一种电子零件、积层陶瓷电容器及其制造方法
【专利摘要】本发明是具有内部电极层12以及介电体层10的电子零件的制造方法，系包括：形成含有导电体成分以及介电体成分的烧成前内部电极薄膜12a的制程、使烧成后成为介电体层10的生胚薄片10a与前述内部电极薄膜12a积层的制程、将前述生胚薄片10a与前述内部电极薄膜12a的积层体烧结的制程，提供：即使在内部电极层分别的厚度薄层化的情况，也可以抑制烧成阶段时的导电体粒子的粒成长，有效防止内部电极层的球状化，电极中断，可有效地抑制静电容量的低下的积层陶瓷电容器等的电子零件及其制造方法。
【专利说明】一种电子零件、积层陶瓷电容器及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种积层陶瓷电容器，尤其是一种电子零件、积层陶瓷电容器及其制造方法。
【背景技术】
[0002]本发明系具有内部电极层12以及介电体层10之电子零件之制造方法，系包括:形成含有导电体成分以及介电体成分之烧成前内部电极薄膜12a之制程、使烧成后成为介电体层10之生胚薄片IOa与前述内部电极薄膜12a积层之制程、将前述生胚薄片IOa与前述内部电极薄膜12a之积层体烧结之制程，提供:即使在内部电极层分别的厚度薄层化之情况，也可以抑制烧成阶段时之导电体粒子之粒成长，有效防止内部电极层之球状化，电极中断，可有效地抑制静电容量之低下之积层陶瓷电容器等之电子零件及其制造方法。
【发明内容】
[0003]针对上述问题，本发明提供一种电子零件、积层陶瓷电容器及其制造方法。
[0004]本发明系具有内部电极层12以及介电体层10之电子零件之制造方法，系包括:形成含有导电体成分以及介电体成分之烧成前内部电极薄膜12a之制程、使烧成后成为介电体层10之生胚薄片IOa与前述内部电极薄膜12a积层之制程、将前述生胚薄片IOa与前述内部电极薄膜12a之积层体烧结之制程，提供:即使在内部电极层分别的厚度薄层化之情况，也可以抑制烧成阶段时之导电体粒子之粒成长，有效防止内部电极层之球状化，电极中断，可有效地抑制静电容量之低下之积层陶瓷电容器等之电子零件及其制造方法。
【具体实施方式】
[0005]电子零件、积层陶瓷电容器制造方法，具有内部电极层及介电体层，其特征在于包括:形成含有导电体成分以及介电体成`分之烧成前内部电极薄膜之制程；使烧成后成为介电体层之生胚薄片与前述内部电极薄膜积层之制程；及将前述生胚薄片与前述烧成前内部电极薄膜之积层体烧成之制程；前述烧成前内部电极薄膜中前述介电体成分之含有量，相对于前述烧成前内部电极薄膜全体，较Omol1^大而在0.811101%以下,一种电子零件之制造方法，具有内部电极层及介电体层，其特征在于包括:形成含有导电体成分以及介电体成分之烧成前内部电极薄膜之制程；使烧成后成为介电体层之生胚薄片与前述内部电极薄膜积层之制程；及将前述生胚薄片与前述烧成前内部电极薄膜之积层体烧成之制程；前述烧成前内部电极薄膜中前述介电体成分之含有量，相对于前述烧成前内部电极薄膜全体，较0wt%大而在3wt%以下。前述烧成前内部电极薄膜中之前述介电体成分至少包含BaTi03、MgO、A1203、Si02、CaO、Ti02、V203、MnO、SrO, Y203、Zr02、Nb205、BaO, Hf02, La203、Gd203、Tb407、Dy203、Ho203、Er203、Tm203、Yb203、Lu203、CaTi03 以及 SrTi03 中之至少一种，前述烧成前内部电极薄膜之厚度为0.1~1.0以薄膜形成法来形成前述烧成前内部电极薄膜，前述薄膜形成法系溅镀法、蒸镀法、或分散电镀法，藉由将构成前述导电体成分以及前述介电体成分之金属材料以及无机物同时溅镀，来形成前述烧成前内部电极薄膜，进行前述溅镀时，使用惰性气体作为导入气体，前述惰性气体之气体导入压力为0.01~2Pa，包含于前述烧成前内部电极薄膜之介电体成分与前述生胚薄片，实质上分别含有相同组成之介电体，包含于前述烧成前内部电极薄膜之介电体成分之平均粒径为I~10nm，包含于前述烧成前内部电极薄膜之导电体成分，系以镍以及/或镍合金为主成分，前述积层体系在具有10-10~10-2Pa之氧气分压之气氛中，在1000°C~1300°C之温度所烧成，烧成前述积层体之后,在具有10-2~IOOPa之氧气分压之气氛中，在1200°C之温度退火，一种积层陶瓷电容器之制造方法，具有内部电极层及介电体层交互积层之元件本体，其特征在于包括:形成含有导电体成分以及介电体成分之烧成前内部电极薄膜之制程；使烧成后成为介电体层之生胚薄片与前述内部电极薄膜交互积层之制程；及将前述生胚薄片与前述烧成前内部电极薄膜之积层体烧成之制程；前述烧成前内部电极薄膜中前述介电体成分之含有量，相对于前述烧成前内部电极薄膜全体，较Omol^大而在0.Smol %以下，具有内部电极层及介电体层交互积层之元件本体，其特征在于包括:形成含有导电体成分以及介电体成分之烧成前内部电极薄膜之制程；使烧成后成为介电体层之生胚薄片与前述内部电极薄膜交互积层之制程；及将前述生胚薄片与前述烧成前内部电极薄膜之积层体烧成之制程；前述烧成前内部电极薄膜中前述介电体成分之含有量，相对于前述烧成前内部电极薄膜全体，较Owt %大而在3wt%以下。
【权利要求】
1.一种电子零件之制造方法，具有内部电极层及介电体层，其特征在于包括:形成含有导电体成分以及介电体成分之烧成前内部电极薄膜之制程；使烧成后成为介电体层之生胚薄片与前述内部电极薄膜积层之制程；及将前述生胚薄片与前述烧成前内部电极薄膜之积层体烧成之制程；前述烧成前内部电极薄膜中前述介电体成分之含有量，相对于前述烧成前内部电极薄膜全体，较Omol %大而在0.8mol%以下。
2.如申请专利范围第I项之电子零件之制造方法，其中，前述烧成前内部电极薄膜中之前述介电体成分至少包含BaTi03、Y203以及Hf02中之至少-种。
3.一种电子零件之制造方法，具有内部电极层及介电体层，其特征在于包括:形成含有导电体成分以及介电体成分之烧成前内部电极薄膜之制程；使烧成后成为介电体层之生胚薄片与前述内部电极薄膜积层之制程；及将前述生胚薄片与前述烧成前内部电极薄膜之积层体烧成之制程；前述烧成前内部电极薄膜中前述介电体成分之含有量，相对于前述烧成前内部电极薄膜全体，较Owt %大而在3wt%以下。
【文档编号】H01G4/06GK103794363SQ201110081167
【公开日】2014年5月14日 申请日期:2011年4月1日 优先权日:2011年4月1日
【发明者】徐孝华 申请人:徐孝华