陶瓷多层电容器的制造方法
【专利摘要】给出一种陶瓷多层电容器（1），其具有：基体（2），所述基体（2）包括沿着层堆叠方向(S)设置成堆叠的陶瓷层（3）；以及设置在所述陶瓷层（3）之间的第一电极层和第二电极层(41,42)。所述陶瓷多层电容器（1）还包括：第一外接触部(51)，所述第一外接触部(51)设置在所述基体(2)的第一侧面(61)上并且与所述第一电极层(41)导电连接；以及第二外接触部(52)，所述第二外接触部(52)设置在所述基体(2)的与第一侧面(61)相对的第二侧面(62)上并且与第二电极层(42)导电连接。所述基体（2）沿着层堆叠方向(S)具有宽度B,垂直于第一侧面(61)具有高度H,以及垂直于高度H且垂直于层堆叠方向(S)具有长度L,其中宽度B与高度H的比例有关系B/H≥0.2成立。
【专利说明】陶瓷多层电容器
【技术领域】
[0001] 给出陶瓷多层电容器，其优选适合于高功率应用。对于AC/DC或者DC/DC变换器 而言，该多层电容器能够例如用作过滤器元件。
[0002] 在文献WO 2011/0S5932 A1中描述了一种电容器，所述电容器包括加热元件以及 具有介电层的电容区域，以及设置在这些层之间的内电极，其中，所述加热元件以及所述电 容区域彼此以热传导的方式连接。
【发明内容】
[0003] 至少一些实施方式的待解决的任务是给出一种陶瓷多层电容器，所述陶瓷多层电 容器与已知的多层电容器相比具有改进的特性，例如特别低的ESR值（equivalent series resistance，等效串联电阻)。
[0004] 该任务通过根据独立权利要求的主题来解决。此外，该主题的有利实施方式和改 进方案得自于从属权利要求、下面的描述以及附图。
[0005] 根据至少一种实施方式的陶瓷多层电容器具有基体。该基体优选具有正方形形 状。该基体包括沿着层堆叠方向设置成堆叠的介电层。这些介电层优选构造为陶瓷层。此 夕卜，该基体包括第一电极层和第二电极层，它们设置在这些陶瓷层之间。例如，第一电极层 和第一电极层能够分别彼此间隔开地设置在相同解理面（Schichtebenen)中。此外，第一 电极层以及第二电极层能够分别设置在该堆叠的不同解理面中。
[0006] 根据另一实施方式，该基体包括第一外接触部。该外接触部优选设置在该基体的 第一侧面上并且与第一电极层导电连接。优选的是，这些第一电极层与第一外接触部直接 导电连接，也就是说，第一电极层直接与第一外接触部邻接并且直接与第一外接触部连接。 第一电极层优选达到第一侧面。
[0007] 此外，该基体具有第二外接触部，所述第二外接触部设置在该基体的与第一侧面 相对的第二侧面上并且与第二电极层导电连接。优选的是，第二电极层与第二外接触部直 接导电连接，也就是说，第一电极层直接与第一外接触部邻接并且直接与第一外接触部连 接。第二电极层优选达到第二侧面。
[0008]根据另一实施方式，该基体沿着层堆叠方向具有宽度B。在此，B表示多层电容器 的基体沿着层堆叠方向的空间扩展。此外，该基体垂直于第一侧面具有高度H。因此，该高 度Η能够理解为该基体垂直于该基体的第一侧面的空间扩展。优选的是，该高度η也垂直 于该基体的第二侧面延伸。此外，该基体垂直于高度Η且垂直于层堆叠方向具有长度L。因 此，该长度L表示该基体在垂直于宽度Β且垂直于高度Η的方向上的空间扩展。
[0009]根据另一实施方式，对于宽度Β与高度Η的比例，关系式Β/Η > 0.2成立。根据 优选实施方式，Β/Η彡0.3成立。根据进一步优选实施方式，Β/Η彡1.0成立。根据特 别优选实施方式，Β/Η ~ 0.35成立。
[0010]根据另一实施方式，对于长度L与宽度Β的比例，L/B彡1成立。此外，优选L/B < 5成立，并且特别优选L/B < 3. 5成立。
[0011] 根据另一实施方式，对于长度L与高度Η的比例，L/H彡0.8成立。根据优选实 施方式，L/H彡1成立。根据进一步优选实施方式，l/H彡1.2成立。
