一种并行设备的吸附晶圆装置及吸附晶圆的方法
【专利摘要】本发明公开了一种并行设备的吸附晶圆装置及吸附晶圆的方法，涉及半导体领域。该吸附晶圆装置包括：厂务真空管路、设备真空管路、真空通道和吸盘，所述吸盘设置于所述真空通道的一端，所述厂务真空管路、设备真空管路和真空通道连通，所述设备真空管路的管路直径大于或等于所述厂务真空管路的管路直径。本发明通过改变设备真空管路的管路直径，以及控制第二真空阀门的开启和关闭实现吸盘吸放晶圆的目的。第二真空阀门可以使工作人员近距离的观察吸盘对晶圆的吸放情况，便于工作人员操作，从而提高设备利用率。第二真空阀门可以反复多次使用，而不会损坏，降低晶圆的破片率。
【专利说明】—种并行设备的吸附晶圆装置及吸附晶圆的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种并行(Multi site)设备的吸附晶圆(Wafer)装置及吸附晶圆的方法。
【背景技术】
[0002]目前Multisite设备中的吸盘(Chuck)吸放晶圆是人工手动开关厂务真空阀门I (如图1所示)，实现吸放晶圆。在吸放晶圆的过程中，设备端真空开关2处于失效状态，通过控制厂务真空阀门I来实现吸附或释放晶圆的目的。采用开关厂务真空阀门I的这种方式存在的缺点有:由于厂务端真空压力远远大于设备厂商对于真空压力的需求，从而致使该设备端真空开关2切到开启状态时并不能放开吸盘上的晶圆；由于厂务真空阀门I在机台背面，因此工作人员无法观察到，吸盘上晶圆吸放的情况，给晶圆的吸放带来不便；厂务真空阀门I多次开关会造成阀门的损坏，并且如果阀门未全部关闭或开启状态，工作人员也无法直接观察到，从而导致晶圆的破片。
[0003]中国专利(CN101635268B)公开了一种改进型半导体晶片真空夹持吸盘，包括吸盘、箱体座、电机、管路、电磁阀，所述吸盘的中部开有圆槽，所述电机输出端连接所述吸盘的夹持端，所述电机为普通电机，所述圆槽的中心位置开有轴向盲孔，所述吸盘的夹持端中部径向开有一水平倾斜通孔，所述通孔与所述盲孔贯通，所述通孔内装有真空发生器，所述真空发生器的真空口连通所述盲孔，所述真空发生器的供气口连通外部的压缩空气相连通，所述真空发生器的排气口连通外界空气。
[0004]该专利结构简单，且设备成本低。但并没有解决由于厂务端真空压力远远大于设备厂商对于真空压力的需求，从而致使不能放开吸盘上的晶圆的问题。
[0005]中国专利(CN201868413U)公开了一种吸附晶片装置，该装置设有机械手指、吸附槽，吸附槽与真空孔连通，吸附槽与真空孔均嵌入机械手指表面，真空孔与机械手指内的真空通道连接，晶片放在机械手指上。
[0006]该专利设有透气孔、E字吸附槽，通过设于真空孔旁连接的E字吸附槽加大对晶片的真空吸附力，同时增加透气孔可减小晶片与手指接触的阻力，可增大真空吸附力，增加晶片传递稳定性。但并没有解决由于厂务端真空压力远远大于设备厂商对于真空压力的需求，从而致使不能放开吸盘上的晶圆的问题。
【发明内容】
[0007]本发明为解决由于厂务端真空压力远远大于设备厂商对于真空压力的需求，从而致使不能放开吸盘上的晶圆的问题，从而提供一种并行设备的吸附晶圆装置及吸附晶圆的方法的技术方案。
[0008]本发明所述一种并行设备的吸附晶圆装置，包括:厂务真空管路、设备真空管路、真空通道和吸盘，所述吸盘设置于所述真空通道的一端，所述厂务真空管路、设备真空管路和真空通道连通，所述设备真空管路的管路直径大于或等于所述厂务真空管路的管路直径。
[0009]优选的，还包括:第一真空阀门，所述第一真空阀门设置于所述厂务真空管路上。
[0010]优选的，还包括:第二真空阀门，所述第二真空阀门设置于所述设备真空管路上，用以控制所述吸盘对晶圆的吸放。
[0011]优选的，所述第一真空阀门采用的材料为工程塑料。
[0012]优选的，所述第二真空阀门采用的材料为不锈钢材料。
[0013]一种吸附晶圆装置吸附晶圆的方法，采用所述并行设备的吸附晶圆装置，当所述吸附晶圆装置处于吸附晶圆状态时，所述第一真空阀门处于常开状态，关闭所述第二真空阀门，所述真空通道内的气流吸力变大，晶圆被吸附于吸盘表面；当所述吸附晶圆装置处于未吸附晶圆状态时，所述第一真空阀门处于常开状态，开启所述第二真空阀门，所述真空通道内的气流吸力变小，吸盘释放所述晶圆。
[0014]本发明的有益效果:
