发光器件的制作方法

发光器件的制作方法
【专利摘要】公开一种发光器件，该发光器件包括多个发光单元；和桥接电极，该桥接电极电气地连接两个相邻的发光单元，并且多个发光单元包括发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层；第二导电半导体层以及第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层；第一导电半导体层上的第一电极以及第二导电半导体层上的第二电极，其中桥接电极具有比第一电极和第二电极厚的部分。
【专利说明】发光器件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2013年7月22日在韩国提交的韩国专利申请如.10-2013-0085959和于2014年7月4日在韩国提交的韩国专利申请如.10-2014-0083640的优先权，正如在此得到充分阐述的那样，其全部内容通过引用合并于此。

【技术领域】
[0003]实施例涉及一种发光器件。

【背景技术】
[0004]根据薄膜生长方法和器件材料的发展使用III；或者族化合物半导体材料的诸如发光二极管([￡0)或者激光二极管(⑶)的发光器件呈现诸如红、绿、蓝的各种颜色和紫外线。发光器件使用荧光材料或者组合颜色有效地实现白射线，并且与诸如荧光灯和白炽灯的传统光源相比较具有诸如低功率、半永久的寿命、高响应速度、稳定性和环保的优点。
[0005]因此，发光元件越来越多地应用于光学通信单元的传输模块、作为冷阴极荧光灯(00^1)的替代的发光二极管背光、使用白色发光二极管作为用于荧光灯或者白炽灯的替代的照明设备、用于车辆和交通灯的头灯。
[0006]包括串联或者并联的多个发光单元的发光器件可以包括电气地接触相邻的发光单元的桥接电极。在具有狭窄的区域的桥接电极上的电流集中可能导致发光器件的可靠性的劣化，诸如桥接电极150被烧焦。


【发明内容】

[0007]实施例提供一种提供增加桥接电极的区域并且防止发光器件的可靠性劣化的发光器件。
[0008]在一个实施例中，发光结构包括多个发光单元和桥接电极，所述桥接电极电气地连接两个相邻的发光单元。多个发光单元包括:发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层，第二导电半导体层，以及在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层；第一导电半导体层上的第一电极；以及第二导电半导体层上的第二电极。桥接电极具有比第一电极和第二电极厚的部分。
[0009]桥接电极的宽度可以大于第一电极层的宽度或者第二电极层的宽度。
[0010]发光结构可以包括蚀刻区域，所述蚀刻区域暴露第一半导体层的部分，并且第一电极层可以被布置在第一半导体层的被暴露的部分上。
[0011]桥接电极可以包括:第一部分，所述第一部分接触两个相邻的发光单元中的一个中的第一电极；第二部分，所述第二部分接触两个相邻的发光单元中的另一个中的第二电极；以及第三部分，所述第三部分被布置在第一部分和第二部分之间。
[0012]在第一部分、第二部分、以及第三部分的厚度当中第三部分的厚度可以是最大的。
[0013]第三部分可以被布置在两个相邻的发光单元之间。
[0014]第一部分的高度可以等于第一电极的高度并且第二部分的高度可以等于第二电极的高度。
[0015]桥接电极在数目上是多个。
[0016]第一部分的一部分可以被布置在第一电极上并且第二部分的一部分可以被布置在第二电极上。
[0017]桥接电极可以进一步包括:第四部分，所述第四部分被布置在第一部分和第三部分之间以及在第二部分和第三部分之间，其中，第四部分的厚度可以小于第一部分的厚度、第二部分的厚度以及第三部分的厚度。
[0018]在另一个实施例中，一种发光器件，包括:多个发光单兀；和多个桥接电极，所述多个桥接电极电气地连接两个相邻的发光单元，其中，所述多个发光单元包括:发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层；第二导电半导体层以及在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层；其中，桥接电极将在两个相邻的发光单元中的一个中的第一导电半导体层电气地连接到两个相邻的发光单元中的另一个中的第二导电半导体层并且多个桥接电极被布置在两个相邻的发光单元之间。
[0019]多个发光单兀可以进一步包括:第一导电半导体层上的第一电极；和第二导电半导体层上的第二电极，其中，多个桥接电极被布置在两个相邻的发光单元中的一个中的第一电极和在两个相邻的发光单元中的另一个中的第二电极之间并且被相互隔开。
[0020]第一电极和第二电极可以具有第一长度方向，并且多个桥接电极可以具有与第一长度方向不同的第二长度方向。
[0021]多个桥接电极可以包括:第一部分，所述第一部分在两个相邻的发光单元的一个中的第一导电半导体层上；第二部分，所述第二部分在两个相邻的发光单元中的另一个中的第二导电半导体层上；以及第三部分，所述第三部分在第一部分和第二部分之间。
[0022]在第一部分、第二部分、以及第三部分的厚度当中第三部分的厚度可以是最大的。
[0023]第一部分的厚度或者第一部分的厚度可以等于第三部分的厚度。
[0024]桥接电极中的每个的宽度可以大于第一电极层的宽度或者第二电极层的宽度。
[0025]发光器件可以进一步包括:衬底，所述衬底被布置在多个桥接电极下面；和第一粗糙，所述第一粗糙被形成在相邻的发光单元之间的衬底的上表面的一个区域上。
[0026]第三部分可以被布置在相邻的发光单元之间的衬底的上表面的一个区域上，并且与第一粗糙相对应的第二粗糙可以被形成在第三部分的上表面上。
[0027]第三部分的上表面的高度可以低于或者等于第一部分的上表面的高度。
[0028]发光器件可以进一步包括:布置在发光单元和桥接电极之间的绝缘层。

【专利附图】

【附图说明】
[0029]可以参考下面的附图详细地描述布置和实施例，其中相同的附图标记指代相同的兀件并且其中:
[0030]图1是图示根据第一实施例的发光器件的平面视图。
[0031]图2是延伸图1的部分的平面视图。
[0032]图3是沿着在图2中示出的发光器件的方向-截取的截面图。
[0033]图4是根据第二实施例的发光器件的部分的放大的平面视图。
[0034]图5是根据第三实施例的发光器件的部分的放大的平面视图。
[0035]图6是根据第四实施例的发光器件的部分的放大的平面视图。
[0036]图7是沿着方向仏截取的截面图。
[0037]图8是沿着方向仏截取的根据第五实施例的截面图。
[0038]图9是沿着方向仏截取的根据第六实施例的截面图。
[0039]图10是根据第七实施例的发光器件的平面视图。
[0040]图11是图10的部分的放大的平面视图。
[0041]图12是沿着图11的方向88截取的前截面图。
[0042]图13是沿着方向88截取的根据第八实施例的发光器件的截面图。
[0043]图14是沿着方向88截取的根据第九实施例的发光器件的截面图。
[0044]图15是根据第十实施例的发光器件的平面视图。
[0045]图16是图15的部分的放大的平面视图。
[0046]图17是沿着方向88截取的图16的截面图。
[0047]图18是沿着方向88截取的根据第十一实施例的发光器件的截面图。
