一种阵列基板和显示面板的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供了一种阵列基板和显示面板，用于将太阳能电池结构的制作与OLED的制作结合在一起，实现太阳能技术与OLED显示技术的结合，以解决现有技术中因太阳能结构与OLED结构独立存在而引起的制作工艺复杂，生产成本较高的问题；所述阵列基板包括衬底基板、扫描线、数据线薄膜晶体管、公共电极和像素电极，所述阵列基板还包括：用于提供背光源的发光结构、太阳能电池结构和电源输出线；所述发光结构设置在所述公共电极和像素电极之间；所述太阳能电池结构设置在所述衬底基板和公共电极之间；所述电源输出线与所述公共电极同层设置，并且与所述太阳能电池结构电连接，将所述太阳能电池结构产生的电能传输给外电路。
【专利说明】一种阵列基板和显不面板
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及液晶显示【技术领域】，尤其涉及一种阵列基板和显示面板。
【背景技术】
[0002]相比于传统的液晶显示(Liquid Crystal Display, LCD)装置,有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode, 0LED)显示装置不需要背光模组,而是采用非常薄的发光结构和玻璃基板制作得到，一般的，所述发光结构包括发光材料层、电子传输层和空穴传输层，电子传输层和空穴传输层分别设置在所述发光材料层的上侧和下侧，当有电流通过发光材料层时，所述发光结构就会发光。由于OLED显示装置省去了背光模组，因此OLED显示装置可以做得更轻、更薄，可视角度更大，并且能够显著节省电能，因此OLED显示装置日益得到了普及。
[0003]同时，随着光伏技术的发展，太阳能电池由于不受资源环境限制，无环保污染问题，弱光性也能发光，透光性强，发电时间长，产业链条短，成本低，回收期短，受温度变化影响小，应用领域广，所以成为太阳能电池发展的主流已经得到世界范围内的认同。
[0004]目前，在利用太阳能电池供电的OLED显示装置中，太阳能电池和OLED显示部分通常是独立的两部分，所以太阳能电池的制作过程与OLED显示装置的制作过程是分别进行的；由于OLED显示装置的制作工艺和太阳能电池的制作工艺都需要多次构图工艺，使得利用太阳能电池供电的OLED显示装置的制作比较复杂；并且，由于构图工艺的增多，也使得利用太阳能电池供电的OLED显示装置的生产成本增加。
实用新型内容
[0005]本实用新型实施例提供了一种阵列基板和显示面板，用于将太阳能电池结构的制作过程与OLED的制作过程结合在一起，实现太阳能技术与OLED显示技术的结合，以解决现有技术中因太阳能结构与OLED结构独立存在而引起的制作工艺复杂，生产成本较高的问题。
[0006]本实用新型实施例提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括衬底基板、在所述衬底基板上交叉布置的扫描线、数据线以及由所述扫描线和数据线划分出的呈矩阵排列的像素单元，所述像素单元内设置有薄膜晶体管、公共电极和像素电极，其中，所述薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极；所述阵列基板还包括:用于提供背光源的发光结构、太阳能电池结构和电源输出线；其中，所述发光结构设置在所述公共电极和像素电极之间；所述太阳能电池结构设置在所述衬底基板和公共电极之间；所述电源输出线与公共电极同层设置，并且与所述太阳能电池结构电连接，将所述太阳能电池结构产生的电能传输给外电路。
[0007]本实用新型实施例提供的阵列基板中，包括:用于提供背光源的发光结构、太阳能电池结构和电源输出线，其中，所述发光结构设置在所述公共电极和像素电极之间；所述太阳能电池结构设置在所述衬底基板和公共电极之间；所述电源输出线与所述公共电极同层设置，并且与所述太阳能电池结构电连接，将所述太阳能电池结构产生的电能传输给外电路，实现了太阳能技术与OLED显示技术的结合；通过所述太阳能电池结构，能够产生电能并传给外电路，外电路对接收的电能进行存储，然后提供给所述阵列基板，使得该阵列基板无需外接电源；并且，所述阵列基板中，由于所述电源输出线与所述公共电极同层设置，因此所述电源输出线可以与所述公共电极通过一次构图工艺形成，简化了制作工艺，降低了生产成本，同时还减少了工艺制作时间。