[0015]本发明通过改变设备真空管路的管路直径，以及控制第二真空阀门的开启和关闭实现吸盘吸放晶圆的目的。第二真空阀门可以使工作人员近距离的观察吸盘对晶圆的吸放情况，便于工作人员操作，从而提高设备利用率。第二真空阀门可以反复多次使用，而不会损坏，降低晶圆的破片率。
【专利附图】
【附图说明】
[0016]图1为现有的吸附晶圆装置的不意图；
[0017]图2为本发明所述并行设备的吸附晶圆装置的结构示意图。
[0018]附图中:1.厂务真空阀门；2.设备端真空开关；3.第一真空阀门；4.厂务真空管路；5.吸盘；6.真空通道；7.设备真空管路；8.第二真空阀门。
【具体实施方式】
[0019]下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，但不作为本发明的限定。
[0020]如图2所示，本发明提供一种并行设备的吸附晶圆装置，包括:厂务真空管路4、设备真空管路7、真空通道6和吸盘5，吸盘5设置于真空通道6的一端，厂务真空管路4、设备真空管路7和真空通道6连通，设备真空管路7的管路直径大于或等于厂务真空管路4的管路直径。
[0021]本实施例中通过改变设备真空管路的管路直径，以及控制吸盘吸放晶圆的目的。
[0022]在优选的实施例中，还包括:第一真空阀门3，第一真空阀门3设置于厂务真空管路4上。
[0023]在优选的实施例中，还包括:第二真空阀门8，第二真空阀门8设置于设备真空管路7上，用以控制吸盘5对晶圆的吸放。
[0024]在优选的实施例中，第一真空阀门3采用的材料为工程塑料。
[0025]在优选的实施例中，第二真空阀门8采用的材料为402不锈钢材料，采用的不锈钢材料的真空阀门不易损坏，寿命长。
[0026]第二真空阀门8可以使工作人员近距离的观察吸盘对晶圆的吸放情况，便于工作人员操作，从而提高设备利用率。第二真空阀门8可以反复多次使用，而不会损坏，降低晶圆的破片率。
[0027]—种吸附晶圆装置吸附晶圆的方法为:
[0028]采用并行设备的吸附晶圆装置，当吸附晶圆装置处于吸附晶圆状态时，第一真空阀门3处于常开状态，关闭第二真空阀门8，真空通道6内的气流吸力变大，晶圆被吸附于吸盘5表面；
[0029]当吸附晶圆装置处于未吸附晶圆状态时，第一真空阀门3处于常开状态，开启第二真空阀门8，真空通道6内的气流吸力变小，吸盘5释放晶圆。
[0030]本发明通过改变设备真空管路的管路直径，使设备真空管路7的直径大于或等于厂务真空管路4的直径，从而通过使第二真空阀门的开启或关闭来控制吸盘吸放晶圆。
[0031]以上所述仅为本发明较佳的实施例，并非因此限制本发明的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本发明说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本发明的保护范围内。
【权利要求】
1.一种并行设备的吸附晶圆装置，包括:厂务真空管路、设备真空管路、真空通道和吸盘，所述吸盘设置于所述真空通道的一端，所述厂务真空管路、设备真空管路和真空通道连通，其特征在于，所述设备真空管路的管路直径大于或等于所述厂务真空管路的管路直径。
2.如权利要求1所述并行设备的吸附晶圆装置，其特征在于，还包括:第一真空阀门，所述第一真空阀门设置于所述厂务真空管路上。
3.如权利要求2所述并行设备的吸附晶圆装置，其特征在于，还包括:第二真空阀门，所述第二真空阀门设置于所述设备真空管路上，用以控制所述吸盘对晶圆的吸放。
4.如权利要求2所述并行设备的吸附晶圆装置，其特征在于，所述第一真空阀门采用的材料为工程塑料。
5.如权利要求3所述并行设备的吸附晶圆装置，其特征在于，所述第二真空阀门采用的材料为不锈钢材料。
6.一种吸附晶圆装置吸附晶圆的方法，其特征在于，采用如权利要求3所述并行设备的吸附晶圆装置，当所述吸附晶圆装置处于吸附晶圆状态时，所述第一真空阀门处于常开状态，关闭所述第二真空阀门，所述真空通道内的气流吸力变大，晶圆被吸附于吸盘表面；当所述吸附晶圆装置处于未吸附晶圆状态时，所述第一真空阀门处于常开状态，开启所述第二真空阀门，所述真空通道内的气流吸力变小，吸盘释放所述晶圆。
【文档编号】H01L21/683GK104008992SQ201410164144
【公开日】2014年8月27日 申请日期:2014年4月22日 优先权日:2014年4月22日
【发明者】何文蔚 申请人:上海华力微电子有限公司