[0048]图19是根据第十二实施例的发光器件的截面图。
[0049]图20是根据第十三实施例的发光器件的截面图。
[0050]图21图示根据实施例的发光器件封装。
[0051]图22图示根据实施例的包括发光器件封装的头灯。
[0052]图23是图示根据一个实施例的包括发光器件封装的显示装置的视图。

【具体实施方式】
[0053]在下文中，结合附图和实施例从描述中将会清楚地理解实施例。
[0054]在描述实施例之前，关于优选实施例的描述，将会理解的是，当诸如层(膜)、区域或者结构的一个元件被称为是在诸如衬底、层(膜〉、区域、焊盘或者图案的另一元件“上”或者“下”时，一个元件可以被直接地形成在另一元件“上”或者“下”，或者经由其间存在的中间元件被间接地形成在另一元件“上”或者“下”。当元件被称为是在“上”或者“下”时，基于元件能够包括“在元件下”以及“在元件上”。
[0055]在附图中，为了描述的方便和清楚起见，每层的厚度或者尺寸被扩大、省略、或者示意性地图示。而且，每个组成元件的尺寸或者区域没有完全地反映其实际尺寸。
[0056]图1是图示根据第一实施例的发光器件200八的平面视图。图2是沿着图1的部分的平面视图。图3是沿着在图2中示出的发光器件的方向-截取的截面图。
[0057]参考图1至图3，发光器件200八包括多个发光单元100、和被电气地连接两个相邻的发光单元的桥接电极150。
[0058]多个发光单元100可以包括发光二极管，该发光二极管被形成有多个III；族化合物半导体，例如，包括III和V族元素或者II和VI族元素的半导体层。并且发光二极管可以是发射红、蓝、或者绿光的彩色120、白色120、或者—120。可以通过各种材料和组合从120发射的光可以与各种实施例被一起实现。
[0059]衬底110被布置在多个发光单元110下面。多个发光单元110由衬底110支撑并且被布置在衬底上并且被相互隔开。
[0060]衬底110可以是由适合于半导体材料的开发的材料形成。另外，衬底110可以是由具有高的导热性的材料形成并且可以是导电衬底或者绝缘衬底。
[0061]例如，衬底110可以是蓝宝石(八或者包括(?队310、2=0、31、&1？、1成、^1203以及中的至少一个的材料。衬底110可以在上表面上具有粗糙或者不平坦以提高光提取。通过湿法蚀刻或者等离子体加工可以去除在衬底的表面上的杂质。
[0062]多个发光单兀110可以包括发光结构,该发光结构包括第一导电半导体层122、第二导电半导体层126、以及第一导电半导体层122和第二导电半导体层126之间的有源层124 ；和第一导电半导体层122上的第一电极；以及第二导电半导体层126上的第二电极。
[0063]发光结构120可以通过金属有机化学汽相淀积、化学汽相淀积、等离子体增强化学汽相淀积、分子束外延、或者氢化物气相外延等等被形成，但是本公开不限于此。
[0064]第一导电类型半导体层122可以被形成有半导体化合物。可以通过III；族或者1141族化合物半导体等等来实现第一导电类型半导体层122，并且其可以被掺杂有第一导电杂质。
[0065]当第一导电类型半导体层122是型半导体层时，第一导电杂质可以是包括31、66, &1、86, 16的型杂质，但是本公开不限于此。当第一导电类型半导体层122是1)型半导体层时，第一导电杂质可以是包括啦、分、83的￠1型杂质，但是本公开不限于此。
[0066]可以从具有彡X彡1,0彡7彡1，0彡叉+丫彡1)的组成公式的半导体材料中选择第一半导体层122。第一半导体层122可以包括&1、X、II1、八1、八8、或者？中的至少一个。例如，第一半导体层122可以包括(?队1抓、八1队1=(?队八 111^31(^^8、1116^8, ^11116^8, 68？, ^168？,或者 III？中的至少一个。
[0067]第二导电类型半导体层126可以被形成有半导体化合物。通过III；族或者族化合物半导体等等可以实现第一导电类型半导体层126，并且其可以被掺杂有第二导电杂质。
[0068]当第二导电类型半导体层126是？型半导体层时，第二导电杂质可以是包括啦、211, 01、&'、88的？型杂质，但是本公开不限于此。当第二导电类型半导体层126是!1型半导体层时，第二导电杂质可以是包括31、66、811 ? 36、16的II型杂质，但是本公开不限于此。
[0069]可以是从具有彡X彡1,0彡7彡1，0彡叉+丫彡1)的组成公式的半导体材料中选择第二半导体层126。第二半导体层126可以包括&1、X、II1、八1、八8、或者？中的至少一个。例如，第二半导体层126可以包括八 111^31(^^8、1116^8, ^11116^8, 68？, ^168？,或者 III？中的至少一个。
[0070]在下文中，将会描述作为实施例的具有型的第一半导体层122、和具有型的第二半导体层126。
[0071]具有与第二导电类型半导体层126相反的极性的半导体层(未示出)可以被形成在第二导电类型半导体层126上。例如，当第二导电类型半导体层126是1)型半导体层时，II型半导体层可以被形成在第二导电类型半导体层126上。因此，发光结构120可以包括
？-队以及？州-？结结构中的至少一个。
[0072]有源层124可以被布置在第一导电半导体层122和第二导电半导体层126之间。基于在电子和空穴的复合的过程中产生并且通过材料的能带决定的能量有源层124产生光。
[0073]当第一导电半导体层122是!1型半导体层并且第二导电半导体层126是型半导体层时，可以从第一导电半导体层122供应电子并且可以从第二导电半导体层126供应空穴。
[0074]有源层124可以具有单阱结构、多阱结果、量子线结构或者量子点结构。例如，通过使用11(?气体、順3气体、吧气体、以及11?气体有源层124可以被形成以具有多阱结构，但是本公开不限于此。
[0075]当有源层124是多阱结构时，其可以包括从队(^抓/八1(?队
(?八8 (111(?八8)/八1(?八8、或者八1&1？当中选择的包括阱层和阻挡层的一对以上，但是本公开不限于此。阱层可以是由具有比阻挡层带隙低的材料制成。
[0076]缓冲层112可以被布置在发光结构120和衬底110之间。缓冲层112可以用作减少在衬底110和发光结构120之间的晶格常数的差。
[0077]缓冲层112可以是包括III和V族元素的氮化物半导体。例如，缓冲层112可以包括(?队1抓、八1队1^1(?队或者八11抓中的至少一个。
[0078]另外，为了提高第一导电半导体层122的结晶性，未被掺杂的半导体层114可以被插入在衬底110和第一导电半导体层122之间。未被掺杂的半导体层114可以是由与第一导电半导体层122相同的材料形成，或者可以是由不同于第一导电半导体层122的材料形成。与第一半导体层122相比较，未被掺杂的半导体层114具有低导电性，因为未被掺杂的半导体层没有被掺杂有第一导电杂质。在缓冲层112上的未被掺杂的半导体层114接触第一导电半导体层122。与缓冲层112相比较，在比缓冲层112高的生长温度可以生长未被掺杂的半导体层114并且其具有更好的结晶性。
[0079]发光结构120的侧壁可以具有倾斜的表面。当发光结构120的侧壁具有倾斜的表面时，在发光结构120的侧壁和衬底110之间的角可以是钝角。
[0080]发光结构120可以包括暴露第一导电半导体层122的部分的蚀刻区域2。例如，可以通过部分地蚀刻第二半导体层126、有源层124以及第一半导体层122可以暴露第一半导体层122的部分。
