X射线检测装置阵列基板的制作方法
【专利摘要】本实用新型实施例公开了一种X射线检测装置阵列基板，包括薄膜晶体管和与薄膜晶体管相连的光电二极管传感器件。薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、有源层和源极、漏极，其中薄膜晶体管的有源层上下设置有二次电子发射层，形成微通道结构，使有源层获得了较高的载流子迁移率，从而提高了薄膜晶体管的性能，提升了X射线检测装置的灵敏度。另外，本实用新型实施例公开的X射线检测装置阵列基板采用柔性衬底，使X射线检测装置具有轻薄、安装简便、功耗低、携带方便、经久耐用等优点。
【专利说明】X射线检测装置阵列基板
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及光电检测【技术领域】，特别是涉及一种X射线检测器阵列基板。
【背景技术】
[0002]X射线检测装置在测量医学、电子工业、宇航工业及其它领域均有广泛应用。X射线检测装置通过将X射线转化为可见光，光电二极管接收光并通过光伏效应将光信号转换为电信号，电信号通过薄膜晶体管的开关控制输入到X射线检测装置的控制电路中，从而实现检测功能。
[0003]现有技术中X射线检测装置阵列基板的剖面结构示意图，如图1所示，阵列基板包括多个像素区域，每个像素区域包含薄膜晶体管200和光电二极管300。具体结构为:衬底基板100，衬底基板之上设置有栅极层，栅极层包括栅线(未示出)和与栅线连接的薄膜晶体管的栅极201 ;栅极层之上设置有栅极绝缘层202 ;栅极绝缘层202之上设置有源层203 ；有源层203之上还可以设置欧姆接触层204 ;有源层203和欧姆接触层204之上设置源漏极层，该层包括薄膜晶体管的源极2051和漏极2052，其中源极2051与信号线3062连接，漏极2052与光电二极管300连接，该层还包括反射部2053，反射部2053设置在光电二极管的下方区域。在源漏极层之上设置有第一钝化层206，第一钝化层在反射部2053所在区域设置有开口。反射部2053所在区域设置有光电二极管300，反射部2053通过第一钝化层的开口与光电二极管300相连接，使薄膜晶体光的漏极2052和光电二极管300连接。光电二极管300包括PIN结，包括P型半导体层301、I型半导体层302和N型半导体层303 ；PIN结之上设置有包括第一电极304的第一导电薄膜层；第一导电薄膜层之上设置第二钝化层305，第二钝化层305形成有第一过孔3051和第二过孔3052 ;第二钝化层305之上为第二导电薄膜层306,第二导电薄膜层306包括偏压电极3061和信号线3062,偏压电极3061通过第一过孔3051与第一电极304相连；信号线3062通过第二过孔3052与薄膜晶体管的源极2051相连。在薄膜晶体管200和光电二极管300外围还设置有外围钝化层307，用于保护薄膜晶体管和光电二极管。
[0004]X射线检测装置工作原理如图2所示，当X射线120轰击荧光粉110时，透过荧光粉110的可见光入射至X射线检测装置阵列基板的光电二极管300，由于光伏效应，将光信号转换为电信号，电信号通过薄膜晶体管300的开关输入至X射线检测装置的控制电路。
[0005]现有技术中X射线检测装置阵列基板的制造工艺流程如图3所示，具体步骤包括:
[0006]101:在衬底基板上形成栅极层，通过第一次构图工艺形成包括栅极的图形；
[0007]102:在完成步骤101的基板上形成栅极绝缘层，在栅极绝缘层上形成有源层，通过第二次构图工艺形成有源层的图形；
[0008]103:在完成步骤102的基板上形成源漏极层，通过第三次构图工艺形成包括源极、漏极和反射部的图形；
[0009]104:在完成步骤103的基板上形成第一钝化层，通过第四次构图工艺形成包括开口部的第一钝化层的图形；
[0010]105:在完成步骤104的基板上形成N型半导体层、I型半导体层和P型半导体层，通过第五次构图工艺形成光电二极管中半导体部分的图形；
[0011]106:在完成步骤105的基板上形成第一导电薄膜层，通过第六次构图工艺形成包括第一电极的图形；
