半导体装置以及其制造方法
【专利摘要】本发明提供为了谋求提高散热性而露出的金属板难以剥落的半导体装置。该半导体装置（10）具备金属板（1）、多个半导体芯片（3）、绝缘层（6a）、布线层（6b）、外部连接端子（19）和密封树脂部（2）。金属板（1）具有呈矩形形状的第1面（1a）。多个半导体芯片（3）层叠于金属板（1）的第2面（1g）上。绝缘层（6a）以及布线层（6b）相对于半导体芯片（3）设置于金属板（1）的相反侧。外部连接端子（19）相对于绝缘层（6a）以及布线层（6b）设置于半导体芯片（3）的相反侧。密封树脂部（2）使金属板（1）的第1面（1a）露出、同时将半导体芯片密封。从金属板的第1面的外周边连续的外周面中的至少1对相对的2个面由密封树脂部覆盖。
【专利说明】半导体装置以及其制造方法
[0001]相关申请
[0002]本申请享受以日本专利申请2013-189846号(申请日:2013年9月12日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含其所有的内容。
【技术领域】
[0003]本发明的实施方式涉及半导体装置以及其制造方法。
【背景技术】
[0004]使用层叠了多个半导体芯片且通过树脂注塑(mold)部密封的半导体装置。例如，使用为了谋求提高散热性和提高强度而在金属板上层叠了多个半导体芯片且包含金属板在内都通过树脂注塑部密封的半导体装置。
[0005]有时为了谋求提高半导体装置的散热性，而使金属板的一部从树脂注塑部中露出。在使金属板露出的情况下，希望防止金属板剥落以谋求提高半导体装置的可靠性。
【发明内容】
[0006]本发明的一个实施方式的目的在于提供难以将为了谋求提高散热性而露出的金属板剥落的半导体装置。
[0007]根据本发明的一个实施方式提供一种半导体装置，其具备金属板、多个半导体芯片、绝缘层、布线层、外部连接端子和密封树脂部。金属板具有呈矩形形状的第I面。多个半导体芯片层叠在金属板的第I面的相反面既第2面上。绝缘层以及布线层相对于半导体芯片设置于金属板的相反侧。外部连接端子相对于绝缘层以及布线层设置于半导体芯片的相反侧。密封树脂部使金属板的第I面露出同时将多个半导体芯片密封。从金属板的第I面的外周边连续的外周面中的至少I对相对的2个面由密封树脂部覆盖。
【专利附图】
【附图说明】
[0008]图1是第I实施方式所涉及的半导体装置的俯视图。
[0009]图2是沿着图1所示的A-A线箭头方向的剖视图。
[0010]图3是沿着图1所示的B-B线箭头方向的剖视图。
[0011]图4是用于说明图1所示的半导体装置的制造工序的流程图。
[0012]图5是表示图1所示的半导体装置的制造工序的一个工序的图。
[0013]图6是表示图1所示的半导体装置的制造工序的一个工序的图。
[0014]图7是表示图1所示的半导体装置的制造工序的一个工序的图。
[0015]图8是表示图1所示的半导体装置的制造工序的一个工序的图。
[0016]图9是表示图1所示的半导体装置的制造工序的一个工序的图。
[0017]图10是表示图1所示的半导体装置的制造工序的一个工序的图。
[0018]图11是表示图1所示的半导体装置的制造工序的一个工序的图。
[0019]图12是表示图1所示的半导体装置的制造工序的一个工序的图。
[0020]图13是表示图1所示的半导体装置的制造工序的一个工序的图。
[0021]图14是第2实施方式所涉及的半导体装置的俯视图。
[0022]图15是沿着图14所示的C-C线箭头方向观察的剖视图。
[0023]图16是沿着图14所示的D-D线箭头方向观察的剖视图。
[0024]图17是用于说明制造图14所示的半导体装置时的切割线的剖视图。
[0025]图18是第3实施方式所涉及的半导体装置的剖视图。
[0026]图19是用于说明图18所示的半导体装置的制造工序的流程图。