[0081]第一电极130可以被布置在第一导电半导体层122的暴露部分上。例如，第一电极130可以被布置在通过蚀刻区域2暴露的第一半导体层122上并且第二电极140可以被布置在没有被蚀刻的第二半导体层126上。第一电极130可以电气地连接到第一导电半导体层122，并且第二电极140可以电气地连接到第二导电半导体层126。
[0082]第一电极130和第二电极140可以包括导电材料，例如，10、0、附、八11、八1、11、？七、^、胃、？^。、!^、或者4中的至少一个并且具有单层或者多层结构。
[0083]在第二电极140被形成之前透明电极层142可以被布置在第二导电半导体层126上。
[0084]在另一实施例中，透明电极层142的部分可以被打开以暴露第二导电半导体层126，并且第二导电半导体层126可以接触第二电极140。
[0085]在其它实施例中，如通过图3所示，透明电极层142可以被布置在第二导电半导体层126和第二电极140之间，并且通过透明电极层142，第二导电半导体层126可以被电气地连接第二电极140。
[0086]透明电极层142可以提高电气特性和与第二电极140的电气接触，并且被形成为层或者具有多个图案。
[0087]透明导电层或者金属可以被选择性地用于导电层130。例如，导电层130可以包括例如，氧化铟锡(110),氧化锡(10)、氧化铟锌(120),氧化铟锡锌(1120),氧化铟铝锌(1八20)、氧化铟镓锌氧化铟镓锡氧化铝锌(八20)、氧化锑锡010)、氧化镓锌(620)、120 氮化物、八 1-(? 2=0(^20)、1=-(? 2110(1620)、2=0、1池、尺咖、附0、尺咖/
或者把中的至少一个透明导电氧化物，但是本公开不限于此。
[0088]桥接电极150被布置在两个相邻的发光单元100之间。通过桥接电极150两个相邻的发光单元100被相互电气地连接。
[0089]如通过图1至图3所示，桥接电极150可以将两个相邻的发光单元100中的一个中的第一电极130继续地连接到两个相邻的发光单元100中的另一个中的第二电极140并且多个发光单元110可以被串联地连接。
[0090]在另一实施例中，如没有被示出，具有两个相邻的发光单元100的相同极性的电极可以被相互连接，并且多个发光单元100可以被并联地连接。
[0091]例如，参考图3，桥接电极150可以将两个相邻的发光单元100中的一个连接到两个相邻的发光单元100中的另一个。
[0092]例如，经由两个相邻的发光单元100的侧面，桥接电极150可以从两个相邻的发光单元100中的一个中的第二电极140被延伸到两个发光单元100中的另一个中的第一电极130。
[0093]桥接电极150可以被形成以包括与第一电极130和第二电极140相同的材料。例如，桥接电极150可以包括导电材料，例如，10、0、附、八11、八丨、!！、？^、^、？、？^!、。、!^、或者
11-中的至少一个并且具有单层或者多层结构。
[0094]绝缘层160被布置在发光结构130的侧面上。绝缘层160可以被布置在发光单元100和桥接电极150之间。
[0095]绝缘层160可以用作电气地绝缘相邻的发光单元100，或者电气地绝缘桥接电极150与发光单元100。可以通过绝缘层160防止在相邻的发光单元100之间的电气短路。可以通过绝缘层160防止在一个发光单元中的第一导电半导体层122和第二导电半导体层126之间的电气短路。
[0096]绝缘层160可以是由非导电氧化层或者氮化层，例如，氧化硅层3102、氧化氮层、或者氧化铝层形成，本公开不限于此。
[0097]桥接电极150的厚度不可以是均匀的。桥接电极150可以具有比第一电极130和第二电极厚的部分。即，桥接电极150的部分可以比第一电极130和第二电极厚。
[0098]桥接电极150可以包括接触两个相邻的发光单元100中的一个中的第一电极130的第一部分151、接触两个相邻的发光单元100中的另一个中的第二电极140的第二部分
152、以及被布置在第一部分151和第二部分152之间的第三部分153。桥接电极150可以进一步包括第四部分154，该第四部分154被布置在两个相邻的发光单元的侧面上以将第一部分151电气地连接到第三部分153或者将第二部分152电气地连接到第三部分153。
[0099]第一部分151可以接触两个相邻的发光单元100中的一个中的第一电极130并且被布置在第一导电半导体层122上。
[0100]第二部分152可以接触两个相邻的发光单元100中的另一个中的第二电极140并且被布置在第二导电半导体层126上。
[0101]第一部分151可以被布置在通过发光结构120的蚀刻区域2暴露的第一导电半导体层122上。第一部分151可以被布置在两个相邻的发光单元100中的一个中的第一电极130和第一导电半导体层122两者上。
[0102]第二部分152可以被布置在两个相邻的发光单元100中的另一个中的第二电极140和第二导电半导体层126上。
[0103]第三部分153可以被布置在两个相邻的发光单元100之间并且被布置在衬底110上。换言之，第三部分153可以被布置在衬底110上的两个相邻的发光单元100之间的空间上。
[0104]第四部分154可以被布置在第一部分151和第三部分153之间的发光单元的侧表面上，并且被布置在第二部分152和第三部分153之间的发光单元的侧表面上。第四部分可以将第一部分151电气地连接到第三部分153并且将第二部分152连接到第三部分153。
[0105]第三部分153的厚度183可以大于第一电极130的厚度或者第二电极140的厚度丁2。桥接电极150的厚度可以不是完全均匀的并且第三部分153的厚度183可以大于第一部分151的厚度或者第二部分152的厚度。
[0106]第四部分154的厚度184可以等于第一部分151的厚度或者第二部分152的厚度丁2，或者小于第一部分151的厚度181或者第二部分152的厚度182。在其它部分151、152以及154当中第三部分153的厚度183可以是最大的。
[0107]在实施例中，桥接电极的至少一部分的厚度可以比第一电极130或者第二电极140的厚度厚以增加桥接电极150的区域。从而其防止发光器件的可靠性的劣化，诸如桥接电极150被在具有狭窄的区域的桥接电极上的电流集中烧焦。
[0108]在另一实施例中，第一部分151的厚度或者第二部分152的厚度可以等于第一电极130的厚度或者第二电极140的厚度。
[0109]第一部分151的高度可以等于第一电极130的高度，并且第二部分152的高度可以等于第二电极140的高度。即，第一部分151可以接触第一电极130并且第一部分151的上表面可以不具有与第一电极130的上表面的台阶。并且第二部分152可以接触第二电极140并且第二部分152的上表面不可以具有与第二电极140的上表面的台阶。
[0110]参考图1，发光单元1002^的第二电极140可以包括第二电极焊盘140？，以确保用于引线结合的区域。例如，发光单元1002^^以被布置在发光单元布置的一个边缘中。类似地，发光单元10022的第一电极130可以包括第一电极焊盘130？，以确保用于引线结合的区域。例如，发光单元10022可以被布置在发光单元布置的另一边缘中。
[0111]图4是根据第二实施例的发光器件的一部分的放大的平面视图。相同的附图标记表示相同的配置并且在上面描述的内容被省略或者概述。沿着方向-截取的截面图等于图3，可以一起参考图3。