[0012]107:在完成步骤106的基板形成第二钝化层，通过第七次构图工艺形成包括第一过孔和第二过孔的图形；
[0013]108:在完成步骤107的基板形成第二导电薄膜层，通过第八次构图工艺形成包括偏压电极和信号线的第二导电薄膜层的图形；
[0014]109:在完成步骤108的基板形成外围钝化层，通过第九次构图工艺形成外围钝化层的图形。
[0015]现有的X射线检测装置阵列基板的薄膜晶体管的有源层采用非晶硅材料，非晶硅薄膜载流子迁移率较低，导致X射线检测装置的灵敏度低，无法满足高灵敏度检测要求。
实用新型内容
[0016]本实用新型提供了一种X射线检测装置阵列基板，用以解决现有技术中X射线检测装置灵敏度低的技术问题。
[0017]本实用新型中的X射线检测装置阵列基板，包括薄膜晶体管和与薄膜晶体管相连的光电二极管，所述薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、有源层和源极、漏极，所述有源层之下设置有第一二次电子发射层，所述有源层之上设置有第二二次电子发射层。
[0018]其中，所述第一二次电子发射层和第二二次电子发射层的材料为金属氧化物，优选氧化镁或氧化铍。
[0019]其中，所述第一二次电子发射层和第二二次电子发射层的厚度为500 ~
700A。
[0020]其中，所述有源层的材料为半导体氧化碳纳米管材料或者半导体氢化石墨烯材料。
[0021]其中，所述有源层的厚度为1500~ 2000A。
[0022]所述阵列基板包括衬底基板，所述薄膜晶体管和所述光电二极管设置在所述衬底基板之上，所述衬底基板为柔性材料，所述柔性材料为聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯醇或聚酰亚胺。
[0023]所述阵列基板的所述栅极的材料为重金属或重金属合金，优选铜、铅或铜铅合金，或者钥及钥合金；所述栅极绝缘层的材料为绝缘树脂材料；所述源极和所述漏极的材料为导体碳纳米管材料或导体石墨烯材料。
[0024]所述阵列基板的所述光电二极管为PIN型光电二极管，所述PIN型光电二极管包括P型半导体层、I型半导体层和N型半导体层，所述P型半导体层、I型半导体层和N型半导体层采用半导体碳纳米管材料；所述光电二极管还包括钝化层和偏压电极，所述钝化层的材料为绝缘树脂材料，所述偏压电极的材料包括导体碳纳米管材料。
[0025]所述薄膜晶体管和所述光电二极管外围设置有外围钝化层，所述外围钝化层的材料为绝缘树脂。
[0026]本实用新型提供了一种X射线检测装置阵列基板，包括薄膜晶体管和与薄膜晶体管相连的光电二极管，通过在薄膜晶体管的有源层之下设置第一二次电子发射层，在所述有源层之上设置第二二次电子发射层，形成微通道结构，利用电子倍增原理，使有源层获得了较高的载流子迁移率，从而提高了薄膜晶体管的性能，提升了 X射线检测装置的灵敏度。同时，本实用新型提供的X射线检测装置阵列基板采用柔性衬底，使得X射线检测装置具有轻薄、安装简便、功耗低、携带方便、经久耐用等优点。为了避免柔性阵列基板经多次弯曲和折叠可能出现的膜层龟裂问题，本实用新型提供的X射线检测装置阵列基板中各膜层采用了碳纳米管、石墨烯、绝缘树脂等抗弯折性优异的材料。
【专利附图】
【附图说明】
[0027]为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本实用新型的一些实施例，而非对本实用新型的限制。
[0028]图1为现有技术X射线检测装置阵列基板局部剖面结构示意图；
[0029]图2为现有技术X射线检测装置检测原理示意图；
[0030]图3为现有技术X射线检测装置阵列基板制造工艺流程图；
[0031]图4为本实用新型实施例提供的X射线检测装置阵列基板局部剖面结构示意图；
[0032]图5为本实用新型实施例提供的X射线检测装置阵列基板制造工艺流程图；
[0033]图6A?6F为本实用新型实施例提供的X射线检测装置阵列基板制造工艺流程主要步骤中阵列基板局部剖面结构示意图。
[0034]附图标记说明:
[0035]现有技术附图标记:
[0036]100玻璃衬底；200薄膜晶体管；201栅极；202栅极绝缘层；203有源层；204欧姆接触层；2051源极；2052漏极；2053反射部；206第一钝化层；300光电二极管；301P型半导体层；3021型半导体层；303N型半导体层；304第一电极；305第二钝化层；3051第一过孔；3052第二过孔；306第二导电薄膜层；3061偏压电极；3062信号线；307外围钝化层
[0037]本实用新型附图标记:
[0038]400柔性衬底；500薄膜晶体管；501栅极；502栅极绝缘层；503第一二次电子发射层；504有源层；505第二二次电子发射层；5051反射部；5061源极；5062漏极；600光电二极管；601P型半导体层；6021型半导体层；603N型半导体层；604第一电极；605钝化层；6051第一过孔；6052第二过孔；606第二导电薄膜层,6061偏压电极；6062信号线；607外围钝化层
【具体实施方式】
[0039]为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例的附图，对本实用新型实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本实用新型的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0040]除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本实用新型所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本实用新型专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
[0041]本实用新型提供了一种X射线检测装置阵列基板，用以解决现有技术中X射线检测装置灵敏度低、使用不方便等技术问题。
[0042]如图4所示，本实用新型实施例提供的一种X射线检测装置阵列基板包括薄膜晶体管500和与薄膜晶体管相连的光电二极管600。所述薄膜晶体管包括栅极501、栅极绝缘层502、有源层504和源极5061、漏极5062，所述薄膜晶体管的有源层504之下设置有第一二次电子发射层503,有源层504之上设置有第二二次电子发射层505。为方便描述,第一二次电子发射层503和第二二次电子发射层505可以统称为二次电子发射层。二次电子发射层采用金属氧化物，如氧化镁、氧化铍等。有源层采用半导体氧化碳纳米管材料或者半导体氢化石墨烯材料等半导体材料。二次电子发射层的厚度为500 ~ 700人，有源层的厚度
为 1500 ~ 2000A。
[0043]本实用新型提供的X射线检测装置阵列基板的薄膜晶体管的有源层上下设置二次电子发射层，形成微通道结构，利用电子倍增原理，使有源层获得了较高的载流子迁移率，从而提高了薄膜晶体管的性能，提升了 X射线检测装置的灵敏度。微通道的工作原理是利用了电子倍增原理，即当一次电子进入为微通道中与微通道薄膜发生碰撞产生二次电子，在微通道内的电场作用下获得一个沿着通道轴向的加速，同时，被激发出的二次电子以抛物线的轨迹前行，当被激发出的电子以较大的能量碰撞薄膜，这些倍增产生的电子又会通过撞击产生倍增效应，从而在数量上得到新的倍增。微通道的长度可以达到孔径的几十倍，因而，一次电子从入射到微通道内到从微通道出口端射出的过程，在此期间电子经过多次与通道内壁的碰撞，由于倍增效应，产生了大量的二次电子，使出射时的电子数量得到了倍增。薄膜晶体管的有源层上下设置二次电子发射层，二次电子发射层具有较大的二次电子发射系数，当有源层中的载流子(自由电子)以一定能量碰撞二次电子发射层时，产生了更多的载流子(自由电子)，使有源层获得了较高的载流子迁移率，从而提高了薄膜晶体管的性能，提升了 X射线探测装置的灵敏度。
[0044]二次电子发射层的厚度对提高有源层载流子的迁移率有一定影响，二次电子发射层的厚度不宜过大。在本实用新型实施例中，第一二次电子发射层和第二二次电子发射层的厚度在500 ~ 700人之间。