[0008]较佳的，所述发光结构包括:相对设置的阳极和阴极，以及设置在所述阳极与阴极之间的发光材料层；其中，所述阴极由位于所述发光结构的下方的公共电极来充当。
[0009]较佳的，所述薄膜晶体管为底栅薄膜晶体管；其中，所述栅极与所述太阳能电池结构同层设置；所述栅绝缘层位于所述栅极和太阳能电池结构所在层的上方，覆盖所述栅极和所述太阳能电池结构。所述太阳能电池结构位于衬底基板上，有利于所述太阳能电池结构接收外部光的照射，提高光的利用率，提高太阳能电池结构的工作效率。
[0010]较佳的，所述阵列基板还包括设置在所述有源层上方、所述源极和漏极所在层下方的阻挡层。所述阻挡层用于保护有源层不被过度刻蚀。
[0011]较佳的，所述阻挡层中对应所述源极和漏极的位置分别设置有第一过孔和第二过孔；其中，所述源极通过所述第一过孔与所述有源层电连接，所述漏极通过所述第二过孔与所述有源层电连接；
[0012]所述阻挡层和栅绝缘层中对应所述电源输出线的位置设置有第三过孔，所述正电极通过所述第三过孔与所述电源输出线电连接。
[0013]较佳的，所述薄膜晶体管为顶栅薄膜晶体管；其中，所述有源层与所述太阳能电池结构同层设置。由于所述有源层与所述太阳能电池结构同层设置，因此在制作过程中，可以通过一次构图工艺形成有源层和太阳能电池结构的本征硅材料层，有利于制作工艺，降低生产成本。
[0014]较佳的，所述阵列基板还包括设置在所述源极和漏极所在层的上方、有源层的下方的阻挡层；所述阻挡层用于保护所述源极和漏极不被过度刻蚀。
[0015]较佳的，所述阻挡层中与所述源极和漏极相对应的位置分别设置有第一过孔和第二过孔；其中，所述源极通过所述第一过孔与有源层电连接，所述漏极通过所述第二过孔与所述有源层电连接；
[0016]所述阻挡层中与所述电源输出线相对应的位置设置有第四过孔，所述正电极通过所述第四过孔与所述电源输出线电连接。
[0017]较佳的，所述阵列基板还包括位于薄膜晶体管上方的钝化层，防止薄膜晶体管被腐蚀。
[0018]本实用新型实施例提供了一种显示面板，所述显示面板包括上述的阵列基板。
【专利附图】
【附图说明】
[0019]图1为本实用新型实施例一提供的一种阵列基板的平面结构示意图；
[0020]图2为沿图1中虚线A-B方向的阵列基板的剖面结构示意图；
[0021]图3为发光结构的剖面结构示意图；
[0022]图4本实用新型实施例二提供的一种阵列基板的平面结构示意图；[0023]图5-12为本实用新型实施例一提供的阵列基板的制作流程示意图；
[0024]图13-23为本实用新型实施例二提供的阵列基板的制作流程示意图。
【具体实施方式】
[0025]本实用新型实施例提供了一种阵列基板和显示面板，用于将太阳能电池结构的制作与OLED的制作结合在一起，实现太阳能技术与OLED显示技术的结合，以解决现有技术中因太阳能结构与OLED结构独立存在而引起的制作工艺复杂，生产成本较高的问题。
[0026]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0027]本实用新型实施例一提供的一种阵列基板，参见图1和图2，图1为本实用新型实施例一提供的阵列基板的平面结构示意图，图2为沿图1中A-B方向的阵列基板的剖面结构不意图；从图1和图2中可以看出，所述阵列基板包括衬底基板11，在所述衬底基板11上交叉布置的扫描线12、数据线13以及由所述扫描线12和数据线13划分出的呈矩阵排列的像素单元，所述像素单元内设置有薄膜晶体管15、公共电极16和像素电极17，其中，所述薄膜晶体管15包括栅极151、栅绝缘层152、有源层153、源极154和漏极155 ;所述阵列基板还包括:用于提供背光源的发光结构18、太阳能电池结构19和电源输出线20 ;其中，所述发光结构18设置在所述公共电极16和像素电极17之间；所述太阳能电池结构19设置在所述衬底基板11和公共电极16之间；所述电源输出线20与所述公共电极16同层设置，并且与所述太阳能电池结构19电连接，将所述太阳能电池结构19产生的电能传输给外电路；并且，由于所述电源输出线20与公共电极16同层设置，因此在制作过程中可以通过一次构图工艺形成所述电源输出线20与公共电极16，有利于制作工艺，降低生产成本。