[0012]通过该基体的在此给出的宽度B与高度Η之间的比例，对于在此描述的陶瓷多 ^电容器，电极层的供给横截面与有用横截面、即与确定电容的面积的比例得到明显提 尚。由此成够头现：在此描述的陶瓷多层电各器具有特别小的ESR值（equivalent series resistance,等效串联电阻)。例如，在此描述的、例如电容在411?与1〇1117之间的陶瓷多 层电容器在工作在100 kHz与1 MHz之间的频率时能够具有3 ηιΩ与5 ηιΩ之间的ESR。 [0013]根据另一实施方式，该基体具有第三电极层，所述第三电极层既不与第一外接触 部也不与第二外接触部导电连接。优选的是，第三电极层不与任何外接触部导电连接。在 此处以及在下文中，第三电极层也能够称为自由电极(浮动电极)。
[0014]根据另一实施方式，第三电极层与第一电极层交叠。换言之，第三电极层分别具有 至少一个如下部分区域，在想象着朝该堆叠的层堆叠方向上投影时，所述部分区域能够与 第一电极层的至少一个部分区域重叠。此外，第三电极层能够与第二电极层交叠。例如，第 一电极层和第二电极层在该基体的相同解理面中能够分别彼此间隔开地设置并且分别与 设置在另一解理面中的至少一个第三电极交叠。
[0015]对第一电极层、第二电极层以及自由的第三电极层的使用、即对串联内电极的使 用以有利的方式引起击穿场强的提高，这起到促进多层电容器的健壮性和可靠性的作用。 此外，由此能够实现陶瓷层的介电层厚、即层厚度的下降，由此，作为结果得到每体积陶瓷 的电极层的横截面增大并且因而ESR值得到改进（equivalent series resistance，等效串 联电阻）以及构件对于应用电流的电流承载能力得到改进。
[0016]根据另一实施方式，这些陶瓷层具有3 μηι与200 urn之间的层厚度。根据另一 优选实施方式，这些陶瓷层具有10 μπι与1〇〇 μηι之间的层厚度。特别优选的是，这些陶 瓷层具有大约25 μ m的层厚度。
[0017]根据另一实施方式，这些电极层具有0. 1 μπι与10 μπι之间的层厚度。根据优选 实施方式，这些电极层具有lllm与4μιη之间的层厚度。特别优选的是，这些电极层具有大 约3. 5μπι的层厚度。
[0018]根据另一实施方式，该基体具有至少十个陶瓷层。根据另一实施方式，该基体具有 至少十个第一电极层。根据另一实施方式，该基体具有至少十个陶瓷层 、根据另一实施方式，对于设置在基体中的第一电极层的数量以及基体的宽度Β有下列 关系成立：第一电极层的数量与宽度Β的比例> 1〇/mm。换言之，该基体每^宽度具有至 少十个第一电极层。此外，该基体优选每^宽度具有至少十个第二电极层。
[0019]根据另一实施方式，这些电极层具有非贵金属。优选的是，这些电极层具有铜。根 ^ 一种优选的实施方式，这些电极层由铜制成。尤其是在烧结多层电容器之后，这些电极层 能f由纯铜制成。由于铜的高导热性以及导电性，对于此处所描述的多层电容器，能够实现 特别小的ESR值（ eqUivalent series resistance，等效串联电阻)。此外，通过使用非贵金 属，能够以有利的方式使多层电容器的制造工艺更为低廉。
[00202根据另一实施方式，第一侧面以及第二侧面经过表面处理。例如，第一侧面和第二 ^面能够经过抛光。此外，可能的是，第一侧面以及第二侧面经过研磨、冲洗或者等离子体 蚀刻。借助于经过表面处理的侧面，能够以有利的方式在外接触部与第一电极层和/或第 特if好的接触。尤其是，能够借助于第-侧面以及第二侧面的表面处 理将存在=丨弟二电极层之间和/或各个第二电极层之间的陶瓷材料收回，使得第一电 极层和第-电觀在I雄术上能够安全地賴基侧麵上。于是働錄有 的情况下能够例如利用标准的溅射过程施加外接触部。 _]棚另-实施方式，第-外接脑以及第二驗_分别具链少-个第一濃射 层:其中…第了溅射层与第-电极层或第二电极层雜接触。优选的是，在基体的第-麵 上施加第=麵层'所述第-溅射层与第-电极层从基体的出射赚雖触。同样能够在 基体的第 二麵上施加第-溅射层，臟第-溅射层与第二电极层从基体的出射面直接接 触。这些溅射层的层厚度能够例如在〇」微米与L5微米之间。优选的是，第一涵射 有铬或者由铬制成。 '
