制造聚酰亚胺基底的方法及制造显示装置的方法
【专利摘要】提供了一种制造聚酰亚胺基底的方法及制造显示装置的方法。将酸溶液提供到玻璃基底，以去除包括在玻璃基底中的第一阳离子，并将包括聚酰胺酸的源溶液提供到玻璃基底。然后，使聚酰胺酸固化，以在玻璃基底上形成聚酰亚胺基底，并将聚酰亚胺基底与玻璃基底分离。
【专利说明】制造聚醜亚胺基底的方法及制造显示装置的方法
【技术领域】
[0001] 本公开涉及一种制造聚醜亚胺基底的方法和一种利用该聚醜亚胺基底制造显示 装置的方法，更具体地说，涉及该样一种制造聚醜亚胺基底的方法和一种利用该聚醜亚胺 基底制造显示装置的方法，其中，通过制造聚醜亚胺基底的方法在玻璃基底上形成聚醜亚 胺基底。
【背景技术】
[0002] 在显示装置之中正在发展包括具有柔性性能的柔性基底的柔性显示装置。柔性显 示装置可W根据用户的需要而柔性地弯曲，W提高使用时显示装置的可携带性和便利性。 柔性基底可包括例如具有薄膜形状的塑料基底和金属基底。具有良好耐热性的聚醜亚胺基 底通常被用作塑料基底。
[0003] 当利用柔性基底制造柔性显示装置时，为了确保柔性基底的平坦性，在诸如玻璃 基底的载体基底上设置柔性基底。然后，对柔性基底执行各种制造工艺并且在柔性基底上 形成像素。将包括在其上形成的像素的柔性基底与载体基底分离。
【发明内容】
[0004] 本发明的示例性实施例提供一种制造聚醜亚胺基底的方法，通过该方法可容易地 制造聚醜亚胺基底。
[0005] 本发明的示例性实施例还提供一种使用聚醜亚胺基底来制造显示装置的方法，通 过该方法可容易地制造显示装置。
[0006] 本发明的示例性实施例提供一种制造聚醜亚胺基底的方法。
[0007] 将酸溶液提供到玻璃基底，W去除包括在玻璃基底中的第一阳离子，并将包括聚 醜胺酸的源溶液提供到玻璃基底。然后，使聚醜胺酸固化，W在玻璃基底上形成聚醜亚胺基 底，并将聚醜亚胺基底与玻璃基底分离。
[0008] 在本发明的示例性实施例中，提供一种制造显示装置的方法。
[0009] 在玻璃基底上形成聚醜亚胺基底，并在聚醜亚胺基底上形成多个像素。将包括在 其上形成的多个像素的聚醜亚胺基底与玻璃基底分离。
[0010] 如下形成聚醜亚胺基底。将酸溶液提供到玻璃基底，W去除包括在玻璃基底中的 第一阳离子，并将包括聚醜胺酸的源溶液提供到玻璃基底。然后，使聚醜胺酸固化。
【专利附图】
【附图说明】
[0011] 从W下结合附图的详细描述能够更详细地理解本发明的示例性实施例，在附图 中：
[0012] 图1A至图1F是示出根据本发明实施例的制造聚醜亚胺基底的方法的图；
[0013] 图2A是图1B中的第一部分在执行渐滤工艺之前的放大图；
[0014] 图2B是图1B中的第一部分在完成渐滤工艺之后的放大图；
[0015] 图2C是示出在完成渐滤工艺之后包括在玻璃基底中的第一阳离子的数量相对于 玻璃基底的深度的曲线图；
[0016] 图3是图1C中的第二部分的放大图；
[0017] 图4A和图4B是示出根据本发明实施例的玻璃基底的表面处理的方法的图；
[0018] 图5A和图5B是示出根据本发明实施例的制造显示装置的方法的图。
【具体实施方式】
[0019] 在下文中，将参照附图详细描述本发明的示例性实施例。W下将参照附图更加详 细地描述本发明的示例性实施例。然而，本发明的示例性实施例可不同的形式来实施 并且不应被解释为限制于该里阐述的示例性实施例。在整个说明书中，同样的标号表示同 样的元件。而且，在附图中，为了清晰起见，可W扩大层和区域的尺寸及相对尺寸。
[0020] 将要理解的是，当层、区域或元件被称为"在"另一层、区域或元件"上"或"W上" 时，它可W直接在另一层、区域或元件上、或者可W存在中间层、区域或元件。如该里所使用 的，术语"和/或"包括相关所列项目中的一项或更多项的任意和所有组合。
[0021] 而且，如该里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数 形式。
[0022] 图1A至图1F是示出根据本发明实施例的制造聚醜亚胺基底的方法的图。
[0023] 参照图1A，对玻璃基底GS执行热处理工艺。通过热处理工艺，包括在玻璃基底GS 中的第一阳离子（图2A中的C1)可向玻璃基底GS的上表面S1移动。根据包括在玻璃基 底GS中的材料，第一阳离子（图2A中的C1)的种类可W变化。在实施例中，玻璃基底GS 可包括例如氧化娃、氧化铅、氧化顿、氧化餓、氧化巧和氧化镇。在该种情况下，第一阳离子 (图2A中的C1)可包括例如铅阳离子、顿阳离子、餓阳离子、巧阳离子、铁阳离子和测阳离子 中的至少一种。