[0027]图20是表示图18所示的半导体装置的制造工序的一个工序的图。
[0028]图21是表示图18所示的半导体装置的制造工序的一个工序的图。
[0029]附图标记说明
[0030]1:金属板，Ia ■?第I面，Ib?Ie:外周面，If:槽，Ig ■?第2面，
[0031]2:树脂注塑部(密封树脂部)，3:半导体存储器(半导体芯片)，
[0032]4:第I底部填充树脂(密封树脂部)，
[0033]5:第2底部填充(under fill)树脂(密封树脂部)，
[0034]6:布线基板(支撑基板)，6a:绝缘层，
[0035]6b:布线层，8、9:隆起部(bump,焊盘)，
[0036]10:半导体装置，11:粘接性树脂，12:逻辑部LSI (半导体芯片)，
[0037]13:切割线，15:粘接剂，19:隆起部(外部连接端子)，
[0038]20,21:模具，22:薄膜，30、50:半导体装置。
【具体实施方式】
[0039]以下参照附图对实施方式所涉及的半导体装置以及其制造方法进行详细说明。另夕卜，本发明并不由这些实施方式限定。
[0040](第I实施方式)
[0041]图1是第I实施方式所涉及的半导体装置10的俯视图。图2是沿着图1所示的A — A线箭头方向的剖视图。图3是沿着图1所示的B — B线箭头方向的剖视图。半导体装置10具备金属板1、半导体存储器(半导体芯片)3、逻辑部LSI (半导体芯片)12、布线基板(支撑基板)6和树脂注塑部2。
[0042]金属板I为使用铝和/或42合金等金属的板构件。金属板I具有呈长方形形状的第I面la。多个半导体存储器3层叠于金属板I的第I面Ia的相反面既第2面Ig上。半导体存储器3为存储元件，例如为NAND闪存存储器。
[0043]相对于金属板I直接层叠的半导体存储器3使用粘接剂15粘接于第2面lg。所层叠的半导体存储器3彼此通过粘接性树脂11来粘接。半导体存储器3彼此经由隆起部8而电连接。
[0044]在距金属板I最远的半导体存储器3上层叠有逻辑部LSI12。逻辑部LSI12与半导体存储器3经由隆起部8而电连接。逻辑部LSI12是控制向半导体存储器3写入信息和从其中读出信息的控制元件，例如为NAND控制器和/或NAND I/F控制LSI。
[0045]在半导体存储器3彼此的间隙以及半导体存储器3与逻辑部LSI12的间隙中填充有第I底部填充(under fill)树脂4。通过填充了第I底部填充树脂4，金属板1、半导体存储器3以及逻辑部LSI12更牢固地固定。在金属板I的第2面Ig上，以包围所层叠的半导体存储器3的方式形成有槽If。槽If抑制在填充第I底部填充树脂4时第I底部填充树脂4从金属板I的第2面Ig鼓出的情况。另外，在以下的说明中，也将在金属板I上层叠有半导体存储器3以及逻辑部LSI12的构件称为第I层叠体。
[0046]布线基板6具有树脂制的绝缘层6a和金属制的布线层6b。绝缘层6a具有芯层与组合(build up)层。在布线基板6上，使形成于最上层(在图2以及图3中为最下层)的半导体芯片在本实施方式中为逻辑部LSI12与布线基板6相对地搭载有第I层叠体。在距金属板I最远的半导体存储器3与布线基板6之间设有隆起部9。形成于布线基板6的布线层6b与半导体存储器3经由隆起部9而电连接。在第I层叠体与布线基板6的间隙中填充有第2底部填充树脂5。通过填充了第2底部填充树脂5，第I层叠体与布线基板6更牢固地固定。另外，在以下的说明中，也将在布线基板6上搭载有第I层叠体的构件称为第2层叠体。
[0047]在布线基板6中的搭载有第I层叠体的面的相反面上，形成有作为外部连接端子的隆起部19。隆起部19与布线基板6的布线层6b电连接。因此，隆起部19经由布线层6b和/或隆起部9与半导体存储器3电连接。
