技术总结
本发明提高半导体器件的特性。对于具有在氮化物半导体层CH上隔着栅极绝缘膜GI形成的栅电极GE的半导体器件(MISFET)而言，栅极绝缘膜GI以具有氮化物半导体层CH上形成的第1栅极绝缘膜(第1金属的氧化膜)GIa、第2栅极绝缘膜(第2金属的氧化膜)GIb的方式构成。第2金属(例如，Hf)比第1金属(例如，Al)的电负性低。使第2金属的电负性低于第1金属的电负性，负电荷通过界面极化而导入第1金属的氧化膜中，因此能够使平带电压向正方向偏移。由此，能够使由于第1金属的氧化膜的热处理而变为负的阈值电压向正方向偏移。
技术研发人员：饭塚敏洋;小山晋;加藤芳健
受保护的技术使用者：瑞萨电子株式会社
文档号码：201480078152
技术研发日：2014.05.01
技术公布日：2016.12.14