一种双面发光的led封装器件的制作方法

文档序号:7033467阅读:119来源:国知局
一种双面发光的led封装器件的制作方法
【专利摘要】本实用新型提出一种双面发光的LED封装器件,其包括支架和两组芯片,所述支架具有相对的第一表面和第二表面,所述两组芯片分别位于所述支架的第一表面和第二表面,所述支架的侧面设有用于结合散热结构的沟槽阵列。该LED封装器件支架的两个表面分别设有发光芯片,提高了支架的空间利用率,使其结构紧凑。而且,通过该沟槽阵列的凹凸结构,增加支架与外部散热结构的接触面积,如在沟槽阵列与散热结构之间填充有导热胶,可提高支架与导热胶以及散热结构的结合力,降低热阻,提高散热效率。
【专利说明】—种双面发光的LED封装器件
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及发光器件,具体涉及一种双面发光的LED封装器件。
【背景技术】
[0002]LED光源器件由于具有发光效率高、体积小、无污染等特点,正被广泛应用于电视背光、图文显示屏、装饰照明等领域。随着芯片、封装胶水、支架等原物料价格的降低,芯片发光效率的不断提高,LED光源器件已经开始进入商业照明、家居照明等室内照明领域。
[0003]目前市场上广泛使用LED光源器件基本上都是单面发光,这样的光源发光单一,只适用于普通照明。目前也有些双面发光LED光源器件,通过将两个单面发光LED光源背靠背构成两面发光,这种双面发光形式结构较为复杂,使得整个光源器件显得体积较大,而且组装不方便,不适应目前对电子器件轻薄紧凑的要求。
实用新型内容
[0004]有鉴于此,提供一种结构紧凑、散热效果好的双面发光的LED封装器件。
[0005]一种双面发光的LED封装器件,其包括支架和两组芯片,所述支架具有相对的第一表面和第二表面,所述两组芯片分别位于所述支架的第一表面和第二表面,所述支架的侧面设有用于结合散热结构的沟槽阵列。
[0006]进一步地,所述支架的第一表面和第二表面分别设有与芯片电连接的电极元件。
[0007]进一步地,所述支架的第一表面和第二表面中每个表面上的电极元件包括正电极和负电极,所述正电极包括内正电极和外正电极,所述负电极包括内负电极和外负电极。
[0008]进一步地,所述内正电极、内负电极分别与处于对应一组芯片两端的芯片电连接,每个正电极中的内正电极和外正电极通过一个位于支架上的正电极条连成一体结构,每个负电极中的内负电极和外负电极通过一个位于支架上的负电极条连成一体结构。
[0009]进一步地,所述正电极和负电极为焊垫结构,每个内正电极和内负电极分别呈长条形或弧形。
[0010]进一步地,所述沟槽阵列中沟槽的深度为0.5-3 mm。
[0011]进一步地,所述支架的厚度为lmm-5mm。
[0012]进一步地,所述支架的第一表面和第二表面分别设有凹槽,每组芯片分布于对应一个凹槽的槽底。
[0013]进一步地,每组芯片为阵列式结构,每组芯片分别通过所述电极元件与对应一个控制电路连接,所述两组芯片发光颜色分别由各自控制电路控制。
[0014]进一步地,所述沟槽阵列的沟槽填充有用于结合散热结构的导热胶。
[0015]上述双面发光的LED封装器件支架的两个表面分别设有发光芯片,提高了支架的空间利用率,使其结构紧凑。而且,通过该沟槽阵列的凹凸结构,增加支架与外部散热结构的接触面积,如在沟槽阵列与散热结构之间填充有导热胶,可提高支架与导热胶以及散热结构的结合力,降低热阻,提高散热效率。【专利附图】

【附图说明】
[0016]图1为本实用新型实施例一提供的双面发光的LED封装器件立体结构示意图。
[0017]图2为本实用新型实施例一的双面发光的LED封装器件的平面结构示意图。
[0018]图3为图1的双面发光的LED封装器件的侧视结构示意图。
[0019]图4为本实用新型实施例二提供的双面发光的LED封装器件的剖视结构示意图。
[0020]图5为图4的双面发光的LED封装器件未显示芯片及其封装的剖视结构示意图。
【具体实施方式】
[0021]以下将结合附图及【具体实施方式】对本实用新型进行详细说明。
[0022]请参阅图1到图3,示出本实用新型实施例一的双面发光的LED封装器件100,其包括支架10和两组芯片20、30,支架10具有相对的第一表面和第二表面,所述两组芯片20,30分别位于所述支架10的第一表面IOa和第二表面10b,所述支架10的侧面设有用于结合散热结构的沟槽阵列。
[0023]图示实施例中,在支架10的两个侧面分别具有沟槽阵列101、102。沟槽阵列101、102中沟槽的深度为0.5-3 mm。沟槽可以是横向排列或者纵向排列。通过该沟槽阵列101、102的凹凸结构,增加支架10与散热结构如散热器的接触面积,具体地,沟槽阵列101、102的沟槽填充有用于结合散热结构的导热胶,因而,沟槽阵列101、102还可提高支架10与导热胶以及散热结构的结合力,降低热阻,提高散热效率。