[0048]布线基板6中的搭载有第I层叠体的面和第I层叠体的周围由树脂制的树脂注塑部2密封。金属板I中第I面Ia从树脂注塑部2中露出。从金属板I的第I面Ia的外周边连续的所有外周面Ib?Ie由树脂注塑部2覆盖。包含金属板1、树脂注塑部2与布线基板6，形成为呈长方体形状的长方体部。作为外部连接端子的隆起部19形成于长方体部的I个面。另外，在以下的说明中，也将第I底部填充树脂4、第2底部填充树脂5以及树脂注塑部2总称为密封树脂部。
[0049]另外，在第I底部填充树脂4、第2底部填充树脂5以及树脂注塑部2中，出于线膨胀系数的调整等的目的而含有二氧化硅微粒。在这里，第I底部填充树脂4以及第2底部填充树脂5的二氧化硅微粒的含有量比树脂注塑部2少，富于流动性。因此，容易将第I底部填充树脂4以及第2底部填充树脂5顺畅地填充于半导体存储器3彼此的间隙和/或第I层叠体与布线基板6的间隙中。
[0050]根据上述的半导体装置10，金属板I的第I面Ia从树脂注塑部2中露出，所以与第I面Ia由树脂注塑部覆盖的半导体装置相比能够谋求薄型化。另外，金属板I的第I面Ia从树脂注塑部2中露出，所以能够容易地经由金属板I将在半导体存储器3和/或逻辑部LSI12产生的热释放。
[0051]另外，从金属板I的第I面Ia的外周边连续的所有外周面Ib?Ie由树脂注塑部2覆盖，所以能够通过树脂注塑部2更牢固地固定金属板I。另外，当力直接施加于金属板I的外周面Ib?Ie时,金属板I容易剥落，但在本实施方式中，所有外周面Ib?Ie由树脂注塑部2覆盖，所以将金属板I剥落的力难以施加于外周面Ib?le。由此，能够谋求提高半导体装置10的可靠性。
[0052]接下来，对半导体装置10的制造方法进行说明。图4是用于说明图1所示的半导体装置10的制造工序的流程图。图5?图13是表示图1所示的半导体装置10的制造工序的一个工序的图。
[0053]首先，在金属板I的第2面Ig上通过粘接剂15粘接半导体存储器3 (参照步骤S1、图5)。接下来，在粘接于第2面Ig上的半导体存储器3上层叠半导体存储器3 (参照步骤S2、图6)。在层叠半导体存储器3时，使用隆起部8将各半导体存储器3之间电连接。接下来，在距金属板I最近的半导体存储器3上层叠逻辑部LSI12(参照步骤S3、图6)。在层叠逻辑部LSI12时，使用隆起部8将逻辑部LSI12与半导体存储器3之间电连接。接下来，在半导体存储器3彼此的间隙以及半导体存储器3与逻辑部LSI12的间隙中填充第I底部填充树脂4 (参照步骤S4、图7)。通过此前的工序形成第I层叠体。
[0054]接下来，使层叠于最上层的半导体芯片即逻辑部LSI12与布线基板6相对地，将多个第I层叠体搭载于布线基板6上(参照步骤S5、图8)。在将第I层叠体搭载于布线基板6上时，使用隆起部9将第I层叠体与布线基板6之间电连接。接下来，在第I层叠体与布线基板6的间隙中填充第2底部填充树脂5 (参照步骤S6、图8)。通过该工序形成第2层叠体。
[0055]接下来，在用于形成树脂注塑部2的模具20、21中的与金属板I的第I面Ia相对的面上，配置薄膜22 (参照步骤S7、图9)。薄膜22为例如为了使半导体装置10容易从模具20、21脱模而使用的脱模薄膜。
[0056]接下来，在将薄膜22夹在金属板I的第I面Ia与模具20、21之间地将第2层叠体配置于模具20、21之间后，对模具20、21进行合模(参照步骤S8、图10)。接下来，在模具20、21的内部填充树脂而形成树脂注塑部2 (参照步骤S9、图11)。接下来，将形成有树脂注塑部2的第2层叠体从模具20、21中取出(参照步骤S10、图11 )，形成作为外部连接端子的隆起部19 (参照步骤S11、图12)。接下来，在第I层叠体之间进行切割而将半导体装置10单片化(参照步骤S12、图13)。通过以上的工序制造出半导体装置10。另外，在上述工序中，将形成隆起部8、9和/或粘接性树脂11的工序的详细说明省略了，但在制造半导体存储器3时和/或层叠工序之前等适当的定时进行这些工序形成即可。
