一种led衬底晶片加工装置制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种LED衬底晶片加工装置，包括切割器(1)、粗磨机(2)、上蜡器(3)、精磨机(4)、粗抛片(5)，所述的切割器(1)设置在粗磨机(2)上，精磨机(4)贯穿切割器(1)与上蜡器(3)相连接，粗抛片(5)设置在切割器(1)内部的精磨机(4)上；采用本装置可以获得表面无损伤层、晶格完整、蓝宝石衬底晶片，表面粗糙度达到0.2纳米以下，满足氮化镓外延生长所需的PSS蓝宝石衬底表面，不仅提高蓝宝石衬底晶片的质量，而且大大缩短制备周期，从而节约生产成本，又达到提高劳动生产率的目的。
【专利说明】—种LED衬底晶片加工装置
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及光电子器件的加工装置，尤其是一种制备LED(发光二极管)，GaN(氮化镓)所用的蓝宝石衬底晶片的加工装置，具体是一种LED衬底晶片加工装置。
【背景技术】
[0002]蓝宝石是一种氧化铝单晶材料，具有非常高的硬度，是目前LED行业的普遍采用的衬底材料，用作氮化镓等外延生长的基质以生产蓝光等发光二极管。LED是当今世界最有发展前途的节能技术和产业，作为LED外延片和芯片产品最重要基础材料的蓝宝石材料，是国际高端LED芯片产业上游技术产品，其生产技术主要掌握在日本、美国等发达国家手里。蓝宝石晶体是现代微电子、光电子产业极为重要的基础材料，单晶蓝宝石基片是生产蓝绿光和白光LED的专用基片，世界上只有极少数国家能生产出符合PSS衬底质量要求的产品O
【发明内容】
[0003]为解决上述问题，本实用新型提供一种提高蓝宝石衬底晶片的质量，大大缩短制备周期，节约生产成本，提高劳动生产率的LED衬底晶片加工装置。
[0004]本实用新型所采用的技术方案是:一种LED衬底晶片加工装置，包括切割器(I)、粗磨机(2)、上蜡器(3)、精磨机(4)、粗抛片(5)，所述的切割器(I)设置在粗磨机(2)上，精磨机(4)贯穿切割器(I)与上蜡器(3)相连接，粗抛片(5)设置在切割器(I)内部的精磨机⑷上。
[0005]所述的切割器⑴上、下侧还分别设置有精抛片(6)和去蜡器(7)。
[0006]所述的上蜡器(3)上安装有清洗装置(8);所述的去蜡器(7)内部安装有方便拆卸的漏料斗(9)。
[0007]本实用新型的应用方法是:准备100-200mm直径和30_40mm厚的氧化铝(Al2O3)单晶材料，经过本实用新型装置多线切割、粗磨、上蜡、精磨、粗抛、精抛、去蜡、清洗后得到50_60mm直径和0.5-0.6mm后的圆形衬底晶片。
[0008]本实用新型与其他工艺相比的优势在于:
[0009](I)技术指标提升:
[0010]a.正面表面粗糙度由> 0.3nm降到< 0.2nm ；
[0011]b.TTV可以控制在5um以内，原先只能控制在IOum以内；
[0012]c.BOff由> O?5um,提升到-5?Oum以内；
[0013]d.LTV 由 > 1.5um,降到 1.2um 以下；
[0014](2)低成本:相对于一般加工工艺缩短了加工流程，提高了效率，成本更低。
【专利附图】
【附图说明】
[0015]图1是本实用新型一种LED衬底晶片加工装置的结构示意图。【具体实施方式】
[0016]下面结合附图及实施案例对本实用新型作进一步的说明。
[0017]如图所示，本实用新型公开的一种LED衬底晶片加工装置，包括切割器(I)、粗磨机(2)、上蜡器(3)、精磨机(4)、粗抛片(5)，所述的切割器(I)设置在粗磨机(2)上，精磨机⑷贯穿切割器⑴与上蜡器⑶相连接，粗抛片(5)设置在切割器⑴内部的精磨机
(4)上；切割器(I)上、下侧还分别设置有精抛片(6)和去蜡器(7);上蜡器(3)上安装有清洗装置(8);去蜡器(7)内部安装有方便拆卸的漏料斗(9)。
[0018]本实用新型一种LED衬底晶片加工装置，可以获得表面无损伤层、晶格完整、蓝宝石衬底晶片，表面粗糙度达到0.2纳米以下，满足氮化镓外延生长所需的PSS蓝宝石衬底表面，不仅提高蓝宝石衬底晶片的质量，而且大大缩短制备周期，从而节约生产成本，又达到提高劳动生产率的目的。
【权利要求】
1.一种LED衬底晶片加工装置，其特征在于:包括切割器(I)、粗磨机(2)、上蜡器(3)、精磨机(4)、粗抛片(5)，所述的切割器⑴设置在粗磨机(2)上，精磨机⑷贯穿切割器(I)与上蜡器(3)相连接，粗抛片(5)设置在切割器⑴内部的精磨机⑷上。
2.根据权利要求1所述的一种LED衬底晶片加工装置，其特征在于:所述的切割器(I)上、下侧还分别设置有精抛片(6)和去蜡器(7)。
3.根据权利要求1所述的一种LED衬底晶片加工装置，其特征在于:所述的上蜡器(3)上安装有清洗装置(8)。
4.根据权利要求2所述的一种LED衬底晶片加工装置，其特征在于:所述的去蜡器(7)内部安装有方便拆卸的漏料斗(9)。
【文档编号】H01L33/00GK203644812SQ201320896254
【公开日】2014年6月11日 申请日期:2013年12月31日 优先权日:2013年12月31日
【发明者】潘相成 申请人:常州市好利莱光电科技有限公司