[0112]参考图4，发光器件2008可以包括多个发光单元100 ；和桥接电极150，该桥接电极150相互电气地连接两个相邻的发光单元。桥接电极150的厚度可以不是完全均匀的。桥接电极150可以具有比第一电极130或者第二电极140厚的部分。
[0113]桥接电极150可以包括第一部分151，该第一部分151接触两个相邻的发光单元100中的一个中的第一电极130 ；第二部分152，该第二部分152接触两个相邻的发光单元100中的另一个中的第二电极140 ；以及第三部分153，该第三部分153被布置在第一部分151和第二部分152之间。桥接电极150可以进一步包括第四部分154，该第四部分154被布置在两个相邻的发光单元的侧表面上以将第一部分151电气地连接到第三部分153或者将第二部分152电气地连接到第三部分153。
[0114]第三部分153的厚度183可以大于第一电极130的厚度或者第二电极140的厚度丁2。桥接电极150的厚度可以不是完全均匀的并且第三部分153的厚度183可以大于第一部分151的厚度或者第二部分152的厚度丁3。
[0115]第四部分154的厚度184可以等于第一部分151的厚度或者第二部分152的厚度丁2，或者小于第一部分151的厚度I或者第二部分152的厚度1%。在其它部分151、152、以及154当中第三部分153的厚度183可以是最大的。
[0116]第一实施例200八和第二实施例2008之间的不同在于，第二实施例2008中的桥接电极150的宽度大于第一电极130的宽度评1，或者第二电极140的宽度胃2。
[0117]桥接电极150的宽度可以是25 9 III?35 9 III。例如，桥接电极150的宽度可以是30 9111。第一电极130的宽度评1、或者第二电极140的宽度胃2可以是5 ^?10 9爪。例如，第一电极130的宽度II，或者第二电极140的宽度12可以是7 ^ 111，并且第一电极130的宽度II可以小于或者等于第二电极140的宽度12。
[0118]在第二实施例中，桥接电极150的宽度可以大于第一电极130的宽度II或者第二电极140的宽度12，并且从而桥接电极150的区域可以被增加。通过增加桥接电极150的区域，发光器件的可靠性可以被提高并且可以防止桥接电极150的断开。另外，通过增加桥接电极150的宽度\引起的光学吸收可以被最小化，因为桥接电极150被布置在发光单元的边缘区域上。
[0119]图5是根据第三实施例的发光器件的一部分的放大的平面视图。在上面描述的内容被省略或者被概述。沿着方向-截取的图5的截面图等于图3。可以一起参考图3。
[0120]参考图5，发光器件200(:可以包括多个发光单元100和相互电气地连接两个相邻的发光单元的桥接电极150。
[0121]第三实施例200(:和第一实施例200八之间的不同在于，在第三实施例2000中，多个桥接电极150可以被布置在相邻的发光单元之间。例如，两个桥接电极150可以被布置在两个相邻的发光单元100之间并且在两个相邻的发光单元100之间被相互隔开。
[0122]彼此隔开的两个桥接电极150的宽度可以大于第一电极130的宽度或者第二电极140的宽度。
[0123]相互隔开的两个桥接电极150中的每一个的宽度可以是15 0111?25 0111。例如，两个桥接电极150中的每一个的宽度可以是20^111。第一电极130的宽度或者第二电极140的宽度可以与在图4中描述的相同。
[0124]桥接电极150的厚度可以不是完全均匀的。图5中的桥接电极150中的每一个可以具有比第一电极130或者第二电极140厚的部分。
[0125]图5中的桥接电极150中的每一个可以包括接触两个相邻的发光单元100中的一个中的第一电极130的第一部分151、接触两个相邻的发光单元100中的另一个中的第二电极140的第二部分152、以及被布置在第一部分151和第二部分152之间的第三部分153。图5中的桥接电极150中的每一个可以进一步包括第四部分154，该第四部分154被布置在两个相邻的发光单元的侧表面上以将第一部分151电气地连接到第三部分153或者将第二部分152电气地连接到第三部分153。
[0126]图5中的第三部分153的厚度183可以大于第一电极130的厚度或者第二电极140的厚度12。图5中的桥接电极150中的每一个的厚度可以不是完全均匀的并且图5中的第三部分153的厚度183可以大于第一部分151的厚度181或者第二部分152的厚度丁吣
[0127]图5中的第四部分154的厚度184可以等于第一部分151的厚度181或者第二部分152的厚度1%，或者小于第一部分151的厚度I或者第二部分152的厚度1%。在其它部分151、152、以及154当中图5中的第三部分153的厚度183可以是最大的。
[0128]在第三实施例中，通过将图5中的多个桥接电极150布置在两个相邻的发光单元之间可以增加用于桥接电极的总区域。即使桥接电极150中的一个被断开，其它的桥接电极可以相互连接两个相邻的发光单元，并且从而可以提高发光器件的可靠性。另外，通过增加大量的桥接电极引起的光学吸收可以被最小化，因为桥接电极150被布置在发光单元的边缘区域上。
[0129]图6是根据第四实施例的发光器件的一部分的放大的平面视图，并且图7是沿着方向^截取的截面图。在上面描述的内容被省略或者被概述。
[0130]参考图6和图7，发光器件2000可以包括多个发光单元100和被相互电气地连接两个相邻的发光单元的桥接电极150。
[0131]在图6中的桥接电极150的厚度可以不是完全均匀的。图6中的桥接电极150可以具有比第一电极130或者第二电极140厚的部分。
[0132]图7中的桥接电极150可以包括接触两个相邻的发光单元100中的一个中的第一电极130的第一部分151、接触两个相邻的发光单元100中的另一个中的第二电极140的第二部分152、以及被布置在第一部分151和第二部分152之间的第三部分153。桥接电极150可以进一步包括第四部分154，该第四部分154被布置在两个相邻的发光单元的侧表面上以将第一部分151电气地连接到第三部分153或者将第二部分152电气地连接到第三部分 153。
[0133]图7中的第一部分151可以接触两个相邻的发光单元100中的一个中的第一电极130的上表面。即，第一部分151的一部分可以被布置在两个相邻的发光单元100中的一个中的第一导电半导体层122上并且第一部分151的其它部分可以被布置在两个相邻的发光单元100中的一个中的第一电极130上。
[0134]图7中的第二部分152可以接触两个相邻的发光单元100中的另一个中的第二电极140的上表面。即，第二部分152的一部分可以被布置在两个相邻的发光单元100中的另一个中的第二导电半导体层126上并且第二部分152的其它部分可以被布置在两个相邻的发光单元100中的另一个中的第二电极130上。
[0135]图7中的第三部分153的厚度183可以大于第一电极130的厚度或者第二电极140的厚度12。图7中的桥接电极150的厚度可以不是完全均匀的并且图7中的第三部分153的厚度183可以大于第一部分151的厚度181或者第二部分152的厚度1^。
[0136]图7中的第四部分154的厚度184可以等于第一部分151的厚度181或者第二部分152的厚度1%，或者小于第一部分151的厚度I或者第二部分152的厚度1%。在其它部分151、152、以及154当中图7中的第三部分153的厚度183可以是最大的。