[0028]参见图3，所述发光结构18包括:相对设置的阳极32和阴极，以及设置在所述阳极32与阴极之间的发光材料层31 ;其中，所述阴极由位于所述发光结构的下方的公共电极来充当；所述公共电极16位于所述发光结构的下方，充当所述发光结构18的阴极，有利于减少制作工艺，降低生产成本。所述阳极32和用于充当发光结构的阴极的公共电极16共同用于向所述发光结构提供驱动电压，使得所述发光结构产生白光。
[0029]此外，所述发光结构18还包括:
[0030]电子传输层33,其位于所述公共电极16与所述发光材料层31之间,用于将电子导入到发光材料层31 ；
[0031]空穴传输层34，其位于所述发光材料层31与所述阳极32之间，用于将空穴导入到发光材料层31 ；
[0032]第一阻挡层35，其位于所述电子传输层33与所述发光材料层31之间，用于阻挡空穴传输到所述公共电极16 ；
[0033]第二阻挡层36，其位于所述空穴传输层34与所述发光材料层31之间，用于阻挡电子传输到所述阳极32。
[0034]所述发光材料层31包括:位于所述第一阻挡层35上方的橙色磷光层31a，位于所述橙色磷光层31a上方的蓝色荧光层31b，以及位于所述蓝色荧光层31b上方的绿色磷光层31c0
[0035]所述发光结构18的工作时，从所述公共电极16注入电子，从所述阳极32注入空穴，电子通过所述电子传输层33导入到发光材料层31中，空穴通过所述空穴传输层34导入到发光材料层31中，电子和空穴在所述发光材料层31中复合，形成单重态激子和三重态激子，所述单重态激子和三重态激子由激发态向基态跃迁的过程中，其能量以光子和热能的方式释放，其中，部分光子被用作背光源，为实现图像的显示提供光线；具体的，在蓝色荧光层31b中，单重态的激子由激发态向基态跃迁时，发出蓝色的荧光，在橙色磷光层31a和绿色磷光层31c中，三重态的激子由基态向激发态跃迁时，发出绿色磷光和橙色磷光，所述蓝色突光与绿色磷光、橙色磷光复合，形成白光。
[0036]进一步的，所述太阳能电池结构19包括:相对设置的正电极191和负电极192，设置在正电极191和负电极192之间的本征硅材料层193，设置在正电极191与本征硅材料层193之间的P型硅材料层194，以及设置在负电极192与本征硅材料层193之间的η型硅材料层195 ；
[0037]所述太阳能电池结构19中,P型娃材料层194与η型娃材料层195形成PN结；当所述太阳能电池结构19受到光照后，在所述PN结中，η型硅材料层195的空穴向ρ型硅材料层194移动,而ρ型娃材料层194的电子向η型娃材料层195移动,从而形成由η型娃材料层195到ρ型硅材料层194的电流，然后在PN结中形成电势，通过正电极191和负电极192与外电路连接，形成回路。
[0038]进一步的，所述薄膜晶体管15为底栅薄膜晶体管，具体的:
[0039]所述栅极151与扫描线12同层设置，均位于所述衬底基板11的上方，所述扫描线12用于向所述栅极151提供扫描信号；并且所述栅极151与所述扫描线12采用相同的制作材料，所用制作材料一般为铬(Cr)、钨(W)、钛(Ti)、钥(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)等非透明金属及其合金；
[0040]所述栅绝缘层152位于所述栅极151与扫描线12所在层的上方，覆盖所述栅极151与扫描线12的上方区域，用于将所述栅极151与扫描线12与其它层绝缘；所述栅绝缘层采用氧化硅或氮化硅等透明绝缘材料形成；
[0041]所述有源层153位于所述栅绝缘层152的上方，采用铟镓锌氧化物或其他过渡金属氧化物形成；此外，所述有源层153还可以采用非晶硅材料或多晶硅材料形成，但是在该实施例中，为减小漏电流的产生，较佳的还应采用铟镓锌氧化物或其他过渡金属氧化物形成；