[0024] 在实施例中，将玻璃基底GS置于热处理室中并供W例如福射热HT，从而执行热处 理工艺。或者，在实施例中，对玻璃基底GS的热处理工艺可W通过利用例如包括在用于支 撑玻璃基底GS的支撑构件中的加热构件来执行。
[00巧]例如，在实施例中，热处理工艺的温度可W为约30(TC至约60(TC，更具体地说，热 处理工艺的温度可W为约45(TC至约55(TC。
[0026] 如在本实施例中，当在对玻璃基底GS执行渐滤工艺之前对玻璃基底GS执行热处 理工艺时，第一阳离子（图2A中的C1)在渐滤工艺期间可W更容易地从玻璃基底GS渐滤 出。然而，本发明的示例性实施例不限于热处理工艺的应用。例如，可选地，在实施例中，可 W省略热处理工艺。
[0027] 参照图1B，在对玻璃基底GS执行热处理工艺之后，对玻璃基底GS执行酸处理，从 而执行渐滤工艺。在实施例中，可W通过利用例如设置在玻璃基底GS的上部处的喷射构件 10将酸溶液15提供到玻璃基底GS，并可W执行渐滤工艺。
[0028] 例如，在实施例中，酸溶液15可包括巧樣酸，可执行渐滤工艺约10分钟至约60分 钟，更具体地说，约15分钟至约35分钟。不同在于，当执行渐滤工艺少于约10分钟时，包 括在玻璃基底GS中的第一阳离子（图2A中的C1)的去除效率会是微小的。当执行渐滤工 艺多于约60分钟时，玻璃基底GS会被酸溶液15腐蚀。
[0029] 在实施例中，酸溶液15包括巧樣酸，但本发明的示例性实施例的酸溶液15不限于 此。例如，酸溶液15可包括诸如盐酸或硝酸的另一种酸。随着酸溶液15的酸性增加，渐滤 工艺的处理时间缩短。
[0030] 为了更详细地解释渐滤工艺，除图1B之外还参照图2A、2B和2C。
[0031] 图2A是图1B中的第一部分P1在执行渐滤工艺之前的放大图，图2B是图1B中的 第一部分P1在完成渐滤工艺之后的放大图。图2C是示出完成渐滤工艺之后包括在玻璃基 板中的第一阳离子的数量相对于玻璃基板的深度的曲线图。
[0032] 参照图2A，在对玻璃基板GS执行渐滤工艺之前，玻璃基板GS包括氧化物C0和第 一阳离子C1。氧化物C0可包括例如氧化娃。在实施例中，第一阳离子C1可W是包含在玻 璃基板GS中的杂质，并且第一阳离子C1可包括例如铅阳离子、顿阳离子、餓阳离子、巧阳离 子和铁阳离子中的至少一种。
[003引参照图1B和图2B，当执行渐滤工艺时，将酸溶液15提供到例如玻璃基板GS的上 表面S1，可通过酸溶液15将第一阳离子C1中的位于与上表面S1相邻的第一阳离子C1去 除。当渐滤工艺结束后，第一阳离子C1可W被去除，并且可W在玻璃基板GS中形成空位 VC。
[0034] 在执行渐滤工艺的过程中，酸溶液15被提供至例如玻璃基板GS的上表面S1并且 沿着玻璃基板GS的厚度方向渗透至玻璃基板GS中。当考虑到酸溶液15的渗透方向W及 与通过经由酸溶液15去除第一阳离子C1而产生空位的机理时，如图2C中的第一曲线GI 所示，第一阳离子C1的数量在玻璃基底GS中的上表面S1处最少，并且第一阳离子C1的数 量可随着玻璃基底GS的深度增加而大致增加。由于在本实施例中执行渐滤工艺约10分钟 至约60分钟，所W当玻璃基底GS的深度变为特定值及W上时，第一阳离子C1的数量可W 变得恒定。
[00巧]参照图1C，准备容纳包括第二阳离子的溶液25的容器20,用溶液25浸溃经过渐 滤工艺的玻璃基底GS。然后，通过渐滤工艺形成在玻璃基底GS中的多个空位（图2B中的 VC)可填充有第二阳离子（图3中的C2)。
[0036] 在实施例中，第二阳离子可W是例如镇阳离子。因此，可W通过在溶剂中溶解诸如 氯化镇、葡萄糖酸镇、醋酸镇、巧樣酸镇、漠化镇和硫酸镇的物质来制备溶液25。
[0037] 将参照图3更加详细地描述图1C中示出的工艺。
[003引图3是图1C中的第二部分P2的放大图。
[0039] 参照图3，当用溶液25浸溃玻璃基底GS时，通过渐滤工艺形成在玻璃基底GS中的 多个空位VC可被第二阳离子C2填充。另外，多个空位VC中的大多数空位形成为与玻璃基 底GS的上表面S1相邻。形成为与上表面相邻的多个空位VC可被第二阳离子C2填充，并 且可W对上表面S1执行表面处理工艺。因此，在执行表面处理工艺之后而不是在执行表面 处理工艺之前，可W增加在上表面处的第二阳离子C2的浓度和包括第二阳离子C2的氧化 物的浓度。