[0137]在第四实施例中，接触具有高电阻的发光单元的第一和第二电极130和140的桥接电极150的一部分的区域可以被增加，并且从而防止发光器件的可靠性的劣化，诸如桥接电极150被具有狭窄的区域的桥接电极上的电流集中烧焦。
[0138]图8是沿着方向—截取的根据第五实施例的截面图。在上面描述的内容被省略或者被概述。图8的平面视图等于图6，可以一起参考图6。
[0139]参考图8，发光器件2002可以包括多个发光单元100和相互电气地连接两个相邻的发光单元的桥接电极150。
[0140]图8中的桥接电极150可以包括第一部分151，该第一部分151接触两个相邻的发光单元100中的一个中的第一电极130 ；第二部分152，该第二部分152接触两个相邻的发光单兀100中的另一个中的第二电极140 ；以及第三部分153，该第三部分153被布置在第一部分151和第二部分152之间。
[0141]图8中的桥接电极150可以进一步包括第四部分154，该第四部分154被布置在两个相邻的发光单元的侧表面上以将第一部分151电气地连接到第三部分153或者将第二部分152电气地连接到第三部分153。
[0142]图8中的第一部分151可以接触第一电极130的上表面和第一电极130的至少一个侧面。图8中的第一部分151可以被布置以包围第一电极130。并且图8中的第二部分152可以接触第一电极130的上表面和第二电极140的至少一个侧面。图8中的第二部分152可以被布置以包围第二电极140。
[0143]被布置在第一导电半导体层122上的第一部分151的一部分的厚度11^可以大体上等于被布置在第一电极130上的第一部分151的另一部分的厚度1812。
[0144]被布置在第二导电半导体层126上的第二部分152的一部分的厚度1821可以大体上等于被布置在第二电极140的第二部分152的另一部分的厚度1822。
[0145]图9是沿着方向—截取的根据第六实施例的截面图。在上面描述的内容被省略或者被概述。
[0146]参考图9，发光器件200？可以包括多个发光单元100和相互电气地连接两个相邻的发光单元的桥接电极150。
[0147]钝化层160可以被布置在除了将桥接电极150电气地连接到第一电极130和第二电极140的连接部分之外的发光器件200？的表面上。
[0148]图10是根据第七实施例的发光器件的平面视图，并且图11是图10的部分的放大的平面视图，并且图12是沿着图11的方向88截取的前截面图。在上面描述的内容被省略或者被概述。
[0149]参考图9至图12，发光器件300八可以包括多个发光单元100和相互电气地连接两个相邻的发光单元的桥接电极150。
[0150]衬底110可以被布置在多个发光器件100下面。多个发光单元100可以由衬底110被支撑，并且被相互隔开。
[0151]多个桥接电极150可以被布置在两个相邻的发光单元100之间。多个桥接电极150可以相互电气地连接两个相邻的发光单元100。
[0152]多个桥接电极150可以将两个相邻的发光单元100中的一个中的第一导电半导体层122电气地连接到两个相邻的发光单元100中的另一个中的第二导电半导体层126。
[0153]在第七实施例中，通过将图11中的多个桥接电极150布置在两个相邻的发光单元之间用于桥接电极的总区域可能被增加。即使图11中的桥接电极150中的一个被断开，其它的桥接电极可以相互连接两个相邻的发光单元，并且从而发光器件的可靠性可以被提闻。
[0154]图11中的桥接电极150中的每一个可以包括在两个相邻的发光单元100中的一个中的第一导电半导体层122上的第一部分151、在两个相邻的发光单元100中的另一个中的第二导电半导体层126上的第二部分152、以及在第一部分151和第二部分152之间的第三部分153。图11中的第一部分151可以被布置在通过发光结构120的蚀刻区域暴露的第一导电半导体层122上。
[0155]第三部分153可以被布置在两个相邻的发光单元100之间，并且被布置在衬底上。即，第三部分153可以被布置在衬底110上的两个相邻的发光单元100之间的空间上。
[0156]在第一部分151和第三部分153之间以及在第二部分152和第三部分153之间的桥接电极150的部分可以被布置在发光结构120的侧面上。
[0157]在第七实施例中，在没有额外的第一和第二电极的情况下桥接电极150可以将两个相邻的发光单元100中的一个中的第一导电半导体层122直接地连接到两个相邻的发光单元100中的另一个中的第二导电半导体层126。即，桥接电极150的第一部分151可以接触两个相邻的发光单元100中的一个中的第一导电半导体层122，并且桥接电极150的第二部分152可以接触两个相邻的发光单元100中的另一个中的第二导电半导体层126。
[0158]参考图10，被布置在发光单元布置的一个边缘中的发光单元1002^可以包括在第二导电半导体层126上的第二电极焊盘140？以确保用于引线结合的区域。类似地，被布置在发光单元布置的另一边缘中的发光单元10022可以包括在第一导电半导体层122上的第一电极焊盘130？以确保用于引线结合的区域。
[0159]图13是沿着方向88截取的根据第八实施例的发光器件的截面图。在上面描述的内容被省略或者被概述。图13的平面视图等于图11，可以一起参考图11。
[0160]参考图13，发光器件3008可以包括多个发光单元100和相互电气地连接两个相邻的发光单元的桥接电极150。
[0161]第八实施例3008和第七实施例300八之间的不同在于，第八实施例3008中的桥接电极150的厚度不是完全均匀的。
[0162]图13中的桥接电极150可以包括在两个相邻的发光单元100中的一个中的第一导电半导体层122上的第一部分151、在两个相邻的发光单元100中的另一个中的第二导电半导体层126上的第二部分152、以及在第一部分151和第二部分152之间的第三部分153。
[0163]图13中的桥接电极150可以进一步包括第四部分154，该第四部分154被布置在两个相邻的发光单元的侧面上以将第一部分151电气地连接到第三部分153或者将第二部分152电气地连接到第三部分153。图13中的第一部分151可以被布置在通过发光结构120的蚀刻区域暴露的第一导电半导体层122上。
[0164]图13中的第三部分153可以被布置在两个相邻的发光单元100之间，并且被布置在衬底上。即，第三部分153可以被布置在衬底110上的两个相邻的发光单元100之间的空间上。
[0165]第四部分154可以被布置在第一部分151和第三部分153之间、以及在第二部分152和第三部分153之间的两个相邻的发光单元110的侧面上。第四部分154可以将第一部分151电气地连接到第三部分153并且将第二部分152电气地连接到第三部分153。
[0166]第三部分153的厚度183可以大于第一部分151的厚度1?或者第二部分152的厚度182。第四部分154的厚度184可以等于或者小于第一部分151的厚度181或者第二部分152的厚度182。在其它部分151、152、以及154当中第三部分153的厚度183可以是最大的。
[0167]在第八实施例中，桥接电极150中的至少一部分可以被厚地形成以增加桥接电极150的区域。从而其防止发光器件的可靠性的劣化，诸如桥接电极150被具有狭窄的区域的桥接电极上的电流集中烧焦。