[0042]所述源极154和漏极155与数据线13同层设置，均位于所述有源层153所在层的上方，且采用相同的制作材料，所用制作材料一般为非透明的金属材料或其合金；
[0043]所述数据线13与所述源极154电连接；
[0044]上述薄膜晶体管15中，所述栅极151与所述太阳能电池结构19同层设置；所述栅绝缘层152位于所述栅极151和太阳能电池结构19所在层的上方，覆盖所述栅极151和所述太阳能电池结构19，有利于所述太阳能电池结构接收外部光的照射，提高光的利用率，提高太阳能电池结构的工作效率。
[0045]进一步的，所述阵列基板还包括设置在所述有源层153的上方、所述源极154和漏极155所在层的下方的阻挡层21。所述阻挡层21用于保护有源层153不被过度刻蚀；所述阻挡层采用氧化硅或氮化硅等透明绝缘材料；
[0046]所述阻挡层21中对应所述源极154和漏极155的位置分别设置有第一过孔211和第二过孔212 ;其中，所述源极154通过所述第一过孔211与所述有源层153电连接，所述漏极155通过所述第二过孔212与所述有源层153电连接；
[0047]所述阻挡层21和栅绝缘层152中对应所述电源输出线20的位置设置有第三过孔213，所述正电极191通过所述第三过孔213与所述电源输出线20电连接。
[0048]进一步的，所述阵列基板还包括钝化层22，所述钝化层22设置在所述源极154和漏极155所在层的上方，覆盖薄膜晶体管15的上方区域，用于保护薄膜晶体管不被腐蚀；并且，所述钝化层22中与漏极155对应的位置设置有第五过孔215，通过所述第五过孔215使得所述像素电极17与所述漏极155电连接。
[0049]本实用新型实施二提供了另一种阵列基板，参见图4，所述阵列基板的结构与实施例一提供的阵列基板结构基本相同，两者不同之处在于，实施例二提供的阵列基板中，所述薄膜晶体管15为顶栅薄膜晶体管，所述太阳能电池结构19位于阻挡层21的上方、栅绝缘层152的下方，与所述有源层153同层设置；具体的:
[0050]所述源极154和漏极155位于所述衬底基板11的上方，且所述源极154和漏极155同层设置；
[0051]所述有源层153位于所述源极154和漏极155所在层的上方，一般采用单晶硅或多晶硅等半导体材料；由于所述有源层153与所述太阳能电池结构19同层设置，因此在制作过程中，可以通过一次构图工艺形成有源层和太阳能电池结构的本征硅材料层，有利于减少制作工艺，降低生产成本；
[0052]所述栅绝缘层152位于所述有源层153的上方，覆盖所述有源层153，使得所述有源层153与所述栅极151绝缘；
[0053]所述栅极151位于所述栅绝缘层152的上方。
[0054]此外，所述阻挡层21位于所述源极154和漏极155所在层的上方、所述有源层153的下方，用于保护所述源极和漏极不被过度刻蚀；所述阻挡层21中对应所述源极154和漏极155的位置分别设置有第一过孔211和第二过孔212 ;其中，所述源极154通过所述第一过孔211与所述有源层153电连接，所述漏极155通过所述第二过孔212与所述有源层153电连接；
[0055]所述阻挡层21中对应所述电源输出线20的位置设置有第四过孔214，所述正电极191通过所述第四过孔214与所述电源输出线20电连接。
[0056]所述钝化层22和阻挡层21中与所述漏极155对应的位置设置有第六过孔216，通过所述第六过孔216使得所述像素电极17与所述漏极155电连接。
[0057]本实用新型实施例一和二提供的阵列基板中，包括用于提供背光源的发光结构、太阳能电池结构和电源输出线，其中，所述发光结构设置在所述公共电极和像素电极之间；所述太阳能电池结构设置在所述衬底基板和公共电极之间；所述电源输出线与所述公共电极同层设置，并且与所述太阳能电池结构电连接，将所述太阳能电池结构产生的电能传输给外电路，实现了太阳能技术与OLED显示技术的结合；通过所述太阳能电池结构，能够产生电能并传给外电路，外电路对接收的电能进行存储，然后提供给所述阵列基板，使得该阵列基板无需外接电源；并且，所述阵列基板中，由于所述电源输出线与所述公共电极同层设置，因此所述电源输出线可以与所述公共电极通过一次构图工艺形成，简化了制作工艺，降低了生产成本，同时还减少了工艺制作时间。