[0022] II据另头施方式，第-外接触部以及第二外編婦分别具有第二溉射层，其中 第二溅射?优魅^施加絲-獅层上。所絲二觀层健具棚或軸铜制成。'
[0023] 棚另-实施方式，||-外接脑以總二雌触部側具鋪三麵层，其中 第三溅射层优选直接施加在第二溅射层上，臟第三麵层优选具有金或者由金制成 换地，第三溅射层也能够具有银或者由银制成。 e
[0024] 根据另一实施方式，这些陶瓷层具有陶瓷材料，对于所述陶瓷材料以下方程式成 立： '*f?' y，. 1..J5O --(?))其中 A 从包含La、Nd、Y、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er和Yb的组中选择，其中B从包含Na、K和Ag 的组中选择，并且其中C从包含Ni、Cu、Co和Μη的组中选择，其中，〇 < a〈 〇. 12; 〇.〇5 ^ x ^ 0. 3; 0 ^ b < 0. 12； 0 ^ c < 0. 12； 0 < d < 0. 12; 0 ^ e < 〇. 12； f〈 0· 12; 0 < y〈 1，其中 b + d + e + f〉〇。
[0025]优选的是，特别富含锆的PZT混合晶相从该相图中选择。此外，通过条件b + d + ，+ f > 0来确定：在陶瓷材料中，除了来自所定义组A (稀土元素）的掺杂介质之外，还必 须存在来自包括Li、Na、K、Ag、Fe、Ni、Cu、Co和Μη的组中的至少一种元素(锂、铁以及组 B 和C)。由此，在1000。C至1120。C的温度下，能够提供具有烧结能力的陶瓷材料^这 在陶瓷材料的制造方法期间就已经能够实现与在较高温度时不稳定的其他物质/材料组 合。例如，陶瓷材料与由非贵金属、例如银或铜制成的电极层的烧结("混烧"方法）是可能 的。此外，与仅通过组A掺杂的PZT材料相比，该陶瓷材料拥有较高的开关场强和/或较高 的相对介电常数(介电常数)。 ^
[0026]此外，低烧结温度有助于陶瓷材料的小粒径的形成，这有利地影响介电特性。更确 切地说，ΡΠ陶瓷的介电特性一般而言还由域大小确定。人们将域理解为其中陶瓷具有相 同极性的区域。该域大小取决于粒径。每个颗粒的域数量随着粒径的增加而增加。所改变 的域大小影响陶瓷的材料特性。因而，值得期望的是，能够控制粒径和/或颗粒生长。
[0027]优选的是，掺杂的锆钛酸铅陶瓷具有钙钛矿晶格，其能够通过一般的化学式ab〇3 来描述，其中A代表钙钛矿晶格的A位置而B代表钙钛矿晶格的B位置。 3
[0028] 轉钛矿晶格的特征在于相对于掺杂和空位的高容忍性。
[0029] 锆钛酸铅（PZT)的钙钛矿晶格能够通过一般化学式AB〇3来描述。PZT晶格的单位 晶胞能够通过六面体来描述。这些Α位置由 Pb2+离子占据，Pb2+离子座落于六面体的角处。 在每个六面体面的中部，分别坐落有离子。在六面体的中央，存在Ti 4+离子和Zr4+离子 (B位置)。该结构相对于用其他金属离子以及缺陷来替代这些金属离子具有高度的容忍性， 由此其能够良好地掺杂。
[0030] 根据通过掺杂引入的离子与被替代的离子之间的大小差异，能够出现高度对称的 配位多面体的变形。该变形能够改变晶体的对称中心并因此影响可极化性。