[0168]图14是沿着方向88截取的根据第九实施例的发光器件的截面图。在上面描述的内容被省略或者被概述。图14的平面视图等于图11，可以一起参考图11。
[0169]参考图14，发光器件300(:可以包括多个发光单元100和相互电气地连接两个相邻的发光单元的桥接电极150。
[0170]图14中的桥接电极150可以包括在两个相邻的发光单元100中的一个中的第一导电半导体层122上的第一部分151、两个相邻的发光单元100的另一个中的第二导电半导体层126上的第二部分152、以及在第一部分151和第二部分152之间的第三部分153。
[0171]图14中的桥接电极150可以进一步包括第四部分154，该第四部分154被布置在两个相邻的发光单元的侧面上以将第一部分151电气地连接到第三部分153或者将第二部分152电气地连接到第三部分153。图13中的第一部分151可以被布置在通过发光结构120的蚀刻区域暴露的第一导电半导体层122上。
[0172]第九实施例300(:和第八实施例3008之间的不同在于，第九实施例3000中的第一部分151的厚度I或者第二部分152的厚度I大于第四部分154的厚度1^。
[0173]第九实施例300(:中的第一部分151的厚度181或者第二部分152的厚度182可以小于或者类似于第三部分153的厚度丁⑵。
[0174]在第九实施例中，具有高电阻的连接部分的区域可以被增加，并且从而其防止发光器件的可靠性的劣化。例如，可以防止桥接电极150被具有狭窄的区域的桥接电极上的电流集中烧焦。例如，连接部分可以是在发光单元的第一和第二半导体层122和126与桥接电极150之间的接触区域。
[0175]图15是根据第十实施例的发光器件的平面视图，图16是图15的部分的放大的平面视图，并且图17是沿着方向88截取的图16的截面视图。在上面描述的内容被省略或者被概述。
[0176]参考图15至图17，发光器件3000可以包括多个发光单元100和相互电气地连接两个相邻的发光单元的桥接电极150。
[0177]衬底110可以被布置在多个发光单元100的下面。多个发光单元100可以由衬底110被支撑，并且被相互隔开。桥接电极可以相互电气地连接两个相邻的发光单元100。
[0178]多个桥接电极150可以被布置在两个相邻的发光单元100中的一个中的第一电极130和两个相邻的发光单元100中的另一个中的第二电极140之间，并且被相互隔开。
[0179]图17中的桥接电极150中的每一个可以包括接触两个相邻的发光单元100中的一个中的第一电极130的第一部分151、接触两个相邻的发光单元100中的另一个中的第二电极140的第二部分152、以及被布置在第一部分151和第二部分152之间的第三部分153。
[0180]第一部分151可以被布置在第一导电半导体层122上并且接触两个相邻的发光单元100中的一个中的第一电极130。第二部分152可以被布置在第二导电半导体层126上并且接触两个相邻的发光单元100中的另一个中的第二电极140。第一部分151可以被布置在通过蚀刻区域2暴露的第一半导体层122上。图17中的第三部分153可以被布置在两个相邻的发光单元100之间，并且被布置在衬底上。即，第三部分153可以被布置在衬底110上的两个相邻的发光单元100之间的空间上。
[0181]在图17中的第一部分151和第三部分153之间和在第二部分152和第三部分153之间的桥接电极150的部分可以被布置在发光结构120的侧面上。
[0182]参考图16，第一电极130和第二电极140可以被布置以具有第一长度方向。多个桥接电极150可以具有第二长度方向。例如，第一长度方向可以垂直于第二长度方向。
[0183]具有第二长度方向的多个桥接电极150可以被布置在具有第一长度方向的第一电极130和具有第一长度方向的第二电极140之间。例如，桥接电极150中的每一个的第一部分151可以接触第一电极130，并且桥接电极150中的每一个的第二部分152可以接触第二电极140。
[0184]图17中的第一部分151的厚度可以等于第一电极130的厚度，并且第二部分152的厚度可以等于第二电极140的厚度。
[0185]图17中的第一部分151的高度可以等于第一电极130的高度，并且第二部分152的高度可以等于第二电极140的高度。即，图17中的第一部分151可以接触第一电极130并且第一部分151的上表面可以不具有与第一电极130的上表面的台阶。图17中的第二部分152可以接触第二电极140并且第二部分152的上表面可以不具有与第二电极140的上表面的台阶。
[0186]参考图15，被布置在发光单元布置的一个边缘中的发光单元1002^可以包括在第二导电半导体层126上的第二电极焊盘140？以确保用于引线结合的区域。类似地，被布置在发光单元布置的另一边缘中的发光单元10022可以包括在第一导电半导体层122上的第一电极焊盘130？以确保用于引线结合的区域。
[0187]图18是沿着方向88截取的根据第七实施例的发光器件的截面图。在上面描述的内容被省略或者被概述。图18的平面视图等于图16，可以一起参考图16。
[0188]参考图18，发光器件3002可以包括多个发光单元100和相互电气地连接两个相邻的发光单元的桥接电极150。
[0189]在第^^一实施例3002和第十实施例3000中的不同在于，第^^一实施例3002中的桥接电极的厚度不是完全均匀的。
[0190]图18中的桥接电极150可以包括两个相邻的发光单元100中的一个中的第一导电半导体层122上的第一部分151、两个相邻的发光单元100中的另一个中的第二导电半导体层126上的第二部分152、以及第一部分151和第二部分152之间的第三部分153。
[0191]在图18中的桥接电极150可以进一步包括第四部分154，该第四部分154被布置在两个相邻的发光单元的侧面上以将第一部分151电气地连接到第三部分153或者将第二部分152电气地连接到第三部分153。在图13中的第一部分151可以被布置在通过发光结构120的蚀刻区域暴露的第一导电半导体层122上。
[0192]图18中的第三部分153可以被布置在两个相邻的发光单元100之间，并且被布置在衬底上。即，第三部分153可以被布置在衬底110上的两个相邻的发光单元100之间的空间上。
[0193]图18中的第四部分154可以被布置在第一部分151和第三部分153之间，以及在第二部分152和第三部分153之间的两个相邻的发光单元110的侧面上。第四部分154可以将第一部分151电气地连接到第三部分153并且将第二部分152电气地连接到第三部分
153。
[0194]图18中的第三部分153的厚度183可以大于第一电极130的厚度或者第二电极140的厚度12。图18中的桥接电极的厚度可以不是完全均匀的并且图18中的第三部分153的厚度可以大于第一部分151的厚度1?或者第二部分152的厚度丁82。
[0195]图18中的第四部分154的厚度184可以等于或者小于第一部分151的厚度181或者第二部分152的厚度182。在其它部分151、152、以及154当中第三部分153的厚度183可以是最大的。
[0196]在第^^一实施例中，桥接电极150中的至少一部分可以被厚地形成以增加桥接电极150的区域。从而，其防止发光器件的可靠性的劣化，诸如桥接电极150被具有狭窄的区域的桥接电极上的电流集中烧焦。
