1.一种用于图形化衬底的掩膜，其特征在于，所述掩膜上刻有图形化衬底用的图形，以实现所述掩膜被划分成多个微单元，每个所述微单元的侧壁和底面之间的倾斜角度为锐角，以使在工艺参数为：腔室压力范围在2～3mT；上电极功率范围在1800～2200W；下电极功率范围在100～500W；刻蚀气体包括BCl3和CHF3，刻蚀气体的气流量范围在60～150sccm的主刻蚀工艺环境下，所述微单元的底宽在主刻蚀步骤进行10分钟之内就开始收缩，从而降低图形化衬底工艺过程中侧壁上拐角的最高高度；每个所述微单元的侧壁为曲面。
2.根据权利要求1所述的用于图形化衬底的掩膜，其特征在于，所述倾斜角度的范围在60°～85°。
3.根据权利要求2所述的用于图形化衬底的掩膜，其特征在于，所述倾斜角度的范围在65°～80°。
4.根据权利要求1所述的用于图形化衬底的掩膜，其特征在于，每个所述微单元的纵切面的形状为梯形或三角形。
5.根据权利要求1所述的用于图形化衬底的掩膜，其特征在于，所述掩膜采用光刻工艺制成。
6.根据权利要求1所述的用于图形化衬底的掩膜，其特征在于，所述掩膜采用压印工艺制成。
7.根据权利要求1所述的用于图形化衬底的掩膜，其特征在于，所述掩膜包括光刻胶掩膜。