[0057]在本实施方式中，通过树脂注塑部2覆盖金属板I的所有外周面Ib?le，所以步骤S12的切割工序中的切割线13与金属板I的第I面Ia的外周边平行并通过成为金属板I的外侧的位置。
[0058]根据上述的半导体装置10的制造工序，在金属板I的第I面Ia与模具20之间夹有薄膜22，所以树脂难以漫到第I面Ia上，能够更可靠地使第I面Ia从树脂注塑部2中露出。
[0059]另外，有时由于第2层叠体和/或模具20、21的制造误差等，而在模具20与第I面Ia之间产生间隙。当在模具20与第I面Ia之间产生间隙时，在步骤S9中，有时树脂进入模具20与第I面Ia之间，导致第I面Ia由树脂注塑部2覆盖。在本实施方式中，通过由模具20与第I面Ia夹持的薄膜22弹性变形，能够使薄膜22吸收模具20与第I面Ia的距离的偏差。因此，用薄膜22覆盖金属板I的第I面la，能够更可靠地防止树脂进入模具20与第I面Ia之间。由此，能够谋求提高半导体装置10的制造工序中的成品率。
[0060](第2实施方式)
[0061]接下来，对于第2实施方式所涉及的半导体装置30进行说明。图14是第2实施方式所涉及的半导体装置30的俯视图。图15是沿着图14所示的C-C线箭头方向观察的剖视图。图16是沿着图14所示的D-D线箭头方向观察的剖视图。图17是用于说明制造图14所示的半导体装置30时的切割线的剖视图。另外，对于与上述实施方式同样的构成，赋予同样的附图标记而将详细的说明省略。
[0062]在本实施方式中，从金属板I的外周边连续的4个外周面Ib?Ie中、一对相对的外周面lb、lc由树脂注塑部2覆盖，另一对相对的外周面Id、Ie从树脂注塑部2中露出。
[0063]能够通过由树脂注塑部2覆盖一对相对的外周面lb、lc，使金属板I难以剥落，同时通过使另一对相对的外周面ld、le从树脂注塑部2中露出，谋求树脂注塑部2的小型化、即俯视时的半导体装置30的小型化。
[0064]特别，在本实施方式中，通过树脂注塑部2覆盖从金属板I的第I面Ia的外周边中的短边连续的外周面lb、lc，使从长边连续的外周面Id、Ie从树脂注塑部2中露出。具有与向从长边连续的外周面ld、le施加力的情况相比、在向从短边连续的外周面lb、lc施加力的情况下金属板I容易剥落的倾向，所以通过树脂注塑部2覆盖并保护从长边连续的外周面ld、le。另外，与上述实施方式同样地，金属板I的第I面Ia从树脂注塑部2中露出，所以能够谋求提高散热性。
[0065]另外，在制造半导体装置30时，使与金属板I的第I面Ia的长边平行的切割线13(也参照图17)通过与金属板I重叠的位置、并使与短边平行的切割线13通过成为金属板I的外侧的位置即可(也参照图13)。另外，在沿金属板I的第I面Ia的长边方向使半导体装置30小型化时，使从短边连续的外周面lb、lc从树脂注塑部2中露出并通过树脂注塑部2覆盖从长边连续的外周面ld、le即可。
[0066](第3实施方式)
[0067]接下来，对于第3实施方式所涉及的半导体装置50进行说明。图18是第3实施方式所涉及的半导体装置50的剖视图。另外，对于与上述实施方式同样的构成，赋予同样的附图标记而将详细的说明省略。
[0068]在半导体装置50中，密封树脂部(第I底部填充树脂4)从金属板I的第I面Ia突出。例如，在捆扎半导体装置50时，通过密封树脂部的突出部分承受从金属板I的第I面Ia侧施加的负荷，能够防止负荷施加于金属板I。由此，金属板I难以剥落，并且也能够抑制向层叠于金属板I的半导体存储器3施加的负荷，所以能够谋求提高可靠性。
[0069]另外，与上述实施方式同样地，金属板I的第I面Ia从密封树脂部中露出，所以能够谋求提高散热性。另外，在俯视时金属板I比半导体存储器3小。