[0031] 掺杂的不同可能性允许根据掺杂离子的原子价来分类。等价的掺杂、即一种离子 由具有相同原子价的另一种离子的代替不影响陶瓷材料中可能的空位。如果用较高原子价 的阳离子来替代低原子价的阳离子(受主)，则在阴离子晶格中产生空位。高原子价的阳离 子(施主)当替代低原子价的阳离子时造成阳离子晶格中的空位。利用受主和施主的该掺杂 分别导致材料特性的特征改变。受主掺杂的陶瓷也称为"硬"陶瓷，施主掺杂的陶瓷也称为 "软"陶瓷。
[0032] 例如在A位置上利用Nd3+ (或者来自组A的另一种稀土元素）的掺杂表示施主掺 杂。由于钕的离子半径，其构建在Pb2+位置上。通过相应地形成Pb空位,来进行电荷均 衡。该掺杂的效果是晶格的量度改变以及这些单元晶胞之间较长的、有效的交互的影响。
[0033] 在A和/或B位置上例如利用K+或Fe3+的掺杂表示受主掺杂。由于钾的离子半 径，其构建在Pb 2+位置上，而Fe3+构建在Zr4+和/或Ti4+位置上。电荷均衡通过减小Pb 2+ 空位（A空缺)和/或相应地形成氧空位来实现。该掺杂的效果是颗粒生长以及需要烧结压 缩的氧空位形成，其在烧结温度下通过K受主而感生。在冷却过程中，能够在形成几乎中性 的{Nd/K}缺陷对的情况下进行与Nd施主的重新组合，使得在制成的陶瓷中不存在或者只 存在非常少量的铅和/或氧空位浓度。
[0034] 该掺杂影响材料的颗粒生长，颗粒生长取决于所引入的掺杂浓度。小的掺杂量在 此对颗粒生长做出贡献，与此相反，过大量的掺杂能够阻止颗粒生长。
[0035]施主掺杂的ΡΠ 材料的特性如在Nd占据Pb位置的情况下存在的那样，主要基于 由Pb空位引起、提高的域可移动性。这些空位导致这些域已经能够受到小电场影响。这与 未掺杂的PZT陶瓷相比，导致域边界的较轻松可移位性，并且因此导致较高的介电常数。 [00 36]在陶瓷材料中，同时存在受主掺杂和施主掺杂。这导致当陶瓷仅用两者掺杂类型 之一来掺杂时出现的不利特性得到补偿。如果例如仅存在受主掺杂，则这经常导致下降的 介电常数，也就是说，这些常数位于未掺杂陶瓷的常数之下。如果仅存在施主掺杂，则阻止 颗粒生长并且陶瓷本体未实现期望的大小。然而，现有的掺杂组合在这些点与未掺杂的陶 瓷相比是正面的。其具有在较低的烧结温度下也仍提供的较高介电常数。
[0037]根据一种优选实施方式，0.1 < X彡0.2成立，原因在于在该范围内极化曲线能 够设定得更好。
[0038]根据另一种实施方式，〇 < y〈 0.05成立。
[0039]根据另一种实施方式，0.001〈 b < 〇· 12成立，其中进一步优选的是，d = e = f =0成立。
[0040]根据另一种实施方式，0·001 <e < 〇· 12成立，其中进一步优选的是，b = d = f = 0成立。
[0041]根据另一种优选实施方式，B是钠（Na)。由此能够特别有利地影响材料特性，尤其 是与仅仅包含一种稀土元素的PZT材料相比降低了烧结温度并且同时提高开关场强。
[0042]根据另一种优选实施方式，在电场强为1 kV/mm、优选为2 kv/mm时，相对介电常数 为电场强为0 kV/mm时相对介电常数的至少60 %。进一步优选的是，在场强为2至5 kV/ mm、优选为1 kV/mm至10 kV/mm时，陶瓷材料的相对介电常数(介电常数)为电场强为〇 kV/ mm时相对介电常数的至少6〇 %。这些测量优选在陶瓷材料温度为125。（^的情况下执行。 [0043]根据另一种优选实施方式，在电场强为1 kV/mm、优选为2 kV/mm时，陶瓷材料具有 至少500、优选至少1500的相对介电常数。进一步优选的是，在电场强为2研/謹至5 kv/ mm时陶瓷材料具有至少500、优选至少15〇〇的相对介电常数，优选电场强为1 "/臟至1〇 kV/mm时，陶瓷材料具有至少500、优选至少15〇〇的相对介电常数。这些测量优选在陶瓷材 料温度为125° C的情况下执行。
[0044]对极化滞后的测量是用于确定相对介电常数(介电常数)的标准方法。为了进行与 频率相关的测量，已知准静态的方法，其中逐点测量滞后回线。例如，能够借助于aixACCT 系统公司的TF分析仪2000来执行极化测量。