[0058]本实用新型实施例三提供了一种阵列基板的制备方法，所述方法包括形成扫描线、数据线、公共电极、像素电极和薄膜晶体管的步骤，形成薄膜晶体管的步骤包括形成栅极、栅绝缘层、源极、漏极和有源层的步骤，所述公共电极、像素电极和薄膜晶体管均形成在由所述扫描线和所述数据线围成的多个像素区域内；所述方法还包括在衬底基板的上方形成发光结构、太阳能电池结构和电源输出线的步骤；其中，所述发光结构设置在所述公共电极和像素电极之间；所述太阳能电池结构设置在所述阵列基板和公共电极之间；所述电源输出线与所述公共电极同层设置，并且与所述太阳能电池结构电连接，将所述太阳能电池结构产生的电能传输给外电路。
[0059]下面以本实用新型实施一提供的阵列基板为例，详细介绍实际制作工艺中，所述阵列基板的制备方法，该方法具体包括:
[0060]第一步，参见图5，在所述衬底基板11上沉积一层金属薄膜，然后通过构图工艺处理，形成包括栅极151的图形，所述用于形成金属薄膜的材料为Cr、W、T1、Ta、Mo、Al、Cu等非透明金属及其合金。
[0061]第二步，参见图6，在衬底基板的上方形成包括太阳能电池结构19的图形，所述太阳能电池结构19与所述栅极151同层绝缘设置；该步骤具体包括:
[0062]在衬底基板11上依次沉积第一透明导电材料层、P型娃材料层、本征娃材料、η型硅材料层和第二透明导电材料层，然后通过构图工艺，依次形成太阳能电池结构19的负电极192、ρ型硅材料层194、本征硅材料层193、η型硅材料层195和正电极191。
[0063]第三步，参见图7，在所述包括太阳能电池结构19的图形的上方沉积氮化硅或氧化硅层，形成栅绝缘层152。
[0064]第四步，参见图8，在所述栅绝缘层152的上方沉积半导体材料，然后通过构图工艺形成包括有源层153的图形，其中，所述半导体材料可以为多晶硅半导体材料、非晶硅半导体材料或者金属氧化物半导体材料。
[0065]第五步，参见图9，在所述包括有源层153的图形的上方沉积氮化硅或氧化硅层，形成阻挡层21 ;并通过构图工艺，在阻挡层中对应源极154和漏极155的位置分别形成第一过孔211和第二过孔212，以及与所述电源输出线相对应的、贯穿所述阻挡层21和栅绝缘层152的第三过孔213。
[0066]第六步，参见图10，在所述阻挡层的上方沉积一层金属薄膜，然后通过构图工艺处理，形成包括源极154、漏极155、公共电极16和电源输出线20的图形；其中所述源极154通过所述第一过孔211与有源层153电连接，所述漏极155通过所述第二过孔212与有源层153电连接，所述电源输出线20通过所述第三过孔213与太阳能电池结构19电连接。
[0067]第七步，参见图11，在所述包括源极154、漏极155、公共电极16和电源输出线20的图形的上方形成包括发光结构18的图形；该步骤具体包括:在所述包括源极154、漏极155、公共电极16和电源输出线20的图形的上方形成包括发光结构18的图形的上方涂发光材料层和透明导电材料层，然后通过构图工艺形成发光结构的发光材料层和阳极，所述公共电极16用于充当所述发光结构18的阴极。
[0068]第八步，参见图12，在所述薄膜晶体管的上方形成沉积氮化硅或氧化硅层，形成钝化层22，用于保护薄膜晶体管不被腐蚀；并且，利用构图工艺在该钝化层22中形成第五过孔215，所述第五过孔215贯穿所述钝化层、与漏极155的位置相对应。
[0069]第九步，参见图2，在所述钝化层22的上方使用磁控溅射法沉积一层氧化铟锡透明导电薄膜，并通过构图工艺，形成包括像素电极17的图形，所述像素电极17与所述漏极155通过所述第五过孔215电连接，所述第五过孔215中填充有用于制作像素电极17的透明导电材料。
[0070]经过上述步骤，即形成本实用新型实施例一提供的、剖面结构如图2所示的阵列基板。