[0070]接下来，对于半导体装置50的制造工序进行说明。图19是用于说明图18所示的半导体装置50的制造工序的流程图。图20?21是表示图18所示的半导体装置50的制造工序的一个工序的图。图4所示的步骤Sll之前，与在第I实施方式中表示的制造工序同样。
[0071]在本实施方式中，在步骤Sll后，对金属板I的第I面Ia侧进行蚀刻(参照步骤S22、图20)。在这里，以形成于金属板I的第2面Ig的槽If部分处的金属板I的厚度以上的厚度对金属板I进行蚀刻。
[0072]接下来，进行切割以将半导体装置50单片化(参照步骤S23、图21)。在这里，使进行切割时的切割线13通过与金属板I的槽If部分重叠的位置。由此，能够使密封树脂部从金属板I的第I面Ia突出。另外，通过密封树脂部覆盖金属板I的外周面Ib?Ie的周围，能够使金属板I难以剥落。另外，能够使切割线13与金属板I的槽If部分重叠，所以与为了在金属板I的外周面Ib?Ie的周围留有密封树脂部(树脂注塑部2)而使切割线13通过未进行蚀刻的金属板I的外侧的情况(参照图1和/或图14)相比，能够谋求俯视时的半导体装置50的进一步的小型化。另外，对金属板I进行蚀刻，所以能够谋求半导体装置50的薄型化。
[0073]对本发明的几个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例子而提出的，其意图不是限定发明的范围。这些新实施方式能够以其他的各种形态来实施，在不脱离发明主旨的范围内，能够进行各种省略、置换、变更。这些实施方式和/或其变形包含于发明的范围和/或要旨，并且包含于技术方案所记载的发明和与其均等的范围。
【权利要求】
1.一种半导体装置，其中，具备: 金属板，其具有呈矩形形状的第I面； 多个半导体芯片，其层叠于所述金属板的所述第I面的相反面即第2面上； 绝缘层以及布线层，其相对于所述半导体芯片设置于所述金属板的相反侧； 外部连接端子，其相对于所述绝缘层以及所述布线层设置于所述半导体芯片的相反侧；和 密封树脂部，其使所述金属板的所述第I面露出同时将所述多个半导体芯片密封； 从所述金属板的所述第I面的外周边连续的外周面中的至少I对相对的2个面由所述密封树脂部覆盖。
2.根据权利要求1所记载的半导体装置，其中: 所述外部连接端子设置于呈长方体形状的长方体部的I个面； 在所述长方体部包含所述金属板以及所述绝缘层。
3.根据权利要求1或2所记载的半导体装置，其中: 所述金属板的所述第I面呈长方形形状，从所述第I面的短边连续的外周面由所述密封树脂部覆盖，从所述第I面的长边连续的外周面从所述密封树脂部中露出。
4.根据权利要求1或2所记载的半导体装置，其中: 所述密封树脂部中的覆盖所述金属板的外周面的部分，从所述金属板向所述第I面侧突出。
5.根据权利要求1或2所记载的半导体装置，其中: 所述外周面的4个面全都由所述密封树脂部覆盖，在俯视时，所述金属板比所述半导体芯片小。
6.一种半导体装置的制造方法，其中，包括: 在具有呈矩形形状的第I面的金属板的所述第I面的相反面即第2面上层叠多个半导体芯片而形成第I层叠体的步骤； 使层叠于最上层的所述半导体芯片与支撑基板相对地将多个所述第I层叠体搭载于支撑基板上而形成第2层叠体的步骤； 与所述第I面之间夹持薄膜地将所述第2层叠体配置于模具内部的步骤； 向所述模具内部填充树脂以形成将所述多个半导体芯片密封的密封树脂部的步骤；和 在所述第I层叠体之间进行切割以单片化的步骤， 进行所述切割时的切割线，与所述金属板的所述第I面的外周边平行，至少在外周边中的I对相对的2边通过所述金属板的外侧。
【文档编号】H01L21/56GK104465577SQ201410020345
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年1月16日 优先权日:2013年9月12日
【发明者】河崎一茂, 栗田洋一郎, 筑山慧至, 三浦正幸 申请人:株式会社东芝