[0045]根据另一种优选实施方式，陶瓷材料是一种反铁电电介质。此外，优选使用来自反 铁电-正交晶相区域（0-相）的基本材料PZT。反铁电类的特征在于多个极性的部分晶格 (其电偶极矩彼此抵消)的交叠。因而，反铁电晶体没有自发极化，然而可能有特殊的介电特 性。如果将电场施加在反铁电介质处，则首先如线性电介质那样表现。自特定的临界场强 起，引发到铁电相中跳跃性的转变并且曾经反铁电的偶极转变到随后能量有利、平行的定 向。与此相反，在较小场强的情况下，进行相反的过程。这得到所谓的双重滞后回线。
[0046]与铁电陶瓷材料相比，反铁电陶瓷材料具有不是那么显著的极化场强滞后。这在 电容器中应用时导致较小的能量损耗。因而，优选使用反铁电陶瓷材料。
[0047] 为了制造纯锆钛酸铅（PZT)粉末以及以不同方式掺杂的锆钛酸铅（ρΖΤ)粉末，能 够使用经典的混合氧化方法或者基于溶剂的方法、其也称为"溶胶-凝胶"方法。开始点例 如是所构成金属的醋酸盐或者醇化物的溶解，它们通过不同的干燥方法转变为颗粒化干凝 胶、陶瓷先驱物质(先驱)。为了进行干燥，提供例如喷雾干燥以及具有随后的冷冻干燥的喷 雾冷冻颗粒。这些先驱随后热解成氧化物。这样制造的粉末能够以小成本来解聚集并且针 对另外的处理来调节。
[0048] 此处描述的陶瓷多层电容器的特征尤其在于特别小的ESR值（equivalent series resistance，等效串联电阻）以及特别小的ESL值（equivalent series inductivity，等效 串联电感)。
[0049] 此处描述的电极层的设置同时有利于制造此处所描述的多层电容器时的过程控 制。不仅在释放时而且在烧结时，释放产品以及生产气体的气体交换/均衡是必需的，其有 利于此处描述的多层电容器。该构造通过在侧向上较短的电极层促进了过程控制的改善可 能性，由此还能够实现与常规的多层电容器相比在体积方面比较大的陶瓷分量。此外，对于 此处描述的多层电容器得到来自所描述的电极层设置以及陶瓷层的所选择陶瓷材料的最 佳合作效果，这对于ESR值、ESL值以及机械和热方面的健壮性起积极作用。尤其是，陶瓷 与上面所给出的B、H和L的纵横比的组合以及与电极层的几何形状的组合改善了组件的电 特性和热特性。因此，例如能够通过电极获取电流的短路径(几何效应）与绝缘电阻的热稳 定性(陶瓷特性）一起对构件的电流承载能力性能起非常积极的作用。
[0050] 陶瓷多层电容器的另外的优点和有利的实施方式从下文结合图1和2描述的实施 方式中得出。
[0051] 图1示出根据一种实施方式的陶瓷多层电容器的透视示意性视图； 图2示出图1中陶瓷多层电容器的横截面图。
【具体实施方式】
[0052] 在这些实施例和附图中，相同或者相同功能的构件能够分别设有相同的参考标 记。所示出的元件及其彼此间的大小比例原则上看起来不是按照真实比例。而是能够为了 更好的可视性和/或为了更好的可理解性而过粗或过大地确定各个元件、例如层、组件以 及区域的尺寸来示出。
[0053] 图1和图2示出根据一种实施例的陶瓷多层电容器1的不同的示意性视图。该多 层电容器1包括基体2,其具有带六个侧面的正方体形状。该基体2具有陶瓷层3以及设置 在这些陶瓷层3之间的第一和第二电极层41、42,其中这些陶瓷层3和电极层41、42沿着层 堆叠方向S设置成堆叠。尤其是，基体2具有至少十个第一电极层41和至少十个第二电极 层42。这些陶瓷层3在所示的实施例中具有大约25微米的层厚度。这些电极层41、42具 有大约3. 5微米的层厚度。替换地，这些陶瓷层3和电极层41、42还能够具有其它层厚度。 [0054] 这些电极层在所示的实施例中具有铜。由此能够一方面实现：该多层电容器1具 有尽可能小的ESR值，并且另一方面，能够使多层电容器1的制造工艺更为低廉。
