-1000 L
[0018]第五阶段所述的转化蒸镀腔室进行复数的电介层蒸镀阶段是在原子层蒸镀腔室(ALD)内，将第四阶段处理后的晶片上蒸镀电介层此为积层第一层，然后把上述的晶片通过移动腔室移送到化学气象蒸镀腔室（CVD)内再蒸镀电介层此为第二层，然后将经过化学气象蒸镀腔室（CVD)蒸镀的晶片通过移动腔室移送到溅镀腔室内进行蒸镀此为第三层，上述为一个蒸镀周期，第五阶段按照所述第二阶段指定的积层层数如上述蒸镀周期反复进行蒸镀；按照所述第二阶段指定的积层层数蒸镀结束后，将蒸镀后的晶片通过移动腔室移送到热处理腔室里进行热处理。
[0019]第五阶段所述的热处理腔室的升温条件为25°C /sec，升温至400-1000°C后，注入氮气的状态下处理l_2h。
[0020]第五阶段所述原子层蒸镀腔室（ALD)内的电介层和化学气象蒸镀腔室（CVD)内的电介层是氧化铝、氧化锆、二氧化钛、钛酸锶酸化物中的一种或者两种以上的电介体复合层；所述在溅镀腔室内蒸镀的镀层为铜或者铝。
[0021]作为第五阶段所述的电介层蒸镀的前躯体，氧化铝是用三甲基铝-甲基吡咯烷络合物MPTMA，氧化锆是用四（乙基甲基氨基）锆TEMAZ，二氧化钛是用异丙氧基钛TIP，钛酸锶酸化物的锶是用三异丙基环戊二烯锶Sr(iPr3Cp)2。
[0022]第十阶段所述的外部电极材料为金属铜，所述的外部电极外层保护膜为金属锡；所述铜的厚度为30-60 μ m，所述锡的厚度为5-15 μ m。
[0023]该干式积层陶瓷电容器的制造方法具有以下有益效果：
I、本发明设计的干式积层陶瓷电容器的制造方法，通过把积层的MLCC的电介层以多个蒸镀室转换，形成不同的蒸镀方式，从而除去在湿式工程的高温烧结工程中发生的膜收缩和各层间界面不良问题。
[0024]2、本发明设计的干式积层陶瓷电容器的制造方法，通过更改的蒸镀方式形成电介薄膜，通过溅镀方式形成内部电极，从而可形成精细坚固的膜，在恶劣的外部环境下也保持高品质的MLCC积层蒸镀陶瓷电容器。
[0025]3、本发明设计的干式积层陶瓷电容器的制造方法，在形成电介层时，使用原子层蒸镀，从而膜的单位粒子大小比使用浆料时小很多，因此可提供使用通过薄膜化制造的干式积层陶瓷电容器制造方法。
[0026]4、本发明设计的干式积层陶瓷电容器的制造方法，通过使用高阻抗的晶片基板，在硅晶片表面上一定部分进行蚀刻后，增加内部电极表面，能够生产处高容量的MLCC。
[0027]5、本发明设计的干式积层陶瓷电容器的制造方法，把高价的银，银-钯(金)，钼等金属物代替为低价的铜或铝来制备内部电极，大大降低了生产成本，可提高最终产品积层电容的价格竞争力。【专利附图】
【附图说明】
[0028]图1:【背景技术】中以往MLCC的制造方法的例I中的顺序图；
图2:本发明中干式积层陶瓷电容器的制造方法的流程图；
图3:本发明中干式积层陶瓷电容器的制造方法晶片蚀刻设计图的示意图；
图4:本发明中关于原子层蒸镀方法顺序图；
图5:本发明中蒸镀腔室示意图。
[0029]附图标记说明:
I一晶片；2—溅镀腔室；3—原子层蒸镀腔室；4一化学气象蒸镀腔室；5—热处理腔室；6—移动腔室；10—蚀刻部分；20—未蚀刻部分。
【具体实施方式】
[0030]下面结合具体实施例和附图，对本发明做进一步说明:
本发明公开了一种干式积层陶瓷电容器的制造方法，如图2所示，是在本发明的制造方法中的流程图，本实施例中的干式积层陶瓷电容器制造方法是作为在晶片上利用干式方法的多层蒸镀方式制造高品质的MLCC的方法，包括如下阶段:
第一阶段:晶片准备阶段；
第二阶段:积层层数指定阶段；
第三阶段:晶片表面蚀刻阶段；
第四阶段:内部电极图形形成阶段；
第五阶段:转化蒸镀腔室进行复数的电介层蒸镀阶段；
第六阶段:反复积层阶段；
第七阶段:晶片背面研磨阶段；
第八阶段:以芯片形态切割阶段；