[0045]本实用新型实施例提供的X射线检测装置阵列基板的薄膜晶体管中有源层采用半导体氧化碳纳米管材料或者半导体氢化石墨烯材料等半导体材料，避免了非晶硅半导体材料作为有源层的阵列基板在多次弯曲或折叠而出现膜层龟裂的问题，使本实施例中的阵列基板可以用于柔性X射线检测装置。本实用新型实施例X射线检测装置阵列基板的薄膜
晶体管的源层的厚度为I 500 ~ 2000A。
[0046]本实用新型实施例提供的一种X射线检测装置阵列基板的衬底基板采用柔性材料，以达到实现柔性检测的目的。阵列基板的柔性衬底优选聚合物材料，例如聚乙烯、聚对
苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯醇、聚酰亚胺等。
[0047]参考图4，本实用新型实施例提供的一种X射线检测装置阵列基板的薄膜晶体管500包括栅极501、栅极绝缘层502、第一二次电子发射层503、有源层504、第二二次电子发射层505，以及源极5061和漏极5062。其中，栅极501形成于柔性衬底400之上，栅极绝缘层502形成于栅极501之上，第一二次电子发射层503、有源层504、第二二次电子发射层505依次形成于栅极绝缘层502之上，源极5061和漏极5062则形成于第二二次电子发射层505之上。
[0048]本实用新型提供的X射线检测装置阵列基板中薄膜晶体管可以为顶栅型、底栅型、刻蚀阻挡型、背沟道刻蚀型、共平面型或者其他任意的结构，在此不一一赘述。本实用新型实施例仅以底栅型薄膜晶体管为例说明，其他结构的薄膜晶体管也适用。有源层504上下两侧设置二次电子发射层，二次电子发射层采用氧化镁或氧化铍等具有较大的二次电子发射系数的材料。当具有一定能量的电子轰击到二次电子发射层时，二次电子发射层产生更多的自由电子。在不加电压时，二次电子发射层的电阻率很大；在加上大于一定的阈值电压，有源层的载流子在电场作用下定向迁移时，载流子(电子)会与二次电子发射层发生碰撞，从而可以从二次电子发射层中获取更多的载流子，提高了源极和漏极之间有源层载流子的迁移率，改善了薄膜晶体管的性能，提升了 X射线检测装置的灵敏度。
[0049]同时，本实用新型提供的X射线检测装置阵列基板的薄膜晶体管的有源层采用半导体氧化碳纳米管材料或者半导体氢化石墨烯材料，避免了现有材料如非晶硅半导体材料作为有源层的阵列基板在多次弯曲或折叠而出现膜层龟裂的问题，使本实施例中的阵列基板可以用于柔性X射线检测装置。
[0050]在本实用新型实施例中，薄膜晶体管500的栅极501的材料优选重金属或重金属合金等X射线较难穿透的材料，例如铜、铅或铜铅合金，也可以采用制造栅极常用的钥及钥
么么
I=1-Wl O
[0051]栅极绝缘层502的材料为绝缘树脂材料等抗弯折性能好的材料，例如聚(甲基)丙烯酸酯类、聚酰亚胺类柔性绝缘树脂材料。
[0052]源极和漏极的材料为导体碳纳米管材料或导体石墨烯材料等导体材料。碳纳米管和石墨烯经不同的工艺处理具备不同的性质，可以为导体材料、半导体材料或绝缘材料。本实用新型实施例中，有源层采用的氧化碳纳米管或氢化石墨烯为半导体材料，而源极和漏极采用的碳纳米管或石墨烯为导体材料。
[0053]图4所示的实施例中，光电二极管600设置于源漏极层之上，光电二极管为PIN型光电二极管，PIN型光电二极管包括P型半导体层601、I型半导体层(本征半导体层)602和N型半导体层603。PIN型光电二极管是在两种半导体之间的PN结，或者半导体与金属之间的结的邻近区域，在P区与N区之间生成I型层，吸收光辐射而产生光电流的一种光检测器件。PIN型光电二极管具有电容小、渡越时间短、灵敏度高等优点。本实用新型实施例中光电二极管优选PIN型，当然光电二极管也可以是MIS型光电二极管或其他形式光电二极管。光电二极管的PIN结之上形成第一电极604、钝化层605及通过钝化层605上的第一过孔6051与第一电极604连接的偏压电极6061。
[0054]在薄膜晶体管和光电二极管外围还设置有外围钝化层，外围钝化层607形成于偏压电极6061之上，并覆盖整个基板。