[0071]需指出的是，在上述制备阵列基板的过程中，也可先形成包括像素电极17的图形，然后再形成钝化层22。
[0072]对于本实用新型实施例二提供的阵列基板，其制备方法与制备实施例一提供的阵列基板的方法类似，该阵列基板的具体制备方法包括:
[0073]第一步，参见图13，在所述衬底基板11上沉积一层金属薄膜，然后通过构图工艺处理，形成包括源极154和漏极155的图形，所述用于形成金属薄膜的材料为Cr、W、T1、Ta、Mo、Al、Cu等非透明金属及其合金。
[0074]第二步，参见图14，在所述包括源极154和漏极155的图形的上方沉积氮化硅或氧化硅层，形成阻挡层21 ;并通过构图工艺，在阻挡层中对应源极154和漏极155的位置分别形成第一过孔211和第二过孔212，通过所述第一过孔211使得有源层153与源极154电连接，通过所述第二过孔使得有源层153与所述漏极155电连接。
[0075]第三步，参见图15，在所述阻挡层21的上方沉积依次透明导电材料和η型硅材料，并通过构图工艺形成包括太阳能电池结构19的负电极192和η型娃材料层195的图形。
[0076]第四步，参见图16，在所述包括太阳能电池结构19的η型硅材料层的图形的上方沉积本征硅材料，并通过构图工艺形成包括有源层153和太阳能电池结构19的本征硅材料层的图形，以及在本征硅材料层上方沉积一层金属薄膜，形成所述太阳能电池结构的正电极 191。
[0077]第五步，参见图17，在所述包括有源层153和太阳能电池结构19的本征硅材料层的图形的上方沉积氮化硅或氧化硅层，形成栅绝缘层152。
[0078]第六步，参见图18，在所述栅绝缘层152的上方沉积一层金属薄膜，然后通过构图工艺处理，形成包括栅极151的图形，所述用于形成金属薄膜的材料为Cr、W、T1、Ta、Mo、Al、Cu等非透明金属及其合金。
[0079]第七步，参见图19，采用离子注射的方式，使用PH3对有源层中与源极和漏极相对应的位置进行掺杂，增大载流子的浓度；并对太阳能电池结构19中的本征层硅材料进行掺杂，以形成太阳能电池结构19的本征硅材料层和ρ型硅材料层。
[0080]第八步，参见图20，通过构图工艺，在所述栅绝缘层152中与所述电源输出线20相对应的位置形成第四过孔214，通过所述第四过孔214电源输出线20与太阳能电池结构19电连接；以及，在所述栅绝缘层152和阻挡层21中与漏极155对应的位置形成过孔。
[0081]第九步，参见图21，在所述包括栅极151的图形的上方沉积一层金属薄膜，然后通过构图工艺形成包括公共电极16和电源输出线20的图形。
[0082]第十步，参见图22，在所述包括公共电极16和电源输出线20的图形的上方形成包括发光结构18的图形；该步骤具体包括:在所述包括公共电极16和电源输出线20的图形的上方沉积发光材料层和透明导电材料层，然后通过构图工艺形成发光结构的发光材料层和阳极；所述公共电极16用于充当所述发光结构18的阴极。
[0083]第^^一步，参见图23，在所述包括发光结构18的图形的上方沉积氮化硅或氧化硅等透明绝缘材料，形成钝化层22 ;并通过构图工艺，使得所述栅绝缘层152和阻挡层21中与漏极155对应的位置形成过孔贯穿所述钝化层，形成贯穿钝化层22、栅绝缘层152和阻挡层21的第六过孔216。
[0084]第十二步，参见图4，在所述钝化层22的上方使用磁控溅射法沉积一层氧化铟锡透明导电薄膜，并通过构图工艺，形成包括像素电极17的图形，所述像素电极17与所述漏极155通过所述第六过孔216电连接，所述第六过孔216中填充有用于制作公共电极的金属导电材料和用于制作像素电极的透明导电材料。
[0085]经过上述步骤，即形成本实用新型实施例二提供的、剖面结构如图4所示的阵列基板。
[0086]本实用新型实施例还提供了一种显示面板，所述显示面板包括上述的阵列基板。