[0055] 此外，多层电容器1具有：第一外接触部51，其设置在基体2的第一侧面61上；以 及第二外接触部52,其设置在基体2的第二侧面62上。在此，第一电极层41与第一外接触 部51导电连接，而第二电极层4 2与第二外接触部52导电连接。第一侧面61和第二侧面 62经过表面处理，其中，所述表面处理优选在施加外接触部51、52之前执行。尤其是，第一 侧面61和第二侧面62能够被抛光、冲洗、研磨或者等离子体蚀刻。借助经过表面处理的第 一侧面61、第二侧面62的，能够以有利的方式在外接触部51、5 2与第一和/或第二电极层 41、42之间实现特别良好的接触。
[0056] 在所示的实施例中，第一电极层和第二电极层41、42分别彼此间隔开地设置在相 同层面中。该层面由垂直于该堆叠的层堆叠方向S构造的解理面构成。在此，在第一电极 层41与第二电极层42之间存在所谓的空隙，即间隙。该间隙表示在该解理面中第一电极 层41与第二电极层4 2之间的区域，在该区域中没有设置电极层。根据一替换实施例，也可 能将第一电极层41与第二电极层42分别设置在不同的解理面中。
[0057] 此外，基体2具有第三电极层43,其既不与第一外接触部51也不与第二外接触部 52导电连接。第三电极层43不仅与第一电极层41交叠而且与第二电极层42交叠，也就是 说，第三电极层4 3分别具有至少一个部分区域，其在想象着朝该堆叠的层堆叠方向S上投 影时，不仅能够与第一电极层41的至少一个部分区域而且能够与第二电极层42的至少一 个部分区域重叠。根据其中第一电极层41和第二电极层42分别设置在不同解理面中的替 代实施例，可能的是，第一电极层41与第二电极层42彼此交叠。
[0058]第一外接触部51以及第二外接触部52分别具有第一溅射层，其中，第一溅射层分 别直接施加在基体2上。第一溅射层在此与第一电极层41和/或第二电极层42直接接触。 这些第一溅射层优选具有铬。在第一溅射层上，分别施加第二溅射层，其中第二溅射层优选 具有铜。此外，在第二濺射层上分别施加第三溅射层，其优选具有金。替换地，第三溉射层 也能够具有银。
[0059] 基体2沿着层堆叠方向S具有宽度B。换言之，B表示基体2在平行于层堆叠方向 S的方向上的扩展。优选的是，在基体2中，基体的每mm宽度B设置至少十个第一电极层以 及至少一个10第二电极层。此外，基体2垂直于第一侧面51具有高度H。因此，基体2垂 直于第一侧面51具有与高度Η对应的扩展。此外，基体2垂直于高度Η以及垂直于层堆叠 方向S具有长度L，其对应于基体2垂直于层堆叠方向以及垂直于高度Η的扩展。对于基 体2的宽度Β与高度Η的比例，Β/Η彡0.2成立。此外，对于该基体的长度L与宽度Β的 比例，L/B彡1成立，以及对于该基体的长度L与高度Η的比例，L/H彡1成立。
[0060] 在所示出的实施例中，基体2具有大约2. 5 mm的宽度Β、大约7. 0 mm的高度Η以 及大约7. Omni的长度L。因而，在所示出的实施例中，比例Β/Η大约等于0.36。该比例L/ B为大约2. 8并且该比例L/H为大约1. 0。
[0061] 根据所示出的实施例，多层电容器1的特征尤其在于低ESR值、低ESL值以及在机 械和热方面的高健壮性。例如，在根据图1和2的实施例中所示出的陶瓷多层电容器（380V / l〇yF)具有以下有关频率的值：ESR(min)= 3 mQ、ESR(100kHz)= 5 πιΩ 以及 ESL < 4 ηΗ。此外，多层电容器1能够成本低廉地制造。
[0062] 本发明并不限于根据实施例的描述，而是包括每个新的特征以及特征的每种组 合。这尤其包含权利要求中特征的每种组合，即便该特征或者该组合本身未明确在权利要 求中或者实施例中给出。
[0063] 参考标记列表 1多层电容器 2基体 3陶瓷层 41第一电极层 42第二电极层 43第三电极层 51第一外接触部 52第二外接触部 61第一侧面 62第二侧面 Η基体的高度 Β基体的宽度 L基体的长度 S层堆叠方向。