[0040] 在实施例中，用溶液25浸溃玻璃基底GS，并且执行表面处理。然而，本发明的示例 性实施例不限于W上描述的表面处理方法。相反，将参照例如也与本发明的示例性实施例 一致的图4A和图4B来解释另一表面处理工艺。
[0041] 图4A和图4B是不出根据本发明实施例的玻璃基板的表面处理方法的图。
[0042] 参照图4A和图4B，在如参照图IB所解释的对玻璃基底执行渐滤工艺之后，在玻璃 基底GS的上表面S1上形成薄膜FM。薄膜FM包括例如第二阳离子（图3中的C2)，在本实 施例中，薄膜FM可包括例如镇或氧化镇。
[0043] 在实施例中，可通过例如利用诸如姗射法和化学气相沉积法的沉积法在玻璃基底 GS上形成薄膜FM。薄膜FM可W形成为例如约10埃至约100埃的厚度。
[0044] 在玻璃基底GS上形成薄膜FM之后，对包括在其上形成的薄膜FM的玻璃基底GS 进行加热。然后，包括在薄膜FM中的第二阳离子（图3中的C2)从玻璃基底GS的上表面 S1扩散至玻璃基底GS中的第一深度D1。通过第二阳离子（图3中的C2)的扩散，可W执 行对玻璃基底GS的上表面S1的表面处理工艺，可W通过表面处理工艺在上表面S1处增加 镇阳离子和氧化镇的浓度。
[0045] 然后，将薄膜FM与玻璃基底GS分离，并可W完成对玻璃基底GS的表面处理工艺。
[0046] 参照图1D、图1E和图3,将包括例如聚醜胺酸的源溶液35提供在逐次经受渐滤工 艺和表面处理工艺的玻璃基底GS上，并形成初始聚醜亚胺层PI-1。在实施例中，可通过利 用例如喷嘴30将源溶液35提供在玻璃基底GS上。然后，将热HT施加到初始聚醜亚胺层 PI-1，W使初始聚醜亚胺层PI-1固化，从而形成聚醜亚胺基底PI。
[0047] 当第二阳离子C2是如上描述的镇阳离子时，并且当初始聚醜亚胺层PI-1形成在 通过表面处理工艺使镇阳离子的浓度在玻璃基底GS的上表面S1处增加的玻璃基底GS上 时，在镇阳离子与聚醜胺酸之间会发生酸碱反应。通过该酸碱反应，形成盐50。盐50形成 在上表面S1上并且处于玻璃基底GS与初始聚醜亚胺层PI-1之间。
[0048] 如上所述，在实施例中，第二阳离子C2会倾向于与聚醜胺酸进行酸碱反应，但诸 如铅阳离子、顿氧离子、餓阳离子、巧阳离子、铁阳离子和测阳离子的第一阳离子C1会倾向 于形成共价键而不是与聚醜胺酸进行酸碱反应。在该种情况下，在上表面S1上产生的盐50 可阻止在第一阳离子C1与聚醜胺酸之间形成共价键，并且可通过盐50来减少与聚醜胺酸 形成共价键的第一阳离子C1的数量。当考虑到聚醜亚胺基底PI与玻璃基底GS之间的结 合力时，该结合力的强度与和聚醜胺酸形成共价键的第一阳离子C1的数量成比例。所W， 聚醜亚胺基底PI与玻璃基底GS之间的结合力会因盐50而降低。
[0049] 参照图1F，将聚醜亚胺基底PI与玻璃基底GS分离，完成聚醜亚胺基底PI的制造。 当将聚醜亚胺基底PI与玻璃基底GS分离时，由于玻璃基底GS与聚醜亚胺基底PI之间的 结合力因盐50而减小，因此可W容易地将聚醜亚胺基底PI与玻璃基底GS分离。
[0050] 不同于本发明的实施例，当没有对玻璃基底GS执行渐滤工艺和表面处理工艺，为 了将聚醜亚胺基底PI与玻璃基底GS分离会需要约72克力/英寸（奸/inch)至约120克 力/英寸的强度。但是，根据本发明的实施例，如下表1中所示，可W减小将聚醜亚胺基底 PI与玻璃基底GS分离可能所需的强度。
[0051] [表 1]
[0052]
【权利要求】
1. 一种制造聚醜亚胺基底的方法，其特征在于，所述方法包括： 将酸溶液提供到玻璃基底，W去除包括在玻璃基底中的第一阳离子； 将包括聚醜胺酸的源溶液提供到玻璃基底； 使聚醜胺酸固化，W在玻璃基底上形成聚醜亚胺基底；W及 将聚醜亚胺基底与玻璃基底分离。
2. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在玻璃基底的上表面上提供酸溶液，其 中，在玻璃基底的上表面上提供聚醜胺酸，W在玻璃基底的上表面上形成聚醜亚胺基底。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，聚醜亚胺基底通过第一结合力与玻璃基 底结合，其中，第一阳离子与包括在源溶液中的材料之间的化学结合度因第一阳离子的去 除而减小，从而使第一结合力减小。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括；在去除第一阳离子之 后，将第二阳离子提供到通过第一阳离子的去除而在玻璃基底中形成的空位， 其中，第二阳离子与包括在源溶液中的材料形成化学键，W在聚醜亚胺基底与玻璃基 底之间产生盐， 其中，第一结合力因盐而减小。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，第一阳离子包括从由铅阳离子、顿阳离 子、餓阳离子、巧阳离子、铁阳离子和测阳离子组成的组中选择的至少一种，其中，第二阳离 子包括镇阳离子。
6. 根据权利要求4所述的方法，其特征在于，用包括第二阳离子的溶液浸溃玻璃基底， 从而在空位中提供第二阳离子。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，用所述溶液将玻璃基底浸溃10分钟至60 分钟。
8. 根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括；在玻璃基底上形成薄 膜， 其中，第二阳离子从薄膜扩散至空位。
9.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括；在去除第一阳离子之 前，对玻璃基底执行热处理， 其中，第一阳离子因热处理而移向玻璃基底的上表面。
10. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，酸溶液包括巧樣酸。
11. 一种制造显示装置的方法，其特征在于，所述方法包括： 在玻璃基底上形成聚醜亚胺基底； 在聚醜亚胺基底上形成多个像素；W及 将包括在其上形成的多个像素的聚醜亚胺基底与玻璃基底分离； 其中，形成聚醜亚胺基底的步骤包括： 将酸溶液提供到玻璃基底，W去除包括在玻璃基底中的第一阳离子； 将包括聚醜胺酸的源溶液提供到玻璃基底；W及 使聚醜胺酸固化。
12. 根据权利要求11所述的方法，其特征在于，在玻璃基底的上表面上提供酸溶液，其 中，在玻璃基底的上表面上提供聚醜胺酸，W在玻璃基底的上表面上形成聚醜亚胺基底。
13. 根据权利要求11所述的方法，其特征在于，聚醜亚胺基底通过第一结合力与玻璃 基底结合，其中，第一阳离子与包括在源溶液中的材料之间的化学结合度因第一阳离子的 去除而减小，从而使第一结合力减小。
14. 根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述方法还包括；在去除第一阳离子之 后，将第二阳离子提供到通过第一阳离子的去除而在玻璃基底中形成的空位， 其中，第二阳离子与包括在源溶液中的材料形成化学键，W在聚醜亚胺基底与玻璃基 底之间产生盐， 其中，第一结合力因盐而减小。
15. 根据权利要求14所述的方法，其特征在于，第一阳离子包括从由铅阳离子、顿阳离 子、餓阳离子、巧阳离子、铁阳离子和测阳离子组成的组中选择的至少一种，其中，第二阳离 子包括镇阳离子。
16. 根据权利要求14所述的方法，其中，用包括第二阳离子的溶液浸溃玻璃基底，从而 在空位中提供第二阳离子。
17. 根据权利要求16所述的方法，其特征在于，用所述溶液将玻璃基底浸溃10分钟至 60分钟。
18. 根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述方法还包括；在玻璃基底上形成薄 膜， 其中，第二阳离子从薄膜扩散至空位。
19. 根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述方法还包括；在去除第一阳离子之 前，对玻璃基底执行热处理， 其中，第一阳离子因热处理而移向玻璃基底的上表面。
20. 根据权利要求11所述的方法，其特征在于，酸溶液包括巧樣酸。
【文档编号】H01L21/027GK104465334SQ201410390615
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年8月8日 优先权日:2013年9月16日
【发明者】哈伊克·哈洽图安, 具贤祐, 金善浩, 金泰雄 申请人:三星显示有限公司