第九阶段:芯片倒角研磨阶段；
第十阶段:形成外部电极阶段。
[0031]第一阶段中所述的晶片为硅晶片或玻璃(glass)晶片或者石英(quartz)晶片；为了防止漏电电流确保电容器部分电的稳定性，所述的晶片为电阻值在IkQ以上的高阻抗晶片，晶片洗漆后备用。
[0032]第二阶段所述的积层层数为50层；为了确保所要的静电容量需要反复积层内部电极和电介层，蒸镀之前预先指定反复蒸镀的次数。通过ALD方式积层而生成厚度速度缓慢，有成膜的厚度降低的缺点，为了得到所需的厚度需要反复进行周期(cycle)次数才能控制成膜层及厚度。
[0033]第三阶段所述的晶片表面蚀刻是用湿式方法，若第一阶段采用硅晶片时使用水酸化氢氧化钾作为蚀刻液，若第一阶段采用玻璃晶片或石英晶片时使用氟酸作为蚀刻液。为了所需要的部分选择性蚀刻一般使用照片蚀刻的方法，以PR (photo resist)涂布，曝光，显影的过程形成光刻图像后，在之前先准备的溶剂进行蚀刻去除光刻胶来完成。蚀刻的溶剂按照晶片的种类会有不同，硅晶片时作为蚀刻溶液主要使用氢氧化钾(KOH)，玻璃或石英晶片时晶片蚀刻溶液主要以氟酸(HF)为主。这类的溶液按照蚀刻量的不同需要稀释后再使用，本实施例的蚀刻液的体积分数为25%。除湿式蚀刻外可利用等离子干式蚀刻方法。[0034]如图3所示，为了增加静电容量，弄宽硅晶片表面面积，按照之前设计好的固定图形进行晶片蚀刻。此时，在没有限定的情况下，图形的形态是蚀刻部分（10)和未蚀刻部分
(20)反复交叉构造成。但形态也会出现凹槽（groove)，压纹（embossing)等多种形态发生。
[0035]关于第四阶段，以往的剥离方法中多是利用选择性蒸镀工艺，剥离PR或电介体的过程中蒸镀的金属也会随一起脱落。
[0036]鉴于以上的缺点，本发明利用了逆境式图形（negative slope )形成的技术，使用PR或者电介体形成图形后再蒸镀金属，由于蒸镀金属的电极部分和其他部分不连续，使剥离更容易，且蒸镀的金属不容易被同事剥离掉。
[0037]第四阶段所述的内部电极图形形成是用剥离的方法形成的；所述的剥离的方法是按照以下顺序进行的：以光刻胶涂布，形成逆境图形的光刻胶图形形成，正面电极金属膜蒸镀，根据湿式方法去除光刻胶和光刻胶上蒸镀的金属膜；所述的正面电极金属膜用铜或者铝在溅镀腔室中形成，所述的金属膜的厚度为800-1000 L
[0038]第五阶段所述的转化蒸镀腔室进行复数的电介层蒸镀阶段是在原子层蒸镀腔室(ALD)内，将第四阶段处理后的晶片上蒸镀电介层此为积层第一层，然后把上述的晶片通过移动腔室移送到化学气象蒸镀腔室（CVD)内再蒸镀电介层此为第二层，然后将经过化学气象蒸镀腔室（CVD)蒸镀的晶片通过移动腔室移送到溅镀腔室内进行蒸镀此为第三层，上述为一个周期，第五阶段按照所述第二阶段指定的积层层数如上述蒸镀周期反复进行蒸镀；按照所述第二阶段指定的积层层数蒸镀结束后，生成的薄膜能优化表面形态，为了优化膜质的电特性，将蒸镀后的晶片通过移动腔室移送到热处理腔室里进行热处理。所述的热处理腔室的升温条件为25°C /sec，升温至600°C后，注入氮气的状态下处理2h。如图5所示，给出了蒸镀腔室之间的示意图。
[0039]原子层蒸镀（ALD)和化学气象蒸镀CVD —样把化学反应物质以气体状态供应或把反应物质以脉冲形态供应为特点。即在流动状态中按净化气体，反应物质互相隔离后以原子层单位蒸镀的（layer-by-layer)纳米薄膜蒸镀技术，比CVD低的温度下（500°C以下）可形成原子层的技术。ALD拥有限制性的反应特性可进行保形过程，因此可以控制精密厚度。膜厚度的控制是计算(系数）脉冲后以周期单位来现。ALD蒸镀速度是200-400°C反应温度下通常IA/周期，每次周期是2-3秒。