[0087]综上，本实用新型实施例提供了一种阵列基板和显示面板；所述阵列基板包括发光结构、太阳能电池结构和电源输出线，其中，所述发光结构设置在所述公共电极和像素电极之间；所述太阳能电池结构设置在所述衬底基板和公共电极之间；所述电源输出线与所述公共电极同层设置，并且与所述太阳能电池结构电连接，将所述太阳能电池结构产生的电能传输给外电路， 实现了太阳能技术与OLED显示技术的结合，通过所述太阳能电池结构，能够产生电能并传给外电路，外电路对接收的电能进行存储，然后提供给所述阵列基板，使得该阵列基板无需外接电源；并且，所述阵列基板中，由于所述电源输出线与所述公共电极同层设置，因此所述电源输出线可以与所述公共电极通过一次构图工艺形成，简化了制作工艺，降低了生产成本，同时还减少了工艺制作时间。
[0088]显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。
【权利要求】
1.一种阵列基板，所述阵列基板包括衬底基板、在所述衬底基板上交叉布置的扫描线、数据线以及由所述扫描线和数据线划分出的呈矩阵排列的像素单元，所述像素单元内设置有薄膜晶体管、公共电极和像素电极，其中，所述薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极；其特征在于，所述阵列基板还包括:用于提供背光源的发光结构、太阳能电池结构和电源输出线；其中， 所述发光结构设置在所述公共电极和像素电极之间； 所述太阳能电池结构设置在所述衬底基板和公共电极之间； 所述电源输出线与所述公共电极同层设置，并且与所述太阳能电池结构电连接，将所述太阳能电池结构产生的电能传输给外电路。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述发光结构包括:相对设置的阳极和阴极，以及设置在所述阳极与阴极之间的发光材料层；其中，所述阴极由位于所述发光结构下方的公共电极来充当。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管为底栅薄膜晶体管；其中，所述栅极与所述太阳能电池结构同层设置；所述栅绝缘层位于所述栅极和太阳能电池结构所在层的上方，覆盖所述栅极和所述太阳能电池结构。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括设置在所述有源层上方、所述源极和漏极所在层下方的阻挡层。
5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述阻挡层中对应所述源极和漏极的位置分别设置有第一过孔和第二过孔；其中，所述源极通过所述第一过孔与所述有源层电连接，所述漏极通过所述第二过孔与所述有源层电连接； 所述阻挡层和栅绝缘层中对应所述电源输出线的位置设置有第三过孔，所述正电极通过所述第三过孔与所述电源输出线电连接。
6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管为顶栅薄膜晶体管；其中，所述有源层与所述太阳能电池结构同层设置。
7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括设置在所述源极和漏极所在层的上方、有源层的下方的阻挡层。
8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述阻挡层中与所述源极和漏极相对应的位置分别设置有第一过孔和第二过孔；其中，所述源极通过所述第一过孔与有源层电连接，所述漏极通过所述第二过孔与所述有源层电连接； 所述阻挡层中与所述电源输出线相对应的位置设置有第四过孔，所述正电极通过所述第四过孔与所述电源输出线电连接。
9.如权利要求1?8任一权项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括位于薄膜晶体管上方的钝化层。
10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求1?9任一权项所述的阵列基板。
【文档编号】H01L27/12GK203760477SQ201420147229
【公开日】2014年8月6日 申请日期:2014年3月28日 优先权日:2014年3月28日
【发明者】张家祥, 郭建, 陈旭 申请人:京东方科技集团股份有限公司, 北京京东方光电科技有限公司