[0197]第一部分151的厚度或者第二部分152的厚度可以等于第一电极130的厚度或者第二电极140的厚度。
[0198]第一部分151的高度可以等于第一电极130的高度，并且第二部分152的高度可以等于第二电极140的高度。即，第一部分151可以接触第一电极130并且第一部分151的上表面可以不具有与第一电极130的上表面的台阶。并且第二部分152可以接触第二电极140并且第二部分152的上表面可以不具有与第二电极140的上表面的台阶。
[0199]图19是根据第十二实施例的发光器件400八的截面图。上面描述的内容被省略或者被概述。
[0200]参考图19，粗糙1103可以被形成在衬底110的表面上以通过散射来自发光结构120的光提高光提取。例如，衬底110可以是构图的蓝宝石衬底。粗糙1103可以被附加地形成在相邻的发光单元110之间的衬底110的上表面的一个区域(在下文中，被称为第一区域(31))上。
[0201]被形成在第一区域(31)上的粗糙1103上布置的绝缘层160的一部分可以具有弯曲的表面。弯曲的表面的形状可以等于粗糙1103的外围的形状。
[0202]与衬底110的粗糙1103相对应的粗糙153&可以被形成在位于衬底110的第一区域31中的绝缘层上布置的第三部分153的上表面上。
[0203]第三部分153的粗糙1533可以包括从桥接电极150的第三部分153的上表面突出的多个突出部分。
[0204]第三部分153的厚度183可以大于桥接电极150的第一部分151的厚度或者桥接电极150的第二部分152的厚度。
[0205]第三部分153的厚度183可以小于或者等于第一部分151的厚度和第一厚度的总和。第一厚度可以是缓冲层115、未被掺杂的半导体层114、以及发光结构120的蚀刻区域2的厚度的总和。即，相对于衬底的上表面第三部分153的上表面的高度可以低于或者等于第一部分151的上表面的高度。
[0206]图20是根据第十三实施例的发光器件4008的截面图。在上面描述的内容被省略或者被概述。
[0207]参考图20，被布置在位于衬底110的第一区域31中的绝缘层上的第三部分153可以包括与衬底110的粗糙1103相对应的粗糙1533。第三部分153的粗糙1533可以包括从桥接电极150的第三部分153的上表面突出的多个突出部分。
[0208]第十三实施例4008和第十二实施例400八之间的不同在于，在第十三实施例4008中的第一部分151、第二部分152、以及第三部分153的厚度彼此相等。
[0209]图21图示根据实施例的发光器件封装。
[0210]参考图21，发光器件封装400包括封装主体310，该封装主体310包括腔体；在封装主体上的第一和第二引线框架421和422 ；以及发光器件200或者300，该发光器件200或者300电气地连接第一和第二引线框架421和422 ；以及在封装主体310的腔体中的模制构件440。发光器件200或者300可以被实现成包括被串联或者并联地连接的多个发光单元100的一个芯片。
[0211]封装主体310可以在其上表面处被设置有腔体。腔体的侧壁可以被倾斜。在图21中示出的封装主体310具有腔体，但是本公开不限于此。在另一实施例中，封装主体可以不具有腔体。
[0212]封装主体310具有在其一个侧面区域处带有腔体的结构。在此，腔体的侧壁可以被倾斜。封装主体310可以是由具有优异的绝缘性和导热性的基板，诸如硅基晶圆级封装、硅基板、碳化硅(义^、氮化铝(八爪)等等形成，并且可以具有其中多个基板被堆叠的结构。本公开不限于在上面描述的封装主体310的材料、结构和形状。
[0213]封装主体310可以是由像金属一样的导电材料形成。如果封装主体310是由像金属一样的导电材料形成，则绝缘层(未示出)可以被涂覆在封装主体310的表面上并且防止在第一和第二引线框架421和422之间的电气短路。
[0214]考虑到发光器件200或者300的散热或者安装，第一引线框架421和第二引线框架422被布置在封装主体310的表面上以便被相互电气地隔开。第一引线框架421和第二引线框架422可以将电流供应给发光器件200或者300。第一引线框架421和第二引线框架422可以反射从发光器件200或者300发射的光以增强光提取效率。
[0215]发光器件200或者300被布置在封装主体310、第一引线框架421或者第二引线框架422上。发光器件200或者300被电气地连接到第一引线框架421和第二引线框架422。
[0216]在图21中，第一引线框架421被直接地连接到发光器件200或者300，并且通过布线430第二电极422被连接到发光器件200或者300。通过除了引线结合之外的倒装芯片结合或者管芯结合发光器件200或者300可以被连接到引线框架421和422。
[0217]模制构件440包围并且保护发光器件200或者300。模制构件440可以包括荧光体450，以改变从发光器件200或者300发射的光的波长。
[0218]荧光体450可以包括石榴石荧光体、硅酸盐荧光体、氮化物荧光体、或者氧氮化物荧光体。例如，石榴石荧光体可以是%八15012: (^+)或者1: 0，并且硅酸盐荧光体可以是(&'，83，18,(^)4104:仙2\并且氮化物荧光体可以是包括的
并且氧氮化物荧光体可以是包括310^的凡-,:21^+(04^6)。
[0219]具有第一波长的从发光器件200或者300发射的光可以由荧光体450激励，并且被变成具有第二波长的光，并且可以通过经过透镜(未示出)来改变具有第二波长的光的光学路径。
[0220]根据本实施例的多个发光器件封装的阵列可以被安装在基板上，并且光学构件，诸如导光板、棱镜片、扩散片等等可以被布置在发光器件封装的光学路径上。发光器件封装、基板以及光学构件可以用作背光单元。
[0221]根据其它的实施例，根据上述实施例的发光器件或者发光器件封装可以组成显示设备、指示设备以及照明系统，并且例如，照明系统可以包括灯或者街灯。
[0222]图22图示根据实施例的包括发光器件封装的头灯。参考图22，头灯可以包括发光模块710、反射体720、遮光物730、以及透镜740。
[0223]从发光模块710照射的光被反射在反射体720和遮光物730上，经过透镜740并且朝着汽车主体的前面延伸。发光模块710可以包括被安装在印制电路板上的多个发光器件。
[0224]图23是图示根据一个实施例的包括发光器件封装的显示装置的视图。参考图23，根据本实施例的显示装置800包括底盖810、反射板820，该反射板820被布置在底盖810上；发光模块830和835，该发光模块830和835发射光；导光板840，该导光板840被设置在反射板820的前面以朝着显示装置的前面直射从发光模块发射的光；光学片，该光学片包括被设置在导光板840前面的棱镜片850和860 ；显示面板870，该显示面板870被设置在光学片的前面；图像信号输出电路，该图像信号输出电路被连接到显示面板870并且将图像信号供应给显示面板870 ；以及滤色片880，该滤色片880被设置在显示面板870的前面。底盖810、反射板820、发光模块830和835、导光板840以及光学片可以组成背光单兀。
[0225]发光模块包括被安装在电路基板830上的发光器件封装835。电路基板830可以是？(?等等并且发光器件封装835与在图20中图示的根据实施例的发光器件封装相同。
[0226]底盖810可以容纳显示装置800的组成组件。反射板820可以被提供作为单独的元件，如在附图中所图示，或者可以被涂覆有被设置在导光板840的后表面或者底盖810的前表面上的具有高反射率的材料。