[0040]另外，CVD (Chemical Vapor Deposition)蒸镀是把原料以气态供应后，按照气象或是在基板表面中以化学反应形成薄膜的的技术，与其他薄膜形成的方法相比更广泛和多样化，从SiO2到Si3N4以多样化材料扩大。CVD蒸镀是与外部隔离的反应室里放入基板供应气体热，等离子，光，或是按照任意的热量分解热量后，不变化基板的性质直接薄膜蒸镀。CVD蒸镀的速度是根据蒸镀的材料不同而变化的。其蒸镀的速度大于原子层蒸镀的速度。
[0041]作为本发明的实施例可使用内部电极上在原子层蒸镀(ALD)腔室进行原子层蒸镀，然后再通过蒸镀速度较快的化学气象蒸镀（CVD)腔室形成电介层的方式。从薄膜的品质上看ALD为更优秀，因此与内部电极接合的部分通过ALD蒸镀，需要的电介层厚度在CVD腔室里蒸镀。晶片移送时防止露在外部中，通过移动腔室移送。根据情况需要可变更CVD和ALD的蒸镀顺序。[0042]第五阶段所述的电介层因为电介体是由不同特性的复合材料层构成，其电特性可相互补充使用。底部先蒸镀氧化招(alumina, aluminum oxide),再蒸镀二氧化钛(titania, titanium oxide),最后在蒸镀氧化招。这种蒸镀方法是利用氧化招优越的漏电特性蒸镀在上部和底部，蒸镀为了补充耐电压特性，在中间蒸镀耐压特性优越的二氧化钛。作为第五阶段所述的电介层蒸镀的前躯体，氧化铝是用三甲基铝-甲基吡咯烷络合物 MPTMA (MetylPyrrolidine Tr1-Methyl Aluminium),氧化错是用四(乙基甲基氨基)错 TEMAZ (TetrakisEthylMethylAmino Zirconium), 二氧化钦是用异丙氧基钦 TIP(Titanium-1soPropoxide),钛酸银酸化物的银是用三异丙基环戍二烯银Sr(iPr3Cp)2。每个氧化膜的氧化剂前驱体是使用氧。
[0043]原子层蒸镀方法的顺序是，晶片基板加热后，流入氧化剂(source)氧，氮气净化(purge),供应电介质膜原料(source)气体,净化(purge)氮气的顺序来进行,这一系列的过程如图4所示，构成一个周期。
[0044]蒸镀是可调节温度的真空室里形成，膜的前驱体与反应躯体供应到反应室后，在表面通过原子层的反应蒸镀而形成。此时，需要热反应的化学气象蒸镀(CVD)是以高温为必要条件。相反，原子层蒸镀方式优点在于不需要高温。
[0045]在第六阶段中为了达到最终产品的静电容量，在第二阶段指定的积层层数在第五阶段反复进行积层。
[0046]在第七阶段为了达到电容器的最终厚度，对积层完的晶片背面进行研磨，关于研磨设备可使用研磨(lapping)设备,化学机械研磨(CMP)设备,或抛光(polishing)设备等。
[0047]在第八阶段中利用锯断(sawing)设备按照一定的芯片形状来切割。
[0048]在第九阶段中切割时产生的锐利芯片菱角部分通过研磨的方式软化后放缓电冲击。另外，内部电极露出后为了后续外部电极的接触，圆滑进行菱角研磨，菱角研磨是如桶(barreI) 一样在桶中混合研磨剂进行研磨的方式。
[0049]第十阶段中通常利用镀金属的方法在芯片的外面形成外部电极，热处理的条件是100°C以下处理30分钟，通过热处理确保对于电极的通电性与结合性。外部电极的材料是铜，保护膜使用锡。铜的厚度为50 μ m，锡保护膜的厚度为10 μ m。
[0050]根据本发明的实例只有干式方法能蒸镀金属电极膜和电介质膜，省略了湿式工艺中必要的烧结工程，去除了烧结过程中会发生的收缩膜而导致各层间的界面不良，可形成厚度精密层间的薄膜。而且，如上述中内部电极和电镀的积层按照预先指定的次数进行积层，可以制造出高品质的电容器。
