氮化铝陶瓷基板100瓦26dB衰减片的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种氮化铝陶瓷基板100瓦26dB衰减片，其包括一长8.9mm、宽5.7mm、厚度1mm的氮化铝陶瓷基板，所述氮化铝基板的背面印刷有导体层，所述氮化铝基板的正面印刷有数个电阻及银浆导线，所述银浆导线连接电阻形成衰减电路，所述电阻上印刷有一层玻璃保护膜，所述导线及玻璃保护膜上印刷有一层黑色保护膜，所述黑色保护膜上印刷有一对称桥梁式介质层。该衰减片优化了导线的走位，得到了较好的回波损耗，并通过调整电阻值的大小配合桥梁式介质的位置及线路来获得精确的衰减值。该氮化铝陶瓷基板100瓦26dB衰减片，功率可以满足100瓦的功率容量，驻波和衰减精度可以满足3G频段的使用要求，可以用于目前4G网络。
【专利说明】氣化绍陶瓷基板100瓦26dB哀减片
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种氮化铝陶瓷基板衰减片，特别涉及一种氮化铝陶瓷基板100瓦26dB衰减片。
【背景技术】
[0002]目前集成了多个膜状电阻为一体，通过电阻及线路不同设计的衰减片广泛应用于航空、航天、雷达、电台、广播通讯等设备领域。使用负载片只能单纯地消耗吸收多余的功率，而使用衰减片在吸收反向输入的功率同时还能抽取需要的信号进行分析，并在高频电路上调整功率电平，去耦，对相关设备起到了保护作用。
[0003]衰减片作为一个功率消耗元件，不能对两端电路有影响，也就是说其应与两端电路都是匹配的。目前国内100W-26dB的氮化铝陶瓷衰减片，其衰减精度不仅大多只能做到IG频率以内，少数能做到2G，且衰减精度和设备配备的VSWR较难控制，输出端得到的信号不符合实际要求。特别是在衰减片使用频段高于2G时，其衰减精度往往达不到要求，回波损耗变大，满足不了 2G以上的频段应用要求。
【发明内容】
[0004]针对上述现有技术的不足，本发明要解决的技术问题是提供一种阻值满足50.3±3% Ω，在3G频段以内衰减精度为26±0.9dB，驻波要求在3G频段内满足
1.20:1!^1，能够满足目前46网络的应用要求且能够承受100瓦的功率的氮化铝陶瓷基板100瓦26dB衰减片。
[0005]为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案:
[0006]一种氮化铝陶瓷基板100瓦26dB衰减片，其包括一长8.9mm、宽5.7mm、厚度Imm的氮化铝陶瓷基板，所述氮化铝基板的背面印刷有导体层，所述氮化铝基板的正面印刷有数个电阻及银浆导线，所述银浆导线连接电阻形成衰减电路，所述电阻上印刷有一层玻璃保护膜，所述导线及玻璃保护膜上印刷有一层黑色保护膜，所述黑色保护膜上印刷有一对称桥梁式介质层。
[0007]优选的,所述衰减电路采用双边接地设计。
[0008]优选的，所述黑色保护膜为耐酸碱腐蚀树脂保护膜。
[0009]上述技术方案具有如下有益效果:该衰减片以长8.9mm、宽5.7mm、厚度Imm的氮化铝基板作为基准，整个衰减电路上覆盖一层环氧树脂保护膜，环氧树脂保护膜印刷有一层对称桥梁式介质层，对称桥梁式介质层上印刷有一层耐酸碱黑色保护膜，通过介质微调技术，和双层保护膜保护，在提高衰减精度的同时，提高了衰减片的稳定性，该衰减片在上述氮化铝基板的尺寸规格下可到达阻值50.3 ± 3 % Ω，在3G频段以内衰减精度为26 土0.9dB,驻波在3G频段内满足1.20:1111&1，能够满足目前46网络的应用要求且能够承受100瓦的功率的技术要求，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于4G的网络。
[0010]上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本发明的【具体实施方式】由以下实施例及其附图详细给出。
【专利附图】
【附图说明】
[0011]图1为本发明实施例的结构示意图。
【具体实施方式】
[0012]下面结合附图对本发明的优选实施例进行详细介绍。
[0013]如图1所示，该氮化铝陶瓷基板100瓦26dB衰减片包括一长8.9mm、宽5.7mm、厚度的氮化铝基板1，氮化铝基板I的背面印刷有银浆背导层，氮化铝基板I的正面印刷有银浆导线2及电阻R1、R2、R3、R4及R5，银浆导线2连接上述电阻R1、R2、R3、R4、R5形成衰减电路，衰减电路通过端接地方式导通背导层和银浆导线，从而使衰减电路导通。
[0014]在电阻上Rl、R2、R3、R4、R5印刷有玻璃保护膜3，玻璃保护膜3及银浆导线2上印刷有环氧树脂保护膜4，环氧树脂保护膜4上印刷有一桥对称桥梁式介质层6。对称桥梁式介质层6上印刷有低热膨胀系数保护膜5，低热膨胀系数保护膜5上可印刷品牌和型号。环氧树脂保护膜、低热膨胀系数保护膜可对衰减电路起到双重保护的作用。
[0015]该衰减片输入端和接地的阻值为50.3±3% Ω，输出端和接地端的阻值为50.3±3% Ω。信号从输入端进入衰减片，从输出端经过R1、R2、R5、R3、R4对功率的逐步吸收，从输出端输出实际所需要的信号。
[0016]该衰减片以长8.9_、宽5.7_、厚度Imm的氮化铝基板作为基准，整个衰减电路上覆盖一层环氧树脂保护膜，环氧树脂保护膜印刷有一层对称桥梁式介质层，对称桥梁式介质层上印刷有一层耐酸碱黑色保护膜，通过介质微调技术，和双层保护膜保护，在提高衰减精度的同时，提高了衰减片的稳定性，该衰减片在上述氮化铝基板的尺寸规格下可到达阻值50.3±3% Ω，在3G频段以内衰减精度为26±0.9dB，驻波在3G频段内满足1.20: lmax，能够满足目前4G网络的应用要求且能够承受100瓦的功率的技术要求，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于4G的网络。
[0017]以上对本发明实施例所提供的一种氮化铝陶瓷基板100瓦26dB衰减片进行了详细介绍，对于本领域的一般技术人员，依据本发明实施例的思想，在【具体实施方式】及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制，凡依本发明设计思想所做的任何改变都在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种氮化铝陶瓷基板100瓦26B衰减片，其特征在于:其包括一长8.9mm、宽5.7mm、厚度Imm的氮化铝陶瓷基板，所述氮化铝基板的背面印刷有导体层，所述氮化铝基板的正面印刷有数个电阻及银浆导线，所述银浆导线连接电阻形成衰减电路，所述电阻上印刷有一层玻璃保护膜，所述导线及玻璃保护膜上印刷有一层黑色保护膜，所述黑色保护膜上印刷有一对称桥梁式介质层。
2.根据权利要求1所述的氮化铝陶瓷基板100瓦26dB衰减片，其特征在于:所述衰减电路采用双边接地设计。
3.根据权利要求1所述的大功率氮化铝陶瓷基板100瓦26dB衰减片，其特征在于:所述黑色保护膜为耐酸碱腐蚀树脂保护膜。
【文档编号】H01P1/22GK104241778SQ201410235301
【公开日】2014年12月24日 申请日期:2014年5月29日 优先权日:2014年5月29日
【发明者】不公告发明人 申请人:苏州市新诚氏电子有限公司