【权利要求】
1. 一种陶瓷多层电容器（1)，具有： -基体（2)，所述基体（2)包括沿着层堆叠方向（S)设置成堆叠的陶瓷层（3)以及设置 在所述陶瓷层（3)之间的第一电极层和第二电极层（41，42); _第一外接触部（51)，所述第一外接触部（51)设置在所述基体（2)的第一侧面（61) 上并且与所述第一电极层（41)导电连接，以及 -第二外接触部（52)，所述第二外接触部（52)设置在所述基体（2)的与第一侧面 (61)相对的第二侧面（62)上并且与第二电极层（42)导电连接，其中 -所述基体（2)沿着所述层堆叠方向（S)具有宽度B， -所述基体（2)垂直于第一侧面￠1)具有高度H， -所述基体（2)垂直于高度H且垂直于所述层堆叠方向（S)具有长度L， -其中B/H彡0. 2成立。
2. 如权利要求1所述的陶瓷多层电容器，其中，L/B > 1成立。
3. 如权利要求1或2所述的陶瓷多层电容器，其中，L/H > 1成立。
4. 如前面权利要求中任一项所述的陶瓷多层电容器，其中，所述基体（2)具有第三电 极层（43)，所述第三电极层（43)既不与第一外接触部（51)也不与第二外接触部（52)导电 连接。
5. 如权利要求4所述的陶瓷多层电容器，其中，第三电极层（43)与第一电极层（41)和 第二电极层（42)交叠。
6. 如前面权利要求任一项所述的陶瓷多层电容器，其中，所述陶瓷层（3)的层厚度在3 U m与200 u m之间。
7. 如前面权利要求任一项所述的陶瓷多层电容器，其中，所述电极层（3)的层厚度在 0? I U m 与 10 u m 之间。
8. 如前面权利要求任一项所述的陶瓷多层电容器，其中，所述基体（2)具有至少十个 第一电极层（41)和至少十个第二电极层（42)。
9. 如前面权利要求任一项所述的陶瓷多层电容器，其中，有下列关系成立：第一电极 层的数里! /览度B > 10/mm。
10. 如前面权利要求任一项所述的陶瓷多层电容器，其中，所述电极层（41，42，43) 具有铜。
11. 如前面权利要求任一项所述的陶瓷多层电容器，其中，所述第一侧面（61)以及第 二侧面（62)经过表面处理。
12. 如权利要求11所述的陶瓷多层电容器，其中，第一侧面￠1)以及第二侧面￠2)经 过抛光、研磨或者等离子体蚀刻。
13. 如前面权利要求任一项所述的陶瓷多层电容器，其中，第一外接触部（51)以及第 二外接触部（52)分别具有至少一个溅射层，所述至少一个溅射层与第一电极层（41)或第 二电极层（42)直接接触。
14. 如前面权利要求任一项所述的陶瓷多层电容器，其中，所述陶瓷层（3)具有陶瓷材 料，对于所述陶瓷材料以下方程式成立： P0 f ； - I # b & - O, ht'- ^I-! J, ^ ；；i rta ^t：> ' a i： I - x ^ 1 x J1 I -〇 - d-- 龙中 L i dCG,Fef.S:: Y ? r：bu ( I i A 从包含 La、NcU Y、Eu、GcU Tb、Dy、Ho、Er 和 Yb 的组中选择； B从包含Na、K和Ag的组中选择； C从包含Ni、Cu、Co和Mn的组中选择；并且 0. a < 0.12; 0.05 ^ X ^ 0.3; 0 ^ b < 0.12; 0 ^ c < 0.12; 0 ^ d < 0? 12; 0 彡 e〈 0? 12; 0 彡 f〈 0? 12; 0 彡 y〈 1，其中 b + d + e + f>0。
【文档编号】H01G4/12GK104285265SQ201380024102
【公开日】2015年1月14日 申请日期:2013年4月11日 优先权日:2012年5月8日
【发明者】G.恩格尔, M.肖斯曼, M.科伊尼, A.特斯蒂诺, C.霍夫曼 申请人:埃普科斯股份有限公司