[0051]上面结合附图对本发明进行了示例性的描述，显然本发明的实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种改进，或未经改进将本发明的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围内。
【权利要求】
1.一种干式积层陶瓷电容器的制造方法，其特征在于包括如下阶段： 第一阶段：晶片准备阶段； 第二阶段：积层层数指定阶段； 第三阶段：晶片表面蚀刻阶段； 第四阶段：内部电极图形形成阶段； 第五阶段：转化蒸镀腔室进行复数的电介层蒸镀阶段； 第六阶段：反复积层阶段； 第七阶段：晶片背面研磨阶段； 第八阶段：以芯片形态切割阶段； 第九阶段：芯片倒角研磨阶段； 第十阶段：形成外部电极阶段。
2.根据权利要求1所述的干式积层陶瓷电容器的制造方法，其特征在于：第一阶段中所述的晶片为硅晶片或玻璃晶片或者石英晶片；所述的晶片为电阻值在IkQ以上的高阻抗晶片。
3.根据权利要求1或2所述的干式积层陶瓷电容器的制造方法，其特征在于：第二阶段所述的积层层数为3-60层。
4.根据权利要求3所述的干式积层陶瓷电容器的制造方法，其特征在于：第三阶段所述的晶片表面蚀刻是用湿式方法，若第一阶段采用硅晶片时使用氢氧化钾溶液作为蚀刻液，若第一阶段采用玻璃晶片或石英晶片时使用氟酸作为蚀刻液；所述蚀刻液的体积分数为 15%-45%。
5.根据权利要求1或2或4所述的干式积层陶瓷电容器的制造方法，其特征在于--第四阶段所述的内部电极图形形成是用剥离的方法形成的；所述的剥离的方法是按照以下顺序进行的：以光刻胶涂布，形成逆境图形的光刻胶图形形成，正面电极金属膜蒸镀，根据湿式方法去除光刻胶和光刻胶上蒸镀的金属膜；所述的正面电极金属膜用铜或者铝在溅镀腔室中形成，所述的金属膜的厚度为800-1000 L
6.根据权利要求5所述的干式积层陶瓷电容器的制造方法，其特征在于：第五阶段所述的转化蒸镀腔室进行复数的电介层蒸镀阶段是在原子层蒸镀腔室（ALD)内，将第四阶段处理后的晶片上蒸镀电介层此为积层第一层，然后把上述的晶片通过移动腔室移送到化学气象蒸镀腔室（CVD)内再蒸镀电介层此为第二层，然后将经过化学气象蒸镀室腔室（CVD)蒸镀的晶片通过移动腔室移送到溅镀腔室内进行蒸镀此为第三层，上述为一个蒸镀周期；第五阶段按照所述第二阶段指定的积层层数如上述蒸镀周期反复进行蒸镀；按照所述第二阶段指定的积层层数蒸镀结束后，将蒸镀后的晶片通过移动腔室移送到热处理腔室里进行热处理。
7.根据权利要求2或4或6所述的干式积层陶瓷电容器的制造方法，其特征在于：第五阶段所述的热处理腔室的升温条件为25°C /sec，升温至400-1000°C后，注入氮气的状态下处理l_2h。
8.根据权利要求7所述的干式积层陶瓷电容器的制造方法，其特征在于：第五阶段所述原子层蒸镀腔室（ALD)内的电介层和化学气象蒸镀腔室（CVD)内的电介层是氧化铝、氧化锆、二氧化钛、钛酸锶酸化物中的一种或者两种以上的电介体复合层；所述在溅镀腔室内蒸镀的镀层为铜或者招。
9.根据权利要求6或8所述的干式积层陶瓷电容器的制造方法，其特征在于:作为第五阶段所述的电介层蒸镀的前躯体，氧化铝是用三甲基铝-甲基吡咯烷络合物MPTMA，氧化锆是用四(乙基甲基氨基)锆TEMAZ，二氧化钛是用异丙氧基钛TIP，钛酸锶酸化物的锶是用三异丙基环戊二烯锶Sr(iPr3Cp)2。
10. 根据权利要求1-9任一项所述的干式积层陶瓷电容器的制造方法，其特征在于:第十阶段所述的外部电极材料为金属铜，所述的外部电极外层保护膜为金属锡；所述铜的厚度为30-60 μ m,所述锡的厚度为5-15 μ m。
【文档编号】H01G4/33GK103489642SQ201310467792
【公开日】2014年1月1日 申请日期:2013年10月10日 优先权日:2013年10月10日
【发明者】高在洪, 金亨泰, 安荣宽 申请人:大连天壹电子有限公司