[0055]本实用新型实施例中的X射线检测装置阵列基板可采用六次构图工艺(6Mask)形成，其主要工艺过程如图5和图6所示，包括:
[0056]步骤201:在衬底基板上形成栅极层薄膜，通过第一次构图工艺形成包括栅线和与栅线连接的薄膜晶体管的栅极501的图形。具体过程:在衬底基板上可以利用磁控溅射(Sputter)方法生长栅极层薄膜，栅极层材料通常可以采用钥(Mo)、钥的合金、铜、铅或铜铅合金等金属或合金；然后利用光刻工艺形成包括栅线和与栅线连接的薄膜晶体管的栅极501的图形。光刻工艺的具体步骤包括:在栅极层薄膜上涂覆光刻胶；利用掩模板对基板进行曝光；经显影工艺形成光刻胶层图形；采用刻蚀方法有选择性地去除栅极层薄膜(覆盖光刻胶的栅极层未被刻蚀)；刻蚀工艺结束后将覆盖在栅极层薄膜之上的光刻胶剥离，最终得到包括栅线和与栅线连接的薄膜晶体管的栅极的图形。以上步骤可以简称为光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离。形成栅极层薄膜也可采用通过其他方式，如涂覆方法形成栅极层薄膜，栅极层材料也可以是导体碳纳米管材料等导体材料。形成栅极层图形的方式可以采用除光刻工艺之外的其他方式，如激光或电子束熔损方法。
[0057]步骤202:在完成步骤201的基板上依次形成栅极绝缘层薄膜、第一二次电子发射层薄膜、有源层薄膜、第二二次电子发射层薄膜、源漏极层薄膜，通过第二次构图工艺形成第一二次电子发射层503、有源层504、第二二次电子发射层505的图形，以及包括源极5061、漏极5062的源漏极层薄膜的图形。第二二次电子发射层505包括反射部5051，反射部5051可以将透射的光线进行反射，提高光的利用率，从而提高X射线检测装置的检测灵敏度。栅极绝缘层502的材料通常为氮化硅，可以采用化学气相沉积工艺形成。本实用新型实施例中的阵列基板可用于柔性X射线检测装置，栅极绝缘层优选有机绝缘树脂材料，例如聚(甲基)丙烯酸酯类、聚酰亚胺类等树脂材料。在栅极绝缘层之上沉积第一二次电子发射层薄膜，可以采用磁控溅射(Sputter)方法生长氧化镁或氧化铍薄膜。在第一二次电子层薄膜之上形成有源层，有源层采用半导体氧化碳纳米管材料或半导体氢化石墨烯材料等半导体材料。由于碳纳米管和石墨烯的结构特殊，既可以作为导体使用，也可以通过紫外光照射氧气处理碳纳米管使之成为半导体，或通过氢气、氩气处理石墨烯使之成为半导体。在有源层之上，沉积第二二次电子发射层薄膜。在第二二次电子发射层薄膜之上形成源漏极层薄膜，可以采用化学气相沉积或涂覆方法形成导体碳纳米管材料膜层作为源漏极层薄膜。通过第二次构图工艺形成第一二次电子发射层、有源层和第二二次电子反射层的图形，以及包括源极和漏极的源漏极层薄膜的图形。形成第一二次电子发射层、有源层、第二二次电子发射层的图形，形成包括源极和漏极的源漏极层薄膜图形，采用半色调掩膜工艺。
[0058]步骤203:在完成步骤202的基板上依次沉积N型半导体层、I型半导体层、P型半导体层和第一导电薄膜层，通过第三次构图工艺，形成包括PIN型光电二极管的半导体部分(N型半导体层601、i型半导体层602、p型半导体层603)和包括第一电极604的图形。形成N型半导体层、I型半导体层、P型半导体层通常可采用化学气相沉积工艺或涂覆工艺。N型半导体层、I型半导体层、P型半导体层可以采用碳纳米管半导体材料。第一导电薄膜层可采用氧化铟锡(ITO)材料，采用磁控溅射工艺形成。构图工艺可以采用光刻工艺，具体包括光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离，最终得到包括光电二极管的半导体部分和第一电极的图形。
[0059]步骤204:在完成步骤203的基板上沉积钝化层605，并通过第四次构图工艺形成用于连接偏压电极和第一电极的第一过孔6051，及其用于连接薄膜晶体管源极5061和信号线的第二过孔6052。钝化层可以采用氮化硅或绝缘树脂材料，本实用新型实施例中优选绝缘树脂材料。通过构图工艺，通常为光刻工艺，形成包括第一过孔6051和第二过孔6052的钝化层的图形。