[0227]在此，反射板820可以是由能够以超薄膜的形式起作用的高反射材料制成，并且其示例包括聚对苯二甲酸乙二醇酯⑴价)。
[0228]另外，导光板840可以是由聚甲基丙烯酸甲酯嫩)、聚碳酸酯或者聚乙烯饰)形成。
[0229]使用透光和弹性聚合体，第一棱镜片850被形成在支撑膜的侧面处并且聚合体可以包括具有多个被重复地形成的三维结构的棱镜层。在此，多个图案，如在附图中所图示，可以被提供作为其中突出和凹槽重复地交替的条纹状图案。
[0230]被布置在第二棱镜片860中的支撑膜的一侧上的突出和凹槽的方向可以垂直于被布置在第一棱镜片850中的支撑膜的一侧上的突出和凹槽的方向，使得从发光模块和反射板传输的光可以被均勻地分布在显不面板870的所有方向上。
[0231〕 尽管未不出，扩散片可以被布置在导光板840和第一棱镜片850之间。扩散片可以是由聚酯或者聚碳酸酯材料制成并且最大化通过折射和散射从背光单元入射的光的投射角。并且，扩散片包括包含光扩散体的支撑层；和第一层和第二层，该第一层和第二层被形成在发光表面(第一棱镜片方向)和光入射表面(反射片方向)上并且不具有光扩散体。
[0232]在实施例中，第一棱镜片850和第二棱镜片860组成光学片并且光学片可以是例如，被提供作为微透镜阵列、一个或者多个扩散片和微透镜阵列的组合、或者一个棱镜片和微透镜阵列的组合。
[0233]除了液晶面板860之外，显示面板870可以是液晶面板并且要求光源的其它显示装置可以被布置。
[0234]从上面的描述中显然的是，实施例提供一种发光器件以提高荧光体板的粘附精确度并且防止被热引起的突光体板的变色((118⑶和裂缝。
[0235]虽然已经参考其多个说明性实施例而描述了实施例，但是应当明白，本领域内的技术人员可以设计落在本公开的原理的精神和范围内的多种其他修改和实施例。更具体地，在本公开、附图和所附的权利要求的范围内的主题组合布置的部件部分和/或布置中，各种改变和修改是可能的。除了在部件部分和/或布置中的改变和修改，替代使用也对于本领域内的技术人员是显然的。
【权利要求】
1.一种发光器件，包括: 多个发光单元；和 桥接电极，所述桥接电极电气地连接两个相邻的发光单元， 其中，所述多个发光单元包括: 发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层；第二导电半导体层以及在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间的有源层； 所述第一导电半导体层上的第一电极；以及 所述第二导电半导体层上的第二电极， 其中，所述桥接电极具有比所述第一电极和所述第二电极厚的部分。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述桥接电极的宽度大于第一电极层的宽度或者第二电极层的宽度。
3.根据权利要求1所述的发光器件，所述发光结构包括蚀刻区域，所述蚀刻区域暴露第一半导体层的部分，并且第一电极层被布置在所述第一半导体层的被暴露的部分上。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述桥接电极包括: 第一部分，所述第一部分接触所述两个相邻的发光单元中的一个中的第一电极； 第二部分，所述第二部分接触所述两个相邻的发光单元中的另一个中的第二电极；以及 第三部分，所述第三部分被布置在所述第一部分和所述第二部分之间。
5.根据权利要求4所述的发光器件，其中，在所述第一部分、所述第二部分、以及所述第三部分的厚度当中所述第三部分的厚度是最大的。
6.根据权利要求4所述的发光器件，其中，所述第三部分被布置在所述两个相邻的发光单元之间。
7.根据权利要求4所述的发光器件，其中，所述第一部分的高度等于所述第一电极的高度并且所述第二部分的高度等于所述第二电极的高度。
8.根据权利要求4所述的发光器件，其中，所述桥接电极在数目上是多个。
9.根据权利要求4所述的发光器件，其中，所述第一部分的一部分被布置在所述第一电极上并且所述第二部分的一部分被布置在所述第二电极上。
10.根据权利要求4所述的发光器件，其中，所述桥接电极进一步包括: 第四部分，所述第四部分被布置在所述第一部分和所述第三部分之间以及在所述第二部分和所述第三部分之间， 其中，所述第四部分的厚度小于所述第一部分的厚度、所述第二部分的厚度以及所述第三部分的厚度。
11.一种发光器件，包括: 多个发光单元；和 多个桥接电极，所述多个桥接电极电气地连接两个相邻的发光单元， 其中，所述多个发光单元包括: 发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层；第二导电半导体层以及在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间的有源层； 其中，所述桥接电极将在所述两个相邻的发光单元中的一个中的第一导电半导体层电气地连接到所述两个相邻的发光单元中的另一个中的第二导电半导体层，并且所述多个桥接电极被布置在所述两个相邻的发光单元之间。
12.根据权利要求4所述的发光器件，其中，所述多个发光单元进一步包括: 所述第一导电半导体层上的第一电极；和 所述第二导电半导体层上的第二电极， 其中，所述多个桥接电极被布置在所述两个相邻的发光单元中的一个中的第一电极和在所述两个相邻的发光单元中的另一个中的第二电极之间并且被相互隔开。
13.根据权利要求12所述的发光器件，其中，所述第一电极和所述第二电极具有第一长度方向并且所述多个桥接电极具有与所述第一长度方向不同的第二长度方向。
14.根据权利要求11所述的发光器件，其中，所述多个桥接电极包括: 第一部分，所述第一部分在所述两个相邻的发光单元的一个中的第一导电半导体层上； 第二部分，所述第二部分在所述两个相邻的发光单元中的另一个中的第二导电半导体层上；以及 第三部分，所述第三部分在所述第一部分和所述第二部分之间。
15.根据权利要求14所述的发光器件，其中，在所述第一部分、所述第二部分、以及所述第三部分的厚度当中所述第三部分的厚度是最大的。
16.根据权利要求14所述的发光器件，其中，所述第一部分的厚度或者所述第一部分的厚度等于所述第三部分的厚度。
17.根据权利要求12所述的发光器件，其中，所述桥接电极中的每个的宽度大于第一电极层的宽度或者第二电极层的宽度。
18.根据权利要求14所述的发光器件，进一步包括: 衬底，所述衬底被布置在所述多个桥接电极下面；和 第一粗糙，所述第一粗糙被形成在相邻的发光单元之间的衬底的上表面的一个区域上。
19.根据权利要求18所述的发光器件，其中，所述第三部分被布置在相邻的发光单元之间的衬底的上表面的一个区域上，并且与所述第一粗糙相对应的第二粗糙被形成在所述第三部分的上表面上。
20.根据权利要求18所述的发光器件，其中，所述第三部分的上表面的高度低于或者等于所述第一部分的上表面的高度。
21.根据权利要求11至20中的任一项所述的发光器件，进一步包括:布置在所述发光单元和所述桥接电极之间的绝缘层。
【文档编号】H01L27/15GK104332482SQ201410351833
【公开日】2015年2月4日 申请日期:2014年7月22日 优先权日:2013年7月22日
【发明者】吴沼泳, 崔炳然, 李知桓 申请人:Lg伊诺特有限公司