[0024]支架10可以是导热性基板,如陶瓷或金属基板,为进一步提高散热效率,将支架10加厚,优选厚度为lmm-5mm。通过提高厚度,加强散热效果,同时使得沟槽阵列101、102表面积更大,散热效果更好。进一步地,支架10的第一表面IOa和第二表面IOb分别设有与芯片20、30电连接的电极元件。如图所示,第一表面IOa和第二表面IOb上的结构组成为对称性设置,第一表面IOa和第二表面IOb中每个表面上的电极兀件结构基本相同,第一表面IOa上的电极兀件包括正电极70和负电极80,第二表面IOb上的电极兀件包括正电极90和负电极91。以第一表面IOa上的结构为例,电极兀件包括正电极70和负电极80,所述正电极70包括内正电极702和外正电极701,所述负电极80包括内负电极802和外负电极801。具体地,内正电极702、内负电极802分别与处于对应一组芯片(图示为20)两端的芯片电连接,每个正电极中的内正电极702和外正电极701通过位于支架10上的的正电极条703连成一体结构,每个负电极中的内负电极802和外负电极801通过位于支架10上的的负电极条803连成一体结构。优选地,所述正电极70和负电极80为焊垫结构,每个内正电极702和内负电极802分别呈长条形或弧形,其长度与芯片阵列的宽度相当,以便芯片引线40接到内正电极702和内负电极802。
[0025]此外,每组芯片20、30为阵列式结构,每组芯片20、30分别通过电极元件与对应一个控制电路连接,两组芯片20、30发光颜色分别由各自控制电路控制,由于两组芯片20、30各自有驱动控制电路,因此两者可以发不同色彩的光以及发光效果,相互不会影响。支架10上进一步具有封装胶体50、60,封装胶体50、60覆盖于芯片20、30上。
[0026]如图4和5所示,示出本实用新型实施例二的双面发光的LED封装器件200,本实施例与实施例一的结构基本相同,不同之处在于凹槽105和106,图4-5与图1-3相同的符号表示相同的元件,在此不再赘述。具体地,凹槽105和106分别设于支架10的第一表面IOa和第二表面10b,每组芯片20、30分布于对应一个凹槽105、106的槽底。
[0027]由上可知,上述各双面发光的LED封装器件100、200中,支架10的第一表面IOa和第二表面IOb分别设有发光芯片20、30,提高了支架10的空间利用率,使其结构紧凑。而且,通过该沟槽阵列101、102的凹凸结构,增加支架10与外部散热结构的接触面积,如在沟槽阵列与散热结构之间填充有导热胶,可提高支架与导热胶以及散热结构的结合力,降低热阻,提高散热效率。
[0028]需要说明的是,本实用新型并不局限于上述实施方式,根据本实用新型的创造精神,本领域技术人员还可以做出其他变化,这些依据本实用新型的创造精神所做的变化,都应包含在本实用新型所要求保护的范围之内。
【权利要求】
1.一种双面发光的LED封装器件,其包括支架和两组芯片,所述支架具有相对的第一表面和第二表面,其特征在于,所述两组芯片分别位于所述支架的第一表面和第二表面,所述支架的侧面设有用于结合散热结构的沟槽阵列。
2.如权利要求1所述的双面发光的LED封装器件,其特征在于,所述支架的第一表面和第二表面分别设有与芯片电连接的电极元件。
3.如权利要求2所述的双面发光的LED封装器件,其特征在于,所述支架的第一表面和第二表面中每个表面上的电极兀件包括正电极和负电极,所述正电极包括内正电极和外正电极,所述负电极包括内负电极和外负电极。
4.如权利要求3所述的双面发光的LED封装器件,其特征在于,所述内正电极、内负电极分别与处于对应一组芯片两端的芯片电连接,每个正电极中的内正电极和外正电极通过一个位于支架上的正电极条连成一体结构,每个负电极中的内负电极和外负电极通过一个位于支架上的负电极条连成一体结构。
5.如权利要求3所述的双面发光的LED封装器件,其特征在于,所述正电极和负电极为焊垫结构,每个内正电极和内负电极分别呈长条形或弧形。
6.如权利要求1所述的双面发光的LED封装器件,其特征在于,所述沟槽阵列中沟槽的深度为0.5-3 mm。
7.如权利要求1所述的双面发光的LED封装器件,其特征在于,所述支架的厚度为
8.如权利要求1所述的双面发光的LED封装器件,其特征在于,所述支架的第一表面和第二表面分别设有凹槽,每组芯片分布于对应一个凹槽的槽底。
9.如权利要求5所述的双面发光的LED封装器件,其特征在于,每组芯片为阵列式结构,每组芯片分别通过所述电极元件与对应一个控制电路连接,所述两组芯片发光颜色分另Ij由各自控制电路控制。
10.如权利要求1所述的双面发光的LED封装器件,其特征在于,所述沟槽阵列的沟槽填充有用于结合散热结构的导热胶。
【文档编号】H01L33/52GK203617340SQ201320827720
【公开日】2014年5月28日 申请日期:2013年12月13日 优先权日:2013年12月13日
【发明者】程志坚 申请人:深圳市斯迈得光电子有限公司
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