[0060]步骤205:在完成步骤203的基板上沉积第二导电薄膜层，并通过第五次构图工艺形成包括偏压电极6061和信号线6062的图形。具体过程可以采用涂覆工艺形成碳纳米管导电薄膜，并通过构图工艺，通常是光刻工艺，形成包括偏压电极6061和信号线6062在内的图形。偏压电极3061通过第一过孔3051与第一电极304相连；信号线3062通过第二过孔3052与薄膜晶体管的源极2051相连。
[0061]步骤206:在完成步骤205的基板上沉积外围钝化层，并通过第六次构图工艺形成外围钝化层607的图形。外围钝化层的材料可以采用绝缘树脂材料，利用涂覆方法形成绝缘树脂薄膜，通过构图工艺形成外围钝化层的图形。
[0062]需要说明的是，以上实施例仅用于说明本实用新型的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本实用新型进行了详细说明，本领域的普通人员应当理解，可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本实用新型技术方案的精神和范围。
【权利要求】
1.一种X射线检测装置阵列基板，包括薄膜晶体管和与薄膜晶体管相连的光电二极管，所述薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、有源层和源极、漏极，其特征在于，所述有源层之下设置有第一二次电子发射层，所述有源层之上设置有第二二次电子发射层。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一二次电子发射层和第二二次电子发射层的材料为金属氧化物。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述金属氧化物为氧化镁或氧化铍。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一二次电子发射层和第二二次电子发射层的厚度为500 ~ 700A。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层的材料为半导体氧化碳纳米管材料或半导体氢化石墨烯材料。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层的厚度为1500~2000A。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括衬底基板，所述薄膜晶体管和所述光电二极管设置在所述衬底基板之上，所述衬底基板为柔性材料，所述柔性材料为聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯醇或聚酰亚胺。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极的材料为重金属或重金属合金；所述栅极绝缘层的材料为绝缘树脂材料；所述源极和所述漏极的材料为导体碳纳米管材料或导体石墨烯材料。
9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述光电二极管为PIN型光电二极管，所述PIN型光电二极管包括P型半导体层、I型半导体层和N型半导体层，所述P型半导体层、I型半导体层和N型半导体层采用半导体碳纳米管材料；所述光电二极管还包括钝化层和偏压电极，所述钝化层的材料为绝缘树脂材料，所述偏压电极的材料为导体碳纳米管材料。
10.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管和所述光电二极管外围设置有外围钝化层，所述外围钝化层的材料为绝缘树脂材料。
【文档编号】H01L27/12GK203445122SQ201320556216
【公开日】2014年2月19日 申请日期:2013年9月6日 优先权日:2013年9月6日
【发明者】田宗民, 张文余, 谢振宇 申请人:北京京东方光电科技有限公司