半导体器件及半导体器件的制造方法与流程

技术特征：

1.一种半导体器件，具有：

氮化物半导体层，和

在所述氮化物半导体层上隔着栅极绝缘膜而形成的栅电极；其中，

所述栅极绝缘膜具有在所述氮化物半导体层上形成的第1金属的氧化膜、和在所述第1金属的氧化膜上形成的第2金属的氧化膜，

所述第1金属与构成所述氮化物半导体层的元素不同，

所述第2金属比所述第1金属的电负性低。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第1金属的氧化膜为堆积膜。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，

所述堆积膜为利用原子层堆积法形成的膜。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第1金属为Al。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，

所述第2金属为选自Hf、Zr、Ta、Ti、Nb、La、Y、Mg的组中的1种以上的元素。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，

所述氮化物半导体层为GaN。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第1金属的氧化膜的厚度大于所述第2金属的氧化膜的厚度。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第1金属的氧化膜的厚度大于所述第2金属的氧化膜的厚度，

所述第2金属的氧化膜的膜厚为1nm以上且10nm以下。

9.一种半导体器件，具有：

氮化物半导体层，和

在所述氮化物半导体层上隔着栅极绝缘膜而形成的栅电极；其中，

所述栅极绝缘膜具有在所述氮化物半导体层上形成的Si的氧化膜、和在所述Si的氧化膜上形成的比所述Si的电负性低的金属的氧化膜，

所述Si与构成所述氮化物半导体层的元素不同。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，

所述Si的氧化膜为堆积膜。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，

所述堆积膜为利用原子层堆积法形成的膜。

12.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，

比所述Si的电负性低的金属为选自Al、Hf、Zr、Ta、Ti、Nb、La、Y、Mg的组中的1种以上的元素。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，

所述氮化物半导体层为GaN。

14.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，

所述Si的氧化膜的厚度大于比所述Si的电负性低的金属的氧化膜的厚度。

15.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，

所述Si的氧化膜的厚度大于比所述Si的电负性低的金属的氧化膜的厚度，

比所述Si的电负性低的金属的氧化膜的膜厚为1nm以上且10nm以下。

16.一种半导体器件，具有：

在衬底的上方形成的第1氮化物半导体层，

在所述第1氮化物半导体层上形成的第2氮化物半导体层，

在所述第2氮化物半导体层上形成的第3氮化物半导体层，

贯通所述第3氮化物半导体层、并且到达所述第2氮化物半导体层的槽，和

在所述槽内隔着栅极绝缘膜而配置的栅电极；其中，

所述第3氮化物半导体层的电子亲和力小于所述第2氮化物半导体层的电子亲和力，

所述第2氮化物半导体层的电子亲和力大于所述第1氮化物半导体层的电子亲和力，

所述栅极绝缘膜具有在所述槽的底面及侧壁上形成的第1金属的氧化膜、和在所述第1金属的氧化膜上形成的第2金属的氧化膜，

所述第1金属与构成所述第2氮化物半导体层的元素不同，

所述第2金属比所述第1金属的电负性低。

17.根据权利要求16所述的半导体器件，其中，

所述第1金属的氧化膜为堆积膜。

18.根据权利要求17所述的半导体器件，其中，

所述堆积膜为利用原子层堆积法形成的膜。

19.根据权利要求16所述的半导体器件，其中，

所述第1金属为Al。

20.根据权利要求19所述的半导体器件，其中，

所述第2金属为选自Hf、Zr、Ta、Ti、Nb、La、Y、Mg的组中的1种以上的元素。

21.根据权利要求20所述的半导体器件，其中，

所述第2氮化物半导体层为GaN。

22.根据权利要求16所述的半导体器件，其中，

所述第1金属的氧化膜的厚度大于所述第2金属的氧化膜的厚度。

23.根据权利要求16所述的半导体器件，其中，

所述第1金属的氧化膜的厚度大于所述第2金属的氧化膜的厚度，

所述第2金属的氧化膜的膜厚为1nm以上且10nm以下。